JPS60128264A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPS60128264A JPS60128264A JP23551983A JP23551983A JPS60128264A JP S60128264 A JPS60128264 A JP S60128264A JP 23551983 A JP23551983 A JP 23551983A JP 23551983 A JP23551983 A JP 23551983A JP S60128264 A JPS60128264 A JP S60128264A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- substrate
- thin film
- irradiated
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は化合物分子の光解離を利用した薄膜形成方法に
関する〇 従来、光利用の薄膜形成方法として、堆積させる原子を
含む化合物の分子に基板をさらし、その分子の光解離を
生せしめる波長の光を基板に照射して、その基板上の光
の照射部分にその原子を含む堆積膜を生せしめる方法が
知られている。
関する〇 従来、光利用の薄膜形成方法として、堆積させる原子を
含む化合物の分子に基板をさらし、その分子の光解離を
生せしめる波長の光を基板に照射して、その基板上の光
の照射部分にその原子を含む堆積膜を生せしめる方法が
知られている。
その際、堆積速度や、堆積の局在性の向上のために光源
としてレーザを用いることが多くなってきた。しかしこ
の場合、一般に堆積膜に不純物を混することが多く、膜
質の点で問題となっている。
としてレーザを用いることが多くなってきた。しかしこ
の場合、一般に堆積膜に不純物を混することが多く、膜
質の点で問題となっている。
例えば、有機金属化合物気体から金属を析出、堆積させ
る場合、堆積膜の組成分析からは炭素（Ｃ）や酸素（０
）がかなシの濃度で検出され、堆積金属膜の物理的特性
あるいは化学的特性が純金属膜により期待される特性か
らはほど遠い場合が少くない。
る場合、堆積膜の組成分析からは炭素（Ｃ）や酸素（０
）がかなシの濃度で検出され、堆積金属膜の物理的特性
あるいは化学的特性が純金属膜により期待される特性か
らはほど遠い場合が少くない。
具体的にはＬＳＩの配線や電極用の金属として重要なモ
リブデン（ＭＯ）’ｅ堆積させる場合、カルボニル化合
物であるＭｏ（Ｃｏ）６の蒸気を前記の化合物として用
い、光源としてはＡ、ｒレーザの第２高調波やエキシマ
−レーザのごとき紫外光レーザを照射して、光解離を生
せしめる方法が知られているが、多い場合には１０％を
越える不純物が堆積膜中に検出されることがある。この
原因としては、大別して、化合物ガス中の不純物ガスが
堆積膜に混入するケース、基板に吸着していた不純物が
混入するケース、化合物の光解離の際に一旦金属原子か
ら離脱した原子団が再び吸着によって、ないしは化合物
として堆積膜に混入するケース、０３つの場合がある。
リブデン（ＭＯ）’ｅ堆積させる場合、カルボニル化合
物であるＭｏ（Ｃｏ）６の蒸気を前記の化合物として用
い、光源としてはＡ、ｒレーザの第２高調波やエキシマ
−レーザのごとき紫外光レーザを照射して、光解離を生
せしめる方法が知られているが、多い場合には１０％を
越える不純物が堆積膜中に検出されることがある。この
原因としては、大別して、化合物ガス中の不純物ガスが
堆積膜に混入するケース、基板に吸着していた不純物が
混入するケース、化合物の光解離の際に一旦金属原子か
ら離脱した原子団が再び吸着によって、ないしは化合物
として堆積膜に混入するケース、０３つの場合がある。
このうち前の２つのケースについては、それぞれ、原料
ガスの高純度化と、基板洗浄により対処することができ
るが、第３のケースについては、従来有効な対策が打た
れないでいたうえ、不純物混入の有力な原因とし、て推
定されている。
ガスの高純度化と、基板洗浄により対処することができ
るが、第３のケースについては、従来有効な対策が打た
れないでいたうえ、不純物混入の有力な原因とし、て推
定されている。
本発明の目的は、この第３の原因を除去して、純度の高
い堆積膜を得ることにある。
い堆積膜を得ることにある。
本発明は、化合物の気体にさらされた基板上に、前記化
、金物全光解離せしめる波長の第１の光を照射し、前記
基板上の前記光の照射部分に前記光解離による堆積膜を
形成する薄膜形成方法において、前記化合物から前記光
解離によ部分離し、かつ前記堆積膜への堆積には寄与せ
しめない原子団が吸収する第２の光を、前記第１の光と
同時に前記照射部分に照射することを特徴としている。
、金物全光解離せしめる波長の第１の光を照射し、前記
基板上の前記光の照射部分に前記光解離による堆積膜を
形成する薄膜形成方法において、前記化合物から前記光
