JPS60151644A - 新規なジスアゾ化合物およびその製造方法 - Google Patents
新規なジスアゾ化合物およびその製造方法Info
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- JPS60151644A JPS60151644A JP759484A JP759484A JPS60151644A JP S60151644 A JPS60151644 A JP S60151644A JP 759484 A JP759484 A JP 759484A JP 759484 A JP759484 A JP 759484A JP S60151644 A JPS60151644 A JP S60151644A
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
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- G03G5/0664—Dyes
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- G03G5/0622—Heterocyclic compounds
- G03G5/0624—Heterocyclic compounds containing one hetero ring
- G03G5/0635—Heterocyclic compounds containing one hetero ring being six-membered
- G03G5/0638—Heterocyclic compounds containing one hetero ring being six-membered containing two hetero atoms
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は新規なジスアゾ化合物およびその製造方法に関
する。
する。
従来技術
従来からアゾ化合物が電子写真方式に用いられる感光体
の電荷発生物質として有効であることが知られている。
の電荷発生物質として有効であることが知られている。
この電子写真用感光体は、光によって電荷担体を発生す
る電荷発生物質と、発生した電荷担体を搬送する電荷搬
送物質との双方を感光層に用い、選択的に電荷を散逸し
て静電潜像を形成するのに必要な電荷の発生と搬送とを
それぞれ別個の物質に分担させたものである。このよう
な機能分離型の感光体は、電荷発生物質および電荷搬送
物質の選択の幅か広がり高感度化か可能であり、しかも
可撓性に富み陥入性に優れたものである。
る電荷発生物質と、発生した電荷担体を搬送する電荷搬
送物質との双方を感光層に用い、選択的に電荷を散逸し
て静電潜像を形成するのに必要な電荷の発生と搬送とを
それぞれ別個の物質に分担させたものである。このよう
な機能分離型の感光体は、電荷発生物質および電荷搬送
物質の選択の幅か広がり高感度化か可能であり、しかも
可撓性に富み陥入性に優れたものである。
”電荷発生物質としては、スナリルスチルベン骨格を有
するジスアゾ化合物(%開昭53−133445号公報
)、あるいはカルノ々ゾール骨格を有するジスアゾ化合
物(特開昭53−95966号公報)、トリフェニルア
ミン骨格を有するトリスアゾ化合物(特開昭53−13
2547号公報)、オキサジアゾール骨格を有するジス
アゾ化合物(特開昭54−12742号公報)、ジスナ
リルカルパゾール骨格を有するジスアゾ化合物(特開昭
54−r4taGr号公報)、ビススチルベン骨格を有
するジスアゾ化合物(特開昭54−17733号公報)
、ジペンゾチオフェン骨格を有するジスアゾ化合物(特
開昭54−21728号公報)、フルオレノン骨格を有
するジスアゾ化合物(特開昭54−22834号公報)
などが報告されている。しかしながら、これらの電荷発
生物質に一長一短があるのも事実であり、さらに優れた
電荷発生物質の開発かまたれている。
するジスアゾ化合物(%開昭53−133445号公報
)、あるいはカルノ々ゾール骨格を有するジスアゾ化合
物(特開昭53−95966号公報)、トリフェニルア
ミン骨格を有するトリスアゾ化合物(特開昭53−13
2547号公報)、オキサジアゾール骨格を有するジス
