JPS60155904A - 走行帯状体における膜厚を電気的に測定する装置 - Google Patents
走行帯状体における膜厚を電気的に測定する装置Info
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- JPS60155904A JPS60155904A JP59204200A JP20420084A JPS60155904A JP S60155904 A JPS60155904 A JP S60155904A JP 59204200 A JP59204200 A JP 59204200A JP 20420084 A JP20420084 A JP 20420084A JP S60155904 A JPS60155904 A JP S60155904A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
- G01B7/06—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、真空薄膜形成装置の走行帯状体における膜厚
を電気的に測定する装置に関する。
を電気的に測定する装置に関する。
その場合この装置には、少べとも1つの帯状体用ガイド
ローラが設けられ、局部的に限定された測定範囲を有す
る複数のセンサが設けられ、該センサが膜厚の尺度とな
る信号を発生し、さらに測殖信舟用の評価回路詠1設け
られている。
ローラが設けられ、局部的に限定された測定範囲を有す
る複数のセンサが設けられ、該センサが膜厚の尺度とな
る信号を発生し、さらに測殖信舟用の評価回路詠1設け
られている。
従来技術
このような装置は、例えば真空蒸着法やカソ−rス・ぞ
ツタリング法で薄膜を形成する場合に、膜厚を調整する
ために用いられる。一般に、膜厚は最終生産品、つまり
被膜フィルムの特性に大きな影響を与1える。このよう
な被膜フィルムとしては、アルミニウム層を有するコン
デンサフィルム、磁性層を有する音声テープ、あるいは
その光学的特性を利用するフィルムなどが考えられる。
ツタリング法で薄膜を形成する場合に、膜厚を調整する
ために用いられる。一般に、膜厚は最終生産品、つまり
被膜フィルムの特性に大きな影響を与1える。このよう
な被膜フィルムとしては、アルミニウム層を有するコン
デンサフィルム、磁性層を有する音声テープ、あるいは
その光学的特性を利用するフィルムなどが考えられる。
膜厚を電気的に測定する場合、実際には面抵抗を測定す
ることになるので、間接的な測定になる。しかし、面抵
抗によって膜厚が分るので、多くの場合面抵抗が目標値
として表示される。
ることになるので、間接的な測定になる。しかし、面抵
抗によって膜厚が分るので、多くの場合面抵抗が目標値
として表示される。
走行する帯状体の面抵抗を測定す不場合、摺動接点によ
る機械的な接触が行なわれないので、困難な問題が生じ
る。また接触抵抗が生じるので、回転時の接触部の調整
操作も難しい。従って、非接触測定法だけが有効な方法
と考えられる。
る機械的な接触が行なわれないので、困難な問題が生じ
る。また接触抵抗が生じるので、回転時の接触部の調整
操作も難しい。従って、非接触測定法だけが有効な方法
と考えられる。
発明の解決すべき問題点
ドイツ連邦共和国特許出願公開第1813333号公報
によれば、2つの金属製偏向ロールを介して、または絶
縁片により゛相互に絶縁された2つの金属端片を有する
1つの偏向ロールを介して、導電層(導電性薄膜)を有
する帯状体を走行させることは公知である。この場合、
フ不ルム(帯状体)をはさんでローラと反対側に導電層
があるので−一種のコンデンサが形成され、このコンデ
ンサにより導電層は測定回路と容量的に結合さ゛れる。
によれば、2つの金属製偏向ロールを介して、または絶
縁片により゛相互に絶縁された2つの金属端片を有する
1つの偏向ロールを介して、導電層(導電性薄膜)を有
する帯状体を走行させることは公知である。この場合、
フ不ルム(帯状体)をはさんでローラと反対側に導電層
があるので−一種のコンデンサが形成され、このコンデ
ンサにより導電層は測定回路と容量的に結合さ゛れる。
ローラに設けられた端子によって測定電流が伝送され、
この電流は導電層の面抵抗を表わす尺度となる。この公
