JPS60124833A - 多層回路パターン検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、ＬＳＩウェハの回路パターンの外観を検査す
るＬＳＩウェハ外観検査装置に係り、特に外観検査の自
動化を志向したＬＳＩウニ・・外観検査装置に関するも
のである。

〔発明の背景〕

まず、ＬＳＩウェハを図面を使用して説明する。

第１図は、ＬＳＩウェハの一例を示す平面図、第２図は
、第１図におけるチップの詳細を示す拡大斜視図である
。

ＬＳＩウェハ１は、第１図に示すように、直径３１ｎｃ
ｈから５１ｎｃｈ　、或いは８１ｎｃｈ程度の大きさで
、厚さ０．５　ｔａｎ程度のシリコン単結晶の薄板の表
面に、チップ２と呼ばれる多数の素子が形成されている
。１枚のＬＳＩウェハ１上のチップ２では、すべて同一
の回路パターンを有しているので、チップ２内の回路パ
ターンを検査するためには、近接した２つのチップ２内
の同一箇所２ａ。

２　ａ　／を顕微鏡で拡大し、これらの画像を比較し不
一致部分を欠陥と判定することができる。

まだ、ホトマスクを設計するときに用いた回路パターン
のデータと前記チップ２の回路パターンとを比較し、不
一致部分を欠陥と判定する方法もある。

ＬＳＩウェハ１のチップ２に係るダイナミックＲ，ＡＭ
は、第２図に示すように、複雑な３次元構造を呈してい
る。すなわち、このチップ２は、データ線１０がＡｔ、
ワード線９が多結晶シリコンで形成され、同じく多結晶
シリコンの電極８とＰ基板６の反転層領域から成る記憶
領域とが、データ線１０の真下でデータ線方向にレイア
ウトされているものである。なお、ワード線９とデータ
線１０との間には絶縁膜が形成されている。

このような多種類の、・−から成るＬＳＩウエノ・１の
チップ２の各層の検査を行なうためには、このＬＳＩウ
ェハの製造途中において、そのチップ２の表面へ光を照
射し、この光の散乱光を光電変換器などの手段によって
検出し、との光電変換器出力に基づいて欠陥を判定して
いる。従来から行なわれている、その照明手段としては
、明視野照明。

暗視野照明、！、た微分干渉方式などがある。

第３，４図は、従来のＬＳＩウェハ外観検査装置を説明
するだめのものであり、第３図は、明視野照明方式のも
のを示す略示図、第４図は、暗視野照明方式のものを示
す略示図、第５図は、第４図に係るＬＳＩウェハ外法検
査装置の欠点を説明するだめの、製造途中のＬＳＩウェ
ハを示す詳細断面図である。

第３図に係るものは、ＬＳＩウェハ１上の一点を、上方
からランプ１１．ハーフミラ−１２，対物レンズ１３に
より明視野照明光で照射する明視野照明方式のものであ
り、ＬＳＩウェハ１の表面全対物レンズ１３．ハーフミ
ラ−１２，および接眼レンズ１４により観察し、これと
ホトマスクを設計するときに用いた回路パターンのデー
タ（以下、これを設計データという）とを比較して欠陥
があるかどうかを調べる。この方法では、回路パターン
のエツジ、断差が暗く観察される。しかし、Ｌ　Ｓ　Ｉ
ウェハ１の製造工程において、ＬＳＩウェハが完成品に
近づく程、とのウェハ上に種々の層が形成されるだめ、
エツジ、断差が多くなり、複雑な３次元構造となるので
、明視野照明で観測される顕微鏡像もまた非常に複雑な
ものとなる。これは丁度ホトマスクを何枚も重ね合せた
ものを検査することに相当し、検査すべきパターンの密
度が高くなるので、最上層の回路パターンの欠陥のみを
検査することがむずかしく、検査速度が遅くなるのみな
らず、検査の精度が悪くなり、信頼性が低下するという
欠点があった。

一方、第４図に係るものは、ＬＳＩウェハ１上Ｓ。

の一点を周囲から肘明する暗視野照明方式のものであシ
、ランプ１５からの光を放物凹面鏡１６ａ。

１６ｂによりＬＳＩウェハ１上の一点に集光する。

この方法では、全ての回路パターンのエツジ、断差が明
るく観察され、製造過程の最上層の回路パターンの急峻
なエツジ、断差が特に明るく観察され、プロセスのモニ
タリングとしての外観検査に適した方法である。しかし
、第５図に示すように、たとえばワード線９の検査時に
、その下層に存在するエツジ２０．２１も明るく観察さ
れ、ワード線９の回路パターンエツジだけを顕在化でき
ないため、下地のエツジ、断差をワード線９の欠陥と見
誤まることがあるという欠点があった。