アゾ化合物(特開昭54−12742号公報)、ジスナ
リルカルパゾール骨格を有するジスアゾ化合物(特開昭
54−r4taGr号公報)、ビススチルベン骨格を有
するジスアゾ化合物(特開昭54−17733号公報)
、ジペンゾチオフェン骨格を有するジスアゾ化合物(特
開昭54−21728号公報)、フルオレノン骨格を有
するジスアゾ化合物(特開昭54−22834号公報)
などが報告されている。しかしながら、これらの電荷発
生物質に一長一短があるのも事実であり、さらに優れた
電荷発生物質の開発かまたれている。
目 的
本発明は、電子写真感光体の電荷発生物質などとして有
用なジスアゾ化合物を提供することを目的とする。
用なジスアゾ化合物を提供することを目的とする。
構成
本発明の1は、一般式(り
(式中、
Y:置換もしくは無置換の炭化水素環または置換もしく
は無置換の複索環を表 わし、 R:水素、置換もしくは無置換のアルキル基または置換
もしくは無置換のフェ ニル基を表わし、 Z:フェニル核に組合する置換もしくは無置換の炭化水
素環または置換もしく は無置換の複索環を示す。) で表わされるジスアゾ化合物である。
は無置換の複索環を表 わし、 R:水素、置換もしくは無置換のアルキル基または置換
もしくは無置換のフェ ニル基を表わし、 Z:フェニル核に組合する置換もしくは無置換の炭化水
素環または置換もしく は無置換の複索環を示す。) で表わされるジスアゾ化合物である。
本発明の他の1は、式(n)
で表わされる1、4−ビス−(4−アミノフエニル)ピ
ペラジンそジアゾ化して一般式(III)へ2%N−N
舎00 UN、 ” 2X fml (式中、Xはアニオン官能基をfiイっす。)で表わさ
れるテトラゾニウム塩とし、このテトラゾニウム塩と一
般式(■) (式中、Yl几君よびZは前述の通り。)で表わされる
カップラーとを反応させることを特徴とする一般式(1
) (式中、Y、Rおよび2は前述の通り。)で表わされる
ジスアゾ化合物の製造方法である。
ペラジンそジアゾ化して一般式(III)へ2%N−N
舎00 UN、 ” 2X fml (式中、Xはアニオン官能基をfiイっす。)で表わさ
れるテトラゾニウム塩とし、このテトラゾニウム塩と一
般式(■) (式中、Yl几君よびZは前述の通り。)で表わされる
カップラーとを反応させることを特徴とする一般式(1
) (式中、Y、Rおよび2は前述の通り。)で表わされる
ジスアゾ化合物の製造方法である。
上記一般式におけるYの炭化水素環の具体例としではベ
ンゼン環、ナフタレン環などが挙げられ、また、複素環
の具体例としてはジベンゾフラン環、カルバゾール環な
どが挙げられ、また、Yの炭化水素環あるいは複素環の
置換基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基などの低級アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、
シトキシ基などの低級アルコキシ基、N、N−ジメチル
アミノ基、N、N−ジエチルアミン基、N、N−ジブチ
ルアミノ基などの低級ジアルキルアミノ基、フッ素原子
、塩素原子、臭素原子、ヨウ累原子などのハロゲン原子
、トリフルオロメチル基などのハロメチル基、シアン基
、ニトロ基、カルボキシ基、エチルカルボキシレート基
などの低級アルキルカルボキシレート基、ナトリウムス
ルホナト基などが挙げられる。
ンゼン環、ナフタレン環などが挙げられ、また、複素環
の具体例としてはジベンゾフラン環、カルバゾール環な
どが挙げられ、また、Yの炭化水素環あるいは複素環の
置換基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基などの低級アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、
シトキシ基などの低級アルコキシ基、N、N−ジメチル
アミノ基、N、N−ジエチルアミン基、N、N−ジブチ
ルアミノ基などの低級ジアルキルアミノ基、フッ素原子
、塩素原子、臭素原子、ヨウ累原子などのハロゲン原子
、トリフルオロメチル基などのハロメチル基、シアン基
、ニトロ基、カルボキシ基、エチルカルボキシレート基
などの低級アルキルカルボキシレート基、ナトリウムス
ルホナト基などが挙げられる。
Yのアルキル基としてはメチル基、エチル基などの低級
