JPS60142595A - 電子部品の接続方法 - Google Patents
電子部品の接続方法Info
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- JPS60142595A JPS60142595A JP24780383A JP24780383A JPS60142595A JP S60142595 A JPS60142595 A JP S60142595A JP 24780383 A JP24780383 A JP 24780383A JP 24780383 A JP24780383 A JP 24780383A JP S60142595 A JPS60142595 A JP S60142595A
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- JP
- Japan
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- chip
- semiconductor
- adhesive sheet
- sheet
- pressurized
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えば所定の配線回路基板に電子部品を接続
する場合等に使用し゛ζ好適な電子部品の接続方法に関
する。
する場合等に使用し゛ζ好適な電子部品の接続方法に関
する。
背景技術とその問題点
電子部品、例えば半導体1cチツプを所定の配線回路基
板に配し、そのICチップの電極と回路基扱の配線パタ
ーンとを電気的に接続する方法とし”ζは、例えばワイ
ヤーボンド法、USB法(ウルトう・ソニック・ボンデ
ィング)、TAB法(テーブル・オートメイテツド・ボ
ンディングシステム)、フリップチップ法等が知られて
いる。
板に配し、そのICチップの電極と回路基扱の配線パタ
ーンとを電気的に接続する方法とし”ζは、例えばワイ
ヤーボンド法、USB法(ウルトう・ソニック・ボンデ
ィング)、TAB法(テーブル・オートメイテツド・ボ
ンディングシステム)、フリップチップ法等が知られて
いる。
しかしながら、例えばワイヤーボンド法では高温(30
0℃以上)プロセスが必要であり、接続の信頼性に難点
があり、USB法では低温(室温)プロセスではあるが
自動化に劣り、TAB法或いはフリップチップ法では高
温(200℃以上)プロセスが必要である等、各問題点
があった。
0℃以上)プロセスが必要であり、接続の信頼性に難点
があり、USB法では低温(室温)プロセスではあるが
自動化に劣り、TAB法或いはフリップチップ法では高
温(200℃以上)プロセスが必要である等、各問題点
があった。
発明の目的
本発明は、上述の点に鑑み、簡単な工程で電子部品と配
線回路基板等との接続が良好に行える電子部品の接続方
法を提供するものである。
線回路基板等との接続が良好に行える電子部品の接続方
法を提供するものである。
発明の概要
本発明は、異方性導電シートを挾んで電子部品の電極と
この電極と接続すべき配線とを対向させて後加圧加熱し
、この加圧加熱時の異方性導電シートの加圧部分を異方
性導電シートの厚みより高い突起部で加圧するようにし
た電子部品の接続方法である。
この電極と接続すべき配線とを対向させて後加圧加熱し
、この加圧加熱時の異方性導電シートの加圧部分を異方
性導電シートの厚みより高い突起部で加圧するようにし
た電子部品の接続方法である。
この方法によれば、低温プロセス(150℃)で且つ接
続時間が短かくなり、簡単な工程で電子部品の接続がで
きる。また異方性導電シートを使った接続においてその
加圧加熱される部分のみを確実に導通させることができ
る。
続時間が短かくなり、簡単な工程で電子部品の接続がで
きる。また異方性導電シートを使った接続においてその
加圧加熱される部分のみを確実に導通させることができ
る。
実施例
以下、図面を参照し′ζ本発明による電子部品の接続方
法の実施例を説明する。
法の実施例を説明する。
先ず第1図は本発明に使用される異方性導電シートであ
る接着剤シートを示す。この接着剤シート+11は絶縁
性の接着剤(2)中に繊維状導電体(3)を混入してな
るものである。この接着剤シート(11は図ポのごとく
繊維状導電体(3)を特定方向に配向させる構成も可能
であるが、本例では特に配向させないで接着剤層、絶縁
;−1導電層の3機能を所定部分で発揮する構成とする
。尚、(4)は剥離シートをボす。繊維状導電体(3〕
は接着剤(2)の100容量部に対し゛ζ5〜40容量
部混入させることが望ましく、また接着剤シートの厚さ
は未使用状態で10〜1208mの厚さとすることが望
ましい。また繊維状導電体とし°ζは0.3〜50μm
の直径を有し、0.O1〜0.3龍長さで好ましくは電
子部品例えば半導体ICチップの電極間ピッチよりも短
かい寸法の導体例えばカーボンファイバが用いられる。
