JPS60206270A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS60206270A JPS60206270A JP59060761A JP6076184A JPS60206270A JP S60206270 A JPS60206270 A JP S60206270A JP 59060761 A JP59060761 A JP 59060761A JP 6076184 A JP6076184 A JP 6076184A JP S60206270 A JPS60206270 A JP S60206270A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- electrode
- solid
- electrodes
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は固体撮像素子に関するものである。
固体撮像素子の進展は目覚ましいものがあるが、最近に
なシ従来七ノリシックのシリコン素子と考えられていた
固体撮像素子に光電変換を半導体基板上の光導電１膜で
行い、この光導電膜にて発生した信号電荷を半導体基板
の主面に形成した走査部によって読み出す固体撮像素子
が開発されている。
なシ従来七ノリシックのシリコン素子と考えられていた
固体撮像素子に光電変換を半導体基板上の光導電１膜で
行い、この光導電膜にて発生した信号電荷を半導体基板
の主面に形成した走査部によって読み出す固体撮像素子
が開発されている。
次に、この固体撮像素子の一例を第１図にょシ説明する
。
。
即ち、ｐ型半導体基板（１）の主面には、後述する第１
電極からの信号電荷を蓄積する電荷蓄積部としての第１
のｎ＋型不純物層（２）が所定間隔をあけてマトリック
ス状に設けられている。またｐ型半導体基板（１）の主
面には光電変換された信号電荷を読み出すための第２の
ｎ中型不純物層（３）が所定長さのゲート領域（４）を
介して第１のｎ＋型不純物層（２）と隣接して設けられ
ている。この第２のｎ＋型不純物層（３）はインターラ
イン転送方式のＣＯＤならばＣＯＤチャンネルとなる。
電極からの信号電荷を蓄積する電荷蓄積部としての第１
のｎ＋型不純物層（２）が所定間隔をあけてマトリック
ス状に設けられている。またｐ型半導体基板（１）の主
面には光電変換された信号電荷を読み出すための第２の
ｎ中型不純物層（３）が所定長さのゲート領域（４）を
介して第１のｎ＋型不純物層（２）と隣接して設けられ
ている。この第２のｎ＋型不純物層（３）はインターラ
イン転送方式のＣＯＤならばＣＯＤチャンネルとなる。
まだｐ型半導体基板（１）の主面には第１及び第２のｎ
＋型不純物層（２）、 （３）を１単位として、これら
単位間を分離するだめのｐ′＋型不純物層からなるスト
ッパ層（５）が設けられている。
＋型不純物層（２）、 （３）を１単位として、これら
単位間を分離するだめのｐ′＋型不純物層からなるスト
ッパ層（５）が設けられている。
このゲート領域（４）、第２のｎ＋型不純物層（３）及
びストツ、Ｒ層（５）が位置するｐ型半導体基板（１）
上にはゲート絶縁膜（６）を介して転送電極である多結
晶シリコンゲート電極（７）か設けられている。
びストツ、Ｒ層（５）が位置するｐ型半導体基板（１）
上にはゲート絶縁膜（６）を介して転送電極である多結
晶シリコンゲート電極（７）か設けられている。
この多結晶シリコンゲート電極（力を含むｐ型半導体基
板（１）上には第１の絶縁膜（８）が被覆され、かつ第
１のＣ型不純物層（２）の一部に対応する第１の絶縁膜
（８）には開口部（９）が形成されている。そして第１
の絶縁膜（８）上及び開口部（９）内には互に所定距離
へだてて単位画素毎に独立した複数の第１電極Ｑｌが設
けられ、この第１ＴＬ極ｔｉＩは開口部（９）を介して
第１のｎ中型不純物層（２）に接続されている。
板（１）上には第１の絶縁膜（８）が被覆され、かつ第
１のＣ型不純物層（２）の一部に対応する第１の絶縁膜
（８）には開口部（９）が形成されている。そして第１
の絶縁膜（８）上及び開口部（９）内には互に所定距離
へだてて単位画素毎に独立した複数の第１電極Ｑｌが設
けられ、この第１ＴＬ極ｔｉＩは開口部（９）を介して
第１のｎ中型不純物層（２）に接続されている。
この第１電極頭上には平滑層としての第２の絶縁膜Ｉが
