JPS60200877A - 金属化合物被膜の形成方法 - Google Patents
金属化合物被膜の形成方法Info
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- JPS60200877A JPS60200877A JP59058594A JP5859484A JPS60200877A JP S60200877 A JPS60200877 A JP S60200877A JP 59058594 A JP59058594 A JP 59058594A JP 5859484 A JP5859484 A JP 5859484A JP S60200877 A JPS60200877 A JP S60200877A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は無機質基体上にIVa族遷移金属を含む化合物
の被膜を形成する方法に関する。
の被膜を形成する方法に関する。
し発明の技術的背景とその問題点]
IVa族遷移全遷移金属化合物、例えば窒化チタン、炭
化チタン等は耐熱性、耐摩耗性に優れているため、主に
金属部材にコーティングされて切削工具等として使用さ
れでいる。
化チタン等は耐熱性、耐摩耗性に優れているため、主に
金属部材にコーティングされて切削工具等として使用さ
れでいる。
近年、高温構造材料、耐摩耐食材料として有用な窒化ケ
イ素系セラミックス焼結体等にIVa族遷移金属を含む
化合物をコーティングしてセラミックス焼結体の特性を
改善したり、また等電性被膜か形成されることからセラ
ミックス焼結体を金属部(イと接合して用途を拡大する
試みかなされている。
イ素系セラミックス焼結体等にIVa族遷移金属を含む
化合物をコーティングしてセラミックス焼結体の特性を
改善したり、また等電性被膜か形成されることからセラ
ミックス焼結体を金属部(イと接合して用途を拡大する
試みかなされている。
セラミックス焼結体等の無機質基体上に窒化チタン、炭
化チタン等のIVa族遷移金属を含む化合物をコーティ
ングする方法としては、物理蒸着(PVD)法、化学蒸
着(CVD)法、溶射法等が考えられるが、いずれの方
法も被処理材を特別のチャンバー内に入れ、チャンバー
中の真空頒を厳密に制御しC被覆操作を行なうため、大
量処理が困難である、被処理材の大ぎさに制限がある、
コストが高い等の欠点があった。
化チタン等のIVa族遷移金属を含む化合物をコーティ
ングする方法としては、物理蒸着(PVD)法、化学蒸
着(CVD)法、溶射法等が考えられるが、いずれの方
法も被処理材を特別のチャンバー内に入れ、チャンバー
中の真空頒を厳密に制御しC被覆操作を行なうため、大
量処理が困難である、被処理材の大ぎさに制限がある、
コストが高い等の欠点があった。
[発明の目的]
本発明はこのような欠点を解消するためなされたものC
゛、大量処理が可能で、また被処理材の大きさに制限が
なく、しかも安価なIVaMW移金属化合金属化合物被
膜法を提供することを目的とづる。
゛、大量処理が可能で、また被処理材の大きさに制限が
なく、しかも安価なIVaMW移金属化合金属化合物被
膜法を提供することを目的とづる。
[発明の概要]
すなわち本発明方法は、無機質基体上にIVaK遷移金
属もしくはIVa族遷移金属を含む物質を接触させ、非
酸化性雰囲気中で焼成づることを1SjIill!とし
ている。
属もしくはIVa族遷移金属を含む物質を接触させ、非
酸化性雰囲気中で焼成づることを1SjIill!とし
ている。
本発明において無機質基体としては、窒化ケイ素、窒化
アルミニウム、炭化ケイ素等の非酸化物系セラミックス
焼結体やアルミナ等の酸化物系セラミックス焼結体ある
いはガラスがあげられる。
アルミニウム、炭化ケイ素等の非酸化物系セラミックス
焼結体やアルミナ等の酸化物系セラミックス焼結体ある
いはガラスがあげられる。
この無機質基体上にIVa族遷移金属もしくはIVa族
遷移金属を含む物質を接触させるには、チタン、ジルコ
ニウムまたはそれらの酸化物、炭化物、ホウ化物等の化
合物を必要により有機バインダや溶媒に混合してペース
ト状にし、これを無機質基体上に塗布する。
遷移金属を含む物質を接触させるには、チタン、ジルコ
ニウムまたはそれらの酸化物、炭化物、ホウ化物等の化
合物を必要により有機バインダや溶媒に混合してペース
ト状にし、これを無機質基体上に塗布する。
本発明においては、その後、有機バインダや溶媒が完全
に飛ぶ温度で加熱してこれらを除去し、次いでアルゴン
ガス中、真空中または窒素と水素の混合ガス中等の非酸
化性雰囲気中で1200〜1400℃に加熱して焼成す
る。この結果、主に無機質基体中の非金属元素〈ケイ素
、酸素を除く)とIVa族遷移金属とが反応することに
より無機質基体上にIVaM遷移金属を含む化合物の被
膜が形成される。なお、この時の焼成時の雰囲気は無機
質基体にIVa族遷移金属を塗布する場合にはアルゴン
カス中または真空中が好ましくIVa族遷移金属の化合
物を塗布する場合は還元性雰囲気が好ましい。
に飛ぶ温度で加熱してこれらを除去し、次いでアルゴン
ガス中、真空中または窒素と水素の混合ガス中等の非酸
