JPS60194591A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS60194591A JPS60194591A JP5155684A JP5155684A JPS60194591A JP S60194591 A JPS60194591 A JP S60194591A JP 5155684 A JP5155684 A JP 5155684A JP 5155684 A JP5155684 A JP 5155684A JP S60194591 A JPS60194591 A JP S60194591A
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- Japan
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- laser beams
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、半導体レーザに関する。
発明の技術的背景及びその問題点
近年、半導体レーザの研究・開発が盛んであり。
各種の半導体レーザがある。第１図は、ストライプ形ダ
ブルへテロ構造の半導体レーザの一例を示すものである
。、５は活性層（ＧａＡｓ）であり、４のクラット層（
ｐ Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ ）と６のクラッド層（ｎ
−ＧａＡＩＡｓ）とによりダブルへテロ接合がなされて
いる。クラッド層４の上部にはｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ層
３、絶縁層２を介して十電極１が設けられている。又、
クラッド層６の下部にはｘｔＧａＡ１基板７を介して一
電極８が設けられている。
ブルへテロ構造の半導体レーザの一例を示すものである
。、５は活性層（ＧａＡｓ）であり、４のクラット層（
ｐ Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ ）と６のクラッド層（ｎ
−ＧａＡＩＡｓ）とによりダブルへテロ接合がなされて
いる。クラッド層４の上部にはｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ層
３、絶縁層２を介して十電極１が設けられている。又、
クラッド層６の下部にはｘｔＧａＡ１基板７を介して一
電極８が設けられている。
このような構造において、電極１．８間に電圧を印加す
ると絶縁層２で覆われていない部分から一電極８へ向か
って電流が流れる。そこで、印加電圧を上げて流れる電
流量を増加させ、活性層５での電流密度が閾値以上にな
ると、襞間反射面９からレーザ光が出力されるものであ
る。ここに、活性層５、クラット層４，６によるダブル
へテロ接合は、活性層５内ｌ＼の電子、正孔の閉し込め
及び屈折率差（活性層５の屈折率はクラット層４゜６よ
りも大きい）による光の閉じ込め作用により。
ると絶縁層２で覆われていない部分から一電極８へ向か
って電流が流れる。そこで、印加電圧を上げて流れる電
流量を増加させ、活性層５での電流密度が閾値以上にな
ると、襞間反射面９からレーザ光が出力されるものであ
る。ここに、活性層５、クラット層４，６によるダブル
へテロ接合は、活性層５内ｌ＼の電子、正孔の閉し込め
及び屈折率差（活性層５の屈折率はクラット層４゜６よ
りも大きい）による光の閉じ込め作用により。
閾電流密度の低下及び効率の向上を促している。
又、ストライプ形状は、電流の流れる部分を制限するこ
とにより閾電流の低下、発熱の抑制及び横モードの単一
化を促している。従って、このストライブ形ダブルへテ
ロ構造の半導体レーザによれば、室温における連続発振
及び単一・モードによるきれいな発振が可能になるもの
である。
とにより閾電流の低下、発熱の抑制及び横モードの単一
化を促している。従って、このストライブ形ダブルへテ