設けられており、この第２の絶縁膜Ｉの平滑面上には第
２電極ｔ１２１か互に所定距離へだてて単位画素毎に独
立して設けられ、かつ、この率２の電極ａカは開口部Ｕ
襟を介して第１電極０Ｑに接続されている。
設けられており、この第２の絶縁膜Ｉの平滑面上には第
２電極ｔ１２１か互に所定距離へだてて単位画素毎に独
立して設けられ、かつ、この率２の電極ａカは開口部Ｕ
襟を介して第１電極０Ｑに接続されている。
この第２の絶縁膜（１１）上を含む第２電極１１２１上
には全面に光導電膜１１４１が設けられ、この光導電膜
（１４！上は透明電極０５１により被覆され、この透明
電極ｕ５１には所定の電圧が印加されるようになってい
る。
には全面に光導電膜１１４１が設けられ、この光導電膜
（１４！上は透明電極０５１により被覆され、この透明
電極ｕ５１には所定の電圧が印加されるようになってい
る。
この様な構造の固体撮像素子において、透明電極１１に
所望の電圧を印加させた状態で、例えば第２電極ａａ上
の光導電膜（１４１領の領域に光が照射されると、光導
′電膜１４１で光＊変換されて信号電荷が発生すると共
に、この信号４荷は第２電極Ｌ１２１及び第１電極を介
して、逆、＜イアスされたｐ型半導体基板（１）のＣ型
不純物層（２）に主として蓄積される。このようにして
蓄積された信号電荷は任意の蓄積時間後に多結晶シリコ
ンゲート電極（７）に電圧を印加することにょシ、ゲー
ト領域（４）を通って第２のｎ＋型不純物１ａ （３）
に読み出される。
所望の電圧を印加させた状態で、例えば第２電極ａａ上
の光導電膜（１４１領の領域に光が照射されると、光導
′電膜１４１で光＊変換されて信号電荷が発生すると共
に、この信号４荷は第２電極Ｌ１２１及び第１電極を介
して、逆、＜イアスされたｐ型半導体基板（１）のＣ型
不純物層（２）に主として蓄積される。このようにして
蓄積された信号電荷は任意の蓄積時間後に多結晶シリコ
ンゲート電極（７）に電圧を印加することにょシ、ゲー
ト領域（４）を通って第２のｎ＋型不純物１ａ （３）
に読み出される。
先導ｉに膜Ｉには光導電型撮像管の光導電ターゲット材
料を中心に種々の材料が使用されているが、その中で特
にアモルファスシリコン模が注目されている。その理由
は、他の材料例えば８ＢＪ＠ ＃ （Ｃｄ、 Ｚｎ）
Ｔｅ、 Ａｓ−８ｓ−Ｔｅ系の様にシリコン素子の製造
工程には余りなじみのない■族の材料が含まれているが
アモルファスシリコン模は材料的にも同一でちるため、
従来の製造工程にもとシいれ易い利点があるからである
。
料を中心に種々の材料が使用されているが、その中で特
にアモルファスシリコン模が注目されている。その理由
は、他の材料例えば８ＢＪ＠ ＃ （Ｃｄ、 Ｚｎ）
Ｔｅ、 Ａｓ−８ｓ−Ｔｅ系の様にシリコン素子の製造
工程には余りなじみのない■族の材料が含まれているが
アモルファスシリコン模は材料的にも同一でちるため、
従来の製造工程にもとシいれ易い利点があるからである
。
さて、第１図に示す固体撮像素子において、光導ｔ ｒ
ｍ ｕ４Ｊは本来約Ｉ ＱＨΩα程度の高抵抗を有して
いるので、第２電極（２）相互間で信号電荷が横方向に
リーケージしなくなシ、従って飽和信号電流としては１
００μ八程度得ることができるようになっている。
ｍ ｕ４Ｊは本来約Ｉ ＱＨΩα程度の高抵抗を有して
いるので、第２電極（２）相互間で信号電荷が横方向に
リーケージしなくなシ、従って飽和信号電流としては１
００μ八程度得ることができるようになっている。
然しなから、この固体撮像素子において、光導電ｒｓ
ａｍとしては横方向の抵抗値が高いため、信号電荷の横
方向への拡散は小ないが、強い外部光が照射されると、
信号電荷の一部が横方向へも拡散し、画面上に所謂にじ
み現象として観測され、画質を著しく低下させるという
問題点がある。
ａｍとしては横方向の抵抗値が高いため、信号電荷の横
方向への拡散は小ないが、強い外部光が照射されると、
信号電荷の一部が横方向へも拡散し、画面上に所謂にじ
み現象として観測され、画質を著しく低下させるという
問題点がある。
本発明は上述した問題点を除去するためになされたもの
であシ光導電膜内の各第２電極間に対応する光導電膜内
に横方向への信号電荷のり一ケージを防止し、強い外部
光が照射されても画面上Ｋ、所謂にじみ現象を発生させ
ることなく、画質を良好にすることが可能な固体撮像素
子を提供することを目的としている。