化性雰囲気中で1200〜1400℃に加熱して焼成す
る。この結果、主に無機質基体中の非金属元素〈ケイ素
、酸素を除く)とIVa族遷移金属とが反応することに
より無機質基体上にIVaM遷移金属を含む化合物の被
膜が形成される。なお、この時の焼成時の雰囲気は無機
質基体にIVa族遷移金属を塗布する場合にはアルゴン
カス中または真空中が好ましくIVa族遷移金属の化合
物を塗布する場合は還元性雰囲気が好ましい。
例えば無機質基体が窒化ケイ素系セラミックス焼結体、
塗布物質が二酸化チタンの場合には窒化ケイ素系セラミ
ックス焼結体上に窒化チタンの被膜が形成され、無機質
基体が窒化ケイ素糸しラミックス焼結体、塗布物質がジ
ルコニウムの場合は窒化ジルコニウムの被膜がまた無機
質基体が窒化アルミニウム、塗布物質が二酸化チタンの
場合は窒化チタンの被膜が形成される。無機質基体が炭
化ケイ素、塗布物質が二酸化チタンの場合は炭化チタン
の被膜が形成されることになる。なt331V a族遷
移金属化合物の被膜厚はIVa族遷移金属の塗布方法、
無機質基体とIVa族遷移金属との化学的な関係、焼成
条件等により影響を受けるの゛C1目的とする厚さの被
膜が得られるよう各条イ′1を選定する。
塗布物質が二酸化チタンの場合には窒化ケイ素系セラミ
ックス焼結体上に窒化チタンの被膜が形成され、無機質
基体が窒化ケイ素糸しラミックス焼結体、塗布物質がジ
ルコニウムの場合は窒化ジルコニウムの被膜がまた無機
質基体が窒化アルミニウム、塗布物質が二酸化チタンの
場合は窒化チタンの被膜が形成される。無機質基体が炭
化ケイ素、塗布物質が二酸化チタンの場合は炭化チタン
の被膜が形成されることになる。なt331V a族遷
移金属化合物の被膜厚はIVa族遷移金属の塗布方法、
無機質基体とIVa族遷移金属との化学的な関係、焼成
条件等により影響を受けるの゛C1目的とする厚さの被
膜が得られるよう各条イ′1を選定する。
このようにしてIVaM遷移金属化合物被膜の形成され
た無機質基体は、電気炉用熱線反!JIJ ulA、光
選択サーマルプリンタ用発熱体、工具等どして、あるい
は金属部材との接合が容易になるのC複合材料等として
使用することができる。
た無機質基体は、電気炉用熱線反!JIJ ulA、光
選択サーマルプリンタ用発熱体、工具等どして、あるい
は金属部材との接合が容易になるのC複合材料等として
使用することができる。
[発明の実施例]
次に本発明の実施例について説明する。
実施例1
窒化ケイ素系セラミックス焼結体の表面に75%の二酸
化チタンの水溶液を塗布し、自然乾燥して水を除去した
後、窒素と水素の混合ガス中で1350℃×1時間の条
件で加熱して焼成した。二酸化チタンを塗布した面には
金色の光沢面が形成されており、窒化チタンの均一な被
膜が得られた。
化チタンの水溶液を塗布し、自然乾燥して水を除去した
後、窒素と水素の混合ガス中で1350℃×1時間の条
件で加熱して焼成した。二酸化チタンを塗布した面には
金色の光沢面が形成されており、窒化チタンの均一な被
膜が得られた。
この光沢面の電気抵抗は約2X10−’Ω・CIIIで
あった。
あった。
実施例2
窒化ケイ素系セラミックス焼結体の表面にオルトチタン
酸イソプロピル(T! [Co H(CH3)2J4)
を塗布し乾燥させlc後アルゴンと水素の混合ガス中で
1350℃×1時間の条件で加熱して焼成した。塗布面
には金色の光沢面が形成されており、窒化チタンの均一
な被膜が形成された。
酸イソプロピル(T! [Co H(CH3)2J4)
を塗布し乾燥させlc後アルゴンと水素の混合ガス中で
1350℃×1時間の条件で加熱して焼成した。塗布面
には金色の光沢面が形成されており、窒化チタンの均一
な被膜が形成された。
実施例3
窒化ケイ素系セラミックス焼結体の表面にチタンを含む
有機金属の溶液(商品名アトロンNTi日本ソーダ製)
を塗布し、アルゴンと水素の混合ガス中で1350℃×
1時間の条件で加熱して焼成した。塗布面には金色の光
沢面が形成されており、窒化チタンの均一な被膜が形成
された。
有機金属の溶液(商品名アトロンNTi日本ソーダ製)
を塗布し、アルゴンと水素の混合ガス中で1350℃×
1時間の条件で加熱して焼成した。塗布面には金色の光
沢面が形成されており、窒化チタンの均一な被膜が形成
された。
「発明の効果」
以上説明したように本発明方法によれば、無機質基体上
にIVa族遷移金属を含む化合物の均一な被膜が容易に
形成でき、しかも被処理祠の大きさの制限や真空度の厳
密な調整等がないのC゛大m生産が可能である。
にIVa族遷移金属を含む化合物の均一な被膜が容易に
形成でき、しかも被処理祠の大きさの制限や真空度の厳
密な調整等がないのC゛大m生産が可能である。
代理人弁理士 須 山 佐 −
手 続 補 正 書 く自発〉
昭和60年 4月 5日
2、発明の名称
金属化合物被膜の形成方法
3、補正をする者
事件との関係・特許出願人
神奈川県用崎市幸区堀用町72番地
(307)株式会社 東 芝
4、代 理 人 〒 101
東京都千代田区神田多町2丁目1番地
明細書の発明の詳細な説明の欄
6、補正の内容
ンを塗布した場合では、還元性雰囲気は窒素またはアル