まだ、微分干渉方式では、ＬＳＩウェハの表面上の凹凸
を干渉色の差として観察するものであり、対象とするワ
ード線などの薄膜の微妙な厚さの変化により色が多様に
変化するだめ、実用化できていないのが現状である。

以上説明したように、従来技術では、ＬＳＩウェハの製
造過程の最上層の回路パターンだけを顕在化できず、こ
の最上層の回路パターンだけでなく下地のエツジが光っ
てよ察される複雑な検出像しか得られないだめ各層の欠
陥を適確に検出することがむずかしく、検査速度が遅い
のみならず、検査の信頼性が低かった。また、前記欠陥
を自動的に検査することもできなかった。

〔発明の目的〕

本発明は、上記した従来技術の欠点を除去して、ＬＳＩ
ウニノ・の最上層の回路パターンのみを顕在化し、これ
を自動的に検査することができるＬＳＩウニ・・外波、
凍査装置の援兵を、その目的とするものである。

し発明の概要〕 本発明に係るＬＳＩウニ・・外」検査装置の構成は、Ｌ
ＳＩウニノーの表面上の一点へこの横向の法線に対して
約８０度以上の入射角で周囲から一様に光を照射するこ
とができる照明装置と、前記光を照射したとき前記表面
の回路ノζターンから生ずる散乱光を検出する光電変換
器と、この光電変換器で検出した画像と設計データとを
比較して不一致個所を欠陥として判定することができる
比較器とを具備せしめるようにしたものである。

さらに詳しくは次の通りである。

ＬＳＩウニ・・の表面上の一点へ、周囲から一様に光を
照射し、被検査面に係る前記表面に対して垂直上方に配
設された光電変換器で散乱光を検出するが、前記光の入
射角を９０度に近い角度とすることにより、前記ＬＳＩ
ウニノ・の最上層と下層との回路パターンエツジからの
散乱光強度に差異を設けることにより、前記最上層の回
路パターンを下層の回路パターンからの影響を受けるこ
となく顕在化し、前記最上層の欠陥を自動的に検査する
ことができるようにしだものである。なお、光としては
、ランプから出だ光のほか、Ｓ偏光レーザ、あるいはラ
ンプから出だ光をある特定の偏光成分を選択的に分離し
たＳ偏光を使用するようにしてもよい。

〔発明の実施例〕

実施例の説明に入るまえに、本発明に係る基本的事項を
説明する。

ＬＳＩウェハの表面を暗視野照明で照射し、そのＬＳＩ
ウェハの上方に配設した光電変換器によって、前記照明
を照射したときの散乱光を検出したとき、この光電変換
器出力が前記表面の濃淡を表わす。この光電変換器出力
を縦軸に、前記ＬＳＩウニ・・に沿っての位置を横軸に
とると、光電変換器出力は、そのＬＳＩウェハのエツジ
の部分で大きな値をとる。

このことを、製造途中のＬＳＩウニノ・について、図面
を使用して説明する。

第６図〜第１１図は、本発明に係る基本的事項を説明す
るだめのものであり、第６図は、Ｐ基板上に電極を形成
した製造途中のＬＳＩウニノ１に、暗視野照明を照射し
たときの光電変換器出力図、第・７図は、第６図に係る
ＬＳＩウェハ上にさらにワード線を形成したものに、暗
視野照明を照射したときの光電変換器出力図、第８図は
、第７図に係るＬＳＩウェハへ入射角θの暗視野照明を
照射している状態を示す断面図、第９図は、第８図にお
ける入射角θ−８５°のときの光電変換器出力図、第１
０図は、第８図における入射角と光電変換器出力との関
係を示す入射角−光電変換器出力線図、第１１図は、第
８図における入射角と弁別比との関係を示す弁別比線図
である。

