JPS60170903A - 電圧依存非直線抵抗特性を有する磁器組成物 - Google Patents
電圧依存非直線抵抗特性を有する磁器組成物Info
- Publication number
- JPS60170903A JPS60170903A JP59027675A JP2767584A JPS60170903A JP S60170903 A JPS60170903 A JP S60170903A JP 59027675 A JP59027675 A JP 59027675A JP 2767584 A JP2767584 A JP 2767584A JP S60170903 A JPS60170903 A JP S60170903A
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- varistor voltage
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
この発明は、電圧依存非直線抵抗特性と誘電特性を有す
るバリスタ素子用の磁器組成物に関する。
るバリスタ素子用の磁器組成物に関する。
従来使用されているSrTiO3系磁器は。
電圧依存非直線抵抗体(バリスタ)としての機能と、コ
ンテンツの機能を備えており、異常電圧吸収、ノイズ除
去、火花放電の防止等に利用され°ζいる。
ンテンツの機能を備えており、異常電圧吸収、ノイズ除
去、火花放電の防止等に利用され°ζいる。
この5rTi03を主成分とする磁器を高い温度で処理
すると、バリスタ電圧(0,1mAの電流を流すのに要
する印加電圧をいう、以下同じ)が高くなり、逆に−こ
れを低い温度で処理すると低いバリスタ電圧を示す。こ
れに対し誘電率は。
すると、バリスタ電圧(0,1mAの電流を流すのに要
する印加電圧をいう、以下同じ)が高くなり、逆に−こ
れを低い温度で処理すると低いバリスタ電圧を示す。こ
れに対し誘電率は。
同磁器材料を高い温度で処理すると低くなり。
低い温度で処理すると高くなる。
一方、この磁器を挟んで電極を対向させ、バリスタ素子
として構成する場合に、これら電極の面積を狭くすると
、サージ電圧(または電流)を与えたときのバリスタ電
圧の変化率Δ■1が大きくなり、素子の厚みを増して電
極の間隔を大きくとるとバリスタ電圧が高くなる。
として構成する場合に、これら電極の面積を狭くすると
、サージ電圧(または電流)を与えたときのバリスタ電
圧の変化率Δ■1が大きくなり、素子の厚みを増して電
極の間隔を大きくとるとバリスタ電圧が高くなる。
こうしたことから上記従来の磁器材料を用いた場合は、
バリスタ電圧が低く、静電容置が小さく、かつサージ電
圧によるバリスタ電圧の変化率の小さなバリスタ素子を
作ることが困難であった。
バリスタ電圧が低く、静電容置が小さく、かつサージ電
圧によるバリスタ電圧の変化率の小さなバリスタ素子を
作ることが困難であった。
この発明は、従来のバリスタ磁器における上記のような
問題を解決すべくなされたもので。
問題を解決すべくなされたもので。
互いに相反する峙性上の要請を全て満足することのでき
るバリスタ素子が得られる磁器組成物を提供するもので
ある。
るバリスタ素子が得られる磁器組成物を提供するもので
ある。
この発明の磁器組成物は、S r l−X Mgx′1
゛103 (但し、 (1,(15≦X≦0.5)から
なる成分(以下第一成分という)100モル部と、La
2O3、CeO2、Nd2O3、Y203 、Pr60
H,Sm203 、EIJ203 、I)y203 。
゛103 (但し、 (1,(15≦X≦0.5)から
なる成分(以下第一成分という)100モル部と、La
2O3、CeO2、Nd2O3、Y203 、Pr60
H,Sm203 、EIJ203 、I)y203 。
Nb205 、Ta205 、WO3の内一種以上の酸
化物からなる成分(以下第二成分という)0.01〜3
.00モル部と、NaF(以下第三成分表いう)が0.
O1〜1.25モル部からなるものである。
化物からなる成分(以下第二成分という)0.01〜3
.00モル部と、NaF(以下第三成分表いう)が0.