ロ構造の半導体レーザによれば、室温における連続発振
及び単一・モードによるきれいな発振が可能になるもの
である。
ところが、活性部５ａが一箇所で出力されるし−ザ光か
１つであるため、複数本のレーザ光を利用したい場合、
例えば光学記憶装置においては、複数の半４体レーザを
使用しな（ではならず、光学ヘラ１−の小型化の支障と
なる。
１つであるため、複数本のレーザ光を利用したい場合、
例えば光学記憶装置においては、複数の半４体レーザを
使用しな（ではならず、光学ヘラ１−の小型化の支障と
なる。
この点、特開昭５４−１．４６６１３号公報によれば、
１つの半導体レーザの活性層中に複数の活性部（発火点
）を設け、複数のレーザ光を出力させることが示されて
いる。このような半導体レーザを光学記憶装置の光学ヘ
ッドとして用いれば、複数ピッ１−の情報の記録又は再
生を同時に行なうことかできる。
１つの半導体レーザの活性層中に複数の活性部（発火点
）を設け、複数のレーザ光を出力させることが示されて
いる。このような半導体レーザを光学記憶装置の光学ヘ
ッドとして用いれば、複数ピッ１−の情報の記録又は再
生を同時に行なうことかできる。
しかしなから、この公報に示される半導体レーザにあっ
ては、複数のレーザ光の波長がすべて同一・であるため
、異なる波長成分にピークを持たせたレーザ光を１つの
半導体レーザから出力さ仕ることはてきないものである
。
ては、複数のレーザ光の波長がすべて同一・であるため
、異なる波長成分にピークを持たせたレーザ光を１つの
半導体レーザから出力さ仕ることはてきないものである
。
発明の目的
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、Ｃ／Ｎ
の向上する光学ヘッド等に利用することがてきる１′・
導体レーザを得ることを目的とする。
の向上する光学ヘッド等に利用することがてきる１′・
導体レーザを得ることを目的とする。
発明の概要
本発明は、活性層中に波長が異なるレーザ光を出力する
複数の活性部を設けることにより、名レーザ光の分離が
容易となり、光学記憶装置やレーザプリンタ等の光学ヘ
ッドとして用いれば、小型にしてＣ／Ｎや解像度を向上
させることができるように構成したものである。
複数の活性部を設けることにより、名レーザ光の分離が
容易となり、光学記憶装置やレーザプリンタ等の光学ヘ
ッドとして用いれば、小型にしてＣ／Ｎや解像度を向上
させることができるように構成したものである。
発明の実施例
本発明の第一の実施例を第２図に基づいて説明する。ま
ず、構造的には上から順に、 １１：生電極（Ｃｒ−Ａｕ）、 １２：絶縁層（ＳｉＯン）、 ＋３： ｐ ＧｌｌＡＳ層。
ず、構造的には上から順に、 １１：生電極（Ｃｒ−Ａｕ）、 １２：絶縁層（ＳｉＯン）、 ＋３： ｐ ＧｌｌＡＳ層。
１４：クラッド層（ｐ Ｇａｏ 、 ｏ ：Ｉ Ａｌｏ
、 ＋ ７Ａｓ）、＋５；活性層（ｐ Ｇａａ、ｑｂ
Ａｌａ、ｏｂＡＳ） 。
、 ＋ ７Ａｓ）、＋５；活性層（ｐ Ｇａａ、ｑｂ
Ａｌａ、ｏｂＡＳ） 。
１６：クラッド層（ｎ−Ｇａｏ 、 ７Ａｌｏ 、 Ｊ
ＡＳ）、１７： ｎ−ＧａＡＳ基板、 １８ニー電極（Ａ ｕ −Ｇ ｏ −Ｎ ｉ ） 。
ＡＳ）、１７： ｎ−ＧａＡＳ基板、 １８ニー電極（Ａ ｕ −Ｇ ｏ −Ｎ ｉ ） 。
を積層してなる。ここで、生電極１１、絶縁層ｊ２のス
トライプ形状により活性層１５には１例えば３つの活性
部１５ａ〜１５ｃが設定されている。
トライプ形状により活性層１５には１例えば３つの活性
部１５ａ〜１５ｃが設定されている。
今、両電極ＩＩ、１８間に電圧を印加すると。
＋電極１１のｐ Ｑ ａ Ａ ｓ層１３接触面から各活
性部１５ｄ〜１５ｃの活性［１５を通り、−電極１．８
７＼向かつて電極が流れる。このとき、各活性部１５ｄ
〜１５ｅの活性層１５中で自然放出により光が発生する
。この光は活性層１５中をＺ方向（第２図では紙の表裏
方向であり第１図参照）に向かって走り、襞間反射面９
．９′ （第１図参照）で反射し、共振を起こす。そこ
で、印加電圧を上げて電流量を増やし光が襞間反射面９
，９′で反射し、活性層１５を一往復した時の利得と損
失が一致するよ・）になると、誘導放出による光が発生
し、折開反射面９，９′を端とした定在波が現われて共
振を起こし、各活性部１５ａ〜１５ｅの活性層１５から
レーザ光が出力される。従って、３本のレーザ光が出力
されている。
性部１５ｄ〜１５ｃの活性［１５を通り、−電極１．８
７＼向かつて電極が流れる。このとき、各活性部１５ｄ
〜１５ｅの活性層１５中で自然放出により光が発生する
。この光は活性層１５中をＺ方向（第２図では紙の表裏
方向であり第１図参照）に向かって走り、襞間反射面９
．９′ （第１図参照）で反射し、共振を起こす。そこ
で、印加電圧を上げて電流量を増やし光が襞間反射面９
，９′で反射し、活性層１５を一往復した時の利得と損
失が一致するよ・）になると、誘導放出による光が発生
し、折開反射面９，９′を端とした定在波が現われて共
振を起こし、各活性部１５ａ〜１５ｅの活性層１５から
レーザ光が出力される。従って、３本のレーザ光が出力
されている。
しかして、本実施例では各活性部１５ａ−１５Ｃの活性
層１５中のエネルギーギャップが異なっている。具体的
には、各活性部１５ａ〜１５ｅにおける活性層１５中の
アルミニウムＡ［の量がダブルへテロ接合をくずさない
範囲で異ならせて設定されている。これにより、各活性
部１５ａ〜１５ｃから出力されるレーザ光の発振波長は
異なることになる。
層１５中のエネルギーギャップが異なっている。具体的
には、各活性部１５ａ〜１５ｅにおける活性層１５中の
アルミニウムＡ［の量がダブルへテロ接合をくずさない
範囲で異ならせて設定されている。これにより、各活性
部１５ａ〜１５ｃから出力されるレーザ光の発振波長は
異なることになる。
ここに１本発明でいう「異なる波長」とは少なくとも一
つの活性部によるレーザ光の波長が他の活性部によるレ
ーザ光の波長と異なっていることを意味する。従って、
すべて別々の波長であってもよいし、あるいは本実施例
において活性部１５ａ、１５ｃによる波長をλｄ＝λし
、活性部１５ｂによる波長をλｂ （≠λｄ）としても
よい。
つの活性部によるレーザ光の波長が他の活性部によるレ
ーザ光の波長と異なっていることを意味する。従って、
すべて別々の波長であってもよいし、あるいは本実施例
において活性部１５ａ、１５ｃによる波長をλｄ＝λし
、活性部１５ｂによる波長をλｂ （≠λｄ）としても
よい。
このような半導体レーザは光学記憶装置やレーザプリン
タ等における光学・＼ラドとしてイ（効に活用できる。
タ等における光学・＼ラドとしてイ（効に活用できる。
第３図及び第４図は追記形の光学記憶装置の光学ヘット
として第２図に示した半導体レーザ２０を用いた場合を
示す。ここに、例えば名活性部１５ａ、１５ｂ、１５ｃ
によるレーザ１光波長をλｄ、λｂ （≠λｕ）、λｃ
（＝λａ ）とする。
として第２図に示した半導体レーザ２０を用いた場合を
示す。ここに、例えば名活性部１５ａ、１５ｂ、１５ｃ
によるレーザ１光波長をλｄ、λｂ （≠λｕ）、λｃ
（＝λａ ）とする。
ます、第３図に示すように半導体レーザ２０から出力さ
れるレーザ光は配光角Ｏで広がりながら進み、整形レン
ズ２１に入る。この整形レンズ２１ （凸レンズとして
作用）により、Ａ点に集光される。その後、Ａ点と焦点
距離庇１だけ離れた所に置かれた整形レンズ２２に入り
、平行光線とされる。次に、全反射ミラー２３により反
射された後、偏光ビームスプリッタ２４及び１／４波長
板２５を通過し、シリンドリカルレンズ２６により記録
媒体２７上に集光される。
れるレーザ光は配光角Ｏで広がりながら進み、整形レン
ズ２１に入る。この整形レンズ２１ （凸レンズとして
作用）により、Ａ点に集光される。その後、Ａ点と焦点
距離庇１だけ離れた所に置かれた整形レンズ２２に入り
、平行光線とされる。次に、全反射ミラー２３により反
射された後、偏光ビームスプリッタ２４及び１／４波長
板２５を通過し、シリンドリカルレンズ２６により記録
媒体２７上に集光される。
ここで、１ｆ面的に見た状態を示すのが第４図であり、
各活性部１５ａ〜１５ｅからの３本のレーザ光が整形レ
ンズ２１に対し平行に入射される。
各活性部１５ａ〜１５ｅからの３本のレーザ光が整形レ
ンズ２１に対し平行に入射される。
なお、第２図においてはＡ点を示すために配光線も含め
て示すが、この第３図においては簡単化するためレーザ
光の広がりを省略して示す。つまり、λｄ、λｂ、λＣ
なる波長の３本のレーザ光が同時に照射さオ℃ることに
なる。このような３本のレーザ光は整形レンズ２１によ
りＢ点に集光される（ここで、整形レンズ２１は上下方
向と左右方向で曲率半径が異なり、Ａ点とＢ点とは異な
る）。
て示すが、この第３図においては簡単化するためレーザ
光の広がりを省略して示す。つまり、λｄ、λｂ、λＣ
なる波長の３本のレーザ光が同時に照射さオ℃ることに
なる。このような３本のレーザ光は整形レンズ２１によ
りＢ点に集光される（ここで、整形レンズ２１は上下方
向と左右方向で曲率半径が異なり、Ａ点とＢ点とは異な
る）。
その後、Ｂ点から焦点距離Ｑ７コだけ離れた所に置か九
た整形レンズ２２に入り、平行光線となる（この整形レ
ンズ２２も」二下方向と左右方向とては曲率半径が異な
る）。
た整形レンズ２２に入り、平行光線となる（この整形レ
ンズ２２も」二下方向と左右方向とては曲率半径が異な
る）。
従って、高出力の３本のレーザ光は全反射ミラー２３．
偏光ビームスプリッタ２４．１／４波長板２５及びシリ
ンドリカルレンズ２６を介して記録媒体２７上に同時に
集光され、そのピッ１−は２１６径方向に所定ピッチだ
け離れた３つの線状ピットとなる。このようにして複数
ピッ１への情報が同時に記録媒体２７上に記録されるこ
とになる。
偏光ビームスプリッタ２４．１／４波長板２５及びシリ
ンドリカルレンズ２６を介して記録媒体２７上に同時に
集光され、そのピッ１−は２１６径方向に所定ピッチだ
け離れた３つの線状ピットとなる。このようにして複数
ピッ１への情報が同時に記録媒体２７上に記録されるこ
とになる。
一方、再生時には小出力の３本のレーザ先登記録時と同
様に記録媒体２７へ照射した後、その反射光をシリンド
リカルレンズ２Ｇ及び１７４波長板２５を通して入射光
と偏光角を９０°回転させて、偏光ビームスプリッタ２
４により反射させ、ンリン１くリカルレンズ２８でディ
テクタ２９１＼集光させて読み取り、再生するものであ
る。ここに、ディテクタ２９はフォトダイオードアレイ
等によさせて分割されており、各波長λａ、λｂ、λＣ
に対して各々高感度を示すように波長依存性が異ならせ
て設定されている。したがって、複数ビットの情報を同
時に再ケする際、各レーザ光の波長か異なり（少なくと
も隣り同士で波長が異なればよい）、テイテクタ２９の
感度が異なるので、隣り同士のレーザ光が混り合うよう
なことがあってもその分離が容易であるため、Ｃ／ Ｎ
（ｃａｒｒｉｅｒしｏ ｎｏｉＳｅ ｒａＬｉａ）を
向上させることができるものである。。
様に記録媒体２７へ照射した後、その反射光をシリンド
リカルレンズ２Ｇ及び１７４波長板２５を通して入射光
と偏光角を９０°回転させて、偏光ビームスプリッタ２
４により反射させ、ンリン１くリカルレンズ２８でディ
テクタ２９１＼集光させて読み取り、再生するものであ
る。ここに、ディテクタ２９はフォトダイオードアレイ
等によさせて分割されており、各波長λａ、λｂ、λＣ
に対して各々高感度を示すように波長依存性が異ならせ
て設定されている。したがって、複数ビットの情報を同
時に再ケする際、各レーザ光の波長か異なり（少なくと
も隣り同士で波長が異なればよい）、テイテクタ２９の
感度が異なるので、隣り同士のレーザ光が混り合うよう
なことがあってもその分離が容易であるため、Ｃ／ Ｎ
（ｃａｒｒｉｅｒしｏ ｎｏｉＳｅ ｒａＬｉａ）を
向上させることができるものである。。
つづいて、本発明の第二の実施例を第５図により説明す
る。本実施例は、十電極ＩＪを各活性部１５．１〜１５
ｃに対応して独立するようＺ方向に沿った空隙３０によ
り絶縁したものである。つまり、十電極１１が１．１＋
ｌ〜ｌｉｅと分割される。
る。本実施例は、十電極ＩＪを各活性部１５．１〜１５
ｃに対応して独立するようＺ方向に沿った空隙３０によ
り絶縁したものである。つまり、十電極１１が１．１＋
ｌ〜ｌｉｅと分割される。
本実施例によれば、各活性部１５ｄ〜１５ｃからのレー
ザ光の出力を独立して制御できることになる。
ザ光の出力を独立して制御できることになる。
次に、第６図は本発明の第三の実施例を示すものである
。本実施例は、構造的には第１図の如き半導体レーザを
一電極１８を中心としてＹ方向に対称形に貼り合せた構
造としたものである。なお、図中の符号は第２図と同一
符号で示し、−電極１８より上側には添字Ｕ、下側には
添字りを伺して示す。これにより、活性部１５ｕａと活
性部１５Ｌ ａ とが形成され、２本のレーリ１光が出
力される。
。本実施例は、構造的には第１図の如き半導体レーザを
一電極１８を中心としてＹ方向に対称形に貼り合せた構
造としたものである。なお、図中の符号は第２図と同一
符号で示し、−電極１８より上側には添字Ｕ、下側には
添字りを伺して示す。これにより、活性部１５ｕａと活
性部１５Ｌ ａ とが形成され、２本のレーリ１光が出
力される。
ここで、活性層１５Ｕ、１５Ｌはそのエネルギーギャッ
プが異ならせて設定されており、活性部１５ｕａ 、１
５しａから出力されるレーザ光の波長は異なる。つまり
、本実施例はＹ方向に複数の活性部を持たせたものであ
る。
プが異ならせて設定されており、活性部１５ｕａ 、１
５しａから出力されるレーザ光の波長は異なる。つまり
、本実施例はＹ方向に複数の活性部を持たせたものであ
る。
第７図は本発明の第四の実施例を示すものである。本実
施例は、前記実施例のように基板１．７１１ 。
施例は、前記実施例のように基板１．７１１ 。
１７Ｌを別個に設けず、上下で共用させて基板Ｉ７とし
、この基板１７中に一電極１８を埋め込むようにしたも
のである。これによれば、第６図方式に比べ、全体の大
きさを小型化できる。
、この基板１７中に一電極１８を埋め込むようにしたも
のである。これによれば、第６図方式に比べ、全体の大
きさを小型化できる。
第８図は本発明の第五の実施例を示すものである。本実
施例は、構造的には第２図に示した半導体レーザを一電
極１８を中心としてＹ方向に対称形に貼り合わせた構造
としたものである。つまり、６つの活性部１５ｕａ −
１５＋−ｃ ’ｒＸ方向、■方向に設けたものである。
施例は、構造的には第２図に示した半導体レーザを一電
極１８を中心としてＹ方向に対称形に貼り合わせた構造
としたものである。つまり、６つの活性部１５ｕａ −
１５＋−ｃ ’ｒＸ方向、■方向に設けたものである。
第９図は本発明の第六の実施例を示すもので、マルチ化
の一例を示す。本実施例においては第７図に示した構造
のものを絶縁層１２を介して重ね合わせたものである。
の一例を示す。本実施例においては第７図に示した構造
のものを絶縁層１２を介して重ね合わせたものである。
従って、第８図構造等との絹合せにより、レーザ光の本
数を任意に増やし、その波長を異ならせることもてきる
。このようなマルチ構造によれば、ディスプレ、イ等に
応用できる。
数を任意に増やし、その波長を異ならせることもてきる
。このようなマルチ構造によれば、ディスプレ、イ等に
応用できる。
発明の効果
本発明は、上述したように活性層中に波長が異なるレー
ザ光を出力する複数の活性部を設けたので、異なる波長
成分にピークを持たせたレーザ光を利用したい要望に一
つの半導体レーザで応えることができ、例えば、光学記
憶装置やレーザプリンタ等における光学ヘッドとして活
用することにより、複数ピッ１−の情報の処理を同時に
行なうことができるとともに、Ｃ／Ｎや解像度の向上に
寄ダ・するものである。
ザ光を出力する複数の活性部を設けたので、異なる波長
成分にピークを持たせたレーザ光を利用したい要望に一
つの半導体レーザで応えることができ、例えば、光学記
憶装置やレーザプリンタ等における光学ヘッドとして活
用することにより、複数ピッ１−の情報の処理を同時に
行なうことができるとともに、Ｃ／Ｎや解像度の向上に
寄ダ・するものである。
第１図は従来例を示す斜視図、第２図は本発明の一実施
例を示す概念図、第３図は光学記憶装置の光学・＼ット
としての適用例を示ず側面図、第４図はその平面図、第
５図は本発明の第二の実施例を示す概念図、第６図は本
発明の第三の実施例を示す概念図、第７図は本発明の第
四の実施例を示す概念図、第８図は本発明の第五の実施
例を示す概念図、第９図は本発明の第六の実施例を示す
概念図である。 １５・・活性層、１５ ｄ−１５ｃ ・活性部出 願
人 東京電気株式会社 ３ 」 昆 一第Ｚ図 ’１ ′−４’／Ｊ○
例を示す概念図、第３図は光学記憶装置の光学・＼ット
としての適用例を示ず側面図、第４図はその平面図、第
５図は本発明の第二の実施例を示す概念図、第６図は本
発明の第三の実施例を示す概念図、第７図は本発明の第
四の実施例を示す概念図、第８図は本発明の第五の実施
例を示す概念図、第９図は本発明の第六の実施例を示す
概念図である。 １５・・活性層、１５ ｄ−１５ｃ ・活性部出 願
人 東京電気株式会社 ３ 」 昆 一第Ｚ図 ’１ ′−４’／Ｊ○
Claims (1)
- スギライブ形ダブルへテロ構造の半導体レーザにおいて
、活性層中に波長が異なるレーザ光を出力する複数の活
性部を設けたことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5155684A JPS60194591A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5155684A JPS60194591A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60194591A true JPS60194591A (ja) | 1985-10-03 |
Family
ID=12890265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5155684A Pending JPS60194591A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60194591A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04105568U (ja) * | 1991-02-20 | 1992-09-10 | 三洋電機株式会社 | マルチビーム半導体レーザ装置 |
| JP2001284732A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多波長レーザ発光装置、当該装置に用いられる半導体レーザアレイ素子及び当該半導体レーザアレイ素子の製造方法 |
-
1984
- 1984-03-16 JP JP5155684A patent/JPS60194591A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04105568U (ja) * | 1991-02-20 | 1992-09-10 | 三洋電機株式会社 | マルチビーム半導体レーザ装置 |
| JP2001284732A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多波長レーザ発光装置、当該装置に用いられる半導体レーザアレイ素子及び当該半導体レーザアレイ素子の製造方法 |
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