第６図に係る製造途中のＬＳＩウェハを暗視野（９） 照明で照射したときの光電変換器出力は、ＬＳＩウェハ
上のエツジ２０．２１の部分で大きな値をとる。すなわ
ち、エツジ２０．２１が暗視野照明によって明るく光っ
て観察される。次に、この後の工程で、前記ＬＳＩウェ
ハ上にさらにワード線９の薄膜が形成された第７図に係
るＬＳＩウェハを、同じく暗視野照明により照射したと
きの光電変換器出力は、第６図と同様にＬＳＩウェハ上
の最上層のエツジの部分で大きな値をとる。しかし、最
上層のエツジ以外に下地に存在するエツジ２０゜２１で
も光電変換器出力は大きな値をとっている。

この光電変換器出力は、上地２２からの反射光と下地２
３からの反射光の両方によるものである。

本発明者等の研究によれば、第８．１０図に示すように
、暗視野照明の入射角θを０度から９０度まで変えてい
くと、光電変換器出力は上地２２のエツジからの反射に
よるものｖ２□が単調に増加し、下地２３のエツジから
の反射によるものＶ２３が減少する。そして、入射角θ
が９０度に近い方が、すなわち水平方向から照明した方
が最上層の（１０） 回路パターンのエツジだけをよく検出でき、下地の凹凸
の影響を低減できることがわかった。

第９図は、その−例を示すもので、入射角θ−８５°の
ときの光電変換器出力を示している。

暗視野照明の入射角θに対する上地２２のエツジと下地
２３のエツジの弁別比ｖ２２／、ｖ２３はへ第１１図に
示すようになり、弁別比１以上を得るためには入射角θ
は８０度程度以上が必要であり、まだ不可欠である。

この基本的事項に基づいてさらに研究を行々つたところ
、照明手段として、暗視野照明を使用したものに限らず
、たとえば、Ｓ偏光レーザとレンズからなる複数組のＳ
偏光レーザ装置を被検査面の周囲に配設して前記被検査
面上の一点に集光するようにしだものでも、入射角８０
度程度以上の角度で、前記被検査面を周囲から一様に照
射してやることにより、前記した第１１図に係る入射角
と弁別比との関係が成立つことがわかった。

本発明は、上記した解明に基づいてなされたものである
。以下、本発明を実施例によって説明す（１１） る。

第１２図は、本発明の一実施例に係るＬＳＩウェハ外観
検査装置（ただし照明装置を除く）を示す略示斜視図、
第１３図は、第１２図に係るＬＳＩウェハ外観検査装置
の照明装置を示す斜射図、第１４図は、照明としてＳ偏
光、Ｐ偏光を使用したときの、入射角と反射率との関係
を示す入射角−反射率線図である。

第１２図において、７は、その上に被検査物であるＬＳ
Ｉウニ・・１を載置し、ＸＹ駆動装置（図示せず）によ
ってＸ、Ｙ方向へ駆動走査されるＸＹテーブル、１７は
、照明装置１９（第１３図を使用して後述する）によっ
てＬＳＩウニ・・１上の一点へＳ偏光レーザを照射した
とき、そのＬＳＩウニ、・１の最上層の回路パターンか
らの散乱光を対物レンズ１３を介して検出する光電変換
器、４は、この光電変換器１７で検出した光電変換器出
力に係る画像と、メモリ３に記憶させである設計データ
とを比較して両者の不一致個所を欠陥として判定するこ
とができる比較器、５は、この比較（１２） 器４からの欠陥に係る信号を入力する欠陥座標テーブル
である。

第１３図を咬用して照明装置１９を説明すると、２４は
、Ｓ偏光レーザ（Ｓ１扁光を使用する理由は後述する）
とレンズ（Ｓ偏光レーザを小さなスポットとしてＬＳＩ
ウェハ１上に集光するだめのレンズ）とを組合せてなる
Ｓ偏光レーザ装置であり、当該照明装置１９は、このＳ
偏光レーザ装置２４を、Ｓ偏光レーザがＬＳＩウェハ１
の法線に対して入射角８０度で入射し、一点に集光する
ことができるように、ＬＳ■ウエノ飄１の周囲に４組配
設してなるものである。

