JPS60133445A - ホトレジスト組成物 - Google Patents
ホトレジスト組成物Info
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- JPS60133445A JPS60133445A JP59248284A JP24828484A JPS60133445A JP S60133445 A JPS60133445 A JP S60133445A JP 59248284 A JP59248284 A JP 59248284A JP 24828484 A JP24828484 A JP 24828484A JP S60133445 A JPS60133445 A JP S60133445A
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- G03F7/0125—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binder or the macromolecular additives other than the macromolecular azides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高度に耐熱性の重合体よりなるレリーフ構造体
を形成するだめのホトレジスト組成物に関する。
を形成するだめのホトレジスト組成物に関する。
高度に耐熱性の重合体よりなるレリーフ構造体を形成す
るだめのホトレジストは電気部品および電子部品の製造
、蝕刻レジストの製造、めっきレジストの製造並びに印
刷レジストの製造に大量に使用されている。たとえば西
ドイツ国特許第２，３０８，８３０号（米国特許第３，
９５７，５１２号）明細書、西ドイツ国特許第２，４３
７．３４８号（米国特許ＲＥ、 ３９，１８６ ）明細
書、西ドイツ国特許第２．４３７，３６８号（米国特許
第４ 、０４５ 、２２３号）明細書および西ドイツ国
特許第２ 、４３７ 、４２２号（米国特許第４，０８
８，４８９号）明細書並びに西ドイツ国特許出願Ｐ ３
２’ ２７５８４ （特開昭５９−３１９４８号参照）
およびＰ ３２３３９１＝２はこのような高度に耐熱性
の重合体よりなるレリーフ構造体の製造方法およびこれ
らの目的に適するホトレジストまたはこれらの目的に使
用される感光性可溶性重合体系中間体を開示している。
るだめのホトレジストは電気部品および電子部品の製造
、蝕刻レジストの製造、めっきレジストの製造並びに印
刷レジストの製造に大量に使用されている。たとえば西
ドイツ国特許第２，３０８，８３０号（米国特許第３，
９５７，５１２号）明細書、西ドイツ国特許第２，４３
７．３４８号（米国特許ＲＥ、 ３９，１８６ ）明細
書、西ドイツ国特許第２．４３７，３６８号（米国特許
第４ 、０４５ 、２２３号）明細書および西ドイツ国
特許第２ 、４３７ 、４２２号（米国特許第４，０８
８，４８９号）明細書並びに西ドイツ国特許出願Ｐ ３
２’ ２７５８４ （特開昭５９−３１９４８号参照）
およびＰ ３２３３９１＝２はこのような高度に耐熱性
の重合体よりなるレリーフ構造体の製造方法およびこれ
らの目的に適するホトレジストまたはこれらの目的に使
用される感光性可溶性重合体系中間体を開示している。
開示されている型のホトレジストは一般に、カルボキシ
ル基にエステル架橋を経て結合している照射反応性基を
有する照射感受性の可溶性重合体系中間体を含治してい
る。これらは基板上に層の形で適用し、層を乾燥させ、
次いで写真ネガを通して画像を介して露光する。このよ
うにすると、照射領域に交叉結合が生起し、これらの領
域における適用物質の溶解度が劇的に減じられる。層の
照射されていない部分は次いで現像剤を用いて基板から
除去する。残留するレリーフ構造体は加熱により高度に
酬熱性カ重合体に変換でき、これらの重合体は縁端部明
瞭度および解像力が有害に作用されることなく、２５０
〜４００°Ｃの温度で耐性を有する。
ル基にエステル架橋を経て結合している照射反応性基を
有する照射感受性の可溶性重合体系中間体を含治してい
る。これらは基板上に層の形で適用し、層を乾燥させ、
次いで写真ネガを通して画像を介して露光する。このよ
うにすると、照射領域に交叉結合が生起し、これらの領
域における適用物質の溶解度が劇的に減じられる。層の
照射されていない部分は次いで現像剤を用いて基板から
除去する。残留するレリーフ構造体は加熱により高度に
酬熱性カ重合体に変換でき、これらの重合体は縁端部明
瞭度および解像力が有害に作用されることなく、２５０
〜４００°Ｃの温度で耐性を有する。
前記特許明細書によれば、前記の可溶性重合体系中間体
（ゾレポリマー）は、重付加反応まだは重縮合反応の可
能な２個の官能性基および照射を受けて反応性となり、
これらの官能性基に対して部分的にオルト−まだはぺり
一位置でカルボキシル基にエステル状に結合した炭素環
式捷だは被素環式化合物とこれらの官能性基と反応でき
、少なくとも１個の環状構造要素を含むジアミン、ジイ
ンシアネート、ビス−（酸クロリド）またはジカルボン
酸化合物とから得られる重付加または重縮合生成物であ
る。照射によりホトレジストの交叉結合に応答できる多
くの照射反応性基が列挙されている。しかしなから、慣
用の紫外線源を用いる照射によりこれらθ）−；ト１ノ
ニンストブー４屑６主鱈ηｒスこＦ”ｔｓｌ！＝イ会イ
づ！４Ｊ−ンζな−に千少なくとも２分間、一般に３〜
５分間もの照射時間が必要であることが見い出されてい
る。前記特許明細書から明白なように、これらの時間は
慣用の増感剤または共重合可能なマレインイミドを添加
しても著しく短縮することはできない。
（ゾレポリマー）は、重付加反応まだは重縮合反応の可
能な２個の官能性基および照射を受けて反応性となり、
これらの官能性基に対して部分的にオルト−まだはぺり
一位置でカルボキシル基にエステル状に結合した炭素環
式捷だは被素環式化合物とこれらの官能性基と反応でき
、少なくとも１個の環状構造要素を含むジアミン、ジイ
ンシアネート、ビス−（酸クロリド）またはジカルボン
酸化合物とから得られる重付加または重縮合生成物であ
る。照射によりホトレジストの交叉結合に応答できる多
くの照射反応性基が列挙されている。しかしなから、慣
用の紫外線源を用いる照射によりこれらθ）−；ト１ノ
ニンストブー４屑６主鱈ηｒスこＦ”ｔｓｌ！＝イ会イ
づ！４Ｊ−ンζな−に千少なくとも２分間、一般に３〜
５分間もの照射時間が必要であることが見い出されてい
る。前記特許明細書から明白なように、これらの時間は
慣用の増感剤または共重合可能なマレインイミドを添加
しても著しく短縮することはできない。
さらに西ドイツ国追加特許第２，９１９．８４０号（米
国特許第４ 、２９２ 、３９８号）明細書、西ドイツ
国特許第２，９１９，８２３号（米国特許第４，３２９
．５５６号）明細書および西ｒイツ国特許第２，９１９
，８４１号（米国特許第４ 、２８７ 、２９４号）明
細書では、ホトレジストを光開始剤として芳香族スルホ
ニルアジドの混合により変性させている。これはこのホ
トレジストに必要な照射時間を最大６０秒に短縮するこ
とを可能にする。
国特許第４ 、２９２ 、３９８号）明細書、西ドイツ
国特許第２，９１９，８２３号（米国特許第４，３２９
．５５６号）明細書および西ｒイツ国特許第２，９１９
，８４１号（米国特許第４ 、２８７ 、２９４号）明
細書では、ホトレジストを光開始剤として芳香族スルホ
ニルアジドの混合により変性させている。これはこのホ
トレジストに必要な照射時間を最大６０秒に短縮するこ
とを可能にする。
西ドイツ国特許出願第Ｐ ３２２７５８４号（特開昭５
９−３１９４８号参照）では、アリルアルコールおよび
（または）アリルチオールでエーテル化されているエス
テル状に結合した多価アルコールを用いて、ポリアミド