−1ンと水素との混合ガスが好ましく、これらの割合は
窒素またはアルゴン:水素が1:1〜3:1がよい。焼
成後の金属化合物の被膜厚は、0.1〜5μmまたとえ
ば約1μmである。」以 上
−1ンと水素との混合ガスが好ましく、これらの割合は
窒素またはアルゴン:水素が1:1〜3:1がよい。焼
成後の金属化合物の被膜厚は、0.1〜5μmまたとえ
ば約1μmである。」以 上
Claims (5)
- (1)無機質基体上に、IVa族遷移金属もしくはIV
a族遷移金屈を含む物質を接触させ、非酸化性雰囲気中
で焼成することを特徴とづる金属化合物被膜の形成方法
。 - (2)無機質基体はセラミックス焼結体である特8′l
請求の範囲第1項記載の金属化合物被膜の形成方法。 - (3)セラミックス焼結体は非酸化物系セラミックス焼
結体である特許請求の範囲第2項記載の金属化合物板n
Qの形成方法。 - (4)非酸化物系セラミックス焼結体は少なくとも音素
を有するヒラミックス焼結イホである特ム′1晶求の範
囲第3項記載の金属化合物被膜の形成方法。 - (5)lVa族遷移金属はチタンおよびジルコニウムの
いずれかである特許請求の範(Ifl第1項記載の金属
化合物被膜の形成方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59058594A JPS60200877A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 金属化合物被膜の形成方法 |
KR1019850001724A KR890004712B1 (ko) | 1984-03-27 | 1985-03-16 | 금속 화합물 피막의 형성방법 |
EP85302076A EP0162548B1 (en) | 1984-03-27 | 1985-03-26 | Method for formation of metal compound coating |
DE8585302076T DE3561150D1 (en) | 1984-03-27 | 1985-03-26 | Method for formation of metal compound coating |
US06/871,131 US4654232A (en) | 1984-03-27 | 1986-06-02 | Method for the formation of a titanium or zirconium compound coating |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59058594A JPS60200877A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 金属化合物被膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60200877A true JPS60200877A (ja) | 1985-10-11 |
JPH059395B2 JPH059395B2 (ja) | 1993-02-04 |
Family
ID=13088813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59058594A Granted JPS60200877A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 金属化合物被膜の形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4654232A (ja) |
EP (1) | EP0162548B1 (ja) |
JP (1) | JPS60200877A (ja) |
KR (1) | KR890004712B1 (ja) |
DE (1) | DE3561150D1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3861032D1 (de) * | 1987-03-13 | 1990-12-20 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren zur metallisierung eines nitrid-keramischen gegenstandes. |
US5123972A (en) * | 1990-04-30 | 1992-06-23 | Dana Corporation | Hardened insert and brake shoe for backstopping clutch |
US5156725A (en) * | 1991-10-17 | 1992-10-20 | The Dow Chemical Company | Method for producing metal carbide or carbonitride coating on ceramic substrate |
