JPS60142595A - 電子部品の接続方法 - Google Patents
電子部品の接続方法Info
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- JPS60142595A JPS60142595A JP24780383A JP24780383A JPS60142595A JP S60142595 A JPS60142595 A JP S60142595A JP 24780383 A JP24780383 A JP 24780383A JP 24780383 A JP24780383 A JP 24780383A JP S60142595 A JPS60142595 A JP S60142595A
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- Japan
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- chip
- semiconductor
- adhesive sheet
- sheet
- pressurized
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えば所定の配線回路基板に電子部品を接続
する場合等に使用し゛ζ好適な電子部品の接続方法に関
する。
する場合等に使用し゛ζ好適な電子部品の接続方法に関
する。
背景技術とその問題点
電子部品、例えば半導体１ｃチツプを所定の配線回路基
板に配し、そのＩＣチップの電極と回路基扱の配線パタ
ーンとを電気的に接続する方法とし”ζは、例えばワイ
ヤーボンド法、ＵＳＢ法（ウルトう・ソニック・ボンデ
ィング）、ＴＡＢ法（テーブル・オートメイテツド・ボ
ンディングシステム）、フリップチップ法等が知られて
いる。
板に配し、そのＩＣチップの電極と回路基扱の配線パタ
ーンとを電気的に接続する方法とし”ζは、例えばワイ
ヤーボンド法、ＵＳＢ法（ウルトう・ソニック・ボンデ
ィング）、ＴＡＢ法（テーブル・オートメイテツド・ボ
ンディングシステム）、フリップチップ法等が知られて
いる。
しかしながら、例えばワイヤーボンド法では高温（３０
０℃以上）プロセスが必要であり、接続の信頼性に難点
があり、ＵＳＢ法では低温（室温）プロセスではあるが
自動化に劣り、ＴＡＢ法或いはフリップチップ法では高
温（２００℃以上）プロセスが必要である等、各問題点
があった。
０℃以上）プロセスが必要であり、接続の信頼性に難点
があり、ＵＳＢ法では低温（室温）プロセスではあるが
自動化に劣り、ＴＡＢ法或いはフリップチップ法では高
温（２００℃以上）プロセスが必要である等、各問題点
があった。
発明の目的
本発明は、上述の点に鑑み、簡単な工程で電子部品と配
線回路基板等との接続が良好に行える電子部品の接続方
法を提供するものである。
線回路基板等との接続が良好に行える電子部品の接続方
法を提供するものである。
発明の概要
本発明は、異方性導電シートを挾んで電子部品の電極と
この電極と接続すべき配線とを対向させて後加圧加熱し
、この加圧加熱時の異方性導電シートの加圧部分を異方
性導電シートの厚みより高い突起部で加圧するようにし
た電子部品の接続方法である。
この電極と接続すべき配線とを対向させて後加圧加熱し
、この加圧加熱時の異方性導電シートの加圧部分を異方
性導電シートの厚みより高い突起部で加圧するようにし
た電子部品の接続方法である。
この方法によれば、低温プロセス（１５０℃）で且つ接
続時間が短かくなり、簡単な工程で電子部品の接続がで
きる。また異方性導電シートを使った接続においてその
加圧加熱される部分のみを確実に導通させることができ
る。
続時間が短かくなり、簡単な工程で電子部品の接続がで
きる。また異方性導電シートを使った接続においてその
加圧加熱される部分のみを確実に導通させることができ
る。
実施例
以下、図面を参照し′ζ本発明による電子部品の接続方
法の実施例を説明する。
法の実施例を説明する。
先ず第１図は本発明に使用される異方性導電シートであ