知装置では、絶縁片の厚さが違っていても、それはブリ
ッジ回路の基準分岐で補償されるので、測定結果に誤り
が生じることはない。しかしこの装置で検出できるのは
、帯状体の全幅方向にわたる総和としての面抵抗だけで
あり、走行方向と直角な方向における膜厚の偏差は、総
和の中で相殺されるので検出できない。このような膜厚
の偏差があると、例えば[ストライプないし縞模様現象
(Streifigkeit )Jとなって現われるこ
ととなる。薄膜材料源が複数の個別材料源から成り、そ
の各々が相互に無関係に調整される場合5こ」、現象が
起り易い。
この電流は導電層の面抵抗を表わす尺度となる。この公
知装置では、絶縁片の厚さが違っていても、それはブリ
ッジ回路の基準分岐で補償されるので、測定結果に誤り
が生じることはない。しかしこの装置で検出できるのは
、帯状体の全幅方向にわたる総和としての面抵抗だけで
あり、走行方向と直角な方向における膜厚の偏差は、総
和の中で相殺されるので検出できない。このような膜厚
の偏差があると、例えば[ストライプないし縞模様現象
(Streifigkeit )Jとなって現われるこ
ととなる。薄膜材料源が複数の個別材料源から成り、そ
の各々が相互に無関係に調整される場合5こ」、現象が
起り易い。
この種の調整装置は′、各薄膜材料源に対して1つのセ
ンサを使、用し、各センサはそれが配属さ肛た材料源の
形成した薄膜だけを測定する。公知のに和測定法はこの
ような調整方法には使用できない。
ンサを使、用し、各センサはそれが配属さ肛た材料源の
形成した薄膜だけを測定する。公知のに和測定法はこの
ような調整方法には使用できない。
ドイツ連邦共和国特許出願公開第2345849号公報
によれば、走行帯状体の非接触、膜厚測定方法として、
局部的に限定された測定領域。
によれば、走行帯状体の非接触、膜厚測定方法として、
局部的に限定された測定領域。
を検出する方法が公知である。この゛方法では、電磁誘
導によって測定が行なわれる。そして、ガイドロー2の
領域以外では不可避である走行帯状体のばたつき傾向を
補償するために、帯状体の両側に誘導コイルが設けられ
る。両誘導コイルの出力信号を加算すれば、測定コイル
間で直線領域が得られる。この直線領域内では、走行帯
状体の位置変化は測定結果に悪影響を及ぼさない。しか
しこの装置は、適正なコストでは帯状体の縁部領域しか
測定できない。なぜなら、幅の広い帯状体の中央部を測
定する場合、両誘導コイルの間隔を一定に保つために、
フォーク形状の測定装置を使用しなければならないから
である。コイル間の間隔にわずかでも偏差があると、測
定結果に誤差が生じることとなる。しかし、誘導コイル
の7オ一ク状担体を十分堅牢に構成することは実質上不
可能である。この装置の別の欠点は、多くのセンサを使
用するので、それを収容するスペースの問題が生じるこ
とである。また新しいフィルムを装着する時、フィルム
にすべてのフォーク状センサ担体の間を通過させるのは
極めて困難である。
導によって測定が行なわれる。そして、ガイドロー2の
領域以外では不可避である走行帯状体のばたつき傾向を
補償するために、帯状体の両側に誘導コイルが設けられ
る。両誘導コイルの出力信号を加算すれば、測定コイル
間で直線領域が得られる。この直線領域内では、走行帯
状体の位置変化は測定結果に悪影響を及ぼさない。しか
しこの装置は、適正なコストでは帯状体の縁部領域しか
測定できない。なぜなら、幅の広い帯状体の中央部を測
定する場合、両誘導コイルの間隔を一定に保つために、
フォーク形状の測定装置を使用しなければならないから
である。コイル間の間隔にわずかでも偏差があると、測
定結果に誤差が生じることとなる。しかし、誘導コイル
の7オ一ク状担体を十分堅牢に構成することは実質上不
可能である。この装置の別の欠点は、多くのセンサを使
用するので、それを収容するスペースの問題が生じるこ
とである。また新しいフィルムを装着する時、フィルム
にすべてのフォーク状センサ担体の間を通過させるのは
極めて困難である。
本発明の課題は、帯状体の膜厚特性をその幅方向に測定
する装置において、複数のセンサを帯状体の一方の側に
のみ配置し、かつセンサの周囲で帯状体がその表面に垂
直な方向に変動するのを阻止することである。
