JPS6017939A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPS6017939A JPS6017939A JP58125804A JP12580483A JPS6017939A JP S6017939 A JPS6017939 A JP S6017939A JP 58125804 A JP58125804 A JP 58125804A JP 12580483 A JP12580483 A JP 12580483A JP S6017939 A JPS6017939 A JP S6017939A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- lead
- resin
- lead frame
- portions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85399—Material
- H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/85439—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は貴金属めっき層で被覆したリードフレームに関
し、とくに銀めっき量の削減および樹脂封入の作業性を
向上せしめる光半導体装置用＋７−ドフレームに関する
。
し、とくに銀めっき量の削減および樹脂封入の作業性を
向上せしめる光半導体装置用＋７−ドフレームに関する
。
従来の半導体装置用リードフレームは、素材として鉄、
銅ある−・は鉄−ニッケル合金等が一般に用いられる。
銅ある−・は鉄−ニッケル合金等が一般に用いられる。
例えは、鉄を素材として用（・た場合、従来は表面めっ
き処理として、先ず全面に銅めっきを施工し、その後ダ
イボンド、ワイヤーボンドに必要ン）箇所のみならず、
フレーム全体を貴金属例えば３〜５μｍ厚の釧めっきで
被覆するいわゆる全面銀めっきが採用されていた。
き処理として、先ず全面に銅めっきを施工し、その後ダ
イボンド、ワイヤーボンドに必要ン）箇所のみならず、
フレーム全体を貴金属例えば３〜５μｍ厚の釧めっきで
被覆するいわゆる全面銀めっきが採用されていた。
この場合、銀めっきがリード線上以外にまで同等の調厚
で施工されているため、銀の使用量が多くてコスト高と
ガる。そこで、ダイボンド、ワイヤーボンドおよびタイ
バ一部のみに、タイバーに沿って例えば３〜５μｎｔ厚
の銀めっきを施工したいわゆる部分釧めっきにより銀量
の削減が行なわれた。
で施工されているため、銀の使用量が多くてコスト高と
ガる。そこで、ダイボンド、ワイヤーボンドおよびタイ
バ一部のみに、タイバーに沿って例えば３〜５μｎｔ厚
の銀めっきを施工したいわゆる部分釧めっきにより銀量
の削減が行なわれた。
だが、この方式の部分銀めっきを施行したリードフレー
ムは、部分鋼めっき境界にて３〜５μｍの段差が生じる
。すると、樹脂制止工程において、ランナーを通ってき
た樹脂１１がめつき層の段差にぶつかり、との段差に侵
入し、銀めっきが施工されな（・リード線上に樹脂が流
れる。とくに光半導体装Ｖ樹脂は、フィラーを含まな〜
・ことが多く、従って３〜５７ｔｍの段差であっても容
易に侵入し°Ｃしまう。リード線表面の銅面は、グイボ
ンディングエ和等の熱程歴にまりが？化して（・るのが
七通であり、その表面に流れた樹脂は銀表面の場合より
密着は堅固で、リード線の夕（装処理どして電解半田め
っきを施工する際の前処理では銅面の樹脂パリ剥離は田
離で、残存したままで幻良好な半ｌ」めっき皮膜を得る
ことはでき索（・。また、銅酸化膜を除去するために、
塩酸等の強酸による酸洗が必要と左り、Ｃ沼イオンがリ
ード線と封入樹脂の隙間から侵入して素子へ悪影響を与
える等の欠点がある。この樹脂もれを防ぐには樹脂側止
金型の型締圧力を上ると樹脂もれにある程度緩和される
が、エアーベントの機能が抑制され、キャビティー内部
のエアーが外部に逃げきれずに、成形稜に著しく気泡・
カケ等として残る。樹脂封止条件も狭くカリ不安定で作
業性も悪くなる。これを改善するには、適正な型締め圧
でリード表面に樹脂が流れることがガく、エアー抜きが
十分に行なわれるようなめっき構造が必要である。
ムは、部分鋼めっき境界にて３〜５μｍの段差が生じる
。すると、樹脂制止工程において、ランナーを通ってき
た樹脂１１がめつき層の段差にぶつかり、との段差に侵
入し、銀めっきが施工されな（・リード線上に樹脂が流
れる。とくに光半導体装Ｖ樹脂は、フィラーを含まな〜
・ことが多く、従って３〜５７ｔｍの段差であっても容
易に侵入し°Ｃしまう。リード線表面の銅面は、グイボ
ンディングエ和等の熱程歴にまりが？化して（・るのが
七通であり、その表面に流れた樹脂は銀表面の場合より
密着は堅固で、リード線の夕（装処理どして電解半田め
っきを施工する際の前処理では銅面の樹脂パリ剥離は田
離で、残存したままで幻良好な半ｌ」めっき皮膜を得る
ことはでき索（・。また、銅酸化膜を除去するために、
塩酸等の強酸による酸洗が必要と左り、Ｃ沼イオンがリ
ード線と封入樹脂の隙間から侵入して素子へ悪影響を与
える等の欠点がある。この樹脂もれを防ぐには樹脂側止
金型の型締圧力を上ると樹脂もれにある程度緩和される
が、エアーベントの機能が抑制され、キャビティー内部
のエアーが外部に逃げきれずに、成形稜に著しく気泡・
カケ等として残る。樹脂封止条件も狭くカリ不安定で作
業性も悪くなる。これを改善するには、適正な型締め圧
でリード表面に樹脂が流れることがガく、エアー抜きが
