JPS60217690A - 光半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
光半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS60217690A JPS60217690A JP59073061A JP7306184A JPS60217690A JP S60217690 A JPS60217690 A JP S60217690A JP 59073061 A JP59073061 A JP 59073061A JP 7306184 A JP7306184 A JP 7306184A JP S60217690 A JPS60217690 A JP S60217690A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- refractive index
- active layer
- striped electrode
- quantum well
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、低Ｗ４値電流および良好な高速変調特性を有
し、かつ偏波面が駆動条件によって変化しない半導体レ
ーザおよびその製法に関するものである。
し、かつ偏波面が駆動条件によって変化しない半導体レ
ーザおよびその製法に関するものである。
従来、Ｗ４値電流（密度）が低い半導体レーザとして第
１図のような埋込み（ＢＨ）ストライプレーザが知られ
ていた。これは、基板ｌｏ上に、下部クラッド層１、活
性層２、上部クラッド層３およびキャップ層４からなる
ダブルへテロ（ＤＢ）ウェー八をます液相エピタキシー
（ＬＰＥ）法などで成長させ、そのキャップ層４の一部
分を適当な方法で覆ってメサエッチングを施して凸型を
作り、エツチングされた部分に第２のエピタキシャル成
長により活性層２よりノくンドギャップの大きい他の半
導体（埋込み領域）５を成長させることによって製作さ
れる。６はキヤ程を必要とする。このため、製造歩留り
は悪くなる。
１図のような埋込み（ＢＨ）ストライプレーザが知られ
ていた。これは、基板ｌｏ上に、下部クラッド層１、活
性層２、上部クラッド層３およびキャップ層４からなる
ダブルへテロ（ＤＢ）ウェー八をます液相エピタキシー
（ＬＰＥ）法などで成長させ、そのキャップ層４の一部
分を適当な方法で覆ってメサエッチングを施して凸型を
作り、エツチングされた部分に第２のエピタキシャル成
長により活性層２よりノくンドギャップの大きい他の半
導体（埋込み領域）５を成長させることによって製作さ
れる。６はキヤ程を必要とする。このため、製造歩留り
は悪くなる。
一方、良好な高速変調特性を有する半導体レーザとして
分布帰還（ＤＦＢ）レーザが知られている。これは、第
２図に示すように、ダブルヘテロウェーハの結晶成長過
程において、上部クラッド層３の一部分３１が成長した
段階で結晶成長を中断し、光干渉法と化学エツチング法
を利用した方法により結晶表面に回折格子７を設ける。
分布帰還（ＤＦＢ）レーザが知られている。これは、第
２図に示すように、ダブルヘテロウェーハの結晶成長過
程において、上部クラッド層３の一部分３１が成長した
段階で結晶成長を中断し、光干渉法と化学エツチング法
を利用した方法により結晶表面に回折格子７を設ける。
次いで、再びエピタキシャル結節成長法ニよりクラッド
層３の残りの部分３２およびキャップ層４を成長させる
ことによってデノくイスが形成される。
層３の残りの部分３２およびキャップ層４を成長させる
ことによってデノくイスが形成される。
この場合にも、やはり２＠の結晶成長過程を要し、製造
歩留りは低下する。しかも、ＤＦＢレーザには偏波面選
択性がないので、レーザ出力の偏波面は、例えば、雰囲
気温度によって変化するなどの不安定性を有する。第３
図に周囲温度を変化させた時の偏波面の変化の１例を示
す。
歩留りは低下する。しかも、ＤＦＢレーザには偏波面選
択性がないので、レーザ出力の偏波面は、例えば、雰囲
気温度によって変化するなどの不安定性を有する。第３
図に周囲温度を変化させた時の偏波面の変化の１例を示
す。
ここで、温度Ｔ１以下ではＴＥ偏波を示し、’ｒ＋＜
Ｔ ＜ Ｔ＊ ではこれと垂直な方向に電界ベクトルを
もつＴＭ偏波になり、更にＴ１以上の温度では再びＴＥ
偏波になるなど複雑な変化を示す。
Ｔ ＜ Ｔ＊ ではこれと垂直な方向に電界ベクトルを
もつＴＭ偏波になり、更にＴ１以上の温度では再びＴＥ
偏波になるなど複雑な変化を示す。
ＢＨレーザが閾値電流が低いことと、ＤＦＢレーザが変
調特性が秀れることとを合せると、低閾値電流でかつ高
