JPS60135949A - 光成形体の製造方法 - Google Patents
光成形体の製造方法Info
- Publication number
- JPS60135949A JPS60135949A JP58250760A JP25076083A JPS60135949A JP S60135949 A JPS60135949 A JP S60135949A JP 58250760 A JP58250760 A JP 58250760A JP 25076083 A JP25076083 A JP 25076083A JP S60135949 A JPS60135949 A JP S60135949A
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- JP
- Japan
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- mask
- optical
- formed article
- density
- photomolded
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、例えば、光ファイバを利用した情報伝送シス
テムに用いられる光分岐結合器、光を利用しｆｃＩ！ン
サー、データタブレット、ディスプレイ等νζ用いらｆ
’Ｌ６モ而光回路光回路は＠光性樹脂を用いた印刷版、
型取り用の版の如き光成形体の製造方法に関する、 （背景技術） 従来、元ファイバ金用いたデータバス系等の光１＋ｖ報
伝送／ステム系における光分岐方法として、尤７ｆイバ
同志を接合する方法、あるいはレンズ、・・−７ミラー
等の光学部品を組合せる方法で実用化されているが、前
者の４合、接合部分のＺＩｌｌ玉が難かしく分岐数、分
岐比に制約があり、また、後者の場会、光軸調整が錐か
しく小型化が困難である等の欠点かあった。
テムに用いられる光分岐結合器、光を利用しｆｃＩ！ン
サー、データタブレット、ディスプレイ等νζ用いらｆ
’Ｌ６モ而光回路光回路は＠光性樹脂を用いた印刷版、
型取り用の版の如き光成形体の製造方法に関する、 （背景技術） 従来、元ファイバ金用いたデータバス系等の光１＋ｖ報
伝送／ステム系における光分岐方法として、尤７ｆイバ
同志を接合する方法、あるいはレンズ、・・−７ミラー
等の光学部品を組合せる方法で実用化されているが、前
者の４合、接合部分のＺＩｌｌ玉が難かしく分岐数、分
岐比に制約があり、また、後者の場会、光軸調整が錐か
しく小型化が困難である等の欠点かあった。
また、上記欠点を改善する目的で、第１図に示すように
、透明性基板１上に形成さｎた感光性物質２に、所定パ
ターンのホトマスク３を重ね、その上から丸源４で４光
することにより、任意形状の光導波路の如き光１成形体
５を形成する方法が提案きれている（特開昭５４−１３
０１４３号、特開昭５０−２２６４８号等）。これは従
来の感光性樹脂ケ用いて印刷版等を製造する技術と類似
しており、該雑な形状の加工も再現性良く行なえるとい
う利点がある。
、透明性基板１上に形成さｎた感光性物質２に、所定パ
ターンのホトマスク３を重ね、その上から丸源４で４光
することにより、任意形状の光導波路の如き光１成形体
５を形成する方法が提案きれている（特開昭５４−１３
０１４３号、特開昭５０−２２６４８号等）。これは従
来の感光性樹脂ケ用いて印刷版等を製造する技術と類似
しており、該雑な形状の加工も再現性良く行なえるとい
う利点がある。
しかしながら、小かる方法で形成した光成形体５は、第
１図Ｈｂ）に示すように断面が略矩形であるため、該光
成形体５を光導波路として利用した場合、尤ファイバと
の接合に、６−いＣ析面杉犬の違い（′＃、ファイバの
Ｅ折面は円形である）による九の接続損失を生じる入点
かあり、また、印刷版とＬ ゛Ｃ利用した場合は、型取
りを行うときに離型しにくい等の入点があった。
１図Ｈｂ）に示すように断面が略矩形であるため、該光
成形体５を光導波路として利用した場合、尤ファイバと
の接合に、６−いＣ析面杉犬の違い（′＃、ファイバの
Ｅ折面は円形である）による九の接続損失を生じる入点
かあり、また、印刷版とＬ ゛Ｃ利用した場合は、型取
りを行うときに離型しにくい等の入点があった。
（発明の目的）
本発明は上記の欠点に鑑＝２１−なされたもので、その
目的とするところは、漫らｎる光成形体を光導波路とし
て利用した場合、尤ファイバとの接続損失がなく、印刷
版として利用した場合、・離型が容易な光成形体の製造
方法を提供するにある。
目的とするところは、漫らｎる光成形体を光導波路とし
て利用した場合、尤ファイバとの接続損失がなく、印刷
版として利用した場合、・離型が容易な光成形体の製造
方法を提供するにある。
（発明の開示〕
本発明は、感光性′＃Ｊ質にホトマスフケ介して曙光し
所望パターンの光成形棒金形成する製造方法において、
上記ホトマスクのマスク濃度ケ異ならせ、得られる光成
形体の角部に丸みをもたせたことｔ特漱とする。
所望パターンの光成形棒金形成する製造方法において、
上記ホトマスクのマスク濃度ケ異ならせ、得られる光成
形体の角部に丸みをもたせたことｔ特漱とする。
第２図は本発明に係る製造工程の一例を模式的に示す図
で、同図（ＩＬハ・ま曙光プロセスを示し、同図（ｂ）
は非露九部金洗い出した鏝の尤成形体金示す。