エステルゾレ、３Ｆ ＋Ｊマーの照射反応性基を部分的
に捷たは完全に変性させている。西ドイツ国特許出願第
Ｐ ３２３３９１２号（特開昭５９−６８７３３号参照
）では、共重合ｒ＝Ｊ能なアリル化合物をホリアミドエ
ステルゾレポリマーと混合している。これらの手段は必
要な照射時間を約３５秒に短縮することを可能にする。
９−３１９４８号参照）では、アリルアルコールおよび
（または）アリルチオールでエーテル化されているエス
テル状に結合した多価アルコールを用いて、ポリアミド
エステルゾレ、３Ｆ ＋Ｊマーの照射反応性基を部分的
に捷たは完全に変性させている。西ドイツ国特許出願第
Ｐ ３２３３９１２号（特開昭５９−６８７３３号参照
）では、共重合ｒ＝Ｊ能なアリル化合物をホリアミドエ
ステルゾレポリマーと混合している。これらの手段は必
要な照射時間を約３５秒に短縮することを可能にする。
しかしながら、このような短い照射時間でさえも、この
種のホトレジストを電子部品の大振生産に使用するには
まだ不当に長すぎる。
種のホトレジストを電子部品の大振生産に使用するには
まだ不当に長すぎる。
さらにヨーロツ・ξ公開特許出願第４７．１８４号公報
（米国特許第４．．３６９，２４７号）には、照射反応
性の可溶性ポリアミドエステル樹脂を含有するホトレジ
ストの感光性が照射感受性重合性多官能性アクリレート
化合物および芳香族ハロゲン置換ビスイミダゾール光開
始剤を同時に添加することにより増加できることが記載
されている。
（米国特許第４．．３６９，２４７号）には、照射反応
性の可溶性ポリアミドエステル樹脂を含有するホトレジ
ストの感光性が照射感受性重合性多官能性アクリレート
化合物および芳香族ハロゲン置換ビスイミダゾール光開
始剤を同時に添加することにより増加できることが記載
されている。
これらのホトレジストは良好な光感受性を示すが、ビス
イミダゾール光開始剤の添加は欠点を准する。たとえば
、ビスイミダゾール化合物の添加は溶液中における望ま
しくない早すぎるポリイミド形成を導くことがあり、そ
れによって、ホトレジスト溶液の貯蔵寿命が著しく減少
する。
イミダゾール光開始剤の添加は欠点を准する。たとえば
、ビスイミダゾール化合物の添加は溶液中における望ま
しくない早すぎるポリイミド形成を導くことがあり、そ
れによって、ホトレジスト溶液の貯蔵寿命が著しく減少
する。
さらに′！！た、／ことえばハロゲ゛ン置換基が後わ“
じのレリーフ構造体の硬化中に脱離することがあり、こ
れは材料、特に基板に対し望丑しくない作用を及ぼすこ
とがある。さらに捷だ、ヨーロッパ公開特許出願第４．
７，１８４号公報に記載のホトレジストは早まった重合
を生起する傾向があり、このようなホトレジストの安定
性を才だ実質的に減少させる結果をまねく。
じのレリーフ構造体の硬化中に脱離することがあり、こ
れは材料、特に基板に対し望丑しくない作用を及ぼすこ
とがある。さらに捷だ、ヨーロッパ公開特許出願第４．
７，１８４号公報に記載のホトレジストは早まった重合
を生起する傾向があり、このようなホトレジストの安定
性を才だ実質的に減少させる結果をまねく。
従って、本発明の目的はこのようなホトレジストを変成
することであり、その結果それから製造された被覆物の
適度の交叉結合が実質的にかなり短い照射時間の後でさ
えも達成でき、しかもホトレジスト溶液の安定性、ホト
レジストの後続の処理および生成する生成物の性質がこ
の変性によって有害な作用を受けなくなる。
することであり、その結果それから製造された被覆物の
適度の交叉結合が実質的にかなり短い照射時間の後でさ
えも達成でき、しかもホトレジスト溶液の安定性、ホト
レジストの後続の処理および生成する生成物の性質がこ
の変性によって有害な作用を受けなくなる。
篤くべきことに１．これらのホトレジスト組成物が
ａ）共単量体として、ビニル基捷たはアリル基（１個ま
たは２個以上）が官能性基を経て結合している共重合可
能な照射反応性のビニル化合物まだはアリル化合物の少
なくとも」種、および １）） 光開始剤として、Ｎ−アジドスルホニルアリー
ルマレインイミド型の化合物の少なくとも１棟、をさら
に含有する場合に、このようなホトレジストでは実質的
にさらに短い照射時間で十分であり、そしてこのホトレ
ジストおよびそれから形成される高度に耐熱性の重合体
よりなるレリーフ構造体の化学的、熱的および機械的安
定性が高度の実用上の要件に適合することが見い出され
た。
たは２個以上）が官能性基を経て結合している共重合可
能な照射反応性のビニル化合物まだはアリル化合物の少
なくとも」種、および １）） 光開始剤として、Ｎ−アジドスルホニルアリー
ルマレインイミド型の化合物の少なくとも１棟、をさら
に含有する場合に、このようなホトレジストでは実質的
にさらに短い照射時間で十分であり、そしてこのホトレ
ジストおよびそれから形成される高度に耐熱性の重合体
よりなるレリーフ構造体の化学的、熱的および機械的安
定性が高度の実用上の要件に適合することが見い出され
た。
従って、本発明はカルボキシル基にエステル架橋を経て
結合した照射反応性基を有する可溶性ボリアミドエステ
ルゾレポリマーを含准する、高度に耐熱性の１合体のレ
リーフ構造体を形成するだめのホトレジスト組成物に関
し、ａ）共単量体として、ビニル基またはアリル基（１
個または２個以上）が官能性基を経て結合している共ｉ
ｌ＋、合可能な照射反応性のビニル化合物またはアリル
化合物の少なくとも１種、および ｂ）光開始剤として、Ｎ−アジドスルホニルアリールマ
レインイミド型の化合物の少なくとも１種、をさらに含
有することを特徴とする。
結合した照射反応性基を有する可溶性ボリアミドエステ
ルゾレポリマーを含准する、高度に耐熱性の１合体のレ
リーフ構造体を形成するだめのホトレジスト組成物に関
し、ａ）共単量体として、ビニル基またはアリル基（１
個または２個以上）が官能性基を経て結合している共ｉ
ｌ＋、合可能な照射反応性のビニル化合物またはアリル
化合物の少なくとも１種、および ｂ）光開始剤として、Ｎ−アジドスルホニルアリールマ
レインイミド型の化合物の少なくとも１種、をさらに含
有することを特徴とする。
本発明はまた、カルボキシル基にエステル架橋を経て結
合している照射反応性基を有する可溶性ボリアミドエス
テルゾレポリマーを含有する高度に耐熱性の重合体より
なるレリーフ構造体を形成するためのホトレジストに、 ａ）ビニル基またはアリル基（１個捷だは２個以上）が
官能性基を経て結合している共重合可能な照射反応性の
ビニル化合物まだはアリル化合物の少なくとも１種と、 ｂ） Ｎ−アジドスルホニルアリールマレインイミド型
の化合物の少なくとも１種、 との組合せ物を使用することに関する。
合している照射反応性基を有する可溶性ボリアミドエス
テルゾレポリマーを含有する高度に耐熱性の重合体より
なるレリーフ構造体を形成するためのホトレジストに、 ａ）ビニル基またはアリル基（１個捷だは２個以上）が
官能性基を経て結合している共重合可能な照射反応性の
ビニル化合物まだはアリル化合物の少なくとも１種と、 ｂ） Ｎ−アジドスルホニルアリールマレインイミド型
の化合物の少なくとも１種、 との組合せ物を使用することに関する。
不発８ＪＪはさらにまた、カルボキシル基にエステル架
橋を経て結合している照射反応性基を不する可溶性ポリ
アミドエステルゾレポリマーを含有するホトレジスト組
成物を基板に扱覆し、この被覆層を乾燥し、その層を画
像を介して露光し、層の照射されていない部分を除去し
、Ｍｔ望により次いでに４ｊられたレリーフ構造体を加
熱することにより関度の耐熱性の重合体よりなるレリー
フ構造体を形成する方法であって、ａ）共１単量体とし
て、ビニル基捷たはアリル基（１個または２個以上）が
官能性基を経て結合している共乗合可能な照射反応性の
ビニル化合物またはアリル化合物の少なくとも】釉、お
よび− ｂ）光開始剤として、Ｎ−アジドスルホニルアリールマ
レインイミド型の化合物の少なくとも１種、をさらに含