る接着剤シートを示す。この接着剤シート+11は絶縁
性の接着剤(2)中に繊維状導電体(3)を混入してな
るものである。この接着剤シート(11は図ポのごとく
繊維状導電体(3)を特定方向に配向させる構成も可能
であるが、本例では特に配向させないで接着剤層、絶縁
;−1導電層の3機能を所定部分で発揮する構成とする
。尚、(4)は剥離シートをボす。繊維状導電体(3〕
は接着剤(2)の100容量部に対し゛ζ5〜40容量
部混入させることが望ましく、また接着剤シートの厚さ
は未使用状態で10〜1208mの厚さとすることが望
ましい。また繊維状導電体とし°ζは0.3〜50μm
の直径を有し、0.O1〜0.3龍長さで好ましくは電
子部品例えば半導体ICチップの電極間ピッチよりも短
かい寸法の導体例えばカーボンファイバが用いられる。
この繊維状導電体(3)を接着剤(2)の100容量部
に対して5〜40容量部に選定することが望まれるのは
5容量部未満では導電性が低くなること、4o容量部を
超えるとカーボンファイバどうしの接続の可能性がでて
き°ζ絶縁性が損なわれることによる。また接着剤シー
ト(11の厚さを10〜1208mに選定することが望
まれるのは10μm未満では接着力に問題が生じ120
μmを超えると電気抵抗のレベルが増加してくることに
よる。下記に接着剤シート+11の具体例を示す。
に対して5〜40容量部に選定することが望まれるのは
5容量部未満では導電性が低くなること、4o容量部を
超えるとカーボンファイバどうしの接続の可能性がでて
き°ζ絶縁性が損なわれることによる。また接着剤シー
ト(11の厚さを10〜1208mに選定することが望
まれるのは10μm未満では接着力に問題が生じ120
μmを超えると電気抵抗のレベルが増加してくることに
よる。下記に接着剤シート+11の具体例を示す。
エチレン−酢酸ビニル共重合体 ・・・・・・・・30
部(三井ポリケミカル社製、商 品名エバフレックス36Q) ブタジェン−スチレン共重合体 ・・・・・・・・40
部(シェル化学社製、商品名力 リフレックスTR1102) テルペンフェノール樹脂 ・・・・・・・・30部(安
原油脂社製、商品名7130) カーボンファイバ ・・・・・・・・30部(直径7μ
、長さ100μ、比重 1.74)東し社製 上記の組成の混合物を剥離シート(4)上におい°ζ、
シート」二に成形しζ厚さが40μとなるようにし゛C
接着剤シー) +11を形成する。
部(三井ポリケミカル社製、商 品名エバフレックス36Q) ブタジェン−スチレン共重合体 ・・・・・・・・40
部(シェル化学社製、商品名力 リフレックスTR1102) テルペンフェノール樹脂 ・・・・・・・・30部(安
原油脂社製、商品名7130) カーボンファイバ ・・・・・・・・30部(直径7μ
、長さ100μ、比重 1.74)東し社製 上記の組成の混合物を剥離シート(4)上におい°ζ、
シート」二に成形しζ厚さが40μとなるようにし゛C
接着剤シー) +11を形成する。
この接着剤シート(11はそのままの状態では含まれた
カーボンファイバ同士は接着剤によって絶縁分離されて
絶縁層とし゛C作用し、また所定の加圧加熱を与えると
、その加圧加熱部分ではカーボンファイバ同士が接触し
導電層として作用する。
カーボンファイバ同士は接着剤によって絶縁分離されて
絶縁層とし゛C作用し、また所定の加圧加熱を与えると
、その加圧加熱部分ではカーボンファイバ同士が接触し
導電層として作用する。
第2図は本発明の一実施例をし1りず。この例では絶縁
基板(11)上に所要の配線パターン(12)を形成し
てなる配線回路基板(13)を設け、この配線回路基板
(13)上に前述した接着剤シー) (11を介して電
子部品、本例では半導体ICチップ(14)を所定の配
線(12)に対応するように配置する。
基板(11)上に所要の配線パターン(12)を形成し
てなる配線回路基板(13)を設け、この配線回路基板
(13)上に前述した接着剤シー) (11を介して電
子部品、本例では半導体ICチップ(14)を所定の配
線(12)に対応するように配置する。
この場合半導体■Cチップの電極上には例えば八A −
Ti−Ni−半田又は^トづ1−PL’−Auの積層さ
れたバンプ(15)が形成され”ζいる。そし°ζこの
バンプ(15)の晶さhlは接着剤シート(l)の渾さ
h2と同等もしくはそれ以上ニ晶くなるように(b 1
≧h2)形成しておく (第2図A)。次に第2図Bに
示すように半導体1cチツプ(14)の上方より加圧治
具(16)によって、例えば8〜lO秒間、130℃に
加熱すると共に例えば35kg/−の圧力を加えて圧着
する。この加圧加熱によっ°ζ半導体ICチップ(14
)は導電層となされた接着剤シート(11を介して配線
回路基板(13)の所定の配線パターン(12)に電気
的に接続される。即ち、加圧に際して接着剤シー1−
+11は半導体ICチップ(14)のバンプ(15)に
対応する部分(1a)だけが加圧されて接着剤シー1−