ＳＵｔ＋＋光を照明として用いた理由を、次の第１４図
を・１史用して説明する。

薄膜（たとえば、データ線９）の屈折率を１．５とし、
暗視野照明で、Ｓ偏光、あるいはＰ偏光のみを照射する
場合を考える。これらを入射角θで照射すると、Ｓ偏光
、Ｐ偏光それぞれの反射率は第１４図のようになる。す
なわち、Ｓ偏光のみで、屈折率１．５の薄膜が形成され
たＬＳＩウェハを照（１３） 射した場合、その薄膜の表面でＳ偏光は反射されやすく
、たとえば入射角θが８０度の場合には反射率Ｒｓ　＝
　６０％となり、６０％が反射され、残りの４０％が薄
膜に入り込む。一方、Ｐ偏光のみを照射した場合、入射
角θが８０度の場合には反射率Ｒｐ　＝　３０％となり
、３０％が薄膜の表面で反射され、残りの７０％が薄膜
に入り込む。したがって、データ線９が、第８図に示す
電極８の回路パターンを下層に持つとき、Ｐ偏光の場合
にはデータ線９を透過しやすいので、照明光が下地２３
にまで達する割合が多くなる。下地２３にまで達したＰ
偏光の照明光は、この下地２３のエツジにいろいろな入
射角で入射するため、反射する光も生じる。そのため、
Ｐ偏光でＬＳＩウェハを照明した場合、下地のエツジが
目立つことになる。

一方、Ｓ偏光を上記の入射角で用いた場合には、最上層
の回路パターンのエツジで反射が起こり、データ線９を
透過する割合が少ないので、電極８０回路パターンのエ
ツジでの反射強度が小さくなる。このように、Ｓ偏光を
入射角８０度以上で用（１４） いると、ＬＳＩウェハの最上層の回路パターンのエツジ
だけが明るく観察できることになる。このようにＳ　偏
光（Ｓ偏光レーザについても同様）を利用すれば、ＬＳ
Ｉウェハの最上層の回路パターンだけを、下地の影響を
受け寿いでコントラスト良く抽出することが可能となる
ので、Ｓ偏光を使用するようにしだ。

このように構成したＬＳＩウニ・・外観検査装置の動作
を説明する。

ＸＹテーブル７上に被検査物であるＬＳＩウェハ１を載
置する。メモリ３に、検査すべき表面層の設計データを
記憶させる。

ここでＬＳＩウェハ外覗検査装置をＯＮにすると、照明
装置１９によってＬＳＩウニ・・１上にＳ偏光レーザを
照射しながら、ＸＹテーブル７を前記ＸＹ駆動装置によ
って駆動走査する。ＬＳＩウニ・・１０表面層の回路パ
ターンからの散乱光は対物レンズ１３を介して光電変換
器１７へ入力され、その光電変換器出力とメモリ３に記
憶されている設計データとが比較器４で比較されて欠陥
が判定（１５） される。そして欠陥に係る信号が逐次、欠陥座標テーブ
ル５へ入力され、ＬＳＩウニノー１の全面について走査
を終了したとき、ＬＳＩウニ・・外観検査装置がＯＦＦ
になる。

このようにしてＬＳＩウエノ・１の欠陥が自動的に検査
され、欠陥座標テーブル５に記憶される。

本実施例装置による検査結果の一例を、図面を使用して
説明する。

第１５図は、被検査回路パターンの一例を示す要部平面
図、第１６図は、第１２図に係るＬＳＩウェハ外覗検査
装置によって検出した、第１５図に係る被慎査回路パタ
ーンの像を示す要部平面図である。

従来の明視野照明、暗視野照明で検査した場合には、第
１５図（Ｃ）に示すようになり、下層にあ実施例装置を
用いると、第１６図に示すように、最上層の回路パター
ンだけを抽出することができ、微小な欠陥も検出でき、
まだ検査の高速化が図れ（１６） る。

以上説明した実施例によれば、ＬＳＩウニ・・１の全工
程に亘って最上層の回路パターンだけを、下地のエツジ
などの影響を受けないで顕在化できるので、ＬＳＩウニ
・・１の全ての層の回路パターンの外観検査を自動的に
行なうことができる。したがって、従来目視で行われて
いたことによる検査時間を大幅に短縮することができる
のみならず、長時間作業による疲労のだめの検査不良を
防止することが出来るという効果がある。加うるに、Ｓ
偏光レーザを使用するようにしだので、反射率が大きく
、且つ集光性がよいという利点もある。