る接着剤シートを示す。この接着剤シート＋１１は絶縁
性の接着剤（２）中に繊維状導電体（３）を混入してな
るものである。この接着剤シート（１１は図ポのごとく
繊維状導電体（３）を特定方向に配向させる構成も可能
であるが、本例では特に配向させないで接着剤層、絶縁
；−１導電層の３機能を所定部分で発揮する構成とする
。尚、（４）は剥離シートをボす。繊維状導電体（３〕
は接着剤（２）の１００容量部に対し゛ζ５〜４０容量
部混入させることが望ましく、また接着剤シートの厚さ
は未使用状態で１０〜１２０８ｍの厚さとすることが望
ましい。また繊維状導電体とし°ζは０．３〜５０μｍ
の直径を有し、０．Ｏ１〜０．３龍長さで好ましくは電
子部品例えば半導体ＩＣチップの電極間ピッチよりも短
かい寸法の導体例えばカーボンファイバが用いられる。
る接着剤シートを示す。この接着剤シート＋１１は絶縁
性の接着剤（２）中に繊維状導電体（３）を混入してな
るものである。この接着剤シート（１１は図ポのごとく
繊維状導電体（３）を特定方向に配向させる構成も可能
であるが、本例では特に配向させないで接着剤層、絶縁
；−１導電層の３機能を所定部分で発揮する構成とする
。尚、（４）は剥離シートをボす。繊維状導電体（３〕
は接着剤（２）の１００容量部に対し゛ζ５〜４０容量
部混入させることが望ましく、また接着剤シートの厚さ
は未使用状態で１０〜１２０８ｍの厚さとすることが望
ましい。また繊維状導電体とし°ζは０．３〜５０μｍ
の直径を有し、０．Ｏ１〜０．３龍長さで好ましくは電
子部品例えば半導体ＩＣチップの電極間ピッチよりも短
かい寸法の導体例えばカーボンファイバが用いられる。
この繊維状導電体（３）を接着剤（２）の１００容量部
に対して５〜４０容量部に選定することが望まれるのは
５容量部未満では導電性が低くなること、４ｏ容量部を
超えるとカーボンファイバどうしの接続の可能性がでて
き°ζ絶縁性が損なわれることによる。また接着剤シー
ト（１１の厚さを１０〜１２０８ｍに選定することが望
まれるのは１０μｍ未満では接着力に問題が生じ１２０
μｍを超えると電気抵抗のレベルが増加してくることに
よる。下記に接着剤シート＋１１の具体例を示す。
に対して５〜４０容量部に選定することが望まれるのは
５容量部未満では導電性が低くなること、４ｏ容量部を
超えるとカーボンファイバどうしの接続の可能性がでて
き°ζ絶縁性が損なわれることによる。また接着剤シー
ト（１１の厚さを１０〜１２０８ｍに選定することが望
まれるのは１０μｍ未満では接着力に問題が生じ１２０
μｍを超えると電気抵抗のレベルが増加してくることに
よる。下記に接着剤シート＋１１の具体例を示す。
エチレン−酢酸ビニル共重合体 ・・・・・・・・３０
部（三井ポリケミカル社製、商 品名エバフレックス３６Ｑ） ブタジェン−スチレン共重合体 ・・・・・・・・４０
部（シェル化学社製、商品名力 リフレックスＴＲ１１０２） テルペンフェノール樹脂 ・・・・・・・・３０部（安
原油脂社製、商品名７１３０） カーボンファイバ ・・・・・・・・３０部（直径７μ
、長さ１００μ、比重 １．７４）東し社製 上記の組成の混合物を剥離シート（４）上におい°ζ、
シート」二に成形しζ厚さが４０μとなるようにし゛Ｃ
接着剤シー） ＋１１を形成する。
部（三井ポリケミカル社製、商 品名エバフレックス３６Ｑ） ブタジェン−スチレン共重合体 ・・・・・・・・４０
部（シェル化学社製、商品名力 リフレックスＴＲ１１０２） テルペンフェノール樹脂 ・・・・・・・・３０部（安
原油脂社製、商品名７１３０） カーボンファイバ ・・・・・・・・３０部（直径７μ
、長さ１００μ、比重 １．７４）東し社製 上記の組成の混合物を剥離シート（４）上におい°ζ、
シート」二に成形しζ厚さが４０μとなるようにし゛Ｃ
接着剤シー） ＋１１を形成する。
この接着剤シート（１１はそのままの状態では含まれた
カーボンファイバ同士は接着剤によって絶縁分離されて
絶縁層とし゛Ｃ作用し、また所定の加圧加熱を与えると
、その加圧加熱部分ではカーボンファイバ同士が接触し
導電層として作用する。
カーボンファイバ同士は接着剤によって絶縁分離されて