(1)中の繊維状導電体(3)が互に接触して導電層
となされ、それ以外の部分(lb)は何隻加圧されるこ
とがないので電気的には絶縁層としての作用がある。即
ちそれ以外の部分(lb)は繊維状導電体(3)が相互
にほとんど接触することがなく接着剤(2)によって良
好に絶縁分離され絶縁層として保持される。
Ti−Ni−半田又は^トづ1−PL’−Auの積層さ
れたバンプ(15)が形成され”ζいる。そし°ζこの
バンプ(15)の晶さhlは接着剤シート(l)の渾さ
h2と同等もしくはそれ以上ニ晶くなるように(b 1
≧h2)形成しておく (第2図A)。次に第2図Bに
示すように半導体1cチツプ(14)の上方より加圧治
具(16)によって、例えば8〜lO秒間、130℃に
加熱すると共に例えば35kg/−の圧力を加えて圧着
する。この加圧加熱によっ°ζ半導体ICチップ(14
)は導電層となされた接着剤シート(11を介して配線
回路基板(13)の所定の配線パターン(12)に電気
的に接続される。即ち、加圧に際して接着剤シー1−
+11は半導体ICチップ(14)のバンプ(15)に
対応する部分(1a)だけが加圧されて接着剤シー1−
(1)中の繊維状導電体(3)が互に接触して導電層
となされ、それ以外の部分(lb)は何隻加圧されるこ
とがないので電気的には絶縁層としての作用がある。即
ちそれ以外の部分(lb)は繊維状導電体(3)が相互
にほとんど接触することがなく接着剤(2)によって良
好に絶縁分離され絶縁層として保持される。
第3図は本発明の他の実施例である。この例は半導体I
Cチップをビームリード′に取り付けた状態のものを更
に配線回路基板に電気的に接続する場合である。即ちこ
の例では、第3図Aに示すように配線回路基板(13)
の所定の配線パターン(12)上に接着剤シー1− (
11を載せ、更にその上に半導体ICチップ(14)に
接続されたビームリード(21)を載せる。次に第3図
Bに71ζすように加圧治具(22)をもゲでビームリ
ード(21)の上方より加圧加熱する。この時加圧治具
(22)の加圧すべき部分には突起(22a)を設け、
且つチ・ノブ(14)に対応する部分には加圧時にチ・
ノブ(14)に当らないような四部(22b )が構成
されている。
Cチップをビームリード′に取り付けた状態のものを更
に配線回路基板に電気的に接続する場合である。即ちこ
の例では、第3図Aに示すように配線回路基板(13)
の所定の配線パターン(12)上に接着剤シー1− (
11を載せ、更にその上に半導体ICチップ(14)に
接続されたビームリード(21)を載せる。次に第3図
Bに71ζすように加圧治具(22)をもゲでビームリ
ード(21)の上方より加圧加熱する。この時加圧治具
(22)の加圧すべき部分には突起(22a)を設け、
且つチ・ノブ(14)に対応する部分には加圧時にチ・
ノブ(14)に当らないような四部(22b )が構成
されている。
そしてこの突起(22a )の商さh3は接着剤シート
(l)の厚みhtと同等もしくはそれ以上の晶さくh3
≧b 2 )に形成するものである。この例でもn:1
述したようにその加圧治具(22)の突起(22a )
に対応するシート(1)の部分(1a)だけが強く加圧
されるごとによってビームリード(21)は接着剤シー
ト(l)を介し°ζ配線回路基板(13)の所定の配線
パターン(12)に接続される。接着剤シート(l)の
他の部分(1b)は絶縁層として確実に維持される。
(l)の厚みhtと同等もしくはそれ以上の晶さくh3
≧b 2 )に形成するものである。この例でもn:1
述したようにその加圧治具(22)の突起(22a )
に対応するシート(1)の部分(1a)だけが強く加圧
されるごとによってビームリード(21)は接着剤シー
ト(l)を介し°ζ配線回路基板(13)の所定の配線
パターン(12)に接続される。接着剤シート(l)の
他の部分(1b)は絶縁層として確実に維持される。
第4図は本発明の他の実施例であり、この場合は半導体
ICチップの電極に外部リード(配線)を接続する場合
である。この例では第4図Aに示すように電極(14a
)が形成されノこ半導体ICチアツブ(14)上に接着
剤シー) +11を載せ、更にその上に外部リード(2
3)をその端部が半導体ICチップ(14)の電極(1
4a)に対応するように配置する。そし′ζζ第4ロB
示すように上方より加圧治具(24)を介して加圧加熱
する。この時も加圧治具(24)の加圧すべき部分には
突起(248)を設ける。この突起(24a)はその晶
さh4が接着剤シート(1)の厚さhtよりも高く (
h4≧h2)するようになず。このようにすれば外部リ
ード(23)の接続すべき部分のみが加圧されることに
よってその直下の接着剤シー) (11の部分(la)
が導電層となって外部リード(23)と半導体ICチッ
プ(14)の電極(14a)との接続が可能となる。
ICチップの電極に外部リード(配線)を接続する場合
である。この例では第4図Aに示すように電極(14a