速変調特性にすぐれたＤＦＢ−ＢＨレーザを実現できる
ことは容易に考えられ、既に開発段階にある。かかるＤ
ＦＢ−ＢＨレーザの構造の一例を第４図に示す。この場
合には合計３回の結晶成長過程を必要とすることになり
、歩留りが悪いばかりか、ＤＦＢレーザのもつ偏波面不
安定性は解消されない。一方、活性層として、第５図に
示すように、２つの異なる物質の超薄膜多層積層構造２
１を用いた構造のレーザは多重量子井戸（ＭＱＷ）レー
ザと呼ばれる。このレーザは閾値電流密度が低いこと、
および構造が異方的であるためにＴＥ偏波だけが優先的
に発振するという偏波面安定性をもつ利点がある。この
ような構造のＭＱＷレーザダイオードは分子線エピタキ
シー法などにより、１回の結晶成長で作製される。
調特性が秀れることとを合せると、低閾値電流でかつ高
速変調特性にすぐれたＤＦＢ−ＢＨレーザを実現できる
ことは容易に考えられ、既に開発段階にある。かかるＤ
ＦＢ−ＢＨレーザの構造の一例を第４図に示す。この場
合には合計３回の結晶成長過程を必要とすることになり
、歩留りが悪いばかりか、ＤＦＢレーザのもつ偏波面不
安定性は解消されない。一方、活性層として、第５図に
示すように、２つの異なる物質の超薄膜多層積層構造２
１を用いた構造のレーザは多重量子井戸（ＭＱＷ）レー
ザと呼ばれる。このレーザは閾値電流密度が低いこと、
および構造が異方的であるためにＴＥ偏波だけが優先的
に発振するという偏波面安定性をもつ利点がある。この
ような構造のＭＱＷレーザダイオードは分子線エピタキ
シー法などにより、１回の結晶成長で作製される。
そこで、本発明の目的は、１回あるいは多くても２回の
結晶成長過程のみでＢＨ−ＤＦＢ−ＭＱＷレーザダイオ
ードを製造できるように適切に構成した光半導体装置を
提供することにある。
結晶成長過程のみでＢＨ−ＤＦＢ−ＭＱＷレーザダイオ
ードを製造できるように適切に構成した光半導体装置を
提供することにある。
本発明の他の目的は、１回あるいは多くても２回の結晶
成長過程のみでＢＨ−ＤＦＢ−ＭＱＷレーザダイオード
を製造することのできる光半導体装置の製造方法を提供
することにある。
成長過程のみでＢＨ−ＤＦＢ−ＭＱＷレーザダイオード
を製造することのできる光半導体装置の製造方法を提供
することにある。
かかる目的を達成するために、本発明光半導体装置は、
基板を有し、該基板上に下部タララッド層、多重量子井
戸構造をもつ活性層、上部クラッド層、キャップ層をこ
の順序で配置し、キャップ層上にはストライブ電極を配
置した光半導体装置において、活性層のうち、ストライ
ブ電極の直下以外の部分に対して、ストライブ電極とほ
ぼ直交する方向に周期的にイオン注入を行って混晶化し
、当該部分の屈折率を周期的に変化させる゛ように構成
する。
基板を有し、該基板上に下部タララッド層、多重量子井
戸構造をもつ活性層、上部クラッド層、キャップ層をこ
の順序で配置し、キャップ層上にはストライブ電極を配
置した光半導体装置において、活性層のうち、ストライ
ブ電極の直下以外の部分に対して、ストライブ電極とほ
ぼ直交する方向に周期的にイオン注入を行って混晶化し
、当該部分の屈折率を周期的に変化させる゛ように構成
する。
本発明製造方法は、基板を有し、該基板上に下部クラッ
ド層、多重量子井戸構造をもつ活性一層、上部クラッド
層、キャップ層をこの順序で配置し、キャップ層上には
ストライブ電極を配置した光半導体装置の製造方法にお
いて、集束イオンビームをストライブ電極とほぼ直交す
る方向に一定周期で繰り返してキャップ層に照射して、
不純物イオンを前記活性層に到達するようにイオン注入
する工程と、活性層に熱を加えて、イオン注入された部
分の多重量子井戸構造を混晶化する工程とを具える。
ド層、多重量子井戸構造をもつ活性一層、上部クラッド
層、キャップ層をこの順序で配置し、キャップ層上には
ストライブ電極を配置した光半導体装置の製造方法にお
いて、集束イオンビームをストライブ電極とほぼ直交す
る方向に一定周期で繰り返してキャップ層に照射して、
不純物イオンを前記活性層に到達するようにイオン注入
する工程と、活性層に熱を加えて、イオン注入された部
分の多重量子井戸構造を混晶化する工程とを具える。
以下に、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
以上のａｔ論より、本発明では、ＢＨレーザよりも閾値
電流が低く、高速変調性にすぐれ、かつ偏波面が安定で
あるレーザダイオードを実現するためには、ＢＨ−ＤＦ
Ｂ−ＭＱＷ構造をとるのが望ましいという結論に達し、
第６図に示すようなりＨ−ＤＦＢ−ＭＱＷ構造の半導体
レーザを実現することを目指す。
電流が低く、高速変調性にすぐれ、かつ偏波面が安定で