十分に行なわれるようなめっき構造が必要である。
以下、問題点をリードフレームの一例につき図面を用（
・て説明する。第１図は従来の鉄素材の全面銀めっきリ
ードフレームを用いて製造された発光ダイオードの一例
（断面）を示す。１は鉄素材であり、リードフレーム全
面に約２〜５．ｍの銅めっき層２および３〜５１１ｍの
全面銀めっき層３が施されて（・る。このリードフレー
ムの平面図および、樹脂封止時のランナ一部、エアーベ
ントｓの一例を第２図２に示す。このリードフレームの
アイランド部にダイボンディングおよび対応するリード
先端にワイヤーボンディングを行々った後、樹脂封止を
行なう。樹脂封止はトランスファ一方式により行なうが
、リードフレーム６に対して樹脂はランナー１１を通り
、サブランナー１２を経由してレンズ部４を形成する。
・て説明する。第１図は従来の鉄素材の全面銀めっきリ
ードフレームを用いて製造された発光ダイオードの一例
（断面）を示す。１は鉄素材であり、リードフレーム全
面に約２〜５．ｍの銅めっき層２および３〜５１１ｍの
全面銀めっき層３が施されて（・る。このリードフレー
ムの平面図および、樹脂封止時のランナ一部、エアーベ
ントｓの一例を第２図２に示す。このリードフレームの
アイランド部にダイボンディングおよび対応するリード
先端にワイヤーボンディングを行々った後、樹脂封止を
行なう。樹脂封止はトランスファ一方式により行なうが
、リードフレーム６に対して樹脂はランナー１１を通り
、サブランナー１２を経由してレンズ部４を形成する。
この場合、レンズ部の気泡発生防止のためエアーベン）
１３を設けて空気を逃がす方法が取られている。ところ
で、リードフレーム６にお（・て発光ダイオードとして
構成される部分は、ダイボンドワイヤーボンドから延長
しｆリード部７および７′までであり、それ以外の箇所
は製品としては、使用されず、かかる領域まで銀めっき
を施工するのは、鋏材料費によるコスト高を招くもので
ある。このため部分銀めっき方式によるリードフレーム
のコストダウンが行表われて（・る。第３図はダイボン
ド、ワイヤーボンドおよびタイバ一部のみに銀めっきを
施工したリードフレームの例で、第４図は第３図の八−
Ａ′の断面図を示す。■は鉄素材、全面に銅めっき層２
、クイパ一部５迄銀めっき３を施工する。
１３を設けて空気を逃がす方法が取られている。ところ
で、リードフレーム６にお（・て発光ダイオードとして
構成される部分は、ダイボンドワイヤーボンドから延長
しｆリード部７および７′までであり、それ以外の箇所
は製品としては、使用されず、かかる領域まで銀めっき
を施工するのは、鋏材料費によるコスト高を招くもので
ある。このため部分銀めっき方式によるリードフレーム
のコストダウンが行表われて（・る。第３図はダイボン
ド、ワイヤーボンドおよびタイバ一部のみに銀めっきを
施工したリードフレームの例で、第４図は第３図の八−
Ａ′の断面図を示す。■は鉄素材、全面に銅めっき層２
、クイパ一部５迄銀めっき３を施工する。
この部分銀めっきリードフレームは樹脂封止する際、銀
めっき層の段差８によりリードフレームと封止金型間に
わずかガ間隙が生じ、樹脂もれを起す欠点があった。こ
の場合、樹脂は、リード部表 ５− 面のＣｕ層と密着し、次工程の半田めっき処理工程にお
ける樹脂パリ除去を困難にして（・た。
めっき層の段差８によりリードフレームと封止金型間に
わずかガ間隙が生じ、樹脂もれを起す欠点があった。こ
の場合、樹脂は、リード部表 ５− 面のＣｕ層と密着し、次工程の半田めっき処理工程にお
ける樹脂パリ除去を困難にして（・た。
本発明は上述の欠点を補い、低コストで安定した作業性
を刊ることのできるリードフレームを提供しようとする
ものである。
を刊ることのできるリードフレームを提供しようとする
ものである。
以下、本発明を図面にＪ：り説明する。
第５図に、本発明を発光ダイオードに適用した場合の一
実施例を示す。本発明では半導体装置（この場合発光ダ
イオード）として必要な部分であるダイボンド部１０、
ワイヤーボンド部１４、タイバ一部１５およびリード線
１７にのみ銀めっき層を設けたことを特徴とする。
実施例を示す。本発明では半導体装置（この場合発光ダ
イオード）として必要な部分であるダイボンド部１０、
ワイヤーボンド部１４、タイバ一部１５およびリード線
１７にのみ銀めっき層を設けたことを特徴とする。
この方法で部分銀めっきを施した場合、従来の全面銀め
っきから銀量を削減し、安価なリードフレームが供給で
きる。この部分銀めっきは特別に困難なものでなく、一
般的に用いられているスポットめっき方式を応用するだ
けで容易に行なうことができる。
っきから銀量を削減し、安価なリードフレームが供給で
きる。この部分銀めっきは特別に困難なものでなく、一
般的に用いられているスポットめっき方式を応用するだ
けで容易に行なうことができる。
また、樹脂制止にお（・て封止金型のエアーペント部分
のリードフレーム上に銀めっき層がないた６− め、エアーベント部の適正な空隙を容易に保つことがで
き、キャビティー内の気泡を活発的に外部に押し出す効
果が得られる。また、リード１７上は金型が密着してい
るため、樹脂がパリと々って付着することば々いが、側
面部に樹脂が付着したとしても、釧と樹脂の密着が悪い
ために、容易に剥離させることができる。また、リード
線外装処理として電解半田めっきを行なう場合、第６図
は第５図の１３−Ｂ’の断面図であるが、発光ダイオー
ドとして必要な部分は釧めっきで被って（・るので、４
）、別に酸化膜剥離をするための酸洗（・は不要である