する装置において、複数のセンサを帯状体の一方の側に
のみ配置し、かつセンサの周囲で帯状体がその表面に垂
直な方向に変動するのを阻止することである。
問題点を解決するための手段
本発明によれば、この課題は次のようにして解決される
。す存わち、複数のセンサを偏向口−ルの長手方向に分
布させてその表面に埋込み、または配置し、またこのセ
ンサを伝送装置によって評価装置と接続するのである。
。す存わち、複数のセンサを偏向口−ルの長手方向に分
布させてその表面に埋込み、または配置し、またこのセ
ンサを伝送装置によって評価装置と接続するのである。
本発明による。センサ装置は、次のような事実を利用し
ている。つまり、走行する帯状体には、それがガイドロ
ーラと密着している範囲ではばたつきが生じず、従って
フィルムの厚さが一定なら、導電層とセンサとの間隔も
一定になるのである。容量的な測定を行なう場合は、フ
ィルムの強度が部分的に異なってい”ても、それは上述
の方法で簡単に補償することができる。各センサは、後
述する動作原理に従って、部分的に限定された面領域だ
けを測定する。従ってセンサを緊密に配置すれば、膜厚
のプロフィールを正確に検出することができる。普通、
帯状体着層装置には多数のガイドローラが設けられてい
るので、これらのローラにセンサを設けても大したスペ
ースを必要としない。また新しいフィルムないし帯状体
を装置に装着する際にも全く問題は生じない。本発明d
装置によれば、相応数の薄膜材料源を狭い範囲内で調整
することができる。従って、帯状体の走行方向と垂直な
一方向で、膜厚を均一にすることができる。
ている。つまり、走行する帯状体には、それがガイドロ
ーラと密着している範囲ではばたつきが生じず、従って
フィルムの厚さが一定なら、導電層とセンサとの間隔も
一定になるのである。容量的な測定を行なう場合は、フ
ィルムの強度が部分的に異なってい”ても、それは上述
の方法で簡単に補償することができる。各センサは、後
述する動作原理に従って、部分的に限定された面領域だ
けを測定する。従ってセンサを緊密に配置すれば、膜厚
のプロフィールを正確に検出することができる。普通、
帯状体着層装置には多数のガイドローラが設けられてい
るので、これらのローラにセンサを設けても大したスペ
ースを必要としない。また新しいフィルムないし帯状体
を装置に装着する際にも全く問題は生じない。本発明d
装置によれば、相応数の薄膜材料源を狭い範囲内で調整
することができる。従って、帯状体の走行方向と垂直な
一方向で、膜厚を均一にすることができる。
次に、本発明により得られる効果を明らかにするため、
本発明の装置の作用と従来技術によるそれとを比較する
。一般に、帯状体の一方にのみ誘導コイルを設けた場合
、その磁界強度はセンサー薄膜間の間隔の3乗に反比例
して減衰する。従って、この間隔が1uで、帯状体が±
0.1關だけ横方向に運動する場合、約30%の測定誤
差が生じる。ドイツ連邦共和国特許出願公開第2345
849号公報記載の装置のように、帯状体の両側に2つ
の誘導コイルを配置した場合、両コイル間の空隙幅の4
0%の範囲内で、測定誤差は5%になる。しかし、その
ためには相当なコストを必要とし、また帯状体着層装置
の操作も難しくなる。これに対して本発明の装置では、
構造を簡単にした上で、誤差を最大1%にまで抑えるこ
とができる。誤差1%というのはどんな使用例でも許容
される値である。
本発明の装置の作用と従来技術によるそれとを比較する
。一般に、帯状体の一方にのみ誘導コイルを設けた場合
、その磁界強度はセンサー薄膜間の間隔の3乗に反比例
して減衰する。従って、この間隔が1uで、帯状体が±
0.1關だけ横方向に運動する場合、約30%の測定誤
差が生じる。ドイツ連邦共和国特許出願公開第2345
849号公報記載の装置のように、帯状体の両側に2つ
の誘導コイルを配置した場合、両コイル間の空隙幅の4
0%の範囲内で、測定誤差は5%になる。しかし、その
ためには相当なコストを必要とし、また帯状体着層装置
の操作も難しくなる。これに対して本発明の装置では、
構造を簡単にした上で、誤差を最大1%にまで抑えるこ
とができる。誤差1%というのはどんな使用例でも許容
される値である。
この場合、センサを常に静止しているように構成するこ
ともできる。この時、ガイドローラは長手方向に分割さ