有するホトレジスト組成物を使用することを特徴とする
方法に関する。
橋を経て結合している照射反応性基を不する可溶性ポリ
アミドエステルゾレポリマーを含有するホトレジスト組
成物を基板に扱覆し、この被覆層を乾燥し、その層を画
像を介して露光し、層の照射されていない部分を除去し
、Ｍｔ望により次いでに４ｊられたレリーフ構造体を加
熱することにより関度の耐熱性の重合体よりなるレリー
フ構造体を形成する方法であって、ａ）共１単量体とし
て、ビニル基捷たはアリル基（１個または２個以上）が
官能性基を経て結合している共乗合可能な照射反応性の
ビニル化合物またはアリル化合物の少なくとも】釉、お
よび− ｂ）光開始剤として、Ｎ−アジドスルホニルアリールマ
レインイミド型の化合物の少なくとも１種、をさらに含
有するホトレジスト組成物を使用することを特徴とする
方法に関する。
本発明に従い照射時間を短縮するためにホトレジストに
添加する共単量体はビニル基またはアリル基（１個また
は２個以上）が官能性基を経て結合している共軍合可能
な照射反応性のビニル化合物寸だ（ｄアリノシｆヒ合物
である。
添加する共単量体はビニル基またはアリル基（１個また
は２個以上）が官能性基を経て結合している共軍合可能
な照射反応性のビニル化合物寸だ（ｄアリノシｆヒ合物
である。
特に、このような化合物にはビニル基またはアリル基（
１個または２個り、上）が酸素原子、硫黄原子捷だは窒
素原子を経て、あるいはカルボニル基、ツノルポキ／ル
基、８０基または８０２基を経て結合している化合物を
包含するものと理）１ν１されるべきである。
１個または２個り、上）が酸素原子、硫黄原子捷だは窒
素原子を経て、あるいはカルボニル基、ツノルポキ／ル
基、８０基または８０２基を経て結合している化合物を
包含するものと理）１ν１されるべきである。
ビニル化合物は、たとえば１価または多価の脂肪原寸た
は芳香族のアルコールあるいはチオールのビニルエーテ
ル１だにビニルチオエーテル；脂肪族および芳香族のビ
ニルスルホン化合物；１測寸だは多価の脂肪原寸だは芳
香族のアルコールあるいはチオールのアクロレインとの
アセタールまたはチオケタール化合物；および１測寸た
は多価の脂肪原寸だは芳香族のアルコールのアクリレー
トあるいはメタアクリレートであることができる。全て
の場合に、脂肪族基および芳香族基並びにビニルＣ原子
は、場合により、好捷しくはたとえばハロゲン、ニトロ
、スルホニル捷たはカルホキフルのような官能性基によ
り置換されていてもよく、これらの置換基は電子受答体
として作用し、共土合を受ける傾向を促進する。
は芳香族のアルコールあるいはチオールのビニルエーテ
ル１だにビニルチオエーテル；脂肪族および芳香族のビ
ニルスルホン化合物；１測寸だは多価の脂肪原寸だは芳
香族のアルコールあるいはチオールのアクロレインとの
アセタールまたはチオケタール化合物；および１測寸た
は多価の脂肪原寸だは芳香族のアルコールのアクリレー
トあるいはメタアクリレートであることができる。全て
の場合に、脂肪族基および芳香族基並びにビニルＣ原子
は、場合により、好捷しくはたとえばハロゲン、ニトロ
、スルホニル捷たはカルホキフルのような官能性基によ
り置換されていてもよく、これらの置換基は電子受答体
として作用し、共土合を受ける傾向を促進する。
好適なビニル化合物には下記の化合物がある２−ヒドロ
キシエチルビニルエーテル、２−アセトキシエチルビニ
ルエーテル、２−ペンソイルオキシエチルビニルエーテ
ルアクロレインジエチルアセタール、 ビス−アクロレインペンタエリスリトールアセタールぺ ２−ヒドロキシエチルアクリレートおよびメタクリレ−
）・、 トリメチロールプロパントリアクリレートおよびトリメ
タアクリレート、 ペンタエリスリトールトリアクリレートおよびトリツタ
アクリレート、 ２−ヒドロキシエチルビニルスルホン、２−アセトキシ
エチルビニルスルホン、ｎ−ペンチルビニルスルホン、 ２、：＜−ヒスーノエニルスルホニルゾタ−１，３−ツ
エンおよび フェニル１−ヒドロキシメチルビニルスルホン０ 特に好適な化合物は、 ２−ヒドロキシエチルビニルスルホン、トリメチロール
プロパントリアクリレート、および ビス−アクロレインペンタエリスリトールアセタール である。
キシエチルビニルエーテル、２−アセトキシエチルビニ
ルエーテル、２−ペンソイルオキシエチルビニルエーテ
ルアクロレインジエチルアセタール、 ビス−アクロレインペンタエリスリトールアセタールぺ ２−ヒドロキシエチルアクリレートおよびメタクリレ−
）・、 トリメチロールプロパントリアクリレートおよびトリメ
タアクリレート、 ペンタエリスリトールトリアクリレートおよびトリツタ
アクリレート、 ２−ヒドロキシエチルビニルスルホン、２−アセトキシ
エチルビニルスルホン、ｎ−ペンチルビニルスルホン、 ２、：＜−ヒスーノエニルスルホニルゾタ−１，３−ツ
エンおよび フェニル１−ヒドロキシメチルビニルスルホン０ 特に好適な化合物は、 ２−ヒドロキシエチルビニルスルホン、トリメチロール
プロパントリアクリレート、および ビス−アクロレインペンタエリスリトールアセタール である。
これらの全化合物が既知である。これらの化合物は市販
されているか、捷たはそれ自体既知の方法により容易に
製造できる。特に好適な化合物としてあげた２−ヒドロ
キシエチルビニルスルホン化合物はまた米国特許第３．
５０９．２１８号に記載のとおりにして製造することが
できる。
されているか、捷たはそれ自体既知の方法により容易に
製造できる。特に好適な化合物としてあげた２−ヒドロ
キシエチルビニルスルホン化合物はまた米国特許第３．
５０９．２１８号に記載のとおりにして製造することが
できる。
適当なアリル化合物は主として、全てが西ドイツ国特許
出願第Ｐ ３２ ３３ ９１２号（特開昭５９−６８７
３３ 冊幼照）に記載されており特にこの特許出願で好
適な化合物として列挙されている化合物である。
出願第Ｐ ３２ ３３ ９１２号（特開昭５９−６８７
３３ 冊幼照）に記載されており特にこの特許出願で好
適な化合物として列挙されている化合物である。
本発明による目的に特に好適な化合物には下記の化合物
がある； トリメチロールプロ／Ｒンドリアリルエーテル、ペンタ
エリスリトールトリアリルエーテル、２．４．６−トリ
スアリルオキ／−１，３，５−トリアジン、および トリスアリル−８−）リア巳ンン−２，４，６−（ＩＨ
、３Ｈ１５Ｈ） −ト リ オ ン。
がある； トリメチロールプロ／Ｒンドリアリルエーテル、ペンタ
エリスリトールトリアリルエーテル、２．４．６−トリ
スアリルオキ／−１，３，５−トリアジン、および トリスアリル−８−）リア巳ンン−２，４，６−（ＩＨ
、３Ｈ１５Ｈ） −ト リ オ ン。
本発明に従い照射時間を短縮するだめに共単量体と共に
ホトレジストに加える光開始剤はＮ−アジドスルホニル
アリール−マレインイミド型の化合物である。このよう
な化合物およびこれらの化合物をレリーフ構造体の形成
に光開始剤として使用することは西ドイツ国特許第２．
９１９．８２３号（米国特許第４ 、３２９ 、５５６
号）明細書および西ドイツ国特許第２，９１９，８４１
号（米国特許第４ 、２８７ 、２９４号）明細書に記
載されている。
ホトレジストに加える光開始剤はＮ−アジドスルホニル
アリール−マレインイミド型の化合物である。このよう
な化合物およびこれらの化合物をレリーフ構造体の形成
に光開始剤として使用することは西ドイツ国特許第２．
９１９．８２３号（米国特許第４ 、３２９ 、５５６
号）明細書および西ドイツ国特許第２，９１９，８４１
号（米国特許第４ 、２８７ 、２９４号）明細書に記
載されている。
本発明に従い使用するのに非常に適する化合物には下記
の化合物がある ” （４−７） ｆ’スルホニルフェニル）−マレイン
イミ ド、 ２− （Ｎ−マレインイミド）−ナフチル−５−スルホ
ニルアジドおよび ２−（Ｎ−マレインイミド）−ナフチル−６，８−ビス