あるレーザダイオードを実現するためには、ＢＨ−ＤＦ
Ｂ−ＭＱＷ構造をとるのが望ましいという結論に達し、
第６図に示すようなりＨ−ＤＦＢ−ＭＱＷ構造の半導体
レーザを実現することを目指す。
一般に、かかるレーザを製作しようとすると、３回の結
晶成長過程を必要とすることになり、工程が複雑となる
ために、歩留り低下を招来する。これに対して、本発明
では、１回または２回の結晶成長過程でかかる半導体レ
ーザを製造するが、その一実施例を第７図〜第９図によ
り説明する。
晶成長過程を必要とすることになり、工程が複雑となる
ために、歩留り低下を招来する。これに対して、本発明
では、１回または２回の結晶成長過程でかかる半導体レ
ーザを製造するが、その一実施例を第７図〜第９図によ
り説明する。
第７図は、分子線エピタキシー法などによって１回の結
晶成長工程で製作された、多重量子井戸構造をもつ活性
層２１を有する多重量子井戸（ＭＱＷ）レーザダイオー
ドの構造を示す。ここで、６は電流を注入するためのス
トライプ電極金属層である。
晶成長工程で製作された、多重量子井戸構造をもつ活性
層２１を有する多重量子井戸（ＭＱＷ）レーザダイオー
ドの構造を示す。ここで、６は電流を注入するためのス
トライプ電極金属層である。
本発明では、ビーム径が０．１μｍ程度に絞られた８１
．またはＺｎまたはＢｅその他の集束イオンビーム７０
をキャップ層４およびストライプ電極６の面に垂直に照
射し、その長手方向とははホ直角方向に静電的にライン
アンドスペースの走査を行う。かかるイオンビーム７ｏ
の照射により得られたパターン１７において、ライン８
の方向はストライブ電極６に直角になっている。
．またはＺｎまたはＢｅその他の集束イオンビーム７０
をキャップ層４およびストライプ電極６の面に垂直に照
射し、その長手方向とははホ直角方向に静電的にライン
アンドスペースの走査を行う。かかるイオンビーム７ｏ
の照射により得られたパターン１７において、ライン８
の方向はストライブ電極６に直角になっている。
ここで、周期ｄは分布帰還形レーザダイオードの回折格
子の周期（通常０．２〜０゜５μｍ）に選定−しておく
ものとする。また、集束イオンビームは照射されたイオ
ンが活性層２１に到達する程度にまであらかじめ加速さ
れているものと−する。
子の周期（通常０．２〜０゜５μｍ）に選定−しておく
ものとする。また、集束イオンビームは照射されたイオ
ンが活性層２１に到達する程度にまであらかじめ加速さ
れているものと−する。
次に、このようなレーザダイオードに対して、５００〜
７００°Ｃ程度の温度で熱処理を１０分ないし２時間程
度施すと、第８図（Ａ）に示すように、活性層である多
重量子井戸層２１のうち、イオンが注入された部分２２
だけは、多重量子井戸構造が壊れて混晶化する。すなわ
ち、第５図に示したような２つの異種物質を交互に積層
した構造において、イオン注入とその後の熱処理を経る
ことにより、部分２２では２つの物質が完全にランダム
に混合した混晶状態へと変化する。
７００°Ｃ程度の温度で熱処理を１０分ないし２時間程
度施すと、第８図（Ａ）に示すように、活性層である多
重量子井戸層２１のうち、イオンが注入された部分２２
だけは、多重量子井戸構造が壊れて混晶化する。すなわ
ち、第５図に示したような２つの異種物質を交互に積層
した構造において、イオン注入とその後の熱処理を経る
ことにより、部分２２では２つの物質が完全にランダム
に混合した混晶状態へと変化する。
なお、活性層２１の部分のみの屈折率を取り出して示す
と、第８図（Ｂ）のようになる。混晶状態は・一般的に
、多重量子井戸構造に比べてバンドギャップが大きく、
光の屈折率が小さい。その差は０．１〜０．２という大
きな値である。このように、イオン注入された部分２２
は混晶化により屈折率が小さくなり、隣接するイオン注
入されない部分２３は混晶化せずにもとのままの屈折率
をもつことになる。このような屈折率の繰り返し構造２
４が、ストライブ電極６の長手方向に沿って、ストライ
プ電極６直下の活性層（発光領域）２５に隣接して形成
される。
と、第８図（Ｂ）のようになる。混晶状態は・一般的に
、多重量子井戸構造に比べてバンドギャップが大きく、
光の屈折率が小さい。その差は０．１〜０．２という大
きな値である。このように、イオン注入された部分２２
は混晶化により屈折率が小さくなり、隣接するイオン注
入されない部分２３は混晶化せずにもとのままの屈折率
をもつことになる。このような屈折率の繰り返し構造２
４が、ストライブ電極６の長手方向に沿って、ストライ
プ電極６直下の活性層（発光領域）２５に隣接して形成
される。
ここで、ストライブ電極６：に平１行なＩＩＪＡＡ’に
沿って見た屈折率の変化の様子を第８図（Ｃ）に示す。