。つまり、従来の部分什めっきはリード線上に銅が露出
しており、樹脂パリの除去および外装早口］めっき処理
が必要であったが、本発明によってリード線全面に釧め
っきが施されて（・るため次工程で表面処理を行なわ力
くても、良好な半田付性および而」食性を得ることがで
きる。
のリードフレーム上に銀めっき層がないた６− め、エアーベント部の適正な空隙を容易に保つことがで
き、キャビティー内の気泡を活発的に外部に押し出す効
果が得られる。また、リード１７上は金型が密着してい
るため、樹脂がパリと々って付着することば々いが、側
面部に樹脂が付着したとしても、釧と樹脂の密着が悪い
ために、容易に剥離させることができる。また、リード
線外装処理として電解半田めっきを行なう場合、第６図
は第５図の１３−Ｂ’の断面図であるが、発光ダイオー
ドとして必要な部分は釧めっきで被って（・るので、４
）、別に酸化膜剥離をするための酸洗（・は不要である
。つまり、従来の部分什めっきはリード線上に銅が露出
しており、樹脂パリの除去および外装早口］めっき処理
が必要であったが、本発明によってリード線全面に釧め
っきが施されて（・るため次工程で表面処理を行なわ力
くても、良好な半田付性および而」食性を得ることがで
きる。
本来、部分めっき化を推進する場合、リード線には貴金
属めっきは施工しな（・のが普通であるが、この半導体
装置用リードフレームは、リード線全面に銀めっきを施
しても、その銀量よりもはるかに太き（・コス）・低減
と生産の安定化及び品質向上を得ることができる。
属めっきは施工しな（・のが普通であるが、この半導体
装置用リードフレームは、リード線全面に銀めっきを施
しても、その銀量よりもはるかに太き（・コス）・低減
と生産の安定化及び品質向上を得ることができる。
本発明は光半導体装首、特に発光ダイオードを実施例と
して絡げたが、一般の半導体装置用にも効果があるのは
言うまでもない。
して絡げたが、一般の半導体装置用にも効果があるのは
言うまでもない。
第１図は、従来の全面銀めっきの断面図を示す。
第２図は、リードフレームの平面図および樹脂制止時の
ランナー、サブランナー、キャビティーエアーベントの
樹脂の流れを示す。第３図は、従来の部分銀めっきの一
実施例で、第４図は、その断面図である。第５図は、本
発明の部分銀めっきの一実施例を示１−１第６図はその
断面図である。 ｌ・・・鉄素材、２・・・銅めっき層、３・・・銀めっ
き層、４・・・モール）”ＩｒＪＪＬ ５ 、 ］ ５
・・・タイバー、１７・・・リード線。 （電 Ｋ
ランナー、サブランナー、キャビティーエアーベントの
樹脂の流れを示す。第３図は、従来の部分銀めっきの一
実施例で、第４図は、その断面図である。第５図は、本
発明の部分銀めっきの一実施例を示１−１第６図はその
断面図である。 ｌ・・・鉄素材、２・・・銅めっき層、３・・・銀めっ
き層、４・・・モール）”ＩｒＪＪＬ ５ 、 ］ ５
・・・タイバー、１７・・・リード線。 （電 Ｋ
Claims (2)
- （１）複数個のダイボンド領域、これと連続してそれぞ
れ延長された複数の第１のリード部、前記複数個のダイ
ボンド領域とそれぞれ対向した位置にある複数個のワイ
ヤーボンディング領域、およびこれと連続してそれぞれ
延長された複数の第２のリード部を有し、貴金属めっき
層が前記複数個のダイボンド領域、前記複数個のワイヤ
ボンド傾城および前記複数の第１および第２のリード部
の表裏面に被覆されたことを特徴とする半導体装置用リ
ードフレーム。 - （２）前記第１および第２のリード部は直線状に配列さ
れ且つ前記複数個のダイボンド領域の配列方向は前記リ
ード方向と直角に配列されて力ることを特徴とする前記
第（１）項記載のリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58125804A JPS6017939A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58125804A JPS6017939A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6017939A true JPS6017939A (ja) | 1985-01-29 |
Family
ID=14919312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58125804A Pending JPS6017939A (ja) | 1983-07-11 | 1983-07-11 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6017939A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61269351A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-28 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| JPS6289153U (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-08 | ||
| US5050565A (en) * | 1989-12-15 | 1991-09-24 | Mazda Motor Corporation | Fuel control system for engine |