スルホニル７’５ド。
の化合物がある ” （４−７） ｆ’スルホニルフェニル）−マレイン
イミ ド、 ２− （Ｎ−マレインイミド）−ナフチル−５−スルホ
ニルアジドおよび ２−（Ｎ−マレインイミド）−ナフチル−６，８−ビス
スルホニル７’５ド。
’ （４−７） ）’スルホニルフェニル）−マレイン
イミド化合物が特に好適である。
イミド化合物が特に好適である。
本発明によるホトレジストは一般に、可溶性照射反応性
重合体系中間体に対して、共単量体を５〜３５重量係、
好ましくは１０〜３０重量係の量で、および光開始剤を
１〜１０１量係、好捷しくは３〜８重量係の量で含有す
る。
重合体系中間体に対して、共単量体を５〜３５重量係、
好ましくは１０〜３０重量係の量で、および光開始剤を
１〜１０１量係、好捷しくは３〜８重量係の量で含有す
る。
照射にさらすと反応性であり、本発明によるホトレジス
トに存在する可溶性重合体系中間体およびこれらの中間
体の製造は前記で引用した一連の特許明細書に記載され
ている。これらは照射にさらすと反応性である基を有す
る多官能性炭素環式まだは′４ＪＬ累環式０化合物とジ
アミン化合物、ジイソ／アネート化合物、ビス−（酸ク
ロリド）またはジカルボン酸とのＭ【旬月生成物または
重縮合生成物である。
トに存在する可溶性重合体系中間体およびこれらの中間
体の製造は前記で引用した一連の特許明細書に記載され
ている。これらは照射にさらすと反応性である基を有す
る多官能性炭素環式まだは′４ＪＬ累環式０化合物とジ
アミン化合物、ジイソ／アネート化合物、ビス−（酸ク
ロリド）またはジカルボン酸とのＭ【旬月生成物または
重縮合生成物である。
カルホキフル基にエステル架橋を経て結合している２個
の照射反応性基を有するピロメリット酸およびたとえば
４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４．４’ −
’）アミツノフェニルメタン、４．４′−ジアミノジフ
ェニルスルホンまたは２，４−ジアミノピリジンのよう
な環状構造要素の少なくとも一つを含有するジアミンか
ら得られる重縮合物であるｈ］溶性ポリアミドエステル
ゾレ、１９ ＋）マーが特に好適である。
の照射反応性基を有するピロメリット酸およびたとえば
４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４．４’ −
’）アミツノフェニルメタン、４．４′−ジアミノジフ
ェニルスルホンまたは２，４−ジアミノピリジンのよう
な環状構造要素の少なくとも一つを含有するジアミンか
ら得られる重縮合物であるｈ］溶性ポリアミドエステル
ゾレ、１９ ＋）マーが特に好適である。
可溶性重合体系中間体に存在できる広範な種種の照射反
応性基は同様に前記で引用した一連の特許文献に記載さ
れている。
応性基は同様に前記で引用した一連の特許文献に記載さ
れている。
特に好適な照射反応性基には、中でも、照射にさらすと
反応性であり、エステル状結合によりカルボキシル基に
結合しているオキシアＩＪ ）し、オキシアルキルアク
リレートおよびオキシアルキルメタアクリレート基、た
とえば２−オキシエヂルアクリレートまたはメタクリレ
ート基があり、さらに捷だ、アリルオキ／および（捷だ
ば）アリルチオ基を含有し、西ドイツ国特許出願第Ｐ
３２２７５８４号に記載されているエステル基がある。
反応性であり、エステル状結合によりカルボキシル基に
結合しているオキシアＩＪ ）し、オキシアルキルアク
リレートおよびオキシアルキルメタアクリレート基、た
とえば２−オキシエヂルアクリレートまたはメタクリレ
ート基があり、さらに捷だ、アリルオキ／および（捷だ
ば）アリルチオ基を含有し、西ドイツ国特許出願第Ｐ
３２２７５８４号に記載されているエステル基がある。
特別の態様において、本発明によるホトレジスト組成物
は照射反応性基の一部捷だは全部が２−オキシアリルエ
ーテル捷だは２−オギシアリルチオエーテル基である可
溶性、４９ ＩＪアミドエステルプレホリマーを含有す
る。
は照射反応性基の一部捷だは全部が２−オキシアリルエ
ーテル捷だは２−オギシアリルチオエーテル基である可
溶性、４９ ＩＪアミドエステルプレホリマーを含有す
る。
本発明によるホトレジスト組成物に存在する口」溶性重
合体系中間体は一般に、２，０００〜１００ 、０００
、好ましくは４，０００〜６０，０００の分子量を有す
る。
合体系中間体は一般に、２，０００〜１００ 、０００
、好ましくは４，０００〜６０，０００の分子量を有す
る。
これらの可溶性ボリアミドエステルゾレ７Ｐリマーは本
発明に従い添加されるべき共重合可能な照射反応性共単
量体および光開始剤とともにそれ自体既知の方法で加工
して、本発明によるホトレノスト組成物を生成する。組
成物は適当す感剤、プレポリマー、ビニル化合物または
アリル化合物（１柚または２ ｆ’、ｔｌｆ以上）およ
びＮ−アジドスルホニルアリール−マレインイミド型の
化合物（１種まだは２種以上）以外に、その他の当技術
で既知の慣用の添加剤を含有できる。
発明に従い添加されるべき共重合可能な照射反応性共単
量体および光開始剤とともにそれ自体既知の方法で加工
して、本発明によるホトレノスト組成物を生成する。組
成物は適当す感剤、プレポリマー、ビニル化合物または
アリル化合物（１柚または２ ｆ’、ｔｌｆ以上）およ
びＮ−アジドスルホニルアリール−マレインイミド型の
化合物（１種まだは２種以上）以外に、その他の当技術
で既知の慣用の添加剤を含有できる。
列挙できる例には、たとえば４，４′−ビス（ジメチル
アミノ）ベンゾフェノン（ミヒラーのケトンＬ４，４’
−ビス（：）エチルアミン）ベンゾフェノン、ベンゾイ
ンエーテル、カルファー−キノン、アントラキノンまた
はチオキサントン誘導体およびまたたとえばＮ−フェニ
ルマレインイミドのよう表共重合可能が照射感受性マレ
インイミド化合物のような増感剤；染料；顔料；可塑剤
；たとえばビニルシラン化合物のような接着促進剤；熱
により活性化できる遊離基開始剤；およびまた非常に多
くの種々のその他の重合体および樹脂；並びに成る情況
下に、フィルム形成性まだは被覆性の改善に、および（
または）基板に対して適用された層の接着性の改善に、
およびまだ材料の機械的強度、化学的耐性および流動抵
抗性の改善に寄与でき、そしてホトレジストの粘度に作
用を及ぼすことができる安定化剤および狭面活性剤があ
る。このような添加剤は固体含有量に基づきＯ〜１５重
量係の量で添加できる。特に好ましい態様では、本発明
によるホトレジストはさらに別の増感剤として、４．４
′−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン（ミヒラー
のケトン）を１〜１５重量係の量で含有する。
アミノ）ベンゾフェノン（ミヒラーのケトンＬ４，４’
−ビス（：）エチルアミン）ベンゾフェノン、ベンゾイ
ンエーテル、カルファー−キノン、アントラキノンまた
はチオキサントン誘導体およびまたたとえばＮ−フェニ
ルマレインイミドのよう表共重合可能が照射感受性マレ
インイミド化合物のような増感剤；染料；顔料；可塑剤
；たとえばビニルシラン化合物のような接着促進剤；熱
により活性化できる遊離基開始剤；およびまた非常に多
くの種々のその他の重合体および樹脂；並びに成る情況
下に、フィルム形成性まだは被覆性の改善に、および（
または）基板に対して適用された層の接着性の改善に、
およびまだ材料の機械的強度、化学的耐性および流動抵
抗性の改善に寄与でき、そしてホトレジストの粘度に作
用を及ぼすことができる安定化剤および狭面活性剤があ
る。このような添加剤は固体含有量に基づきＯ〜１５重
量係の量で添加できる。特に好ましい態様では、本発明
によるホトレジストはさらに別の増感剤として、４．４
′−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン（ミヒラー