アルキル基が例示され、また、Yのアルキル基あるいは
フェニル基の置換基としては塩素原子などのハロゲン原
子か例示できる。
アルキル基が例示され、また、Yのアルキル基あるいは
フェニル基の置換基としては塩素原子などのハロゲン原
子か例示できる。
また、Zにおける炭化水素、環の具体例としてはベンゼ
ン環、ナフタレン環などが挙げられ、複素環としてはイ
ンドール環、ペンツ7573J、カル、Sゾール壊など
が挙げられ、これら炭化水素環あるいは複素環の置換基
としては塩素原子などのハロゲン原子が例示される。
ン環、ナフタレン環などが挙げられ、複素環としてはイ
ンドール環、ペンツ7573J、カル、Sゾール壊など
が挙げられ、これら炭化水素環あるいは複素環の置換基
としては塩素原子などのハロゲン原子が例示される。
次に本発明のジスアゾ化合物の具体例を示す。
ここで、簡略化のため一般式(1)を
A−N斗0−Uべ幣N=N−A
と表わし、カッシラー残基Aのみで示した。
(以下余白)
表−1
上記のジスアゾ化合物は、1,4−ビス−(4−アミノ
フェニル)ピペラジンを出発原料としジアゾ化し、テト
ラゾニウム塩とし、ついで適当なカップラーとの間にカ
ップリング反応を行なわしめることにより製造でき′る
。1,4−ビス−(4−アミノフェニル)ピペラジンの
ジアゾ化は、これを希塩酸あるいは希硫酸のような希薄
無機酸中で亜硝酸ナトリウム水溶液を一10℃ないし
10℃にて添加することにより行なわれる。このジアゾ
化反応は、およそ’30分間から3時間で完結する。さ
らに反応混合物に、例えばホウフッ化水素酸あるいはホ
ウフッ化ナトリウム水溶液などを加えてテトラゾニウム
塩として沈殿させ、結晶を戸取してから次の反応に用い
ることが望才しい。次いで、このテトラゾニウム塩に一
般式(IV)で表わされるカップラーを作用させてカッ
プリング反応を起させるこきにより行なわれる。実際に
はこの反応は、N。
フェニル)ピペラジンを出発原料としジアゾ化し、テト
ラゾニウム塩とし、ついで適当なカップラーとの間にカ
ップリング反応を行なわしめることにより製造でき′る
。1,4−ビス−(4−アミノフェニル)ピペラジンの
ジアゾ化は、これを希塩酸あるいは希硫酸のような希薄
無機酸中で亜硝酸ナトリウム水溶液を一10℃ないし
10℃にて添加することにより行なわれる。このジアゾ
化反応は、およそ’30分間から3時間で完結する。さ
らに反応混合物に、例えばホウフッ化水素酸あるいはホ
ウフッ化ナトリウム水溶液などを加えてテトラゾニウム
塩として沈殿させ、結晶を戸取してから次の反応に用い
ることが望才しい。次いで、このテトラゾニウム塩に一
般式(IV)で表わされるカップラーを作用させてカッ
プリング反応を起させるこきにより行なわれる。実際に
はこの反応は、N。
N−ジメチルホルムアミド(DMF)やジメチルスルホ
キシドなどの有機溶媒にテトラゾニウム塩およびカッシ
ラーを混合溶解しておき、これに約−10℃ない(40
℃にて酢酸ナトリウム水溶液などのアルカリ水溶液を滴
下することにより行なわれる。この反応はおよそ5分間
ないし3時間で完結する。反応終了後、析出している結
晶をF取し、適切な方法により粘製(例えば水あるいは
/および有機溶剤による洗浄、再結晶法など)すること
により上記ジスアゾ化合物の製造は完了する。
キシドなどの有機溶媒にテトラゾニウム塩およびカッシ
ラーを混合溶解しておき、これに約−10℃ない(40
℃にて酢酸ナトリウム水溶液などのアルカリ水溶液を滴
下することにより行なわれる。この反応はおよそ5分間
ないし3時間で完結する。反応終了後、析出している結
晶をF取し、適切な方法により粘製(例えば水あるいは
/および有機溶剤による洗浄、再結晶法など)すること
により上記ジスアゾ化合物の製造は完了する。
このようにして製造される本発明のジスアゾ化合物の製
造例を示せば次の通りである。
造例を示せば次の通りである。
製造例1(ジスアゾ化合物/161の製造)水50#I
/と製塩[12−よりなる塩酸中へ1゜4−ビス(4−
アミノフェニル)−ピペラジン2.68frを加え、約
60℃に加熱し、1時間攪拌した後、3℃まで冷却し、
ついでこれに亜硝酸ナトリウム1.50 frを水io
yに溶解した溶液を3〜5℃の温度で15分間にわたり
滴下したO その後、同温度で30分攪拌した後、′&量の不溶部を