沿って見た屈折率の変化の様子を第８図（Ｃ）に示す。
この屈折率の繰り返し構造２４は、発光領域２５で発光
してストライブ電極６に沿って伝播するレーザ光にとっ
ては回折格子として分布帰還作用をする。すなわち、分
布帰還形多重量子井戸（ＤＦＢ−ＭＱＷ） レーザダイ
オードとして動作する。
してストライブ電極６に沿って伝播するレーザ光にとっ
ては回折格子として分布帰還作用をする。すなわち、分
布帰還形多重量子井戸（ＤＦＢ−ＭＱＷ） レーザダイ
オードとして動作する。
それと同時に、屈折率の繰り返し構造２４は、もともと
の多重量子井戸領域２３とそれを混晶化して屈折率を小
さ−くした領域２２とのくり返しから構成されているの
で、空間的に平均化した屈折率はもともとの多重量子井
戸領域よりは小さい。
の多重量子井戸領域２３とそれを混晶化して屈折率を小
さ−くした領域２２とのくり返しから構成されているの
で、空間的に平均化した屈折率はもともとの多重量子井
戸領域よりは小さい。
ストライブ電極６の横断面を考えると、第８図（Ｂ）に
示すように、発光領域２５はストライプ方向に沿って屈
−折率の繰り返し構造が設けられている、より屈折率の
小さな領域２２で囲まれており、光波は発光領域２５に
閉じ込められる。
示すように、発光領域２５はストライプ方向に沿って屈
−折率の繰り返し構造が設けられている、より屈折率の
小さな領域２２で囲まれており、光波は発光領域２５に
閉じ込められる。
更に、上部クラッド層３がイオン注入される前にｐ型（
またはｎ型）であれば、注入された後にはｎ型（または
ｐ型）の逐導型を示すように注入イオン種をドナー不純
物（またはアクセプタ不純物）の中から選定すれは、第
９図に示すように、ストライプ電極６の直下の上部り゛
ラッド層領域３４に比べて、これと横方向で隣接してい
て一部イオン注入された領域３３の電気抵抗率は増大す
る。これにより電極６から注入される電流は領域３４を
経由して発光領域２５に集中して注入することができる
。すなわち、電流の閉じ込め効果をもたせることができ
る。
またはｎ型）であれば、注入された後にはｎ型（または
ｐ型）の逐導型を示すように注入イオン種をドナー不純
物（またはアクセプタ不純物）の中から選定すれは、第
９図に示すように、ストライプ電極６の直下の上部り゛
ラッド層領域３４に比べて、これと横方向で隣接してい
て一部イオン注入された領域３３の電気抵抗率は増大す
る。これにより電極６から注入される電流は領域３４を
経由して発光領域２５に集中して注入することができる
。すなわち、電流の閉じ込め効果をもたせることができ
る。
以上に説明したように、この構造は光波および電流の両
方を発光領域２５に閉じこめるために有効な構造であり
、埋込み（ＢＨ）レーザダイオードとしても動作する。
方を発光領域２５に閉じこめるために有効な構造であり
、埋込み（ＢＨ）レーザダイオードとしても動作する。
このようにして、第９図に示した構造はＢＨ−ＤＦＢ−
ＭＱＷレーザとして動作する。以上の実施例に示したよ
うに、本発明によれは、１回だけのエビタ±シャル１２
． 長のみでＤＦＢ−ＢＨ−ＭＱＷレーザを製作するこ
とができる。第１０図は本発明の別の実施例を示し、本
例では、集束イオンビームの走査パターンだけが第１の
実施例とは異なる。この場合、イオンビームの走査をス
トライプ電極６の付近だけにとどめ、かつ長いライン８
１と短いライン８２とを交互に描くように走査して、屈
折率が周期的に変化する構造１７′を構成する。この場
合、長いライン８１の長さはレーザ発振の媒質内波長に
比べて充分に長いことを意味し、短いライン８２の長さ
は、同波長と同程度またはそれ以下を意味する。このよ
うな長さの交互に異なる領域にイオン注入することによ
って、ＢＨ−ＤＦＢ−ＭＱＷレーザを形成できることは
第１の実施例で説明したことによって明らかである。
ＭＱＷレーザとして動作する。以上の実施例に示したよ
うに、本発明によれは、１回だけのエビタ±シャル１２
． 長のみでＤＦＢ−ＢＨ−ＭＱＷレーザを製作するこ
とができる。第１０図は本発明の別の実施例を示し、本
例では、集束イオンビームの走査パターンだけが第１の
実施例とは異なる。この場合、イオンビームの走査をス
トライプ電極６の付近だけにとどめ、かつ長いライン８
１と短いライン８２とを交互に描くように走査して、屈
折率が周期的に変化する構造１７′を構成する。この場
合、長いライン８１の長さはレーザ発振の媒質内波長に
比べて充分に長いことを意味し、短いライン８２の長さ
は、同波長と同程度またはそれ以下を意味する。このよ
うな長さの交互に異なる領域にイオン注入することによ
って、ＢＨ−ＤＦＢ−ＭＱＷレーザを形成できることは
第１の実施例で説明したことによって明らかである。