のケトン）を１〜１５重量係の量で含有する。
可溶性ポリアミドエステルゾレホリマーおよび前記した
ホトレジストの構成成分を溶解できる適当な溶剤の例と
しては、エチレングリコール、グリコールエーテル（た
とえばグリコールモノメチルエーテル、グリコールジメ
チルエーテルおよびグリコールモノエチルエーテル）、
脂肪族エステル（たとえば酢酸エチル、酢酸ヒドロキシ
エチル、酢酸アルコキシエチル、酢酸ｎ−ブチルまだは
酢酸アミル）、エーテル（たとえばジオキサン）、ケト
ン（たとえばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケ
トン、シクロペンタノンおよびシクロヘキサノン）、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメ
チルリン酸トリアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ブチロ
ラクトン、テトラヒドロフランおよびこのような溶剤の
混合物がある。これらの溶液の固体含有量は一般に１〜
６０％、好ましくは５〜５０係である。本発明によるホ
トレジストはいづれかこの目的に慣用の基体に、特に所
望により、ドープ剤も含有でき、熱的に表面酸化された
および（まだは）アルミニウム被覆したシリコン材料上
に、およびたとえば窒化シリコン、ひ化ガリウムまたは
りん化イソジウムのような半導体技術に慣用のその他い
づれかの基板に、慣用の方法で適用できる。その他の適
当な基板としては、ガラスまだはインジウムスズ酸化物
のような液晶表示体の製造に慣用される基板；さらにま
た、たとえばアルミニウム、銅または亜鉛よりなる金属
シートおよびフィルム；蒸着により金属で被覆されてい
るバイメタルホイル、トリメタルホイルおよび電気的に
非伝導性のホイル、場合によりアルミニウムで被覆され
ていてもよい５ｉ０２材料および紙がある。これｔ−σ
）、：ｂｆ：ＭＩｒ＋執ＦＦｈ−％イー暗＃１．ｍｆず
ｋＪ−ｈｔ−、Ｆｒ夷面を粗面化でき、エツチングでき
、または接着促進剤で処理して接着性を改善できる。
ホトレジストの構成成分を溶解できる適当な溶剤の例と
しては、エチレングリコール、グリコールエーテル（た
とえばグリコールモノメチルエーテル、グリコールジメ
チルエーテルおよびグリコールモノエチルエーテル）、
脂肪族エステル（たとえば酢酸エチル、酢酸ヒドロキシ
エチル、酢酸アルコキシエチル、酢酸ｎ−ブチルまだは
酢酸アミル）、エーテル（たとえばジオキサン）、ケト
ン（たとえばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケ
トン、シクロペンタノンおよびシクロヘキサノン）、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ヘキサメ
チルリン酸トリアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ブチロ
ラクトン、テトラヒドロフランおよびこのような溶剤の
混合物がある。これらの溶液の固体含有量は一般に１〜
６０％、好ましくは５〜５０係である。本発明によるホ
トレジストはいづれかこの目的に慣用の基体に、特に所
望により、ドープ剤も含有でき、熱的に表面酸化された
および（まだは）アルミニウム被覆したシリコン材料上
に、およびたとえば窒化シリコン、ひ化ガリウムまたは
りん化イソジウムのような半導体技術に慣用のその他い
づれかの基板に、慣用の方法で適用できる。その他の適
当な基板としては、ガラスまだはインジウムスズ酸化物
のような液晶表示体の製造に慣用される基板；さらにま
た、たとえばアルミニウム、銅または亜鉛よりなる金属
シートおよびフィルム；蒸着により金属で被覆されてい
るバイメタルホイル、トリメタルホイルおよび電気的に
非伝導性のホイル、場合によりアルミニウムで被覆され
ていてもよい５ｉ０２材料および紙がある。これｔ−σ
）、：ｂｆ：ＭＩｒ＋執ＦＦｈ−％イー暗＃１．ｍｆず
ｋＪ−ｈｔ−、Ｆｒ夷面を粗面化でき、エツチングでき
、または接着促進剤で処理して接着性を改善できる。
ホトレジスト層は基板に種々の厚さで適用できる。特定
の場合に最も有利な層の厚さは種々の因子、たとえば製
造された材料の意図する特定の用途、特定の場合に使用
されている重合体系中間体および照射感受性層中に存在
できるその他の成分の性質によシ変わる。一般に、０．
１μｍ〜２００μｍの厚さを有するレジスト層が有利で
あることが判った。
の場合に最も有利な層の厚さは種々の因子、たとえば製
造された材料の意図する特定の用途、特定の場合に使用
されている重合体系中間体および照射感受性層中に存在
できるその他の成分の性質によシ変わる。一般に、０．
１μｍ〜２００μｍの厚さを有するレジスト層が有利で
あることが判った。
ホトレジストは基板の清浄な表面に、噴霧、流し塗り、
ローラー塗布、回転塗布または浸漬塗りにより適用でき
、その後溶剤を蒸発により除去する。このようにすると
、照射反応性層が基板の表面上に残る。溶剤の除去は必
要に応じて、層を１２０°Ｃまでの温度に加熱すること
により促進できる。ホトレジスト層は次いでその照射反
応性基を反応させて層を交叉結合させる照射にさらす。
ローラー塗布、回転塗布または浸漬塗りにより適用でき
、その後溶剤を蒸発により除去する。このようにすると
、照射反応性層が基板の表面上に残る。溶剤の除去は必
要に応じて、層を１２０°Ｃまでの温度に加熱すること
により促進できる。ホトレジスト層は次いでその照射反
応性基を反応させて層を交叉結合させる照射にさらす。
通常、活性光が使用されるが、Ｘ線捷たは電子線のよう
な高エネルギー照射も使用できる。照射捷たは露光はマ
スクを通して実施できるが、照射感受性層の表面上に照
射線の照準を定めだビームを誘導してもよい。照射は通
常、２００〜５００ｎｍの波長および０．５〜６０ｍＷ
／Ｃｒｎ２の強度を有する照射線を発生する紫外線灯
を使用して行なわれる。照射にさらすと反応性である共
単量体および光開始剤の本発明による添加によりその感
光性が増大されているホトレジスト組成物は必要な照射
時間を３０秒より短い時間、特に１Ｏ秒より短い時間に
短縮させることができる。この１０秒より短い時間は本
発明による共単量体および開始剤が添加されていない従
来技術によるホトレジストと比較して少なくとも係数３
の感度の増大に相当する。
な高エネルギー照射も使用できる。照射捷たは露光はマ
スクを通して実施できるが、照射感受性層の表面上に照
射線の照準を定めだビームを誘導してもよい。照射は通
常、２００〜５００ｎｍの波長および０．５〜６０ｍＷ
／Ｃｒｎ２の強度を有する照射線を発生する紫外線灯
を使用して行なわれる。照射にさらすと反応性である共
単量体および光開始剤の本発明による添加によりその感
光性が増大されているホトレジスト組成物は必要な照射
時間を３０秒より短い時間、特に１Ｏ秒より短い時間に
短縮させることができる。この１０秒より短い時間は本
発明による共単量体および開始剤が添加されていない従
来技術によるホトレジストと比較して少なくとも係数３
の感度の増大に相当する。
画像は次いでホトレジスト材料の照射されていない領域
を除去する現像剤溶液で層を処理することにより基板の
一部分を露出させることによシ層内で現像される。使用
する現像剤溶液は一般に、ホトレジストの製造について
前記した溶剤の１種または２種以上と沈殿剤との混合物
である。代表的な現像剤溶液の例には、４−ブチロラク
トン／トルエン、ジメチルホルムアミド／エタノーノペ
ジメチルホルムアミド／メタノール、メチルエチルケト
ン／エタノールおよびメチルイソブチルケトン／イノゾ
ロ・Ｑノールの各々２：１〜１：４の割合の混合物かあ
る。本発明によるホトレジストよりなるレリーフ像の現
像に特に有利な現像剤溶液は西ドイツ国特許出願第Ｐ