で、同図（ＩＬハ・ま曙光プロセスを示し、同図（ｂ）
は非露九部金洗い出した鏝の尤成形体金示す。
図において、１１は透明ｊ生基板、１２ばＩ感光性物質
、１３は後述のホトマスク、１４は光源−１１５は光成
形体である。
、１３は後述のホトマスク、１４は光源−１１５は光成
形体である。
而して、ホトマスク１３は第３図ｊａ）に示スヨうに、
ＩＭ蔽部Ａ、半漉蔽部Ｂ１非遮蔽部Ｃからなり該マスク
１３の４度分布は第３図Ｂｂ）の通りである。。
ＩＭ蔽部Ａ、半漉蔽部Ｂ１非遮蔽部Ｃからなり該マスク
１３の４度分布は第３図Ｂｂ）の通りである。。
な分、マスク濃度ｔこ磯淡金つける方法としては、マス
クの＋１本を変える方法、乳剤濃度を変える方法等があ
る。
クの＋１本を変える方法、乳剤濃度を変える方法等があ
る。
かかる製造方法Ｖｔｂい゛Ｃ１感光物質１２が感光に要
する砲和曜光遺ｔＷ１とすれば、ｑ先光強度Ｉ。
する砲和曜光遺ｔＷ１とすれば、ｑ先光強度Ｉ。
及ヒヘ光時間ｔは次の関係を満足する必要がある。
１旦し、
１１・・・非嗅・液部ｃＶこおける透過強度Ｉ２．、、
！卜遮１蔽部Ｂにおける透過強度に１ 、、、非、＋ｌ
蔽部Ｃの光透過係数に２１１．半嶋蔽部Ｂの光透過係数 Ｄ１・・・ マスク１３の厚み Ｋ・・・ 感光性物質１２の光透過係数Ｄ・・・ 感光
性物質１２の厚み ｋ・・・ 透明性基板１１の光透過係数（１・・・ 透
明性基板ｌｌの厚み 次に実施例について述べる。−ド記配合の光硬化不飽和
ポリエステル樹脂より成る感光性物質１２に、第３図に
示す如きホトマスク１３に通して曙光し、洗い出しを行
ない、厚さ及び幅がいずれも２羽の光成形体１５に作製
した結果、角部には半径約０．８ｍ＋の丸みが形成され
た。
！卜遮１蔽部Ｂにおける透過強度に１ 、、、非、＋ｌ
蔽部Ｃの光透過係数に２１１．半嶋蔽部Ｂの光透過係数 Ｄ１・・・ マスク１３の厚み Ｋ・・・ 感光性物質１２の光透過係数Ｄ・・・ 感光
性物質１２の厚み ｋ・・・ 透明性基板１１の光透過係数（１・・・ 透
明性基板ｌｌの厚み 次に実施例について述べる。−ド記配合の光硬化不飽和
ポリエステル樹脂より成る感光性物質１２に、第３図に
示す如きホトマスク１３に通して曙光し、洗い出しを行
ない、厚さ及び幅がいずれも２羽の光成形体１５に作製
した結果、角部には半径約０．８ｍ＋の丸みが形成され
た。
く光硬化性不飽和ポリエステル樹脂〉
（発明の効果）
本発明に係る製法にｊり形成された光成形体Ｖま、Ｊ：
、記のように角部に丸み金もつため、該光成形体音光導
波路として利用した場合は、光ファイバとの接続損失の
ない、また、印刷版として利用した場合Ｖｉ、雛型か容
嶋な光成形体を提供できる。
、記のように角部に丸み金もつため、該光成形体音光導
波路として利用した場合は、光ファイバとの接続損失の
ない、また、印刷版として利用した場合Ｖｉ、雛型か容
嶋な光成形体を提供できる。
第１図は従来例の製造工程の模式図で、ｔａ）は露光プ
ロセスを（ｂ）ｆ’！非疼ｔｔ部全洗い出した後の光成
形体を示す。第２図ｉｄ本発明に係るＪＪ！！＋告工桿
の一同を示す模式図で、（ａ）は曙光プロセスを、（ｂ
）は非雌光部金洗い出しｆＣ陵の光成形体乞示す。＠３
図（＋Ｌ）は本発明に係るホ１マスクの断面図、４３図
（ｂ）は同上のマスク濃度分布を示すグラフでめる。 １２・・・ｉ盛尤性１勿１、ｔａ・・・ホトマスク１４
・・・光 源 １５・・・光成形体特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士 竹 元 敏 丸 （ほか２名） 第１図 （ａ） Δ （ｂ） ４ （ｂ） 第３図 （ａ） （ｂ）
ロセスを（ｂ）ｆ’！非疼ｔｔ部全洗い出した後の光成
形体を示す。第２図ｉｄ本発明に係るＪＪ！！＋告工桿
の一同を示す模式図で、（ａ）は曙光プロセスを、（ｂ
）は非雌光部金洗い出しｆＣ陵の光成形体乞示す。＠３
図（＋Ｌ）は本発明に係るホ１マスクの断面図、４３図
（ｂ）は同上のマスク濃度分布を示すグラフでめる。 １２・・・ｉ盛尤性１勿１、ｔａ・・・ホトマスク１４
・・・光 源 １５・・・光成形体特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士 竹 元 敏 丸 （ほか２名） 第１図 （ａ） Δ （ｂ） ４ （ｂ） 第３図 （ａ） （ｂ）
Claims (1)
- （１） 感光性物質Ｑこ、トドマスクを介して噂尤し所
望パターンの光成形体を形成する製造方法に督いＣ１上
記ホトマスクのマスク一度を異ならせ、得らｎる光成形
体の角部に丸みをもたせたことを特徴とする光成形体の
製造方法、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250760A JPS60135949A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 光成形体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250760A JPS60135949A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 光成形体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60135949A true JPS60135949A (ja) | 1985-07-19 |
Family