なお、第１および第２の実施例では、エピタキシャル結
晶成長が終了しかつストライプ電極６を形成したウェー
ハに対してイオン注入を行なう場合を示したが、本発明
はこれに限定されない。例えば、注入されるイオンが活
性層２１まで到達しない場合には、第１の上部クラッド
層３１でエピタキシャル成長を止めたウェーハを用いて
イオン注入し、熱処理を行ない、再び第２の上部クラッ
ド層３２およびキャップ層４をエピタキシャル成長させ
ることも考えられる。
晶成長が終了しかつストライプ電極６を形成したウェー
ハに対してイオン注入を行なう場合を示したが、本発明
はこれに限定されない。例えば、注入されるイオンが活
性層２１まで到達しない場合には、第１の上部クラッド
層３１でエピタキシャル成長を止めたウェーハを用いて
イオン注入し、熱処理を行ない、再び第２の上部クラッ
ド層３２およびキャップ層４をエピタキシャル成長させ
ることも考えられる。
この場合にはエピタキシャル成長は２回行なう必要があ
る。
る。
以上説明したように、本発明によれば、１回のまたは多
くても２回のエピタキシャル結晶成長と集束イオンビー
ムを用いたイオン注入の工程な用いて、ＤＦＢ−ＢＨ−
ＭＱＷ構造のレーザダイオードを製作するので、結晶成
長回数が少くて済むことから高性能レーザダイオードを
歩留りよく製作することができる。
くても２回のエピタキシャル結晶成長と集束イオンビー
ムを用いたイオン注入の工程な用いて、ＤＦＢ−ＢＨ−
ＭＱＷ構造のレーザダイオードを製作するので、結晶成
長回数が少くて済むことから高性能レーザダイオードを
歩留りよく製作することができる。
第１図は従来の埋込み（Ｂ）Ｉ）レーザーの構造の一例
を示す線図、第２図は従来の分布帰還形（ＤＦＢ）レー
ザーの構造の一例を示す線図、第３図はＤＦＢレーザの
発振の偏波ｍ１と周囲温度による変化を示す概念図、第
４図は従来の埋込み・分布帰還型（ＢＨ−ＤＦＢ）レー
ザの構造の一例を示すｍ図、第５図は従来の多重量子井
戸（ＭＱＷ）レーザの構造の一例を示す線図、第６図は
、本発明の目的とするＤＨ−ＤＦＢ−ＭＱＷレーザの構
造の概略を示す線図、第７図は本発明にょるＢＨ−ＤＦ
Ｂ−ＭＱｗ レーザの製造方法の１実施例において、集
束イオンビームを用いてイオン注入を行なう工程を示す
線図、第８図（４）は活性層である多重量子井戸層を抜
き出して示す拡大図、第８図（Ｂ）および（Ｃ）はその
屈折率の分布図、第９図はイオン注入してがら更に熱処
理を行なった後のウェーハの状態を示す線図、第１０図
は本発明の別の実施例を示す線図である。 １・・・・・・下部クラッド層、 ２・・・・・・活性層、 ３・・・・・・上部クラッド層、 ４・・・・・・キャップ層、 ５・・・・・・埋込み層、 ６・・・・・・ストライプ電極、 ７・・・・・・回折格子、 ８・・・・・・集束イオンビームで走査するライン、１
０・・・・・・基 板、 １７．１７’・・・・・・周期的に屈折率の変化してい
る構造、２１・・・・・・多重量子井戸構造をもつ活性
層、２２・・・・・・イオン注入されて混晶化した多重
量子井戸層、２３・・・・・・イオン注入されない多重
量子井戸層、２４・・・・・・屈折率の繰り返し構造、
２５・・・・・・ストライブ電極直下の活性層、 区３
１・・・・・・第１の上部クラッド層、 −３２・・・
・・・第２の上部クラッド層、昧３３・・・・・・部分
的に−ｒオン注入された上部クラッド層、３４・・・・
・・ストライプ電極直下の上部クラッド層、７０・・・
・・・ 集束イオンビーム、８１・・・・・・集束イオ
ンビームで走査する長いライン、８２・・・・・・集束
イオンビームで走査する短いライン。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 谷 砂 − 昧 鉾
を示す線図、第２図は従来の分布帰還形（ＤＦＢ）レー
ザーの構造の一例を示す線図、第３図はＤＦＢレーザの
発振の偏波ｍ１と周囲温度による変化を示す概念図、第
４図は従来の埋込み・分布帰還型（ＢＨ−ＤＦＢ）レー
ザの構造の一例を示すｍ図、第５図は従来の多重量子井
戸（ＭＱＷ）レーザの構造の一例を示す線図、第６図は
、本発明の目的とするＤＨ−ＤＦＢ−ＭＱＷレーザの構
造の概略を示す線図、第７図は本発明にょるＢＨ−ＤＦ
Ｂ−ＭＱｗ レーザの製造方法の１実施例において、集
束イオンビームを用いてイオン注入を行なう工程を示す
線図、第８図（４）は活性層である多重量子井戸層を抜
き出して示す拡大図、第８図（Ｂ）および（Ｃ）はその
屈折率の分布図、第９図はイオン注入してがら更に熱処
理を行なった後のウェーハの状態を示す線図、第１０図