解離によ部分離し、かつ前記堆積膜への堆積には寄与せ
しめない原子団が吸収する第２の光を、前記第１の光と
同時に前記照射部分に照射することを特徴としている。
以下図面を用いて、本発明による薄膜形成方法を具体的
に説明する〇 図は、本発明に基づく薄膜堆積装置の一実施例の概念図
である。基板］が堆積室２の中に装着されている。堆積
用の光は堆積室２の窓を兼ねるレンズ３全通して基板ｌ
ｌ上に集光される。原料ガス供給系１１からコック１２
を通してＭｏ（Ｃｏ）ｓガスと、 ＡｒやＨｅのごとき
稀ガスであるバッファーガスとが供給される。このとき
堆積室２の排気に供されるコック１３が而いた、いわゆ
るフローの状態で動作させても良いし、閉じた刺じ切シ
の状態でも良い。次いでＮｏ（ＣＯ）６０光解敵用の第
１の光源４であるＡｒレーザの第２高調波発生装置から
の紫外光を基板に照射すると、基板上に局所的なＭｏの
薄膜５〃凡形成される。このとき本発明ではさらに、合
波器６を介して別の第２の光源７からの光も同時に基板
１上の堆積部分を照射するこの場合、Ｍｏ（ＣＯ）ｅＦ
ｉ光解離によｐ ＭｏとＣＯガスに分解するので、第２
の光源７としては、００分子の吸収する波長の光を放射
するもの、具体的には波長する、波長４．７μｍ付近の
波長可変光臨を用いる〇具体的には、波長１．０６μｍ
のＹＡＧレーザ光を基本波としたＬｉＮｂＯ５結晶によ
るパラメトリック発振器、もしくは、２波長発振アレキ
サンドライトレーザや２波長発振色累レーザや色素レー
ザ光とその励起光等の２波長光源とＬｉＮｂＯ３等を組
み合わせた差周波発生器が用いうる〇 又、Ｍｏ堆積用の別の化合物であるビスベンゼンモリブ
デンＭｏ（ＣａＨａ）ｔ ｋ用いる場合、第２の光源７
としては、ベンゼンＣ，Ｈ，の吸収する波長３．２６μ
ｍ、６．７５μｍ、９．６４μｍ等の光を出射する同様
の光源を用いれば良い〇 以上、本発明によって第２の光を同時に照射することに
よシ、不要の分子等の運動が活発になシ、この不要の分
子等が堆積領域からすみやかに離脱するため、得られた
局所的な金属のＮ膜５の中の不純物が大幅に下がシ、膜
質の改善は顕著でありｒ ０ なお、第２の光は多くの場合基板１や堆積した薄膜５に
も吸収されるので、全９強い照度で照射すると熱効果に
より堆積面積の拡大をもたらし微細パターンの形成がで
きなくなるＯそこで適当な照度で照射することが大切で
ある０ 以上、本発明による薄膜形成法を適用した一実施例を説
明したが、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、いくつか
の変形が可能なことは言うまでもないＯ 例えば、第２の光は、第１の光源４からの光と同軸上に
配置する必要はなく、基板１の上の薄膜５の部分を同時
に照射すれば良い。また基板１の吸収がなければ一方、
もしくけ両方の光を基板１を逆して裏側から照射しても
良い０ また、本実施例では金属堆積を例にとって説明したが、
本発明は半導体や誘電体の堆積にも適用可能なことは言
うまでもない。
に説明する〇 図は、本発明に基づく薄膜堆積装置の一実施例の概念図
である。基板］が堆積室２の中に装着されている。堆積
用の光は堆積室２の窓を兼ねるレンズ３全通して基板ｌ
ｌ上に集光される。原料ガス供給系１１からコック１２
を通してＭｏ（Ｃｏ）ｓガスと、 ＡｒやＨｅのごとき
稀ガスであるバッファーガスとが供給される。このとき
堆積室２の排気に供されるコック１３が而いた、いわゆ
るフローの状態で動作させても良いし、閉じた刺じ切シ
の状態でも良い。次いでＮｏ（ＣＯ）６０光解敵用の第
１の光源４であるＡｒレーザの第２高調波発生装置から
の紫外光を基板に照射すると、基板上に局所的なＭｏの
薄膜５〃凡形成される。このとき本発明ではさらに、合
波器６を介して別の第２の光源７からの光も同時に基板
１上の堆積部分を照射するこの場合、Ｍｏ（ＣＯ）ｅＦ
ｉ光解離によｐ ＭｏとＣＯガスに分解するので、第２
の光源７としては、００分子の吸収する波長の光を放射
するもの、具体的には波長する、波長４．７μｍ付近の
波長可変光臨を用いる〇具体的には、波長１．０６μｍ
のＹＡＧレーザ光を基本波としたＬｉＮｂＯ５結晶によ
るパラメトリック発振器、もしくは、２波長発振アレキ
サンドライトレーザや２波長発振色累レーザや色素レー
ザ光とその励起光等の２波長光源とＬｉＮｂＯ３等を組
み合わせた差周波発生器が用いうる〇 又、Ｍｏ堆積用の別の化合物であるビスベンゼンモリブ
デンＭｏ（ＣａＨａ）ｔ ｋ用いる場合、第２の光源７
としては、ベンゼンＣ，Ｈ，の吸収する波長３．２６μ
ｍ、６．７５μｍ、９．６４μｍ等の光を出射する同様
の光源を用いれば良い〇 以上、本発明によって第２の光を同時に照射することに
よシ、不要の分子等の運動が活発になシ、この不要の分
子等が堆積領域からすみやかに離脱するため、得られた
局所的な金属のＮ膜５の中の不純物が大幅に下がシ、膜