れ、ローラ部分の間にセンサが配置される。また、ガイ
ドローラの被覆部を極めて薄肉厚に構成し、中空ローラ
の中で常に静止しているようにセンサを配置することも
できる。ただし、このような構成では被覆部に特別な材
料を使用しなければならない。さらに、センサと被測定
薄膜との間隔がかなり大きくなる。
ともできる。この時、ガイドローラは長手方向に分割さ
れ、ローラ部分の間にセンサが配置される。また、ガイ
ドローラの被覆部を極めて薄肉厚に構成し、中空ローラ
の中で常に静止しているようにセンサを配置することも
できる。ただし、このような構成では被覆部に特別な材
料を使用しなければならない。さらに、センサと被測定
薄膜との間隔がかなり大きくなる。
従って、センサの作用面がガイドローラの表面と一致し
、センサがローラと一緒に回転するような構成が最も有
利である。
、センサがローラと一緒に回転するような構成が最も有
利である。
この構成によれば各センサは、薄膜が設けられたのと逆
の側で、帯状体の基材と間欠的に接触する。その場合そ
の接触の行なわれる距離ないし区間は、帯状体がローラ
に巻付く角度(巻掛角度)に比例する。従って、測定の
行なわれる期間は次のように選定される。つまり、各セ
ンサと薄膜の被測定面部分とが同心円状に運動する期間
、ないし両者が同心の円筒面内に位置する期間である。
の側で、帯状体の基材と間欠的に接触する。その場合そ
の接触の行なわれる距離ないし区間は、帯状体がローラ
に巻付く角度(巻掛角度)に比例する。従って、測定の
行なわれる期間は次のように選定される。つまり、各セ
ンサと薄膜の被測定面部分とが同心円状に運動する期間
、ないし両者が同心の円筒面内に位置する期間である。
このことは相応の電子制御によって、または公知の整流
子技術によって簡単に実現できる。
子技術によって簡単に実現できる。
すべてのセンサをガイドローラの唯1本の外 ゛と5線
に沿って配置する場合、個々のセンサに固有の伝送装置
を設けることができる。この伝送装置は、例えば信号を
取出すためのスリッゾリングである。
に沿って配置する場合、個々のセンサに固有の伝送装置
を設けることができる。この伝送装置は、例えば信号を
取出すためのスリッゾリングである。
ただし、伝送装置を節減するためには次のような構成が
有利である。つまりセンサをガイドローラの周方向で階
段状にないしずらして配置し、かつそれぞれの角度位置
に依存してセンサを時間的に順次連続して評価回路と接
続するのである。
有利である。つまりセンサをガイドローラの周方向で階
段状にないしずらして配置し、かつそれぞれの角度位置
に依存してセンサを時間的に順次連続して評価回路と接
続するのである。
実施例
次に図面を参照しながら実施例について本発明の詳細な
説明する。
説明する。
第1図は本発明による装置の実施例のブロック図である
。この装置には中空のガイドローラ1が設けられ、それ
は同筒形の被覆部2を有している。この被覆部の3つの
箇所A、B、Cに、凹入部が設けられ、そこにセンサ3
,4.5が配置されている。センサの詳細については第
2図、第3図との関連で後述する。各センサから変換器
6へ線路が延びている。変換器6は、評価回路7へ伝送
できるように測定信号を変換する。この例では、変換器
6は測定値に比例する電気信号を発生し、2つのスリッ
プリング8゜9に供給する。スリップリング8,9は摺
動接点10,11と接触している。摺動接点10゜11
から取出された電圧は、線路12.13を介して評価回
路7へ伝送される。
。この装置には中空のガイドローラ1が設けられ、それ
は同筒形の被覆部2を有している。この被覆部の3つの
箇所A、B、Cに、凹入部が設けられ、そこにセンサ3
,4.5が配置されている。センサの詳細については第
2図、第3図との関連で後述する。各センサから変換器
6へ線路が延びている。変換器6は、評価回路7へ伝送
できるように測定信号を変換する。この例では、変換器
6は測定値に比例する電気信号を発生し、2つのスリッ
プリング8゜9に供給する。スリップリング8,9は摺
動接点10,11と接触している。摺動接点10゜11
から取出された電圧は、線路12.13を介して評価回
路7へ伝送される。
ガイドローラ1は軸14を有し、それは支承部材(図示