戸別し、この反応液中に硼弗化ソーダ5.0frf添加
し、析出した結晶’&P別し、水洗、乾燥して4. o
tr (収率86チ)のテトラゾニウムジフルオロボ
レートの淡黄色結晶を得た。
/と製塩[12−よりなる塩酸中へ1゜4−ビス(4−
アミノフェニル)−ピペラジン2.68frを加え、約
60℃に加熱し、1時間攪拌した後、3℃まで冷却し、
ついでこれに亜硝酸ナトリウム1.50 frを水io
yに溶解した溶液を3〜5℃の温度で15分間にわたり
滴下したO その後、同温度で30分攪拌した後、′&量の不溶部を
戸別し、この反応液中に硼弗化ソーダ5.0frf添加
し、析出した結晶’&P別し、水洗、乾燥して4. o
tr (収率86チ)のテトラゾニウムジフルオロボ
レートの淡黄色結晶を得た。
このようにして得られたテトラゾニウム塩0.93tr
と、カップリング成分として2−ヒドロキシ−3−ナフ
トエ酸アニリド1.26frとを、冷却したN、N−ジ
メチルホルムアミド230mに溶解し、これに酢酸ナト
リウム0.66frおよび水10−からなる溶g;ix
s〜18℃の温度で5分間にわたって滴下した。その後
、さらに室温で3時間攪拌した。ついで生成した沈殿を
E取し、N、N−ジメチルホルムアミド300mで2回
洗浄した後、80℃で2 ranl(tの減圧下に乾燥
して、前記化合物AIのジスアゾ化合物L20fr(収
率73.5%)を得た。
と、カップリング成分として2−ヒドロキシ−3−ナフ
トエ酸アニリド1.26frとを、冷却したN、N−ジ
メチルホルムアミド230mに溶解し、これに酢酸ナト
リウム0.66frおよび水10−からなる溶g;ix
s〜18℃の温度で5分間にわたって滴下した。その後
、さらに室温で3時間攪拌した。ついで生成した沈殿を
E取し、N、N−ジメチルホルムアミド300mで2回
洗浄した後、80℃で2 ranl(tの減圧下に乾燥
して、前記化合物AIのジスアゾ化合物L20fr(収
率73.5%)を得た。
融点 300℃以上
元素分析(支))
CHN
実測値 73.48 4.84 1&65計算値73.
51 4.94 13.72才だ、赤外線吸収スペクト
ル(KBr錠剤法)を第1図に示した。
51 4.94 13.72才だ、赤外線吸収スペクト
ル(KBr錠剤法)を第1図に示した。
製造例2〜11
カップラーとして表−2に示した化合物を用いた以外は
製造例1と全く同様に操作し、表−2に示すジスアゾ化
合物fH造した。これらのジスアゾ化合物についての赤
外線吸収スペクトル(KBr@剤法)のシC−8(アミ
ドI)の吸収。
製造例1と全く同様に操作し、表−2に示すジスアゾ化
合物fH造した。これらのジスアゾ化合物についての赤
外線吸収スペクトル(KBr@剤法)のシC−8(アミ
ドI)の吸収。
融点2元素分析値も併せて表−2に示した。
(以下余白)
本発明のジスアゾ化合物は前述の通り、機能分離型の感
光体の電荷発生物質として有用である。この感光体には
、第2図に示すように電荷発生物質13を含む電荷発生
層15と、電荷搬送物質を含む電荷搬送層17とを積層
した感光層19を導電性支持体ll上に設けた積層型の
感光体;電荷搬送物質を含む電荷搬送媒体中に電荷発生
物質を含有せしめて感光層とした分散型の感光体などが
ある。本発明のジスアゾ化合物は特に積層型の感光体に
おける電6I発生物質として有用であり、この点をさら
に明らかにするために以下に用途例を示した。
光体の電荷発生物質として有用である。この感光体には
、第2図に示すように電荷発生物質13を含む電荷発生
層15と、電荷搬送物質を含む電荷搬送層17とを積層
した感光層19を導電性支持体ll上に設けた積層型の
感光体;電荷搬送物質を含む電荷搬送媒体中に電荷発生
物質を含有せしめて感光層とした分散型の感光体などが
ある。本発明のジスアゾ化合物は特に積層型の感光体に
おける電6I発生物質として有用であり、この点をさら
に明らかにするために以下に用途例を示した。
用途例
ジスアゾ化合物/%33を76重量部、ポリエステル樹
脂(バイロン200株式会社東洋紡紙製)のテトラヒド
ロフラン溶液(固形分濃度2%)1260重量部、およ
びテトラヒドロフラン3700重量部をボールミル中で
粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着したポ