絶縁層とし゛Ｃ作用し、また所定の加圧加熱を与えると
、その加圧加熱部分ではカーボンファイバ同士が接触し
導電層として作用する。
第２図は本発明の一実施例をし１りず。この例では絶縁
基板（１１）上に所要の配線パターン（１２）を形成し
てなる配線回路基板（１３）を設け、この配線回路基板
（１３）上に前述した接着剤シー） （１１を介して電
子部品、本例では半導体ＩＣチップ（１４）を所定の配
線（１２）に対応するように配置する。
基板（１１）上に所要の配線パターン（１２）を形成し
てなる配線回路基板（１３）を設け、この配線回路基板
（１３）上に前述した接着剤シー） （１１を介して電
子部品、本例では半導体ＩＣチップ（１４）を所定の配
線（１２）に対応するように配置する。
この場合半導体■Ｃチップの電極上には例えば八Ａ −
Ｔｉ−Ｎｉ−半田又は＾トづ１−ＰＬ’−Ａｕの積層さ
れたバンプ（１５）が形成され”ζいる。そし°ζこの
バンプ（１５）の晶さｈｌは接着剤シート（ｌ）の渾さ
ｈ２と同等もしくはそれ以上ニ晶くなるように（ｂ １
≧ｈ２）形成しておく （第２図Ａ）。次に第２図Ｂに
示すように半導体１ｃチツプ（１４）の上方より加圧治
具（１６）によって、例えば８〜ｌＯ秒間、１３０℃に
加熱すると共に例えば３５ｋｇ／−の圧力を加えて圧着
する。この加圧加熱によっ°ζ半導体ＩＣチップ（１４
）は導電層となされた接着剤シート（１１を介して配線
回路基板（１３）の所定の配線パターン（１２）に電気
的に接続される。即ち、加圧に際して接着剤シー１−
＋１１は半導体ＩＣチップ（１４）のバンプ（１５）に
対応する部分（１ａ）だけが加圧されて接着剤シー１−
（１）中の繊維状導電体（３）が互に接触して導電層
となされ、それ以外の部分（ｌｂ）は何隻加圧されるこ
とがないので電気的には絶縁層としての作用がある。即
ちそれ以外の部分（ｌｂ）は繊維状導電体（３）が相互
にほとんど接触することがなく接着剤（２）によって良
好に絶縁分離され絶縁層として保持される。
Ｔｉ−Ｎｉ−半田又は＾トづ１−ＰＬ’−Ａｕの積層さ
れたバンプ（１５）が形成され”ζいる。そし°ζこの
バンプ（１５）の晶さｈｌは接着剤シート（ｌ）の渾さ
ｈ２と同等もしくはそれ以上ニ晶くなるように（ｂ １
≧ｈ２）形成しておく （第２図Ａ）。次に第２図Ｂに
示すように半導体１ｃチツプ（１４）の上方より加圧治
具（１６）によって、例えば８〜ｌＯ秒間、１３０℃に
加熱すると共に例えば３５ｋｇ／−の圧力を加えて圧着
する。この加圧加熱によっ°ζ半導体ＩＣチップ（１４
）は導電層となされた接着剤シート（１１を介して配線
回路基板（１３）の所定の配線パターン（１２）に電気
的に接続される。即ち、加圧に際して接着剤シー１−
＋１１は半導体ＩＣチップ（１４）のバンプ（１５）に
対応する部分（１ａ）だけが加圧されて接着剤シー１−
（１）中の繊維状導電体（３）が互に接触して導電層
となされ、それ以外の部分（ｌｂ）は何隻加圧されるこ
とがないので電気的には絶縁層としての作用がある。即
ちそれ以外の部分（ｌｂ）は繊維状導電体（３）が相互
にほとんど接触することがなく接着剤（２）によって良
好に絶縁分離され絶縁層として保持される。
第３図は本発明の他の実施例である。この例は半導体Ｉ
Ｃチップをビームリード′に取り付けた状態のものを更
に配線回路基板に電気的に接続する場合である。即ちこ
の例では、第３図Ａに示すように配線回路基板（１３）
の所定の配線パターン（１２）上に接着剤シー１− （
１１を載せ、更にその上に半導体ＩＣチップ（１４）に
接続されたビームリード（２１）を載せる。次に第３図
Ｂに７１ζすように加圧治具（２２）をもゲでビームリ
ード（２１）の上方より加圧加熱する。この時加圧治具
（２２）の加圧すべき部分には突起（２２ａ）を設け、
且つチ・ノブ（１４）に対応する部分には加圧時にチ・
ノブ（１４）に当らないような四部（２２ｂ ）が構成
されている。
Ｃチップをビームリード′に取り付けた状態のものを更
に配線回路基板に電気的に接続する場合である。即ちこ
の例では、第３図Ａに示すように配線回路基板（１３）
の所定の配線パターン（１２）上に接着剤シー１− （