| JP2008028154A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Sumitomo Metal Mining Package Materials Co Ltd | 光半導体装置用リードフレーム |
| CN105336839A (zh) * | 2015-11-16 | 2016-02-17 | 格力电器（合肥）有限公司 | 焊盘、发光二极管及焊盘印刷模板 |
-
1983
- 1983-07-11 JP JP58125804A patent/JPS6017939A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61269351A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-28 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| JPS6289153U (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-08 | ||
| US5050565A (en) * | 1989-12-15 | 1991-09-24 | Mazda Motor Corporation | Fuel control system for engine |
| JP2008028154A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Sumitomo Metal Mining Package Materials Co Ltd | 光半導体装置用リードフレーム |
| CN105336839A (zh) * | 2015-11-16 | 2016-02-17 | 格力电器（合肥）有限公司 | 焊盘、发光二极管及焊盘印刷模板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6194777B1 (en) | Leadframes with selective palladium plating | |
| US8329509B2 (en) | Packaging process to create wettable lead flank during board assembly | |
| US7371616B2 (en) | Clipless and wireless semiconductor die package and method for making the same | |
| US8435867B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing electronic device | |
| JP3710633B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| US20030006492A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP5863174B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6396947A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| US7148085B2 (en) | Gold spot plated leadframes for semiconductor devices and method of fabrication | |
| CN105185752A (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| JP2989406B2 (ja) | 半導体装置用プリプレーテッドフレーム及びその製造方法 | |
| JPH09307050A (ja) | リードフレームとこれを用いた半導体装置 | |
| JPS6017939A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPS6050343B2 (ja) | 半導体装置製造用リ−ドフレ−ム | |
| JP2009099871A (ja) | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2503595B2 (ja) | 半導体リ―ドフレ―ム | |
| JPH11204713A (ja) | 半導体装置用リードフレーム及び半導体装置 | |
| JPS61139050A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JP2017108191A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6142941A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム | |
| JPH04137552A (ja) | リードフレーム | |
| JPH07147292A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004158513A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
| JP2743567B2 (ja) | 樹脂封止型集積回路 | |
| JPH0758267A (ja) | リードフレーム |