リエステルペース(導電性支持体)のアルミ面上にドク
ターブレードを用いて塗布し、自然乾燥して、厚さ約I
pmの電荷発生層を形成した。
脂(バイロン200株式会社東洋紡紙製)のテトラヒド
ロフラン溶液(固形分濃度2%)1260重量部、およ
びテトラヒドロフラン3700重量部をボールミル中で
粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着したポ
リエステルペース(導電性支持体)のアルミ面上にドク
ターブレードを用いて塗布し、自然乾燥して、厚さ約I
pmの電荷発生層を形成した。
この電荷発生層上に、電荷搬送物質として9−エチルカ
ルバゾール−3−アルデヒド 1−メチル−1−フェニ
ルヒドラゾン2重量部、ポリカーボネート樹脂(パンラ
イトに−1300:■量大製)2重量部およびテトラヒ
ドロフラン16重量部を混合溶解した溶液をドクターブ
レードを用いて塗布し、80℃で2分間、ついで105
℃で5分間乾燥して厚さ約20pmの電荷搬送層を形成
して、第2図に示した積層型の感光体を作成した。
ルバゾール−3−アルデヒド 1−メチル−1−フェニ
ルヒドラゾン2重量部、ポリカーボネート樹脂(パンラ
イトに−1300:■量大製)2重量部およびテトラヒ
ドロフラン16重量部を混合溶解した溶液をドクターブ
レードを用いて塗布し、80℃で2分間、ついで105
℃で5分間乾燥して厚さ約20pmの電荷搬送層を形成
して、第2図に示した積層型の感光体を作成した。
この感光体について、静電複写紙試験装置(■川口電機
製作所製、5P428型)を用いて、−6KVのコロナ
放電を20秒間行なって負に帯電せしめた後、20秒間
暗所に放置し、その時の表面電位Vpo(V)を測定し
、次いでタングステンランプによってその表面が照度4
.5ルツクスになるようにして光を照射しその表面電位
がVpoのV2になるまでの時間(秒)をめ、露光iE
1/2(ルックス・秒)を算出した。
製作所製、5P428型)を用いて、−6KVのコロナ
放電を20秒間行なって負に帯電せしめた後、20秒間
暗所に放置し、その時の表面電位Vpo(V)を測定し
、次いでタングステンランプによってその表面が照度4
.5ルツクスになるようにして光を照射しその表面電位
がVpoのV2になるまでの時間(秒)をめ、露光iE
1/2(ルックス・秒)を算出した。
その結果
■po=−985V
El/2:3.2ルツクス・秒
であった。
さらに、本発明の感光体を■リコー製複写機すコビーP
−500型に装着して画像出しを10.000回繰り
返した。その結果、この感光体は複写プロセスの繰返し
により変化することなく、鮮明な画像か得られた。とれ
により、本発明の感光体が耐久性においても優れたもの
であることが理解できるであろう。
−500型に装着して画像出しを10.000回繰り
返した。その結果、この感光体は複写プロセスの繰返し
により変化することなく、鮮明な画像か得られた。とれ
により、本発明の感光体が耐久性においても優れたもの
であることが理解できるであろう。
第1図は本発明に用いるジスアゾ顔料腐1の赤外鈑吸収
スペクトル(KBr錠剤法)である。 第2図は本発明のジスアゾ化合物を用いた感光体の構成
例を示す拡大断面図である。 11・・・導電性支持体 13・・・ジスアゾ化合物1
5・・・電荷発生層 17・・・電荷搬送層19・・・
感光層 昭和59年3月10 特許庁長官 若杉和夫 殿 2、発明の名称 新規なジスアゾ化合物およびその製造方法東京都大田区
中馬込1丁目3番6号 (674)株式会社 リ コ − 代表者 浜 1) 広 4、代理、人 明細書の「発明の詳細な説明1の欄 ム 補正の内容 (1)明細書第8頁下から4行および3行にそれぞれ「
Y」とあるのを、rRJに補正する。 (2)第23頁13〜14行に「N、N・・・洗浄した
後」とあるのをF N s N−ジメチルボルムアミド
3’0OTLlで3回洗浄し、次に水300mJで2回
洗浄した後」に補正する。 以 上 −
スペクトル(KBr錠剤法)である。 第2図は本発明のジスアゾ化合物を用いた感光体の構成
例を示す拡大断面図である。 11・・・導電性支持体 13・・・ジスアゾ化合物1
5・・・電荷発生層 17・・・電荷搬送層19・・・
感光層 昭和59年3月10 特許庁長官 若杉和夫 殿 2、発明の名称 新規なジスアゾ化合物およびその製造方法東京都大田区