質の改善は顕著でありｒ ０ なお、第２の光は多くの場合基板１や堆積した薄膜５に
も吸収されるので、全９強い照度で照射すると熱効果に
より堆積面積の拡大をもたらし微細パターンの形成がで
きなくなるＯそこで適当な照度で照射することが大切で
ある０ 以上、本発明による薄膜形成法を適用した一実施例を説
明したが、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、いくつか
の変形が可能なことは言うまでもないＯ 例えば、第２の光は、第１の光源４からの光と同軸上に
配置する必要はなく、基板１の上の薄膜５の部分を同時
に照射すれば良い。また基板１の吸収がなければ一方、
もしくけ両方の光を基板１を逆して裏側から照射しても
良い０ また、本実施例では金属堆積を例にとって説明したが、
本発明は半導体や誘電体の堆積にも適用可能なことは言
うまでもない。
図線本発明に基づく薄膜形成装置の一実施例の概念図で
あり、各構成要素は、 ｌ・・・基板、２・・・堆積室、３・・・レンズ、４・
・・第１の光源、訃・・薄膜、６・・・合波器、７・・
・８１．５２の光源、１１・・・原料ガス供給系、１２
・・・コック、Ｉ３・・・排気に供されるコック、 である。
あり、各構成要素は、 ｌ・・・基板、２・・・堆積室、３・・・レンズ、４・
・・第１の光源、訃・・薄膜、６・・・合波器、７・・
・８１．５２の光源、１１・・・原料ガス供給系、１２
・・・コック、Ｉ３・・・排気に供されるコック、 である。
Claims (1)
- 化合物の気体にさらされた基板上に、前記化合物を光解
離せしめる波長の第１の光を照射し、前記基板上の前記
光の照射部分に前記光解離による堆積膜を形成する薄膜
形成方法において、前記化合物から前記光解離により分
離し、かつ前記堆積膜への堆積には寄与せしめない原子
団が吸収する第２の光を、前記第１の光と同時に前記照
射部分に照射すること’ｔ％徴とする薄膜形成方法〇
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23551983A JPS60128264A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23551983A JPS60128264A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60128264A true JPS60128264A (ja) | 1985-07-09 |
Family
ID=16987177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23551983A Pending JPS60128264A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60128264A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990007390A1 (en) * | 1988-12-27 | 1990-07-12 | Symetrix Corporation | Methods and apparatus for material deposition |
| US5138520A (en) * | 1988-12-27 | 1992-08-11 | Symetrix Corporation | Methods and apparatus for material deposition |
| US5223039A (en) * | 1991-04-02 | 1993-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Illuminating apparatus and photo-excited process apparatus using same |
| US5614252A (en) * | 1988-12-27 | 1997-03-25 | Symetrix Corporation | Method of fabricating barium strontium titanate |
| US5962085A (en) * | 1991-02-25 | 1999-10-05 | Symetrix Corporation | Misted precursor deposition apparatus and method with improved mist and mist flow |
| US5965219A (en) * | 1988-12-27 | 1999-10-12 | Symetrix Corporation | Misted deposition method with applied UV radiation |
-
1983