せず)によって支承されている。軸14の一方の端部に
は、その角度位置を示す位置発信器15が設けられ、位
置指示器16と共働する。このような装置は公知である
。この装置は、例えば磁気的に動作し、線路17’、1
8’を介して位置信号を評価回路7へ伝送する。従つて
、限定された期間内、つまりガイドローラ1の所定回転
角度間隔内に、個々の測定値を時間的に順次連続して検
出することができる。評価装置7には表示装置17,1
8,19が配属されている。各表示装置17,18,1
9は個々のセンサ3,4.5に対応している。
せず)によって支承されている。軸14の一方の端部に
は、その角度位置を示す位置発信器15が設けられ、位
置指示器16と共働する。このような装置は公知である
。この装置は、例えば磁気的に動作し、線路17’、1
8’を介して位置信号を評価回路7へ伝送する。従つて
、限定された期間内、つまりガイドローラ1の所定回転
角度間隔内に、個々の測定値を時間的に順次連続して検
出することができる。評価装置7には表示装置17,1
8,19が配属されている。各表示装置17,18,1
9は個々のセンサ3,4.5に対応している。
測定信号を直流導電的に伝送する代わりに、例えば無線
信号として無接点経路を介して遠隔伝送してもよい。こ
の場合、変換器6が送信機を有していることが前提とな
る。この時、評価回路7には対応する受信機が設けられ
る。また、各センサ専用の送信機を変換器6に設け、そ
れらを個々のセンサ3,4.5と接続してもよい。
信号として無接点経路を介して遠隔伝送してもよい。こ
の場合、変換器6が送信機を有していることが前提とな
る。この時、評価回路7には対応する受信機が設けられ
る。また、各センサ専用の送信機を変換器6に設け、そ
れらを個々のセンサ3,4.5と接続してもよい。
その表面に薄膜の形成された帯状体20がガイドローラ
1に供給される。帯状体20は矢印21の方向に水平に
到来し、矢印22の方向に垂直に送り出される。従って
巻終角度は90°で (ある。
1に供給される。帯状体20は矢印21の方向に水平に
到来し、矢印22の方向に垂直に送り出される。従って
巻終角度は90°で (ある。
ガイドロー−)1は、類似の多くのローラを有する帯状
体輸送装置の一部である。ただし、繰出しローラや巻取
りローラは図示していない。
体輸送装置の一部である。ただし、繰出しローラや巻取
りローラは図示していない。
輸送装置?全体は、同じく6図示されていない真空室に
取付けられている。真空室の中には薄膜材料源がある。
取付けられている。真空室の中には薄膜材料源がある。
、このような平膜材料源としては、真空蒸着装置ないし
カッーrス・ぞツタリング装置が考えられる。
カッーrス・ぞツタリング装置が考えられる。
第2図は、ガイドローラ1のセンサ3,4゜5を含む部
分の軸方向断面図である。ローラの同筒状被覆部2に密
着する帯状体20も、その上に形成される薄膜23と共
に断面図として示されている。ただし、その縮尺はかな
り拡大しである。この例では、各センサは壷形コア25
に埋込まれた誘導コイル24から成っている。
分の軸方向断面図である。ローラの同筒状被覆部2に密
着する帯状体20も、その上に形成される薄膜23と共
に断面図として示されている。ただし、その縮尺はかな
り拡大しである。この例では、各センサは壷形コア25
に埋込まれた誘導コイル24から成っている。
この壷形コアの極子面は帯状体20ないし薄膜23と反
対の方向を向いている。誘導コイル24は高周波発生器
26から給電される。誘導コイルおよび壷形コアの、従
ってセンサの誘導特性は、薄膜23の面抵抗ないし膜厚
−によって変化する。この変化は測定信号の形で変換器
6に供給される。変換器6の出力信号は評価回路7に加
えられる。
対の方向を向いている。誘導コイル24は高周波発生器
26から給電される。誘導コイルおよび壷形コアの、従
ってセンサの誘導特性は、薄膜23の面抵抗ないし膜厚
−によって変化する。この変化は測定信号の形で変換器
6に供給される。変換器6の出力信号は評価回路7に加
えられる。
第3図は第2図の装置の変形実施例である。
この例では、センサ3,4.5はコンデンサ極板27か
ら成り、それは同筒状被覆部20表面に密着している。
ら成り、それは同筒状被覆部20表面に密着している。