１１を載せ、更にその上に半導体ＩＣチップ（１４）に
接続されたビームリード（２１）を載せる。次に第３図
Ｂに７１ζすように加圧治具（２２）をもゲでビームリ
ード（２１）の上方より加圧加熱する。この時加圧治具
（２２）の加圧すべき部分には突起（２２ａ）を設け、
且つチ・ノブ（１４）に対応する部分には加圧時にチ・
ノブ（１４）に当らないような四部（２２ｂ ）が構成
されている。
そしてこの突起（２２ａ ）の商さｈ３は接着剤シート
（ｌ）の厚みｈｔと同等もしくはそれ以上の晶さくｈ３
≧ｂ ２ ）に形成するものである。この例でもｎ：１
述したようにその加圧治具（２２）の突起（２２ａ ）
に対応するシート（１）の部分（１ａ）だけが強く加圧
されるごとによってビームリード（２１）は接着剤シー
ト（ｌ）を介し°ζ配線回路基板（１３）の所定の配線
パターン（１２）に接続される。接着剤シート（ｌ）の
他の部分（１ｂ）は絶縁層として確実に維持される。
（ｌ）の厚みｈｔと同等もしくはそれ以上の晶さくｈ３
≧ｂ ２ ）に形成するものである。この例でもｎ：１
述したようにその加圧治具（２２）の突起（２２ａ ）
に対応するシート（１）の部分（１ａ）だけが強く加圧
されるごとによってビームリード（２１）は接着剤シー
ト（ｌ）を介し°ζ配線回路基板（１３）の所定の配線
パターン（１２）に接続される。接着剤シート（ｌ）の
他の部分（１ｂ）は絶縁層として確実に維持される。
第４図は本発明の他の実施例であり、この場合は半導体
ＩＣチップの電極に外部リード（配線）を接続する場合
である。この例では第４図Ａに示すように電極（１４ａ
）が形成されノこ半導体ＩＣチアツブ（１４）上に接着
剤シー） ＋１１を載せ、更にその上に外部リード（２
３）をその端部が半導体ＩＣチップ（１４）の電極（１
４ａ）に対応するように配置する。そし′ζζ第４ロＢ
示すように上方より加圧治具（２４）を介して加圧加熱
する。この時も加圧治具（２４）の加圧すべき部分には
突起（２４８）を設ける。この突起（２４ａ）はその晶
さｈ４が接着剤シート（１）の厚さｈｔよりも高く （
ｈ４≧ｈ２）するようになず。このようにすれば外部リ
ード（２３）の接続すべき部分のみが加圧されることに
よってその直下の接着剤シー） （１１の部分（ｌａ）
が導電層となって外部リード（２３）と半導体ＩＣチッ
プ（１４）の電極（１４ａ）との接続が可能となる。
ＩＣチップの電極に外部リード（配線）を接続する場合
である。この例では第４図Ａに示すように電極（１４ａ
）が形成されノこ半導体ＩＣチアツブ（１４）上に接着
剤シー） ＋１１を載せ、更にその上に外部リード（２
３）をその端部が半導体ＩＣチップ（１４）の電極（１
４ａ）に対応するように配置する。そし′ζζ第４ロＢ
示すように上方より加圧治具（２４）を介して加圧加熱
する。この時も加圧治具（２４）の加圧すべき部分には
突起（２４８）を設ける。この突起（２４ａ）はその晶
さｈ４が接着剤シート（１）の厚さｈｔよりも高く （
ｈ４≧ｈ２）するようになず。このようにすれば外部リ
ード（２３）の接続すべき部分のみが加圧されることに
よってその直下の接着剤シー） （１１の部分（ｌａ）
が導電層となって外部リード（２３）と半導体ＩＣチッ
プ（１４）の電極（１４ａ）との接続が可能となる。
また接着剤シート（１）の他の部分（ｌｂ）では加圧さ
れることかないので絶縁１−とじ”Ｃ作用することにな
る。
れることかないので絶縁１−とじ”Ｃ作用することにな
る。
第５図は史に本発明の他の例をンＪりずものである。
この例では配線回路基＆（１３）の半導体ＩＣチ・ノブ
（１４）を接続ずべき部分にバンプ（２５）を形成する
ンそし′ζこのバンプ（２５）上に接着剤シート（１１
を載せ、更にその上に電極（１４ａ）が形成された半導
体ＩＣチップ（１４）を載せる。この時、配線回路基＆
（１３）側のバンプ（１５）の商さｈ５は接着剤シー１
− ｉｌ＋の厚のｈ２以上とする（ｈ５≧ｈ２）。
（１４）を接続ずべき部分にバンプ（２５）を形成する
ンそし′ζこのバンプ（２５）上に接着剤シート（１１
を載せ、更にその上に電極（１４ａ）が形成された半導