なお、本実施例においては、Ｓ偏光レーザ装置２４を４
組設置するようにしだが、ＬＳＩウェハ１の回路パター
ンがいろいろな方向性と曲率を持つ場合には、８組すな
わち８方向或いはそれ以上の８偏光レーザ装置２４を用
意すれば、あらゆる方向の回路パターンを顕在化できる
ので、検査の信頼性がさらに向上する。

第１７図は、第１２図に係るＬＳＩウェハ外観（１７） 検査装置の照明装置の他の例を示す略示平面図である。

この第１７図において、２４Ａは偏光レーザ、２４Ｂは
、この偏光レーザ２４Ａから発射された偏光レーザ光を
拡大するビームエキスパンダ、。

２４Ｃは集光レンズである。

このように構成した照明装置１９Ａを使用することによ
り、小さ々レーザスポットを作ることができるため、検
出される画像が明るく、また大きな角度２５にできるた
め、少数の偏光レーザをＬＳＩウェハ１の周りに配置す
るだけであらゆる方向の回路パターンを顕在化できると
いう利点がある。

第１８図は、第１２図に係るＬＳＩウニ・・外観検査装
置の照明装置のさらに他の例を示す略示図、第１９図は
、第１８図における偏光板の詳細を示す平面図である。

この第１８図において、前記第４図と同一番号を付した
ものは同一部分である。そして１６Ｂは、ランプ１５か
ら拡散した光を放物凹面鏡１６ａに（１８） よって平行光としたものを、ＬＳＩウェハ１の表面上の
一点へこの表面の法線に対して８０度の入射角で照射さ
せるだめの放物凹面鏡である。２６は、半径方向の偏光
成分を遮断し、はぼ円周方向Ｃ（第１９図参照）の偏光
成分、すなわちＳ偏光のみを通過させる機能をもつ偏光
板（詳細後述）で、この偏光板２６は、ランプ１５と放
物凹面鏡１６ａ、１６Ｂとからなる暗視野照明装置に、
ＬＳＩウニ・・１と平行になるようにして挿入されてい
る。１８ａ、１８Ｃは、ＬＳＩウェハ１からの散乱光を
光電変換器１７へ導くだめの・・−フミラーである。前
記した偏光板２６は、はぼ円周方向Ｃの偏光成分を通過
させる機能をもった扇形偏光板２６ａをつなぎ合わせて
、ドーナツ形状の偏光板にしたものであり、このように
して製作することにより一枚板の偏光板よりも低価格で
偏光板を作ることができる。

このように構成した照明装置１９Ｂを使用することによ
り、ランプ１５からの光は、放物凹面鏡１６ａ、１６Ｂ
によりＬＳＩウェハ１上の一点に（１９） 集光する。放物凹面鏡１６ａでリング状の平行光にされ
た光は、Ｓ偏光とＰ偏光の両方を含んでいるが、挿入し
た偏光板２６により円周方向の偏光成分だけが通過し、
放物凹面鏡１６ＢでＬＳＩウェハ１上に集光されると、
入射角が８０度程度のＳ偏光のみとなる。

しだがって、ＬＳＩウェハ１の最上層の回路パターンの
エツジだけがコントラスト良く、光電変換器１７で検出
でき、ＬＳＩウェハ１の外観検査を自動的に行なうこと
ができるという効果がある。

また、この実施例は、第１３図におけるＳ偏光レーザ装
置２４を無限側用意したこととほぼ等価であり、低価格
で効率的な、Ｓ偏光を使用した照明装置であるという利
点がある。

なお、本実施例においては、偏光板２６を放物凹面鏡１
６Ｂとハーフミラ−１８ａとの間に挿入したが、偏光板
２６は放物凹面鏡１６ａと１６Ｂとの間のどこに挿入し
てもよい。