つまり被覆部2で同筒面を共有している。ただし、両者
の間には十分な電気絶縁を施さなければならない。コン
デンサ極板27も高周波発生器26から給電され、また
導電層23と共にコンデンサを形成している。このコン
デンサの誘電体は、帯状体2oの基材、゛つまり一般的
には熱可塑性材料から成っている。
の間には十分な電気絶縁を施さなければならない。コン
デンサ極板27も高周波発生器26から給電され、また
導電層23と共にコンデンサを形成している。このコン
デンサの誘電体は、帯状体2oの基材、゛つまり一般的
には熱可塑性材料から成っている。
こうして形成された装置の電圧は、コンデンサ板の上方
にある薄膜部分の面抵抗によって変化する。この変化は
測定信号として変換器6に供給され、そこから評価回路
7へ転送される。
にある薄膜部分の面抵抗によって変化する。この変化は
測定信号として変換器6に供給され、そこから評価回路
7へ転送される。
第2図に示した誘導性センサは、比較的厚い薄膜の測定
に適している。その測定範囲は、高周波発生器の出力周
波数に応じて、ナノメータ領域からミリメータ領域まで
拡がっている。それに相応する面抵抗は、単位面積当り
5oΩ〜数mΩである。
に適している。その測定範囲は、高周波発生器の出力周
波数に応じて、ナノメータ領域からミリメータ領域まで
拡がっている。それに相応する面抵抗は、単位面積当り
5oΩ〜数mΩである。
これに対して第3図の容量性センサは、極めて薄い、従
って高抵抗の薄膜に適している。その測定範囲は、高周
波発生器26の周波数に応じて、単位面積当り10Ω〜
数MΩとなる。
って高抵抗の薄膜に適している。その測定範囲は、高周
波発生器26の周波数に応じて、単位面積当り10Ω〜
数MΩとなる。
第養゛図は、センサ3,4.5と変換器6.伝送装置2
8および評価回路7との接続関係をブロック図として示
している。伝送装置28は、第1図のスリップリングな
いし摺動接点8/10.9/11から成っている。
8および評価回路7との接続関係をブロック図として示
している。伝送装置28は、第1図のスリップリングな
いし摺動接点8/10.9/11から成っている。
以上の装置は次のように動作する;
センサ3,4.5は、ガイドローラの周方向に階段状に
配置されている。センサ3は最初に帯状体(フィルム)
20と接触し、90°の巻掛角度だけそれと共に回転す
る0次にセンサ4が、続いてセンサ5が帯状体20と接
触する。この場合、センサと帯状体20が同心円状に運
動する範囲、ないし同心状の円筒面を形成する範囲での
み、測定値が検出される。その際、相応するセ/すの位
置は、位置発信器15および位置指示器16を介して検
出される。
配置されている。センサ3は最初に帯状体(フィルム)
20と接触し、90°の巻掛角度だけそれと共に回転す
る0次にセンサ4が、続いてセンサ5が帯状体20と接
触する。この場合、センサと帯状体20が同心円状に運
動する範囲、ないし同心状の円筒面を形成する範囲での
み、測定値が検出される。その際、相応するセ/すの位
置は、位置発信器15および位置指示器16を介して検
出される。
帯状体20は、セ/すの数に対応して走行方行(矢印2
1.22)と直角な方向で個々の部分に分割されるので
、その膜厚を選択的に検出することができる。こうして
、帯状体200個々の「ストライプ」を個別に検出でき
、またその測定信号を相応の目標値と比較することによ
って、対応する薄膜材料源を個別調整することができる
。第1図の装置の調整方法と、しては、例えばドイツ連
邦共和国特許出願公開第3330092号公報記載の方
法を使用することかできる。
1.22)と直角な方向で個々の部分に分割されるので
、その膜厚を選択的に検出することができる。こうして
、帯状体200個々の「ストライプ」を個別に検出でき
、またその測定信号を相応の目標値と比較することによ
って、対応する薄膜材料源を個別調整することができる
。第1図の装置の調整方法と、しては、例えばドイツ連
邦共和国特許出願公開第3330092号公報記載の方
法を使用することかできる。
発明の効果
本発明によれば、帯状体の膜厚特性をその幅方向に測定
する装置において、複数のセンサな帯状体の一方の側に
のみ配置し、かつセンサ゛の 1周囲で帯状体がその表