O1〜1.25モル部からなるものである。
この場合に、」二記第三成分は、第一、第二成分と共に
出発原料として用いずに、いわゆるp45拡Inkの手
段によって磁器中に含有させることもできる。即ち、第
一成分と第二成分からなるタフ器原料を使用し、これを
成形、焼結させた後。
出発原料として用いずに、いわゆるp45拡Inkの手
段によって磁器中に含有させることもできる。即ち、第
一成分と第二成分からなるタフ器原料を使用し、これを
成形、焼結させた後。
得られた磁器の主面に第三成分であるNaFわ)末を載
せ、これを800〜1300℃程度の温度で処理するこ
とにより、同成分を磁器中に拡散させる、二とができる
。
せ、これを800〜1300℃程度の温度で処理するこ
とにより、同成分を磁器中に拡散させる、二とができる
。
この磁器組成物から作られた円板の両面に対向する電極
を設けることにより、バリスタ素子が構成されるが、そ
の特性等から各成分の組成比をそれぞれ上記のように限
定した一般的理由を各成分の作用と共に述べると次の1
lllりである。
を設けることにより、バリスタ素子が構成されるが、そ
の特性等から各成分の組成比をそれぞれ上記のように限
定した一般的理由を各成分の作用と共に述べると次の1
lllりである。
(1)第一成分においてXの値が」1記の範囲にあると
き、比誘電率が低く、素子のバリスタ電圧が低い。これ
に対し、このXの値が上記の範囲より小さいと素子の静
電容量が高くなり、逆にこの値が上記範囲より大きいと
素子のバリスタ電圧が高くなる。
き、比誘電率が低く、素子のバリスタ電圧が低い。これ
に対し、このXの値が上記の範囲より小さいと素子の静
電容量が高くなり、逆にこの値が上記範囲より大きいと
素子のバリスタ電圧が高くなる。
(2)第二成分は、l1la族(1,a、 Ce、I)
r、I’r。
r、I’r。
Nd、Sm、Eu、Py、Y)、Va族(Nb。
1゛a)またはVl a族(W>元素の酸化物で、原子
価制御剤として素子の半導体化に寄与する成分である。
価制御剤として素子の半導体化に寄与する成分である。
第一成分に対しこの第二成分を」1記範囲で含ませたも
のからなるものでは、素子のバリスタ電圧が低く、電圧
非直線指数αが大きい。これに対し、同成分が上記範囲
より少ないと、バリスタ電圧が高く、電圧非直線指数α
が小さくなり、他方同成分が上記範囲より多い場合&;
!: 、この種磁器の一般的焼結温度である1300〜
1450℃という温度で焼結させることができJ゛。
のからなるものでは、素子のバリスタ電圧が低く、電圧
非直線指数αが大きい。これに対し、同成分が上記範囲
より少ないと、バリスタ電圧が高く、電圧非直線指数α
が小さくなり、他方同成分が上記範囲より多い場合&;
!: 、この種磁器の一般的焼結温度である1300〜
1450℃という温度で焼結させることができJ゛。
iメLっ−Cバリスタ素子を構成することができない。
なお、これら酸化物は一種だ&Jでも、或いは複数種の
ものをどのように組合せても柵ね同様の結果が塀られる
。
ものをどのように組合せても柵ね同様の結果が塀られる
。
(3)第三成分ば、サージに刻する素子の劣化。
即しバリスタ電圧の変化を防止するのに寄与する成分で
ある。同成分の作用は、」1記範囲が最も効果的で、サ
ージによるバリスタ電圧の変化率が小さい。これに対し
、同成分が上記範囲より多くても少なくてもサージによ
るバリスタ電圧の変化率が大きくなる。
ある。同成分の作用は、」1記範囲が最も効果的で、サ
ージによるバリスタ電圧の変化率が小さい。これに対し
、同成分が上記範囲より多くても少なくてもサージによ
るバリスタ電圧の変化率が大きくなる。
次にこの発明の実施例をその比較例と共に説明する。
(実施例1)
まず表2において1〜3イの番号で示されたδ工(料の
作製方法について説明すると、最初に純度97.5%以
1(7)SrCO3,MgC(1+ 、TiO2をそれ
ぞれ表1に示された割合で秤量し、これをボールミルで
10時間混合した後、脱水乾燥し。
作製方法について説明すると、最初に純度97.5%以
1(7)SrCO3,MgC(1+ 、TiO2をそれ
ぞれ表1に示された割合で秤量し、これをボールミルで
10時間混合した後、脱水乾燥し。
ざらに1200℃の温度を2時間加えて仮焼きしだ。
表 1
次いでこれをボールミルに8時間かけて粉砕し。
S r +−x Mgx−Fi O:]の組成式におい
てXの値がそれぞれ表1に示された第一成分を得た。
てXの値がそれぞれ表1に示された第一成分を得た。