であシ光導電膜内の各第２電極間に対応する光導電膜内
に横方向への信号電荷のり一ケージを防止し、強い外部
光が照射されても画面上Ｋ、所謂にじみ現象を発生させ
ることなく、画質を良好にすることが可能な固体撮像素
子を提供することを目的としている。
即ち、本発明は電荷蓄積部およびこの電荷＃種部に蓄積
された電荷を転送する電荷転送部を有する半導体基板と
、電荷蓄積部の一部に第１の開口部を有するように半導
体基板上に設けられた第１の絶縁膜と、第１の開口部を
介して前記′電荷蓄積部と接続するように第１の絶縁膜
上に単位画素毎に形成された第１電極と、この第１電極
及び第１の絶縁層を覆うように形成された平滑層ト、シ
ての第２の絶縁膜と、この第２の絶縁膜の第２の開口部
を介して第１電極と接続するように第２の絶縁＋１９上
に単位画素毎に形成された第２電極と、この第２電極及
び第２の絶縁膜上に形成された光導電膜と、この光導電
膜上に形成された透明電極とからなる固体撮像素子にお
いて、第２電極間の光導電膜にはぼ透明電極に達する粒
界を設けたことを特徴としており、粒界が第２電極間に
設けられた凹溝部によ多形成されたこと、粒界が第２電
極間に設けられた突起状部によ多形成されたことを実施
態様としている。
された電荷を転送する電荷転送部を有する半導体基板と
、電荷蓄積部の一部に第１の開口部を有するように半導
体基板上に設けられた第１の絶縁膜と、第１の開口部を
介して前記′電荷蓄積部と接続するように第１の絶縁膜
上に単位画素毎に形成された第１電極と、この第１電極
及び第１の絶縁層を覆うように形成された平滑層ト、シ
ての第２の絶縁膜と、この第２の絶縁膜の第２の開口部
を介して第１電極と接続するように第２の絶縁＋１９上
に単位画素毎に形成された第２電極と、この第２電極及
び第２の絶縁膜上に形成された光導電膜と、この光導電
膜上に形成された透明電極とからなる固体撮像素子にお
いて、第２電極間の光導電膜にはぼ透明電極に達する粒
界を設けたことを特徴としており、粒界が第２電極間に
設けられた凹溝部によ多形成されたこと、粒界が第２電
極間に設けられた突起状部によ多形成されたことを実施
態様としている。
次に本発明の固体撮像素子の一実施例を第２図により説
明する。図中第１図と同一符号は同一部を示す。
明する。図中第１図と同一符号は同一部を示す。
即ち、ｐ型半導体基板（１）の主面には、後述する第１
電極からの信号電荷を蓄積する電荷蓄積部としての第１
のｎ＋型不純物層（２）が所定間隔をあけてマトリック
ス状に設けられている。またｐ型半導体基板の主面には
光電変換された信号電荷を読み出すだめの第２のｎ＋型
不純物層（３）が所定長さのゲート領域（４）を介して
第１の？型不純物層と隣接して設けられている。この第
２のｎ十型不純物層はインターライン転送方式のＣＯＤ
ならばＣＣＤチャンネルとなる。
電極からの信号電荷を蓄積する電荷蓄積部としての第１
のｎ＋型不純物層（２）が所定間隔をあけてマトリック
ス状に設けられている。またｐ型半導体基板の主面には
光電変換された信号電荷を読み出すだめの第２のｎ＋型
不純物層（３）が所定長さのゲート領域（４）を介して
第１の？型不純物層と隣接して設けられている。この第
２のｎ十型不純物層はインターライン転送方式のＣＯＤ
ならばＣＣＤチャンネルとなる。
またｐ型半導体基板（１）の主面には第１及び第２のｎ
＋型不純物層（２）、（３）を１単位として、これら単
位間を分離するためのｐ十型不純物層からなるストッパ
層（５）が設けられている。
＋型不純物層（２）、（３）を１単位として、これら単
位間を分離するためのｐ十型不純物層からなるストッパ
層（５）が設けられている。
このゲート領域（４）、第２のｎ＋型不純物層及びスト
ツノ９層（５）が位置するｐ型半導体基板（１）にはゲ
ート絶縁膜（６）を介して転送電極である多結晶シリコ
ンゲート電極（力が設けられている。
ツノ９層（５）が位置するｐ型半導体基板（１）にはゲ
ート絶縁膜（６）を介して転送電極である多結晶シリコ
ンゲート電極（力が設けられている。
即ち第２のｎ＋型不純物層（３）、ゲート領域（４）及
び多結晶シリコンゲート電極（７）により電荷転送部が
形成されることになる。
び多結晶シリコンゲート電極（７）により電荷転送部が
形成されることになる。
この多結晶シリコンゲート電極（７）を含むｐ型半導体
基板（１）上には第１の絶縁膜（８）が被覆され、かつ