- 1983-12-14 JP JP23551983A patent/JPS60128264A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990007390A1 (en) * | 1988-12-27 | 1990-07-12 | Symetrix Corporation | Methods and apparatus for material deposition |
| US5138520A (en) * | 1988-12-27 | 1992-08-11 | Symetrix Corporation | Methods and apparatus for material deposition |
| US5614252A (en) * | 1988-12-27 | 1997-03-25 | Symetrix Corporation | Method of fabricating barium strontium titanate |
| US5965219A (en) * | 1988-12-27 | 1999-10-12 | Symetrix Corporation | Misted deposition method with applied UV radiation |
| US5962085A (en) * | 1991-02-25 | 1999-10-05 | Symetrix Corporation | Misted precursor deposition apparatus and method with improved mist and mist flow |
| US5223039A (en) * | 1991-04-02 | 1993-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Illuminating apparatus and photo-excited process apparatus using same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61231716A (ja) | 成膜装置 | |
| JPS60206445A (ja) | 光化学気相成長方法 | |
| JPS6218035A (ja) | エツチング方法 | |
| Donnelly et al. | Excimer laser induced deposition of InP and indium‐oxide films | |
| JPS60128264A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| Bu et al. | Nitridation of GaAs single crystal surfaces using hydrazoic acid and 308 nm photon beams | |
| JP2003142469A (ja) | シリコンをラジカル酸化する方法および装置 | |
| JPH0351675B2 (ja) | ||
| Crozet et al. | The A2E–X2A1 system of CaOCH3 | |
| JPS595621A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| Larciprete | Photoprocesses in organometallics | |
| JPS63288993A (ja) | ダイヤモンドの気相合成法 | |
| RU1793335C (ru) | Способ исследовани взаимодействи атомарного кислорода с поверхностью материала | |
| JP2789922B2 (ja) | Ｃｖｄ法による金膜の形成方法 | |
| JP2841694B2 (ja) | 光ｃｖｄ方法 | |
| JPS6365077A (ja) | レ−ザｃｖｄ装置 | |
| JPS5961919A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| JP2840419B2 (ja) | 光処理法及び光処理装置 | |
| JPH02298272A (ja) | 酸化物薄膜の製造方法及び製造装置 | |
| JP3024712B2 (ja) | Ａｌ−Ｏ−Ｎ系コンポジット材料ならびにその合成方法 | |
| JPH03166376A (ja) | レーザｃｖｄ法 | |
| JPS63112497A (ja) | ダイヤモンドの光化学的合成方法 | |
| JPS6118122A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2522050B2 (ja) | 原子層ドライエッチング方法 | |
| JPS6345377A (ja) | 成膜装置 |