３２４６４０３号（特開昭５９−１１６７４６号参照）
による現像剤溶液であり、これは脂肪族ケトン、好まし
くはシクロペンタノンだけよりなるものである。現像、
洗浄および乾燥後に、明瞭な縁端部および３μｍより小
さい解像力を有するレジスト像が得られる。これらのレ
ジスト像は２００〜４００°Ｃに加熱することにより高
度に耐熱性の重合体に変換できる。
を除去する現像剤溶液で層を処理することにより基板の
一部分を露出させることによシ層内で現像される。使用
する現像剤溶液は一般に、ホトレジストの製造について
前記した溶剤の１種または２種以上と沈殿剤との混合物
である。代表的な現像剤溶液の例には、４−ブチロラク
トン／トルエン、ジメチルホルムアミド／エタノーノペ
ジメチルホルムアミド／メタノール、メチルエチルケト
ン／エタノールおよびメチルイソブチルケトン／イノゾ
ロ・Ｑノールの各々２：１〜１：４の割合の混合物かあ
る。本発明によるホトレジストよりなるレリーフ像の現
像に特に有利な現像剤溶液は西ドイツ国特許出願第Ｐ
３２４６４０３号（特開昭５９−１１６７４６号参照）
による現像剤溶液であり、これは脂肪族ケトン、好まし
くはシクロペンタノンだけよりなるものである。現像、
洗浄および乾燥後に、明瞭な縁端部および３μｍより小
さい解像力を有するレジスト像が得られる。これらのレ
ジスト像は２００〜４００°Ｃに加熱することにより高
度に耐熱性の重合体に変換できる。
これらの高度に耐熱性の重合体は優れた化学的、電気的
および機械的の性質を有する。従って、本発明によるホ
トレジストは、たとえば半導体素子上の保護層の生成お
よび多層集積回路の誘電性層の生成、電気部品上の最終
衣τｎｊ処理層として、および捷だ液晶表示セルの配向
層として適している。
および機械的の性質を有する。従って、本発明によるホ
トレジストは、たとえば半導体素子上の保護層の生成お
よび多層集積回路の誘電性層の生成、電気部品上の最終
衣τｎｊ処理層として、および捷だ液晶表示セルの配向
層として適している。
下記の例Ａ、ＢおよびＣは明瞭な縁端部および３μｍよ
り小さい解像力を有するレリーフ構造体を生成するのに
必要な最少露光時間を従来技術によるホトレジストにつ
いて測定した比較実験を含むものである。
り小さい解像力を有するレリーフ構造体を生成するのに
必要な最少露光時間を従来技術によるホトレジストにつ
いて測定した比較実験を含むものである。
例 Ａ
ホトレジスト：
ポリアミドエステルプレポリマー（これは西ドイツ国特
許第２．４．３７．３４８号明細書の記載に従いジ無水
ピロメリット酸を２−ヒドロキシエチルメタアクリレー
トと反応させ、次いで塩化チオニルおよび４＋４”ｙア
ミノジフェニルジエーテルと反応させることにより得ら
れる）５７、Ｎ−フェニル−マレインイミド０．２５
ｆ、ミヒラーのケトン０．１１およびビニルトリメトキ
シシラン０．０５！ｉ’をジメチルアセトアミド１３．
５ｍｇに溶解する。
許第２．４．３７．３４８号明細書の記載に従いジ無水
ピロメリット酸を２−ヒドロキシエチルメタアクリレー
トと反応させ、次いで塩化チオニルおよび４＋４”ｙア
ミノジフェニルジエーテルと反応させることにより得ら
れる）５７、Ｎ−フェニル−マレインイミド０．２５
ｆ、ミヒラーのケトン０．１１およびビニルトリメトキ
シシラン０．０５！ｉ’をジメチルアセトアミド１３．
５ｍｇに溶解する。
使 用 。
５１Ｏ２表面を治する基板」二に回転塗布しこよりホト
レノストを適用し、次いで加熱により乾燥させる。得ら
れた１、５μｍ厚さの層を窒素雰囲気下に２００ワット
紫外線灯を用いて、）屏像力試験マスクを通して１．８
０秒間の最少露光時間、５〜６ｍＷ ／ｃ１７１”の強
度で接触法により照射する。ホトレジストの照射されて
いない部分を次いでｌ・ルエンと４−ブチロラクトンと
の等容量混合物で現像することにより洗出する。明瞭な
縁端部および３μｍより小さい解像力を有する像が得ら
れる。
レノストを適用し、次いで加熱により乾燥させる。得ら
れた１、５μｍ厚さの層を窒素雰囲気下に２００ワット
紫外線灯を用いて、）屏像力試験マスクを通して１．８
０秒間の最少露光時間、５〜６ｍＷ ／ｃ１７１”の強
度で接触法により照射する。ホトレジストの照射されて
いない部分を次いでｌ・ルエンと４−ブチロラクトンと
の等容量混合物で現像することにより洗出する。明瞭な
縁端部および３μｍより小さい解像力を有する像が得ら
れる。
例 Ｂ
ホトレジスト：
Ｎ−（４−アシドスルホニルフェニル）−マレインイミ
ドＯ，２５ｒを添加する以外は例Ａと同一にする。
ドＯ，２５ｒを添加する以外は例Ａと同一にする。
最少露光時間：３０秒。
例 Ｃ
ホトレジスト。
トリメチロールプロ／？ントリアクリレ−１・１．５７
を添加する以外は例Ａと同一にする。
を添加する以外は例Ａと同一にする。
最少露光時間：３５秒。
次側１〜８では、本発明に従い共単量体および光開始剤
を加えたホトレジスト組成物を試験する。ホトレジスト
の感度は最少露光時間が３０秒より短い場合に良好であ
ると考える。最少露光時間が１０秒より短い場合には非
常に良好であると考える。
を加えたホトレジスト組成物を試験する。ホトレジスト
の感度は最少露光時間が３０秒より短い場合に良好であ
ると考える。最少露光時間が１０秒より短い場合には非
常に良好であると考える。
例 １
ホトレジスト：
２−ヒドロキシエチルビニルスルホン１．Ｏ１オＪ：ヒ
Ｎ −（４−７Ｊ トスルホニルフェニル）−マレイン
イミド０．２５ｆを加える以外は例Ａと同一にする。
Ｎ −（４−７Ｊ トスルホニルフェニル）−マレイン
イミド０．２５ｆを加える以外は例Ａと同一にする。
最少露光時間＝８秒。
感度：良好。
例 ２
ホトレジスト。
ペンタエリスリトールトリアクリレ−１−０，６４ｒお
よびＮ−（４−アシドスルホニルフェニル）−マレイン
イミド０．２５ｒを加える以外は例Ａど同一にする。
よびＮ−（４−アシドスルホニルフェニル）−マレイン
イミド０．２５ｒを加える以外は例Ａど同一にする。
感度：非常に良好。
例 ３
ホトレジスト：
２＋４，６ Ｆ ’シスアリルオキシ−１，３，５−）
リアノン０．６５ ｆおよびＮ−（４〜アジドスルボニ
ルフエニル）−マレインイミド０．２５ｆを加する以外
は例Ａと同一にする。
リアノン０．６５ ｆおよびＮ−（４〜アジドスルボニ
ルフエニル）−マレインイミド０．２５ｆを加する以外
は例Ａと同一にする。
感度：非常に良好。
例 ４
ホトレジスト：
２．３−ヒス−フェニルスルホニルブタ−１，３−ツエ
ン１．３７およびＮ−（４〜アジドスルボニルフエニル
）−マレインイミ＋：Ｏ，２５ｙ ヲ加りる以外は例Ａ
と同一にする。
ン１．３７およびＮ−（４〜アジドスルボニルフエニル
）−マレインイミ＋：Ｏ，２５ｙ ヲ加りる以外は例Ａ
と同一にする。
感度：非常に良好。
例 ５
ホトレジスト：
ビスーアクロンイン啄ンタエリスリトールアセタール０
．８２９およびＮ −（４−アジドスルボニルフェニル
）−マレインイミド０．２５ ｆ ヲ加する以外は例Ａ
と同一にする。
．８２９およびＮ −（４−アジドスルボニルフェニル
）−マレインイミド０．２５ ｆ ヲ加する以外は例Ａ
と同一にする。
感度：非常に良好。
例 ６
ホトレジスト。
２−ベンゾイルオキシエチルビニルエーテル１．５ｙお
よびＮ−（４−アジドスルホニルフェニル）−マレイン
イミド０．２５ ｆｉ′を加える以外は例Ａと同一にす
る。
よびＮ−（４−アジドスルホニルフェニル）−マレイン
イミド０．２５ ｆｉ′を加える以外は例Ａと同一にす
る。
感度：良好。
例 ７
ホトレジスト：
トリメチロールゾロノＱンドリアクリレ−）１．．５３
グおよびＮ−（４−アジドスルホニルフェニル）−マレ
インイミド００２５グを加える以外は例Ａと同一にする
。
グおよびＮ−（４−アジドスルホニルフェニル）−マレ
インイミド００２５グを加える以外は例Ａと同一にする
。
感度：非常に良好。
例 ８
ホトレジスト：