第１のｎ″′型不純物層（２）の一部に対応する第１の
絶縁膜（８）には、開口部（９）が形成されている。そ
して第１の絶縁＋ｉｌ （８）上及び開口部（９）内に
は互いに所定距離へだてて晰位画素毎に独立した複数の
第１電極（１０が設けられ、この第１電極１Ｇは開口部
（９）を介して第１のｎ＋型不純物層（２）に接続され
ている。
基板（１）上には第１の絶縁膜（８）が被覆され、かつ
第１のｎ″′型不純物層（２）の一部に対応する第１の
絶縁膜（８）には、開口部（９）が形成されている。そ
して第１の絶縁＋ｉｌ （８）上及び開口部（９）内に
は互いに所定距離へだてて晰位画素毎に独立した複数の
第１電極（１０が設けられ、この第１電極１Ｇは開口部
（９）を介して第１のｎ＋型不純物層（２）に接続され
ている。
この第１電極（［〔上には平滑層としての第２の絶縁ｌ
ｉｌ：！０υが設けられておシ、この第２の絶縁膜Ｕυ
の平滑面上には第２電極（１２Ｊが互に所定距離へだて
て単位画素毎に独立して設けられ、かつ、この第２′１
■極１１３は開口部（１３を介して第１電極（１１１に
接続されている。
ｉｌ：！０υが設けられておシ、この第２の絶縁膜Ｕυ
の平滑面上には第２電極（１２Ｊが互に所定距離へだて
て単位画素毎に独立して設けられ、かつ、この第２′１
■極１１３は開口部（１３を介して第１電極（１１１に
接続されている。
ここ迄の（１４造は第１図のものと嫌ぼ同様であるか本
実施例においては第２電極ａ４間の第２の絶縁＋１Ｑ
（ｌυを反応性イオンエツチング方法で深さ約０．５乃
至１μｍ程度蝕刻し角形溝部（２Ｉ）を形成するがこの
溝の形成においては溝の幅ＡＤ及びＢＣが必ずしも’Ａ
２ ’電極（１２１間の間隔に一致しなくとも良くま
た角形でなくとも良い。
実施例においては第２電極ａ４間の第２の絶縁＋１Ｑ
（ｌυを反応性イオンエツチング方法で深さ約０．５乃
至１μｍ程度蝕刻し角形溝部（２Ｉ）を形成するがこの
溝の形成においては溝の幅ＡＤ及びＢＣが必ずしも’Ａ
２ ’電極（１２１間の間隔に一致しなくとも良くま
た角形でなくとも良い。
次に光導電膜（２）として水素希釈したＳｉＨ４ガスを
グロー放電分解することによってアモルファスシリコン
膜を約３μ堆積させた。グロー放電分解法は通常数Ｔｏ
ｒｒの粘性流領域で行なわれるので、アモルファスシリ
コン膜は角形溝部（２１）内にも十分堆積される。この
アモルファスシリコンが堆積される過程で第２電極１り
端部Ａ、Ｄと角形溝（２１）の低送Ｂ、Ｃ面では堆積さ
れる方向が異なるので結果的には図に示すようなアモル
ファスシリコン膜の粒界ａ、ｂ、ｃが成長するようにな
る。但し、粒界Ｃを成長させるためには少くとも堆積す
る光導１１尤膜（２１の厚さは溝幅ＡＢの半分よシ厚く
なければならない。このとき光導電膜−内に窒間口がで
きる場合がある。また粒界Ｃは膜厚が十分厚ければ光導
電膜（２）の表面には到達しない場合もある。
グロー放電分解することによってアモルファスシリコン
膜を約３μ堆積させた。グロー放電分解法は通常数Ｔｏ
ｒｒの粘性流領域で行なわれるので、アモルファスシリ
コン膜は角形溝部（２１）内にも十分堆積される。この
アモルファスシリコンが堆積される過程で第２電極１り
端部Ａ、Ｄと角形溝（２１）の低送Ｂ、Ｃ面では堆積さ
れる方向が異なるので結果的には図に示すようなアモル
ファスシリコン膜の粒界ａ、ｂ、ｃが成長するようにな
る。但し、粒界Ｃを成長させるためには少くとも堆積す
る光導１１尤膜（２１の厚さは溝幅ＡＢの半分よシ厚く
なければならない。このとき光導電膜−内に窒間口がで
きる場合がある。また粒界Ｃは膜厚が十分厚ければ光導
電膜（２）の表面には到達しない場合もある。
このあと透明電極ｌ１５１を形成して固体撮像素子を完
成する。
成する。
ここで、成長する粒界ａ、ｂ、ｃは多結晶などにおける
粒界と同じ性質を有するものと考えられるので電子を阻
止する様な障壁が形成されることになる。従って強い外
部光が照射されても信号電荷の一部が横方向へ拡散し、
画面上に所謂にじみ現象を発生させることがほとんどな
くなり品質の良好な画質を得ることが可能となる。
粒界と同じ性質を有するものと考えられるので電子を阻
止する様な障壁が形成されることになる。従って強い外
部光が照射されても信号電荷の一部が横方向へ拡散し、
画面上に所謂にじみ現象を発生させることがほとんどな
くなり品質の良好な画質を得ることが可能となる。