は本発明の別の実施例を示す線図である。 １・・・・・・下部クラッド層、 ２・・・・・・活性層、 ３・・・・・・上部クラッド層、 ４・・・・・・キャップ層、 ５・・・・・・埋込み層、 ６・・・・・・ストライプ電極、 ７・・・・・・回折格子、 ８・・・・・・集束イオンビームで走査するライン、１
０・・・・・・基 板、 １７．１７’・・・・・・周期的に屈折率の変化してい
る構造、２１・・・・・・多重量子井戸構造をもつ活性
層、２２・・・・・・イオン注入されて混晶化した多重
量子井戸層、２３・・・・・・イオン注入されない多重
量子井戸層、２４・・・・・・屈折率の繰り返し構造、
２５・・・・・・ストライブ電極直下の活性層、 区３
１・・・・・・第１の上部クラッド層、 −３２・・・
・・・第２の上部クラッド層、昧３３・・・・・・部分
的に−ｒオン注入された上部クラッド層、３４・・・・
・・ストライプ電極直下の上部クラッド層、７０・・・
・・・ 集束イオンビーム、８１・・・・・・集束イオ
ンビームで走査する長いライン、８２・・・・・・集束
イオンビームで走査する短いライン。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 谷 砂 − 昧 鉾
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板を有し、該基板上に下部クラッド層、多重量子
井戸構造をもつ活性層、上部クラッド層・キャップ層を
この順序で配置し、前記キャップ層上にはストライプ電
極を配置した光半導体装置において、前記活性層のうち
、前記ストライプ電極の直下以外の部分に対して、前記
ストライプ電極とほぼ直交する方向に周期的にイオン注
入を行って混晶化し、当該部分の屈折率を周期的に変化
させるように構成したことを特徴とする光半導体装置。 ２）基板を有し、該基板上に下部クラッド層、多重量子
井戸構造をもつ活性層、上部クラッド層、キャップ層を
この順序で配置し、前記キャップ層上にはストライプ電
極を配置した光半導体装置の製造方法において、 ４ＩＩＬ′ｍイ甘ンピームを創ｌ−ストライプ電極を書
テぼ直交する方向に一定周期で繰り返して前記キャップ
層に照射して、不純物イオンを前記活性層に到達するよ
うにイオン注入する工程と、前記活性層に熱を加えて、
イオン注入された部分の多重量子井戸構造を混晶化する
工程とを具えたことを特徴とする光半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59073061A JPS60217690A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 光半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59073061A JPS60217690A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 光半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60217690A true JPS60217690A (ja) | 1985-10-31 |
| JPH0131318B2 JPH0131318B2 (ja) | 1989-06-26 |
Family
ID=13507458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59073061A Granted JPS60217690A (ja) | 1984-04-13 | 1984-04-13 | 光半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60217690A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0177221A2 (en) * | 1984-09-28 | 1986-04-09 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser |
| JPS6236886A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-17 | Hitachi Ltd | 半導体構造体とその製造方法 |
| EP0406005A2 (en) * | 1989-06-30 | 1991-01-02 | Optical Measurement Technology Development Co. Ltd. | Semiconductor laser and manufacture method therefor |
-
1984