ｎ−ペンチルビニルスルホン１．２５！ｉ＋およヒＮ（
４−７）ドスルホニルフェニル）−マレインイミドＯ，
２５ｆを加える以外は例Ａと同一にする。
４−７）ドスルホニルフェニル）−マレインイミドＯ，
２５ｆを加える以外は例Ａと同一にする。
感度：良好。
例 ９
ホトレジスト：
カルボキシル基にエステル状に結合した照射反応性基の
約７５係が２−ヒドロキシエチルメタクリレートから誘
導された基であシ、そして約２！５係がグリコールモノ
アリルエーテルから誘導された基であるポリアミドエス
テルプレポリマー（これは西ドイツ国特許出願第Ｐ ３
２２７５８４号（％開昭５９−３１９４８号参照）の例
６に記載のとおりにして得られる）５ｆを使用する以外
は例Ａと同一にし、ここにトリメチロールプロノξント
リアクリレート０．８３ ｆおよびＮ−（４−アシドス
ルホニルフェニル）−マレインイミド０．２５１を加え
る。 ／− 感度：非常に良好。
約７５係が２−ヒドロキシエチルメタクリレートから誘
導された基であシ、そして約２！５係がグリコールモノ
アリルエーテルから誘導された基であるポリアミドエス
テルプレポリマー（これは西ドイツ国特許出願第Ｐ ３
２２７５８４号（％開昭５９−３１９４８号参照）の例
６に記載のとおりにして得られる）５ｆを使用する以外
は例Ａと同一にし、ここにトリメチロールプロノξント
リアクリレート０．８３ ｆおよびＮ−（４−アシドス
ルホニルフェニル）−マレインイミド０．２５１を加え
る。 ／− 感度：非常に良好。
例 １０
ホトレノスト：
カルホキフル基にエステル状に結合した照射反応性基の
約７５係が２−ヒドロキシエチルメタクリレートから誘
導された基であり、そして約２５係が２−ヒドロキシア
リルチオエーテルから誘導された基であるポリアミドエ
ステルプレポリマー（これは西ドイツ国特許出願第Ｐ
３２２７５８４号（％開昭５９−３１９４８号参照）の
例８に記載のとおりにして得られる）５７を使用する以
外は９１Ａと同一にし、ここに波ンタエリスリトールト
リアリルエーテル０．３４ｆおよび１．１− （４−ア
シドスルホニルフェニル）−マレインイミド０．２５！
ｉ’を加える。
約７５係が２−ヒドロキシエチルメタクリレートから誘
導された基であり、そして約２５係が２−ヒドロキシア
リルチオエーテルから誘導された基であるポリアミドエ
ステルプレポリマー（これは西ドイツ国特許出願第Ｐ
３２２７５８４号（％開昭５９−３１９４８号参照）の
例８に記載のとおりにして得られる）５７を使用する以
外は９１Ａと同一にし、ここに波ンタエリスリトールト
リアリルエーテル０．３４ｆおよび１．１− （４−ア
シドスルホニルフェニル）−マレインイミド０．２５！
ｉ’を加える。
感度：非常に良好。
例 １１
ホトレジスト：
カルホキフル基にエステル状に結合した照射反応性基が
グリコールモノアリルエーテルから独占的に誘導された
基である。１１Ｊアミドエステルゾレポリマ−（これは
西ドイツ国慣許出願第Ｐ ３２２７ ’、）８・１号（
４！ｌ開昭５９− ：０９４８号参照）に記載のとおり
にして得られる）５７を使用する以外は例Ａと同一にし
、ここＶｃ滅ンタエリスリトールトリアリルエーテル１
．２８ｓ’およびＮ−（４−７） ｔ’スルホニルフェ
ニル）−マレインイミド０８２５りを加える。
グリコールモノアリルエーテルから独占的に誘導された
基である。１１Ｊアミドエステルゾレポリマ−（これは
西ドイツ国慣許出願第Ｐ ３２２７ ’、）８・１号（
４！ｌ開昭５９− ：０９４８号参照）に記載のとおり
にして得られる）５７を使用する以外は例Ａと同一にし
、ここＶｃ滅ンタエリスリトールトリアリルエーテル１
．２８ｓ’およびＮ−（４−７） ｔ’スルホニルフェ
ニル）−マレインイミド０８２５りを加える。
感度 非常に良好。
Claims (4)
- （１） エステル結合を経てカルボキシル基に結合して
いる照射反応性基を有する可溶性ポリアミドエステルプ
レポリマーを含有する高度に耐熱性の重合体よりなるレ
リーフ構造体を形成するだめのホトレジスト組成物であ
って、この組成物がさらに ａ）共単量体として、ビモル基またはアリル基（１個ま
たは２個以上）が官能性基を経て結合している共重合可
能な照射反応性のビニル化合物まだはアリル化合物の少
なくとも１種、および ｂ）光開始剤として、Ｎ−アジドスルホニルアリールマ
レインイミド型の化合物の少なくとも１種、を含有する
ことを特徴とするホトレジスト組成物。 - （２）共単量体中のビニル基またはアリル基（１個捷た
は２個以上）が酸素原子、硫黄原子才たは窒素原子、あ
るいはカルボニル基、カルボキシル基、８０基まだはＳ
０２基を経て結合している、特許請求の範囲第１項のホ
トレジスト組成物。 - （３）光開始剤として、Ｎ−（４−アジドスルホニルフ
ェニル）−マレインイミドが存在スル特許請求の範囲第
１項捷たは第２項のホトレジスト組成物。 - （４） ホトレジスト組成物を基板に塗布し、層を乾燥
させ、層を画像を介して照射し、次いで層の照射されて
いない部分を除去し、次いで必要に応じて、得られたレ
リーフ構造体を加熱することからなる高度に１ｌＵｊ熱
性の重合体よりなるレリーフ構造体を形成する方法であ
って、前記のホトレジスト組成物として、エステル結合
を経てカルボキシル基に結合している照射反応性基を有
する口］溶性Ｚ ＩＪアミドエステルプレポリマーを含
有する高度に耐熱性の１合体よりなるレリーフ構造体を
形成するだめのホトレジスト組成物であって、（ａ）共
単量体として、ビニル基またはアリル基（１個または２
個以上）が官能性基を経て結合している共重合可能な照
射反応性のビニル化合物またはアリル化合物の少なくと
も１棟、および（ｂ）光開始剤として、Ｎ−アジドスル
ホニルアリール−マレインイミド型の化合物の少なくと
も１種をさらに含有するホトレジスト組成物を使用する
ことを特徴とする前記レリーフ構造体の形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19833342851 DE3342851A1 (de) | 1983-11-26 | 1983-11-26 | Fotolacke |
| DE3342851.4 | 1983-11-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60133445A true JPS60133445A (ja) | 1985-07-16 |
| JPH0424694B2 JPH0424694B2 (ja) | 1992-04-27 |
Family
ID=6215357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59248284A Granted JPS60133445A (ja) | 1983-11-26 | 1984-11-26 | ホトレジスト組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0143380B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60133445A (ja) |
| KR (1) | KR910007246B1 (ja) |
| AT (1) | ATE40847T1 (ja) |
| DE (2) | DE3342851A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018146964A (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-20 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターン硬化物の製造方法、硬化物、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0188205B1 (de) * | 1985-01-15 | 1988-06-22 | Ciba-Geigy Ag | Polyamidester-Fotoresist-Formulierungen gesteigerter Empfindlichkeit |