次に本発明の固体撮像素子の他の実施例を第３図により
説明する。但し、前の実施例と同一符号は同一部を示し
、また主要部のみを説明する。
説明する。但し、前の実施例と同一符号は同一部を示し
、また主要部のみを説明する。
即ち、本実施例は第２の絶縁膜Ｉ上に形成された第２電
極（１２１間に突起状部６υを形成し１、前の実施例と
同様に光導電膜（ロ）としてアモルファスシリコンを堆
積させるとこの突起状部（３１）に対応する位置に粒界
ｄが成長する。次に透明電極（１９を形成して固体撮像
素子を完成する。この突起状部０１）としては、絶縁材
料からなる無機材料や耐熱有機材料で良いが、実施例で
は耐熱有機材料であるポリイミドを使用し１反応性イオ
ンエツチングによシ形成した。
極（１２１間に突起状部６υを形成し１、前の実施例と
同様に光導電膜（ロ）としてアモルファスシリコンを堆
積させるとこの突起状部（３１）に対応する位置に粒界
ｄが成長する。次に透明電極（１９を形成して固体撮像
素子を完成する。この突起状部０１）としては、絶縁材
料からなる無機材料や耐熱有機材料で良いが、実施例で
は耐熱有機材料であるポリイミドを使用し１反応性イオ
ンエツチングによシ形成した。
前述した２つの実施例では凹溝部や突堤部により粒界を
形成したか他の構造によっても粒界が成長すればよいこ
とは勿論である。
形成したか他の構造によっても粒界が成長すればよいこ
とは勿論である。
上述のように本発明によれば第２電極間の光導電膜に積
極的に電子を阻止する機能を有する粒界を成長させるこ
とによシにじみ現象を防止し、画質品位の良好な固体撮
像素子を提供できる。
極的に電子を阻止する機能を有する粒界を成長させるこ
とによシにじみ現象を防止し、画質品位の良好な固体撮
像素子を提供できる。
第１図は従来の固体撮像素子の一例の一部拡大断面図、
第２図は本発明の固体撮像素子の一笑施例の一部拡大断
面図、第３図は本発明の固体撮像素子の他の実施例のτ
部拡大断面図である。 ｌ・・・シリコン基板 ２・・・第１のｎ＋型不純物層
３・・・第２のれ＋型不純物層 ４・・−ゲート領域５
・・・ストツノ９層 ６・・・ゲート絶縁膜７・・・多
結晶シリコンゲート電極 ８・・・第１の絶縁膜１０−
・・第１電極 １１・・・第２の絶縁膜１２・・・第２
電極 １４．２４．３４・・・光導電膜１５・・・透明
電極 ２１・・・角形溝部３１−・・突起状部 ＩＬ
１ ｂ ｇ （！ ＋ ｄ ”・粒界代理人 弁理士
井 上 −男
第２図は本発明の固体撮像素子の一笑施例の一部拡大断
面図、第３図は本発明の固体撮像素子の他の実施例のτ
部拡大断面図である。 ｌ・・・シリコン基板 ２・・・第１のｎ＋型不純物層
３・・・第２のれ＋型不純物層 ４・・−ゲート領域５
・・・ストツノ９層 ６・・・ゲート絶縁膜７・・・多
結晶シリコンゲート電極 ８・・・第１の絶縁膜１０−
・・第１電極 １１・・・第２の絶縁膜１２・・・第２
電極 １４．２４．３４・・・光導電膜１５・・・透明
電極 ２１・・・角形溝部３１−・・突起状部 ＩＬ
１ ｂ ｇ （！ ＋ ｄ ”・粒界代理人 弁理士
井 上 −男
Claims (3)
- （１）電荷蓄積部およびこの電荷蓄積部に蓄積された電
荷を転送する電荷転送部を有する半導体基板と、前記電
荷蓄積部の一部に第１の開口部を有するように前記半導
体基板上に設けられた第１の絶縁膜と、前記第１の開口
部を介して前記電荷蓄積部と接続するように前記第１の
絶縁膜上に単位画素毎に形成された第１電極と、この第
１を極及び前記第１の絶縁層を覆うように形成された平
滑層としての第２の絶縁膜と、この第２の絶縁膜の第２
の開口部を介して前記第１１！極と接続するように前記
第２の絶縁膜上に単位画素毎に形成された第２電極と、
この第２電極及び第２の絶縁膜上に形成された光導電膜
と、この光導電膜上に形成された透明電極とからなる固
体撮像素子において、前記第２゛覗極間の前記光導電膜
に＃１ぼ前記透明電極に達する粒界を設けてなることを
特徴とする固体撮像素子。 - （２）粒界が第２電極間に設けられた凹溝部により形成
されてなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の固体撮像素子。 - （３）粒界が第２電極間に設けられた突起状部によシ形
成されてなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060761A JPS60206270A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59060761A JPS60206270A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60206270A true JPS60206270A (ja) | 1985-10-17 |
Family
ID=13151579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59060761A Pending JPS60206270A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60206270A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013093353A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Fujifilm Corp | 有機撮像素子 |
-
1984
- 1984-03-30 JP JP59060761A patent/JPS60206270A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013093353A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Fujifilm Corp | 有機撮像素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6525356B1 (en) | Solid imaging device | |
| JPS62122268A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS63177460A (ja) | 固体撮像装置 | |
| EP0055114B1 (en) | Solid-state imaging device | |
| JPS60206270A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0680811B2 (ja) | Ｃｃｄ画像感知器 | |
| JPH0449787B2 (ja) | ||
| JPH0425714B2 (ja) | ||
| JP2509592B2 (ja) | 積層型固体撮像装置 | |
| US5170236A (en) | Layer-built solid state image sensing device | |
| JPH08250694A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JPH0763090B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS60182764A (ja) | 半導体受光装置 | |
| JPS5846905B2 (ja) | コタイサツゾウソウチ | |
| JP3465655B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0414548B2 (ja) | ||
| JPS616861A (ja) | 光センサおよびその製造方法 | |
| JPS6366965A (ja) | 積層型固体撮像装置 | |
| JP2576813B2 (ja) | 縦形オーバーフローイメージセンサーの製造方法 | |
| JP2626073B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2002289534A (ja) | 半導体装置の製造方法および固体撮像装置の選別方法 | |
| JPH0682821B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2001203343A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0444467B2 (ja) | ||
| JPH0831587B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 |