体ＩＣチップ（１４）を載せる。この時、配線回路基＆
（１３）側のバンプ（１５）の商さｈ５は接着剤シー１
− ｉｌ＋の厚のｈ２以上とする（ｈ５≧ｈ２）。
このようにし′ζζ第５ロＢネオように加圧治具（１６
）を介し°ζ上方より加圧加熱することによって前述と
同じように電極（１４ａ）と配線パターン（１２）との
接続がなされる。
）を介し°ζ上方より加圧加熱することによって前述と
同じように電極（１４ａ）と配線パターン（１２）との
接続がなされる。
尚、接着剤シートｌ）としては、半導体ＩＣチップ（１
４）の端部より充分長く （例えば長さβ）外方に廷長
されるような大きさのものを使用する。
４）の端部より充分長く （例えば長さβ）外方に廷長
されるような大きさのものを使用する。
このようにした時にば誤まっ°ζ半導体ＩＣチップ（１
４）が他の配線パターンに短絡されるのが防止される。
４）が他の配線パターンに短絡されるのが防止される。
また加圧治具としてはワイヤーボンド装置のキャピラリ
イヘッドを使用することも可能である。
イヘッドを使用することも可能である。
このような本実施例によれば半導体ｔＣチップ（１４）
を接続する時の加熱する温度とし”ζは例えば約３０℃
程度の低温度で済むので、例えば配線回路基板（１３）
の絶縁基板（１１）としては耐熱材料にこだわる必要が
なく材料の選択の自由度が大きくなり製造を容易にする
ものである。またこのような低温で接着できるために比
較的熱に弱い半導体ＩＣチップ（１４）を支障なく良好
に接続することができる。また熱プレスで半導体ＩＣチ
ップ（１４）の固定ができるので接続作業が自動化、機
械化でき且つ接続時間も８〜ｌＯ秒と極めて短くするこ
とができる。そし”で特に加圧加熱による接着に対して
その接続部分では例えばバンプ（１５）。
を接続する時の加熱する温度とし”ζは例えば約３０℃
程度の低温度で済むので、例えば配線回路基板（１３）
の絶縁基板（１１）としては耐熱材料にこだわる必要が
なく材料の選択の自由度が大きくなり製造を容易にする
ものである。またこのような低温で接着できるために比
較的熱に弱い半導体ＩＣチップ（１４）を支障なく良好
に接続することができる。また熱プレスで半導体ＩＣチ
ップ（１４）の固定ができるので接続作業が自動化、機
械化でき且つ接続時間も８〜ｌＯ秒と極めて短くするこ
とができる。そし”で特に加圧加熱による接着に対して
その接続部分では例えばバンプ（１５）。
（２５）の１１１ｉさもしくは加熱治具の突起（２２ａ
）。
）。
（２４ａ）の商さ等いわゆる突起部の商さｈｔ。
ｈ３．ｈ４ 、ｈ５を接着剤シート（１）の厚みｈｔよ
りも大きくした状態で加圧されることによって加圧部分
（ｌａ）だけが導電層となり、それ以外の部分（１ｂ）
は加圧されず絶縁層として維持される。
りも大きくした状態で加圧されることによって加圧部分
（ｌａ）だけが導電層となり、それ以外の部分（１ｂ）
は加圧されず絶縁層として維持される。
従っ゛Ｃ両考の接続は確実に行なわれるものである。
また半導体ＩＣチップ（１４）を直接配線回路基鈑（１
３）にマウントすることができるので他の接続方法に比
べて材料費等が安く安価に製造できるものである。
３）にマウントすることができるので他の接続方法に比
べて材料費等が安く安価に製造できるものである。
尚、上側では異方性導電シートとして繊維状導電体を含
有する接着剤シートを用いたが、その他、同様の機能を
有した例えば粒状導電体を含有する接着剤シート等を用
いることもできる。
有する接着剤シートを用いたが、その他、同様の機能を
有した例えば粒状導電体を含有する接着剤シート等を用
いることもできる。
発明の効果
本発明によれば、異方性導電シートを挾んで半導体ＩＣ
チップ等の電子部品の電極とこれに接続すべき配線とを
対向させて後加圧加熱するようにしたので、低温度で接
続することができ、例えば配線回路基板の絶縁板として
の材料選択の自由度が大きくなる。またこの加圧加熱に
際しζその異方性導電シートの加圧加熱部分をシートの
厚みより１８Ｉい突起部で加圧加熱するようにしたので
、接続部分のみが確実に導通し、異方性導電シートの他
の部分では絶縁性が保持され、不注意による短゛絡事故