| DE4328839C2 (de) * | 1993-08-27 | 1997-12-04 | Basf Lacke & Farben | N-(4-Azidosulfonylphenyl)-tetrahydrophthalimid sowie die Verwendung von N-(4-Azidosulfonylphenyl)-phthalimid und/oder N-(Azidosulfonylphenyl)-tetrahydrophthalimid |
| JP3425311B2 (ja) * | 1996-03-04 | 2003-07-14 | 株式会社東芝 | ネガ型感光性ポリマー樹脂組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品 |
| US9562114B2 (en) | 2013-11-07 | 2017-02-07 | Akzo Nobel Chemicals International B.V. | Cyclic carbonate azide |
| EP3066151A1 (en) | 2013-11-07 | 2016-09-14 | Akzo Nobel Chemicals International B.V. | Process for modifying ethylene-based polymers and copolymers |
| ES2660495T3 (es) | 2013-11-07 | 2018-03-22 | Akzo Nobel Chemicals International B.V. | Proceso para modificar polímeros |
| KR20170134719A (ko) | 2015-04-24 | 2017-12-06 | 아크조 노벨 케미칼즈 인터내셔널 비.브이. | 중합체의 관능화 방법 |
| MX2017013392A (es) | 2015-04-24 | 2018-01-30 | Akzo Nobel Chemicals Int Bv | Proceso para modificar polimeros. |
Citations (4)
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| JPS5489802A (en) * | 1977-12-27 | 1979-07-17 | Toray Industries | Polyamide type photosensitive resin composition for printing plate |
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| US4329556A (en) * | 1979-05-16 | 1982-05-11 | Siemens Aktiengesellschaft | N-Azidosulfonylaryl-maleinimides |
| JPS5776017A (en) * | 1980-09-03 | 1982-05-12 | Du Pont | Polymeric heat resistance photopolymerizing composition |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2919841A1 (de) * | 1979-05-16 | 1980-11-20 | Siemens Ag | Verfahren zur phototechnischen herstellung von reliefstrukturen |
| DE3233912A1 (de) * | 1982-09-13 | 1984-03-15 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Fotolacke zur ausbildung von reliefstrukturen aus hochwaermebestaendigen polymeren |
-
1983
- 1983-11-26 DE DE19833342851 patent/DE3342851A1/de not_active Ceased
-
1984
- 1984-11-10 EP EP84113573A patent/EP0143380B1/de not_active Expired
- 1984-11-10 AT AT84113573T patent/ATE40847T1/de not_active IP Right Cessation
- 1984-11-10 DE DE8484113573T patent/DE3476779D1/de not_active Expired
- 1984-11-26 KR KR1019840007391A patent/KR910007246B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-11-26 JP JP59248284A patent/JPS60133445A/ja active Granted
Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5489802A (en) * | 1977-12-27 | 1979-07-17 | Toray Industries | Polyamide type photosensitive resin composition for printing plate |
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| JPS5732441A (en) * | 1980-08-06 | 1982-02-22 | Unitika Ltd | Photosensitive resin composition |
| JPS5776017A (en) * | 1980-09-03 | 1982-05-12 | Du Pont | Polymeric heat resistance photopolymerizing composition |
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| JP2018146964A (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-20 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、パターン硬化物の製造方法、硬化物、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0143380A2 (de) | 1985-06-05 |
| KR910007246B1 (ko) | 1991-09-24 |
| DE3342851A1 (de) | 1985-06-05 |
| KR850003992A (ko) | 1985-06-29 |
| JPH0424694B2 (ja) | 1992-04-27 |
| ATE40847T1 (de) | 1989-03-15 |
| DE3476779D1 (en) | 1989-03-23 |
| EP0143380B1 (de) | 1989-02-15 |
| EP0143380A3 (en) | 1986-07-16 |
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