)が形成されノこ半導体ICチアツブ(14)上に接着
剤シー) +11を載せ、更にその上に外部リード(2
3)をその端部が半導体ICチップ(14)の電極(1
4a)に対応するように配置する。そし′ζζ第4ロB
示すように上方より加圧治具(24)を介して加圧加熱
する。この時も加圧治具(24)の加圧すべき部分には
突起(248)を設ける。この突起(24a)はその晶
さh4が接着剤シート(1)の厚さhtよりも高く (
h4≧h2)するようになず。このようにすれば外部リ
ード(23)の接続すべき部分のみが加圧されることに
よってその直下の接着剤シー) (11の部分(la)
が導電層となって外部リード(23)と半導体ICチッ
プ(14)の電極(14a)との接続が可能となる。
また接着剤シート(1)の他の部分(lb)では加圧さ
れることかないので絶縁1−とじ”C作用することにな
る。
れることかないので絶縁1−とじ”C作用することにな
る。
第5図は史に本発明の他の例をンJりずものである。
この例では配線回路基&(13)の半導体ICチ・ノブ
(14)を接続ずべき部分にバンプ(25)を形成する
ンそし′ζこのバンプ(25)上に接着剤シート(11
を載せ、更にその上に電極(14a)が形成された半導
体ICチップ(14)を載せる。この時、配線回路基&
(13)側のバンプ(15)の商さh5は接着剤シー1
− il+の厚のh2以上とする(h5≧h2)。
(14)を接続ずべき部分にバンプ(25)を形成する
ンそし′ζこのバンプ(25)上に接着剤シート(11
を載せ、更にその上に電極(14a)が形成された半導
体ICチップ(14)を載せる。この時、配線回路基&
(13)側のバンプ(15)の商さh5は接着剤シー1
− il+の厚のh2以上とする(h5≧h2)。
このようにし′ζζ第5ロBネオように加圧治具(16
)を介し°ζ上方より加圧加熱することによって前述と
同じように電極(14a)と配線パターン(12)との
接続がなされる。
)を介し°ζ上方より加圧加熱することによって前述と
同じように電極(14a)と配線パターン(12)との
接続がなされる。
尚、接着剤シートl)としては、半導体ICチップ(1
4)の端部より充分長く (例えば長さβ)外方に廷長
されるような大きさのものを使用する。
4)の端部より充分長く (例えば長さβ)外方に廷長
されるような大きさのものを使用する。
このようにした時にば誤まっ°ζ半導体ICチップ(1
4)が他の配線パターンに短絡されるのが防止される。
4)が他の配線パターンに短絡されるのが防止される。
また加圧治具としてはワイヤーボンド装置のキャピラリ
イヘッドを使用することも可能である。
イヘッドを使用することも可能である。
このような本実施例によれば半導体tCチップ(14)
を接続する時の加熱する温度とし”ζは例えば約30℃
程度の低温度で済むので、例えば配線回路基板(13)
の絶縁基板(11)としては耐熱材料にこだわる必要が
なく材料の選択の自由度が大きくなり製造を容易にする
ものである。またこのような低温で接着できるために比
較的熱に弱い半導体ICチップ(14)を支障なく良好
に接続することができる。また熱プレスで半導体ICチ
ップ(14)の固定ができるので接続作業が自動化、機
械化でき且つ接続時間も8〜lO秒と極めて短くするこ
とができる。そし”で特に加圧加熱による接着に対して
その接続部分では例えばバンプ(15)。
を接続する時の加熱する温度とし”ζは例えば約30℃
程度の低温度で済むので、例えば配線回路基板(13)
の絶縁基板(11)としては耐熱材料にこだわる必要が
なく材料の選択の自由度が大きくなり製造を容易にする
ものである。またこのような低温で接着できるために比
較的熱に弱い半導体ICチップ(14)を支障なく良好
に接続することができる。また熱プレスで半導体ICチ
ップ(14)の固定ができるので接続作業が自動化、機
械化でき且つ接続時間も8〜lO秒と極めて短くするこ
とができる。そし”で特に加圧加熱による接着に対して
その接続部分では例えばバンプ(15)。
(25)の111iさもしくは加熱治具の突起(22a
)。
)。
(24a)の商さ等いわゆる突起部の商さht。
h3.h4 、h5を接着剤シート(1)の厚みhtよ
りも大きくした状態で加圧されることによって加圧部分
(la)だけが導電層となり、それ以外の部分(1b)
は加圧されず絶縁層として維持される。
りも大きくした状態で加圧されることによって加圧部分
(la)だけが導電層となり、それ以外の部分(1b)
は加圧されず絶縁層として維持される。
従っ゛C両考の接続は確実に行なわれるものである。
また半導体ICチップ(14)を直接配線回路基鈑(1
3)にマウントすることができるので他の接続方法に比
べて材料費等が安く安価に製造できるものである。
3)にマウントすることができるので他の接続方法に比
べて材料費等が安く安価に製造できるものである。
尚、上側では異方性導電シートとして繊維状導電体を含