US5232522A (en) * | 1991-10-17 | 1993-08-03 | The Dow Chemical Company | Rapid omnidirectional compaction process for producing metal nitride, carbide, or carbonitride coating on ceramic substrate |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2715593A (en) * | 1950-09-06 | 1955-08-16 | Steatite & Porcelain Prod Ltd | Method of providing a ceramic base with a coating of blue titania and article produced thereby |
US3394026A (en) * | 1959-02-27 | 1968-07-23 | Nat Res Dev | Method of glazing silicon nitride shaped body and article |
US3510343A (en) * | 1967-07-12 | 1970-05-05 | Ppg Industries Inc | Durable metal oxide coated glass articles |
US4159357A (en) * | 1975-03-13 | 1979-06-26 | Motoren- Und Turbinen-Union Munchen Gmbh | Process for surface treating parts made of ceramic material |
FR2445747A1 (fr) * | 1979-01-05 | 1980-08-01 | Armines | Procede de fabrication de pieces en silicium nitrure |
JPS57106586A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-02 | Ngk Spark Plug Co | Silicon nitride ceramic with inorganic electroconductive material surface and manufacture |
CA1211323A (en) * | 1982-05-20 | 1986-09-16 | Vinod K. Sarin | Coated silicon nitride cutting tools |
US4462818A (en) * | 1983-06-08 | 1984-07-31 | Gte Products Corporation | Process for sintering silicon nitride articles |
US4462817A (en) * | 1983-06-08 | 1984-07-31 | Gte Products Corporation | Method of preparing silicon nitride articles for sintering |
US4462816A (en) * | 1983-06-08 | 1984-07-31 | Gte Products Corporation | Method for making sintered silicon nitride articles |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP59058594A patent/JPS60200877A/ja active Granted
-
1985
- 1985-03-16 KR KR1019850001724A patent/KR890004712B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-03-26 EP EP85302076A patent/EP0162548B1/en not_active Expired
- 1985-03-26 DE DE8585302076T patent/DE3561150D1/de not_active Expired
-
1986
- 1986-06-02 US US06/871,131 patent/US4654232A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0162548B1 (en) | 1987-12-09 |
KR890004712B1 (ko) | 1989-11-25 |
JPH059395B2 (ja) | 1993-02-04 |
KR850007026A (ko) | 1985-10-30 |
US4654232A (en) | 1987-03-31 |
DE3561150D1 (en) | 1988-01-21 |
EP0162548A1 (en) | 1985-11-27 |
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