次ぎに第二成分として純度99%のNb2O5゜Ta2
05 、、WO:l 、La2O3、Ce、02+Nd
203 、Y203 、Pr6 ()H,Sm2O3、
En203 、Dy2O3粉末から選ばれた1種または
複数種のもの、及び第三成分として純爪1〕7%のN
a F粉末を上記第一成分100モル部に対しζそれぞ
れ表2の各欄に示す割合で上記混合物中に添加し、これ
らをそれぞれ20時間I?l;潰機で攪拌した後、バイ
ンダーを加えて造粒し、加圧成形することにより、直径
5.14m。
05 、、WO:l 、La2O3、Ce、02+Nd
203 、Y203 、Pr6 ()H,Sm2O3、
En203 、Dy2O3粉末から選ばれた1種または
複数種のもの、及び第三成分として純爪1〕7%のN
a F粉末を上記第一成分100モル部に対しζそれぞ
れ表2の各欄に示す割合で上記混合物中に添加し、これ
らをそれぞれ20時間I?l;潰機で攪拌した後、バイ
ンダーを加えて造粒し、加圧成形することにより、直径
5.14m。
厚さ1.Osmの円板形の成形体を得た。次ぎにこの成
形体をN2ガスが95容量%、H2ガスが5容量%の雰
囲気中において1300〜1450℃の温度で3〜6時
間加熱し、焼結させた。さらにこれを空気中において8
00〜1200℃の温度で2時間加熱し、再酸化処理を
行った。次いでこの焼結体の両面にΔgペーストを直径
3 、5 u+塗布し。
形体をN2ガスが95容量%、H2ガスが5容量%の雰
囲気中において1300〜1450℃の温度で3〜6時
間加熱し、焼結させた。さらにこれを空気中において8
00〜1200℃の温度で2時間加熱し、再酸化処理を
行った。次いでこの焼結体の両面にΔgペーストを直径
3 、5 u+塗布し。
これを800℃の温度で焼成して対向する一対の電極を
形成し、1〜34の試料を得た。
形成し、1〜34の試料を得た。
次キニコれら試料については、それぞれバリスタ電圧V
l、電圧非直線指数α、静電容量C及びサージ電流を与
えたときの上記バリスタ電圧V1の変化率Δ■1を測定
し9表2の各面に示した。なお、静電容量Cは、 1K
IIzの周波数において測定した値を示した。電圧非直
線指数αは、電流11= 0.1mAと電流12”1m
Aのときの印加電圧■1 (バリスタ電圧)、v2をそ
れぞれ測定し1次の式でめた。
l、電圧非直線指数α、静電容量C及びサージ電流を与
えたときの上記バリスタ電圧V1の変化率Δ■1を測定
し9表2の各面に示した。なお、静電容量Cは、 1K
IIzの周波数において測定した値を示した。電圧非直
線指数αは、電流11= 0.1mAと電流12”1m
Aのときの印加電圧■1 (バリスタ電圧)、v2をそ
れぞれ測定し1次の式でめた。
また、バリスタ電圧の変化率へ■1ば、試料に波形8×
20μS、波高20OAの電流を5回流した後のバリス
タ電圧v3を測定し1次の式でめた。
20μS、波高20OAの電流を5回流した後のバリス
タ電圧v3を測定し1次の式でめた。
■1
この結果から明らかな通り、実施例1として作製した試
料1〜12.17〜23及び28〜34では。
料1〜12.17〜23及び28〜34では。
バリスタ電圧V1が11.9〜40.IV置電圧非直線
指数αが11.1〜13.9.静電容量Cが450〜2
280pF、サージ電圧を加えたときのバリスタ電圧の
変化率ΔV1が−0,4〜−1,0%であった。
指数αが11.1〜13.9.静電容量Cが450〜2
280pF、サージ電圧を加えたときのバリスタ電圧の
変化率ΔV1が−0,4〜−1,0%であった。
これを比較例として作製した試料と比べてみると、まず
第一成分のXの値が0.025と0.05より小さい試
料13と14では9.静電容量Cがそれぞれ45;00
0.28,800pFと、上記実施例に比べ゛(高<、
xの値が0.6と0.5より大きい試料15と16では
、バリスタ電圧Δv1がそれぞれ260.1゜331.
5Vと、上記実婢例に比べ゛ζ極端に高かった。次ぎに
第二成分か上記第一成分100モル9iに対して0.0
05モル部と、’ 0.01モル部より少ない試料24
では、バリスタ電圧V1が281.IVと高く、電圧非
直線指数αが8.3と小さかった。
第一成分のXの値が0.025と0.05より小さい試
料13と14では9.静電容量Cがそれぞれ45;00
0.28,800pFと、上記実施例に比べ゛(高<、
xの値が0.6と0.5より大きい試料15と16では
、バリスタ電圧Δv1がそれぞれ260.1゜331.