中馬込1丁目3番6号 (674)株式会社 リ コ − 代表者 浜 1) 広 4、代理、人 明細書の「発明の詳細な説明1の欄 ム 補正の内容 (1)明細書第8頁下から4行および3行にそれぞれ「
Y」とあるのを、rRJに補正する。 (2)第23頁13〜14行に「N、N・・・洗浄した
後」とあるのをF N s N−ジメチルボルムアミド
3’0OTLlで3回洗浄し、次に水300mJで2回
洗浄した後」に補正する。 以 上 −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 L 一般式1 (式中、 Y:置換もしくは無置換の炭化水素環または置換もしく
は無置換の複素環を表 わし、 n:水素、置換もしくは無置換のアルキル基才たは置換
もしくは無置換のフェ ニル基を表わし、 Z:フェニル核に縮合する置換もしくは無置換の炭化水
素環または置換もしく は無置換の複素猿菅示す。) で表わされるジスアゾ化合物。 λ 式(II) で表わされる1、4−ビス−(4−アミノフェニル)ピ
ペラジンをジアゾ化して一般式(l[l)(式中、Xは
アニオン官能基8聚わす。)で表わされるテトラゾニウ
ム塩とし、このテトラゾニウム塩と一般式(IV) (式中、 Y;置換もしくは無置換の炭化水素環または置換もしく
は無置換の複素環を嚢 わし、 几:水素、置換もしくは無置換のアルキル基才たは置換
もしくは無置換のフェ ニル基を表わし、 2:フェニル核に縮合する置換もしくは無置換の炭化水
素環または置換もしく は無置換の複索環を示す。) で表わされるカップラーとを反応させることを特徴とす
る一般弐〇) (式中、Y、RおよびZは前述の通り。〕で表わされる
ジスアゾ化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP759484A JPS60151644A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | 新規なジスアゾ化合物およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP759484A JPS60151644A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | 新規なジスアゾ化合物およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60151644A true JPS60151644A (ja) | 1985-08-09 |
Family
ID=11670127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP759484A Pending JPS60151644A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | 新規なジスアゾ化合物およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60151644A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10442931B2 (en) * | 2017-06-08 | 2019-10-15 | Samsung Display Co. Ltd. | Dye compound, composition comprising dye compound, and display device using dye compound |
-
1984
- 1984-01-19 JP JP759484A patent/JPS60151644A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10442931B2 (en) * | 2017-06-08 | 2019-10-15 | Samsung Display Co. Ltd. | Dye compound, composition comprising dye compound, and display device using dye compound |
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