有する接着剤シートを用いたが、その他、同様の機能を
有した例えば粒状導電体を含有する接着剤シート等を用
いることもできる。
有する接着剤シートを用いたが、その他、同様の機能を
有した例えば粒状導電体を含有する接着剤シート等を用
いることもできる。
発明の効果
本発明によれば、異方性導電シートを挾んで半導体IC
チップ等の電子部品の電極とこれに接続すべき配線とを
対向させて後加圧加熱するようにしたので、低温度で接
続することができ、例えば配線回路基板の絶縁板として
の材料選択の自由度が大きくなる。またこの加圧加熱に
際しζその異方性導電シートの加圧加熱部分をシートの
厚みより18Iい突起部で加圧加熱するようにしたので
、接続部分のみが確実に導通し、異方性導電シートの他
の部分では絶縁性が保持され、不注意による短゛絡事故
が回避される。
チップ等の電子部品の電極とこれに接続すべき配線とを
対向させて後加圧加熱するようにしたので、低温度で接
続することができ、例えば配線回路基板の絶縁板として
の材料選択の自由度が大きくなる。またこの加圧加熱に
際しζその異方性導電シートの加圧加熱部分をシートの
厚みより18Iい突起部で加圧加熱するようにしたので
、接続部分のみが確実に導通し、異方性導電シートの他
の部分では絶縁性が保持され、不注意による短゛絡事故
が回避される。
第1図は本発明に使用される異方性導電シートの一例を
示す斜視図、第2図A及びB、第3図A及びB、第4図
A及びB11b図A及びBは夫々本発明の接続方法の各
実施例を示す工程図である。 (11は異方性導電シート、(2)は接着剤、(3)は
繊維状導電体、(13)は配線回路基板、(14)は半
導体ICチップ、(15) (25)はバンプ1.(1
6)(22) (24)は加圧治具である。 第10 第4図 。 第5図 A B
示す斜視図、第2図A及びB、第3図A及びB、第4図
A及びB11b図A及びBは夫々本発明の接続方法の各
実施例を示す工程図である。 (11は異方性導電シート、(2)は接着剤、(3)は
繊維状導電体、(13)は配線回路基板、(14)は半
導体ICチップ、(15) (25)はバンプ1.(1
6)(22) (24)は加圧治具である。 第10 第4図 。 第5図 A B
Claims (1)
- 異方性導電シートを挾んで電子部品の電極と該電極と接
続すべき配線とを対向させて後加圧加熱し、該加圧加熱
時の上記シートの加圧部分は上記シートの厚みより晶い
突起部で加圧されることを特徴とする電子部品の接続方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24780383A JPS60142595A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 電子部品の接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24780383A JPS60142595A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 電子部品の接続方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60142595A true JPS60142595A (ja) | 1985-07-27 |
Family
ID=17168883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24780383A Pending JPS60142595A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 電子部品の接続方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60142595A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102254891A (zh) * | 2011-08-01 | 2011-11-23 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 倒装芯片封装结构及其制造方法 |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP24780383A patent/JPS60142595A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102254891A (zh) * | 2011-08-01 | 2011-11-23 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 倒装芯片封装结构及其制造方法 |
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