ID=17212631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58250760A Pending JPS60135949A (ja) | 1983-12-23 | 1983-12-23 | 光成形体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60135949A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2590376A1 (fr) * | 1985-11-21 | 1987-05-22 | Dumant Jean Marc | Procede de masquage et masque utilise |
| JPH02309303A (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-25 | Semiconductor Res Found | 半導体ヘテロ構造デバイス |
| US5098815A (en) * | 1988-07-11 | 1992-03-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for the production of dielectric layers in planar circuits on ceramics substrates |
| WO2015018672A1 (en) * | 2013-08-06 | 2015-02-12 | Ams Ag | Method of producing a resist structure with undercut sidewall |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4858780A (ja) * | 1971-11-24 | 1973-08-17 | ||
| JPS5877231A (ja) * | 1981-11-04 | 1983-05-10 | Hitachi Ltd | レジストパタ−ンのテ−パ形成方法 |
| JPS59128540A (ja) * | 1983-01-13 | 1984-07-24 | Fujitsu Ltd | フオトマスク |
| JPS59135468A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-03 | Nec Corp | 露光用マスク |
-
1983
- 1983-12-23 JP JP58250760A patent/JPS60135949A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4858780A (ja) * | 1971-11-24 | 1973-08-17 | ||
| JPS5877231A (ja) * | 1981-11-04 | 1983-05-10 | Hitachi Ltd | レジストパタ−ンのテ−パ形成方法 |
| JPS59128540A (ja) * | 1983-01-13 | 1984-07-24 | Fujitsu Ltd | フオトマスク |
| JPS59135468A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-03 | Nec Corp | 露光用マスク |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2590376A1 (fr) * | 1985-11-21 | 1987-05-22 | Dumant Jean Marc | Procede de masquage et masque utilise |
| US4762396A (en) * | 1985-11-21 | 1988-08-09 | Dumant Jean M | Masking method |
| US5098815A (en) * | 1988-07-11 | 1992-03-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for the production of dielectric layers in planar circuits on ceramics substrates |
| JPH02309303A (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-25 | Semiconductor Res Found | 半導体ヘテロ構造デバイス |
| WO2015018672A1 (en) * | 2013-08-06 | 2015-02-12 | Ams Ag | Method of producing a resist structure with undercut sidewall |
| US9766546B2 (en) | 2013-08-06 | 2017-09-19 | Ams Ag | Method of producing a resist structure with undercut sidewall |
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