JPS60147131A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS60147131A
JPS60147131A JP294384A JP294384A JPS60147131A JP S60147131 A JPS60147131 A JP S60147131A JP 294384 A JP294384 A JP 294384A JP 294384 A JP294384 A JP 294384A JP S60147131 A JPS60147131 A JP S60147131A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
regions
dielectric
cavities
semiconductor device
dielectric isolating
Prior art date
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Pending
Application number
JP294384A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS60147131A publication Critical patent/JPS60147131A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Element Separation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体装置における素子間誘電体分離領域の構
造に関する。
〔従来技術〕
従来、半導体装置に卦ける累子間訴電体分離領域はＳｉ
ｏ２等の誘電体材等が埋め込まれて成るのが通例であっ
た。
しかし、前記従来技術によると、半導体素子間誘電体材
料が半導体基板等と熱膨張率等の差が生じ、半導体装置
に内部歪を与える欠点があった。
〔目的〕
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、半導体装置
の素子間誘電体分離における内部歪の発生を緩和する誘
電体分離構造を提供することを目的とする。
〔概要〕
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置に於て、半導体菓子間分離イル（域には空洞が
形成されて成ることを特徴とする。
〔実施例〕
以下、実施例なよｐ本発明を詳述する。
第１図は従来技術による半導体装ｉｔ　（’）　ｕ　ｆ
ｔｔ体分離構造を示す断面図である。すなわち、ｓ７基
板１には５ｈｏ２からなる誘電体分離領域２が形成され
て成）、該誘電体分離領域２に仏まれた領域に半等体素
子が構成されて成るのが通例である。
第２図は本発明による半導体装置の銹電体分部構造の一
実施例を示す断面図である。すなわち、ｓｉ基板１１の
表面からａｔ体分離溝が形成され、該分離溝にＣＶＤ等
によシＳ　ｉ　Ｏ２脱１２が形成されると、Ｃ”／Ｄの
つきまわシを悪くすると、泥２図の如く空洞１３が形成
され、空洞を含んだ誘電体分離領域が形成される。本発
明の場合必ずしも分離溝内全面Ｋ　ｓｈｏ、膜が形成さ
れる必要はな−。
〔効果〕
本発明の如く、誘電体分離領域に空洞を形成すると、誘
電体分離領域にＳｉＯ２を埋め込んで形成する場合よ少
内部歪が減少できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術による誘電体分離領域の断面図を、第
２図は本発明の一実施例を示す誘電体分離領域の断面図
である。 １．１１・・半導体基板 ２．１２・・誘電体材料 １３・・・・空洞 以　上 出願人　株式会社諏訪精′工舎 代理人　弁理士段　上　務 第１図 ？ 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子間９峠領域には空洞が形成されて成ることを
    特徴とする半導体装置。
JP294384A 1984-01-11 1984-01-11 半導体装置 Pending JPS60147131A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP2007088369A (ja) * 2005-09-26 2007-04-05 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置

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