面に垂直な方向に変動するのを抑止することができる。
する装置において、複数のセンサな帯状体の一方の側に
のみ配置し、かつセンサ゛の 1周囲で帯状体がその表
面に垂直な方向に変動するのを抑止することができる。
第1図は本発明による装置の実施例のゾロツク図、第2
図は誘導コイルから成るセンサを示−す図、第3図はコ
ンデンサ極板から成るセンサを示す図、第4図はセンサ
信号を発生し処理する回路のゾロン、り図である。 1・・・ガイドローラ、2・・・被覆部、3,4,5・
・・センサ、6・・・変換器、7・・・評価回路、8,
9・・・スリップリング、10,11・・・摺動接点、
14・・・軸、15・・・位置発信器、16・・・位置
指示器、17.18,19・・・表示装置、20・・・
帯状体、23・・・薄膜、24・・・誘導コイル、25
・・・壷形コア、26・・・高周波発生器、27・・・
コンデンサ極板、28・・・伝送装置。 図面の浄書(内容に変更なし) FIG、3 FIG、4 手続補正書(方式) %式% 事件の表示 昭和59年特許願第204200号発明の
名称 走行帯状体における膜厚を電気的に測定する装置補正を
する者 事件との関係 特許出願人 名称 ライyyルトーヘレーウス・ゲゼルシャフト・ミ
ツト“ベシュレンクテル・ノ・フラング 代 理 人 5. 6゜ 7、
図は誘導コイルから成るセンサを示−す図、第3図はコ
ンデンサ極板から成るセンサを示す図、第4図はセンサ
信号を発生し処理する回路のゾロン、り図である。 1・・・ガイドローラ、2・・・被覆部、3,4,5・
・・センサ、6・・・変換器、7・・・評価回路、8,
9・・・スリップリング、10,11・・・摺動接点、
14・・・軸、15・・・位置発信器、16・・・位置
指示器、17.18,19・・・表示装置、20・・・
帯状体、23・・・薄膜、24・・・誘導コイル、25
・・・壷形コア、26・・・高周波発生器、27・・・
コンデンサ極板、28・・・伝送装置。 図面の浄書(内容に変更なし) FIG、3 FIG、4 手続補正書(方式) %式% 事件の表示 昭和59年特許願第204200号発明の
名称 走行帯状体における膜厚を電気的に測定する装置補正を
する者 事件との関係 特許出願人 名称 ライyyルトーヘレーウス・ゲゼルシャフト・ミ
ツト“ベシュレンクテル・ノ・フラング 代 理 人 5. 6゜ 7、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、少くとも1つの帯状体用ガイドローラが設けられ、
局部的に限定された測定範囲を有す、 る複数のセンサ
が設けられ、該センサが膜厚の尺度となる信号を発生し
、さらに測定信号用の評価回路が設けられた、真空薄膜
形成装置の走行帯状体における膜厚を電気的に測定する
装置において、複数のセンサ(3,4゜5)が、ガイド
ローラの長手方向に分布してその表面に埋込まれ、また
it配装され、また前記センサが伝送装置(28)を介
して評価装置と接続されている、ことを特徴とする走行
帯状体における膜厚を電気的に測定する装置0 2、センサ(3,4,5)がガイドローラ(1)と共に
回転するように配置されている特許請求の範囲第1項記
載の走行帯状体における膜厚を電気的に測定する装置。 3、センサ(3,4,5)がガイドローラ(1)の周方
向に階段状にないしずらして配置され、また該センサ゛
が四−ラの瞬時位置に依存゛して、時間的に順次連続し
て評価回路(7)と接続される特許請求の範囲第2項記
載の走行帯状体における膜厚を電気的に測定する装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3335766.8 | 1983-10-01 | ||
DE19833335766 DE3335766A1 (de) | 1983-10-01 | 1983-10-01 | Anordnung zur elektrischen messung von schichtdicken an laufenden baendern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60155904A true JPS60155904A (ja) | 1985-08-16 |
Family