5Vと、上記実婢例に比べ゛ζ極端に高かった。次ぎに
第二成分か上記第一成分100モル9iに対して0.0
05モル部と、’ 0.01モル部より少ない試料24
では、バリスタ電圧V1が281.IVと高く、電圧非
直線指数αが8.3と小さかった。
また同成分が3.00モル部を越えて3.50モル部で
ある試料25では、 1300〜1450℃の範囲の温
度で焼結さセるごとかできず、所定の試料を得ることが
できなかった。さらに第三成分を含んでいない試料27
と、逆に1.25モル部を越える1、5モル部の同成分
を含む試料26では、サージ電流(よるバリスタ電圧の
変化率Δ■1がそれぞれ−12.6%、−18,3%と
弗素に大きかった。
ある試料25では、 1300〜1450℃の範囲の温
度で焼結さセるごとかできず、所定の試料を得ることが
できなかった。さらに第三成分を含んでいない試料27
と、逆に1.25モル部を越える1、5モル部の同成分
を含む試料26では、サージ電流(よるバリスタ電圧の
変化率Δ■1がそれぞれ−12.6%、−18,3%と
弗素に大きかった。
(実施例2)
この実施例は、第三成分であるNaFを出′発原料とし
て用いず、先ず・x=0.25の第一成分と。
て用いず、先ず・x=0.25の第一成分と。
この100モル部に対して1.0モル部のLa2O3か
らなる磁器原料を使用し、上記と同様の方法及び条件で
焼結までの工程を行った。しかる後。
らなる磁器原料を使用し、上記と同様の方法及び条件で
焼結までの工程を行った。しかる後。
得られた磁器の片方の主面にN’aF粉末を0,14■
(第一成分100モル部に対して0.5モル部相当)を
載せ、空気中において1000℃の温度で2時間加熱し
て処理することより、磁器を再酸化処理すると同時に、
上記NaFを磁器中に拡散させた。この後同磁器の両主
面に電極を設け。
(第一成分100モル部に対して0.5モル部相当)を
載せ、空気中において1000℃の温度で2時間加熱し
て処理することより、磁器を再酸化処理すると同時に、
上記NaFを磁器中に拡散させた。この後同磁器の両主
面に電極を設け。
これを試料35として上記実施例1と同様の特性試験を
行い、この結果を表2に示した。
行い、この結果を表2に示した。
同表に示した結果から明らかなように、この実施例にお
いても上記実施例1とはソ同等の結果をfnることかで
きた。
いても上記実施例1とはソ同等の結果をfnることかで
きた。
以上の通り、この発明によれば、バリスタ電圧が低く、
静電容量が小さく、かつサージ電圧(または電流)を与
えたときのバリスタ電圧の変化率が小さいバリスタ素子
を得ることができる。即ら、従来において互いに相反す
るごと\なっていた上記特性上の要請を何れも満足する
素子が得られるようになり、所期の目的を達成すること
ができる。
静電容量が小さく、かつサージ電圧(または電流)を与
えたときのバリスタ電圧の変化率が小さいバリスタ素子
を得ることができる。即ら、従来において互いに相反す
るごと\なっていた上記特性上の要請を何れも満足する
素子が得られるようになり、所期の目的を達成すること
ができる。
特許出願人 太陽誘電株式会社
代理人 弁理士 北條和山
Claims (1)
- S r +−x Mgx T i 03 (但し、 0
.05≦X≦0.5)からなる成分100モル部と、L
a2O3+CeO2、Nd2O3+ Y203 + P
r6011+Sm2O3、lEu2O3+ Dy203
、Nb2O6+ Ta、+ 05 、WO3の内一種
以上の酸化物からなる成分0.01〜3.00モル部と
、NaFが0、O1〜1.25モル部からなる電圧依存
非直線11(抗特性を有する磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59027675A JPS60170903A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 電圧依存非直線抵抗特性を有する磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59027675A JPS60170903A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 電圧依存非直線抵抗特性を有する磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60170903A true JPS60170903A (ja) | 1985-09-04 |
JPH0248121B2 JPH0248121B2 (ja) | 1990-10-24 |
Family
ID=12227526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59027675A Granted JPS60170903A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 電圧依存非直線抵抗特性を有する磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60170903A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01280301A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-10 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電圧依存非直線抵抗体の製造方法 |
JPH0239501A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電圧依存非直線抵抗体の製造方法 |
FR2724165A1 (fr) * | 1994-09-07 | 1996-03-08 | Serole Bernard | Procede d'activation du frittage de ceramiques par controle stoechiometrique |
-
1984
- 1984-02-16 JP JP59027675A patent/JPS60170903A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01280301A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-10 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電圧依存非直線抵抗体の製造方法 |
JPH0239501A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電圧依存非直線抵抗体の製造方法 |
FR2724165A1 (fr) * | 1994-09-07 | 1996-03-08 | Serole Bernard | Procede d'activation du frittage de ceramiques par controle stoechiometrique |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0248121B2 (ja) | 1990-10-24 |
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