JPS6010701A - 正特性サ−ミスタ - Google Patents
正特性サ−ミスタInfo
- Publication number
- JPS6010701A JPS6010701A JP11966183A JP11966183A JPS6010701A JP S6010701 A JPS6010701 A JP S6010701A JP 11966183 A JP11966183 A JP 11966183A JP 11966183 A JP11966183 A JP 11966183A JP S6010701 A JPS6010701 A JP S6010701A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature coefficient
- electrode
- positive temperature
- film
- electrode film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、安価で特性の安定な正特性サーミスタに関す
る。
る。
一般にチタン酸バリウム系半導体磁器を用いた正特性サ
ーミスタには、ニッケルの無電解メッキによってオーミ
ック電極膜が付与されている。ところがこのメッキ膜は
、安定化のために熱処理することが常であるため1.そ
の表面に酸化膜が形成されている。従ってこのメッキ電
極膜上にリード線を半田付けするような場合には、半田
が付着し 1− にくくなるため、強力なフラックスを使用したり、その
他物理的、化学的に表面処理をしたりしなければならず
、正特性サーミスタの特性が劣化するばかりか、処理の
ためのコストが大幅に高くなるという欠点があった。
ーミスタには、ニッケルの無電解メッキによってオーミ
ック電極膜が付与されている。ところがこのメッキ膜は
、安定化のために熱処理することが常であるため1.そ
の表面に酸化膜が形成されている。従ってこのメッキ電
極膜上にリード線を半田付けするような場合には、半田
が付着し 1− にくくなるため、強力なフラックスを使用したり、その
他物理的、化学的に表面処理をしたりしなければならず
、正特性サーミスタの特性が劣化するばかりか、処理の
ためのコストが大幅に高くなるという欠点があった。
そこで従来では、ニッケルメッキ電極膜上に銀電極を重
層させることが行なわれているが、これでは高価な銀の
使用により、これまたコスト高になるという欠点があっ
た。第1図示のものは、この銀電極の使用量を必要最小
限にして、コストの上昇を抑制したものである。図にお
いて1は正特性サーミスタ素体、2はニッケルメッキ電
極膜、3は銀電極、4はリード線、5は半田である。す
なわちリード線4の半田付けに必要な大きさの銀電極3
をメッキ電極膜2の中心部上に付与したものである。と
ころがこのものにおいては、これを実際に使用する場合
、比較的流れる電流が小さい場合はともかく、カラーテ
レビジョンの消磁回路用等、突入時に数10アンペアも
電流が流れるような用途に用いた場合には、膜厚の薄い
二・ツケルメ2− ツキ電極膜2がスパークをおこして電極膜が破壊してし
まことい・た不点があり・実用性の、点で好ましいもの
ではなかった。
層させることが行なわれているが、これでは高価な銀の
使用により、これまたコスト高になるという欠点があっ
た。第1図示のものは、この銀電極の使用量を必要最小
限にして、コストの上昇を抑制したものである。図にお
いて1は正特性サーミスタ素体、2はニッケルメッキ電
極膜、3は銀電極、4はリード線、5は半田である。す
なわちリード線4の半田付けに必要な大きさの銀電極3
をメッキ電極膜2の中心部上に付与したものである。と
ころがこのものにおいては、これを実際に使用する場合
、比較的流れる電流が小さい場合はともかく、カラーテ
レビジョンの消磁回路用等、突入時に数10アンペアも
電流が流れるような用途に用いた場合には、膜厚の薄い
二・ツケルメ2− ツキ電極膜2がスパークをおこして電極膜が破壊してし
まことい・た不点があり・実用性の、点で好ましいもの
ではなかった。
本発明は上記□の欠点に鑑みてなされたもので、正特性
サーミスタ素体に付与したニッケルメッキ電極膜上に、
この電極膜の面積の50〜90%の領域に、アルミニウ
ム、ニッケル、銅のいずれか一種の金属膜を付与し、前
記電極膜上の残余の領域に銀電極を付与してなることを
特徴とする特性サーミスタを提供せんとするものである
。
サーミスタ素体に付与したニッケルメッキ電極膜上に、
この電極膜の面積の50〜90%の領域に、アルミニウ