- 1984-04-13 JP JP59073061A patent/JPS60217690A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0177221A2 (en) * | 1984-09-28 | 1986-04-09 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser |
| EP0177221A3 (en) * | 1984-09-28 | 1987-09-30 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser |
| JPS6236886A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-17 | Hitachi Ltd | 半導体構造体とその製造方法 |
| EP0406005A2 (en) * | 1989-06-30 | 1991-01-02 | Optical Measurement Technology Development Co. Ltd. | Semiconductor laser and manufacture method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0131318B2 (ja) | 1989-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06302906A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP4562977B2 (ja) | 弱く結合されたグレーティングを有する半導体レーザ | |
| US5573976A (en) | Method of fabricating semiconductor laser | |
| EP0486128A2 (en) | A semiconductor optical device and a fabricating method therefor | |
| JPH11112081A (ja) | 半導体レーザ，及びその製造方法 | |
| JPS5940592A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH04212489A (ja) | 発光素子 | |
| US5781577A (en) | Semiconductor laser | |
| JPH10229246A (ja) | リッジ型半導体レーザダイオードとその製造方法 | |
| JPS60217690A (ja) | 光半導体装置およびその製造方法 | |
| US4377865A (en) | Semiconductor laser | |
| JPH073908B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPS6214488A (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
| JP3355016B2 (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
| JPH065969A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| KR100261243B1 (ko) | 레이저 다이오드 및 그의 제조방법 | |
| JPS6355878B2 (ja) | ||
| JPH069275B2 (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| KR20040021863A (ko) | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| JPS6292385A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH0559594B2 (ja) | ||
| JPS61171185A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0665236B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH01293686A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH09283838A (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |