JPS6018924A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPS6018924A
JPS6018924A JP58126650A JP12665083A JPS6018924A JP S6018924 A JPS6018924 A JP S6018924A JP 58126650 A JP58126650 A JP 58126650A JP 12665083 A JP12665083 A JP 12665083A JP S6018924 A JPS6018924 A JP S6018924A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
scribing line
thermal oxide
oxide film
psg
Prior art date
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Pending
Application number
JP58126650A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Yamada
正弘 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
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Publication of JPS6018924A publication Critical patent/JPS6018924A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、層間絶縁膜［ＰＳＧを用いる半導体装置に関
する。半導体装置（以下ＩＣと略）の層間絶縁膜は、以
前からＰＳＧを用いることが多い。
これはＰＳＧに含まれるリンが半導体が特性上嫌う、可
動イオン等のゲッタリング効果をもっこと、手軽にかつ
安価に形成出来ること、シリコーン基板との舎外が良い
などの理由からである。ところが、ＰＳＧは、リンを含
んでいるため、非常に吸湿性であり、吸湿した時はリン
酸が出来て、これがＩＣの配線層として用いられている
Ａｐ、を腐食することがある。そのため、ＰＳＧに外部
からの水の侵入を防ぐために、パッシベーション膜を形
成している。ところが、チップにグイシングされた時、
チップ端からの水の侵入によりＡｎ腐食を起こす場合が
あり、この時はスクライブライン周辺のＡ℃（主にポン
ディングパッドの腐食が顕著である。これについて従来
例第１図をもって説明する。シリコン基板１０１上に、
熱酸化膜１０２が形成され、ＰＳＧ膜１０３が層間絶縁
膜として形成されたのち、Ａｆｌボンディングパソド１
０４を設け、パッシベーション膜１０６を形成する。
ここでスクライブライン１０５は、熱酸化膜１０２及び
ＰＳＧ膜１０３の形成されていない領域である。さて、
このような膜構成をもってＩＣをグイシングすると、ス
クライブライン上の切れ口では上記パッシベーション膜
１０６の一部がかける。
そこで、矢印で示した経路によりスクライブラインに沿
って水分が侵入していく。このときスクライプラインの
際に吸湿性のＰＳＧ膜１０３が存在しているため侵入し
てきた水分はＰＳＧ膜１０５に吸収されていき、水との
反応によって生じたリン酸によりポンディングパッド１
０４が腐食される。本発明は、かかる欠点をのぞくもの
であり、第２図に実施例を示す。シリコン基板上２０１
に熱酸化膜２０２を形成後、ｐｓａ膜を形成するが、こ
のとき・スクライプライン接近部を、エツチング除去し
、熱酸化膜２０２より内側に形成する。
次にＡλポンディングパッド２０４及び、パッシベーシ
ョン膜２０５を順次形成する。この工ａをグイシングす
ると、従来例と同様に、スクライプライン上のパッシベ
ーション膜２０５の一部がかける。そこで、矢印で示し
た経路により水分がスクライブラインに沿って侵入しよ
うとするか、従来例と異って、Ｐ　Ｓ　Ｇ膜２０６が、
スクライブラインより後退しているため、ＰＳＧ膜２０
３は吸湿しないため、ＡＩ！、腐食は防止できる。尚、
ＰＳＧ膜とスクライプライン端の距ＨＡは、実験により
５μｍ程度で効果があった。
【図面の簡単な説明】
第１図・・・従来例のパッド周辺の断面図Ｏ第２図・本
発明のバッド周辺の断面図。 １０４．２０４がＰＳＧ膜である０ 以　上 出願人　株式会社諏訪精工舎 代理人　弁ｙ１１士　最上　務

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. を用いる半導体装置に於いて、該半導体装置のスクライ
    ブライン領域を形成するに、素子分離熱酸化膜より、内
    側に層間絶縁層か形成されていることを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
JP58126650A 1983-07-12 1983-07-12 半導体装置の製造方法 Pending JPS6018924A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62174952A (ja) * 1986-01-28 1987-07-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS62174953A (ja) * 1986-01-28 1987-07-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP4750129B2 (ja) * 2004-12-08 2011-08-17 フィリップ・モーリス・プロダクツ・ソシエテ・アノニム 閉鎖及び／又は開放の可聴指示を備えた側面開放ヒンジ蓋容器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5617025A (en) * 1979-07-20 1981-02-18 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device

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