さらに、前記各照明装置において、第１３゜１７図に係
るものではＳ偏光レーザを使用し、第（２０） １８図に係るものではＳ偏光を使用するようにしたが、
ランプから拡散した光をリング状の平行光にし、これを
そのままＬＳＩウェハ上の一点へ照射する（第１８図に
おいて、偏光板２６を除去したもの）ようにしてもよい
。このような照明装置は、構成が簡単で、安価であると
いう利点がある。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように本発明によれば、Ｌ　Ｓ　Ｉ
ウェハの最上層の回路パターンのみを顕在化し、これを
自動的に検査することができるＬＳＩウェハ外観検査装
置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、ＬＳＩウェハの一例を示す平面図、第２図は
、第１図におけるチップの詳細を示す拡大斜視図、第３
，４図は、従来のＬＳＩウェハ外観検査装置を説明する
だめのものであり、第３図は、明視野照明方式のものを
示す略示図、第４図は、暗視野照明方式のものを示す略
示図、第５図は、第４図に係るＬＳＩウェハ外観検査装
置の欠点を説明するだめの、製造途中のＬＳＩウェハを
（２１） 示す詳細断面図、第６図〜第１１図は、本発明に係る基
本的事項を説明するだめのものであり、第６図は、Ｐ基
板上に電極を形成した製造途中のＬＳＩウェハに、暗視
野照明を照射したときの光電変換器出力図、第７図は、
第６図に係るＬ　Ｓ　Ｉウェハ上にさらにワード線を形
成したものに、暗視野照明を照射したときの光電変換器
出力図、第８図は、第７図に係るＬＳＩウェハへ入射角
θの暗視野照明を照射している状態を示す断面図、第９
図は、第８図における入射角θ−８５°のときの光電変
換器出力図、第１０図は、第８図における入射角と光電
変換器出力との関係を示す入射角−光電変換器出力線図
、第１１図は、第８図における入射角と弁別比との関係
を示す弁別比線図、第１２図は、本発明の一実施例に係
るＬＳＩウェハ外観検査装置（ただし照明装置を除く）
を示す略示斜視図、第１３図は、第１２図に係るＬＳＩ
ウェハ外観検査装置の照明装置を示す斜視図、第１４図
は、照明としてＳ偏光　Ｐ偏光を使用したときの入射角
と反射率との関係を示す入射角−反（２２） 射率線図、第１５図は、被検査回路パターンの一例を示
す要部平面図、第１６図は、第１２図に係るＬ　Ｓ　Ｉ
ウェハ外観検査装置によって検出した、第１５図に係る
被検査回路パターンの像を示す要部平面図、第１７図は
、第１２図に係るＬＳＩウニ・・外観検査装置の照明装
置の他の例を示す略示平面図、第１８図は、第１２図に
係るＬＳＩウェハ外観検査装置の照明装置のさらに他の
例を示す略示図、第１９図は、第１８図における偏光板
の詳細を示す平面図である。 １・・・ＬＳＩウェハ、３・・・メモリ、４・・・比較
器、５・・・欠陥座標テーブル、１５・・・ランプ、１
６ａ・・・放物凹面鏡、１６Ｂ・・・放物凹面鏡、１７
・・・光電変換器、１９．１９Ａ、、１９Ｂ・・・照明
装置、２４・・・Ｓ偏光レーザ装置、２４Ａ・・・偏光
レーザ、２４Ｂ・・・ビームエキスパンダ、２４Ｃ・・
・集光レンズ、２６（２３） ＄１０ ／ 鱈２図 茅３　凹 第４−図 茅５　目 茅６　固 佐工 茅７　区 ０ｆＬ 磨δ図 都１１図 鰻　１２１１］ ３ ］ 第１３　ＩＩ 茅１４−　目 入計角θ 巣！５０ （１）） （Ｃ） ≠１に図 茅！９　口

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ＬＳＩウェハの表面上の一点へこの表面の法線に対
   して約８０度以上の入射角で周囲から一様に光を照射す
   ることができる照明装置と、前記光を照射したとき前記
   表面の回路パターンから生ずる散乱光を検出する光電変
   換器と、との光電変換器で検出した画像と設計データと
   を比較して不一致個所を欠陥として判定することができ
   る比較器とを具備したことを特徴とするＬＳＩウェハ外
   屓検査装置。 ２、熱湯装置を、Ｓ’１Ｊｉｌ光レーザとレンズとから
   なる複数個のＳ−光レーザ装置を、各Ｓ偏光レーザ装置
   から照射されるＳ１扁光レーザが一点に集光するように
   配設してなるものにしだものである特許請求の範囲第１
   項記載のＬＳＩウエノ・外観検査装置。 咽 ３、照射装置を、ランプから拡散した光をリング状の平
   行光にしこれを一点に集光することができる暗視野照明
   装置と、前記平行光の光路中に配設され、Ｓ偏光のみを
   通過させる偏光板とから構成したものである特許請求の
   範囲第１項記載のＬＳＩウェハ外観検査装置。