が回避される。
チップ等の電子部品の電極とこれに接続すべき配線とを
対向させて後加圧加熱するようにしたので、低温度で接
続することができ、例えば配線回路基板の絶縁板として
の材料選択の自由度が大きくなる。またこの加圧加熱に
際しζその異方性導電シートの加圧加熱部分をシートの
厚みより１８Ｉい突起部で加圧加熱するようにしたので
、接続部分のみが確実に導通し、異方性導電シートの他
の部分では絶縁性が保持され、不注意による短゛絡事故
が回避される。
第１図は本発明に使用される異方性導電シートの一例を
示す斜視図、第２図Ａ及びＢ、第３図Ａ及びＢ、第４図
Ａ及びＢ１１ｂ図Ａ及びＢは夫々本発明の接続方法の各
実施例を示す工程図である。 （１１は異方性導電シート、（２）は接着剤、（３）は
繊維状導電体、（１３）は配線回路基板、（１４）は半
導体ＩＣチップ、（１５） （２５）はバンプ１．（１
６）（２２） （２４）は加圧治具である。 第１０ 第４図 。 第５図 Ａ Ｂ
示す斜視図、第２図Ａ及びＢ、第３図Ａ及びＢ、第４図
Ａ及びＢ１１ｂ図Ａ及びＢは夫々本発明の接続方法の各
実施例を示す工程図である。 （１１は異方性導電シート、（２）は接着剤、（３）は
繊維状導電体、（１３）は配線回路基板、（１４）は半
導体ＩＣチップ、（１５） （２５）はバンプ１．（１
６）（２２） （２４）は加圧治具である。 第１０ 第４図 。 第５図 Ａ Ｂ
Claims (1)
- 異方性導電シートを挾んで電子部品の電極と該電極と接
続すべき配線とを対向させて後加圧加熱し、該加圧加熱
時の上記シートの加圧部分は上記シートの厚みより晶い
突起部で加圧されることを特徴とする電子部品の接続方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24780383A JPS60142595A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 電子部品の接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24780383A JPS60142595A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 電子部品の接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60142595A true JPS60142595A (ja) | 1985-07-27 |
Family
ID=17168883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24780383A Pending JPS60142595A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 電子部品の接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60142595A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102254891A (zh) * | 2011-08-01 | 2011-11-23 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 倒装芯片封装结构及其制造方法 |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP24780383A patent/JPS60142595A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102254891A (zh) * | 2011-08-01 | 2011-11-23 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 倒装芯片封装结构及其制造方法 |
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