ID=6210734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59204200A Pending JPS60155904A (ja) | 1983-10-01 | 1984-10-01 | 走行帯状体における膜厚を電気的に測定する装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4682105A (ja) |
JP (1) | JPS60155904A (ja) |
DE (1) | DE3335766A1 (ja) |
GB (1) | GB2147423B (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8426485D0 (en) * | 1984-10-19 | 1984-11-28 | Gen Eng Radcliffe Ltd | Monitoring |
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DE3708186A1 (de) * | 1987-03-13 | 1988-09-22 | Hergeth Hubert | Vorrichtung und verfahren zum hochgenauen messen von fasermatten |
DE3815009A1 (de) * | 1988-04-30 | 1989-11-09 | Leybold Ag | Einrichtung und verfahren zum zerstoerungsfreien messen des ohmschen widerstands duenner schichten nach dem wirbelstrom-prinzip |
DE3815010A1 (de) * | 1988-04-30 | 1989-11-09 | Leybold Ag | Schaltungsanordnung fuer den kombinierten einsatz einer induktiven und einer kapazitiven einrichtung fuer die zerstoerungsfreie messung des ohmschen wiederstands duenner schichten |
DE3815011A1 (de) * | 1988-04-30 | 1989-11-16 | Leybold Ag | Einrichtung zum zerstoerungsfreien messen des ohmschen widerstands duenner schichten |
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-
1983
- 1983-10-01 DE DE19833335766 patent/DE3335766A1/de not_active Withdrawn
-
1984
- 1984-09-25 US US06/654,762 patent/US4682105A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-09-27 GB GB08424468A patent/GB2147423B/en not_active Expired
- 1984-10-01 JP JP59204200A patent/JPS60155904A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5555412U (ja) * | 1978-10-12 | 1980-04-15 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3335766A1 (de) | 1985-04-11 |
GB8424468D0 (en) | 1984-10-31 |
US4682105A (en) | 1987-07-21 |
GB2147423A (en) | 1985-05-09 |
GB2147423B (en) | 1987-10-21 |
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