ム、ニッケル、銅のいずれか一種の金属膜を付与し、前
記電極膜上の残余の領域に銀電極を付与してなることを
特徴とする特性サーミスタを提供せんとするものである
。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第2図は本発明の第1の例を示した側断面図、第3図は
同斜視図である。両図において11は、チタン酸バリウ
ム系半導体磁器よりなる正特性サーミスタ素体、12は
この素体11の両手面上に付与された無電解ニッケルメ
ッキ電極膜、13はこの電極膜12上の中心部を除いて
付与されたアルミニウム、ニッケル、銅のいずれか一種
の金属膜、14は前記電極膜12上の残余の部分、つま
り金属膜13の付与されていない中心部に付与されてな
る銀電極である。この場合前記金属膜13の付与領域は
、電極膜12の面積の50〜90%の領域に選ばれ、こ
れに対向 。
同斜視図である。両図において11は、チタン酸バリウ
ム系半導体磁器よりなる正特性サーミスタ素体、12は
この素体11の両手面上に付与された無電解ニッケルメ
ッキ電極膜、13はこの電極膜12上の中心部を除いて
付与されたアルミニウム、ニッケル、銅のいずれか一種
の金属膜、14は前記電極膜12上の残余の部分、つま
り金属膜13の付与されていない中心部に付与されてな
る銀電極である。この場合前記金属膜13の付与領域は
、電極膜12の面積の50〜90%の領域に選ばれ、こ
れに対向 。
し′で銀電極14の付与領域は、10〜50%の領域に
選“ばれ、金属膜13と銀賞[j14とにより、電極膜
12の全面を覆うように付与される。
選“ばれ、金属膜13と銀賞[j14とにより、電極膜
12の全面を覆うように付与される。
次に、このように構成される正特性サーミスタを実際に
製造する具体的方法の一例について述べる。先づ円板状
正特性サーミスタ素体11を準備し、この両平面に通常
の方法でニッケル無電解メッキ電極膜12を付与する。
製造する具体的方法の一例について述べる。先づ円板状
正特性サーミスタ素体11を準備し、この両平面に通常
の方法でニッケル無電解メッキ電極膜12を付与する。
この電極膜12は当初素体11全面に付与されるため、
後に適宜外側面部の電極膜を除去する必要がある。次に
両電極膜12上に、その中心部を除いて、アルミニウム
、ニッケル、銅のうちのいずれか一種の金属ペーストを
塗布、焼付けして金属膜13を形成する。その後この金
属膜13が形成されていない712極膜12上に、銀ペ
ーストを塗布、焼付し、銀電極14を形成する。この場
0・″a fa m < −1’r−& tjja <
−1h & L””lIMm(=t 。
後に適宜外側面部の電極膜を除去する必要がある。次に
両電極膜12上に、その中心部を除いて、アルミニウム
、ニッケル、銅のうちのいずれか一種の金属ペーストを
塗布、焼付けして金属膜13を形成する。その後この金
属膜13が形成されていない712極膜12上に、銀ペ
ーストを塗布、焼付し、銀電極14を形成する。この場
0・″a fa m < −1’r−& tjja <
−1h & L””lIMm(=t 。
けても、同時に焼付けてもよい。
このような本発明正特性サーミスタに、リード3−
線を半田付けした例を第4図に示す。この例かられかる
ように、リード線15は半、田16が付着し易い銀電極
14上にしっかりと固着°される。この場合金属膜13
には、この金属膜の材質上あるいは焼付時に形成される
酸化膜の関係で、半田16はほとんど付着しない。第5
図示のものは、本発明正特性サーミスタにバネ端子17
を圧接、保持させたものである。図において18はケー
スの一部を構成したりするバネ端子17の保持部である
。この例においても、バネ端子17は銀電極14に当接
されて、その導電接続を良好にしている。
ように、リード線15は半、田16が付着し易い銀電極
14上にしっかりと固着°される。この場合金属膜13
には、この金属膜の材質上あるいは焼付時に形成される
酸化膜の関係で、半田16はほとんど付着しない。第5
図示のものは、本発明正特性サーミスタにバネ端子17
を圧接、保持させたものである。図において18はケー
スの一部を構成したりするバネ端子17の保持部である
。この例においても、バネ端子17は銀電極14に当接
されて、その導電接続を良好にしている。
第6図〜第8図はいず・れも正特性サーミスタ素体11
に形成した金属膜13および銀電極14の゛形状例を示
したものである。いずれの例においても銀電極14の付
与領域は、電極膜12の面積の10〜50%の範囲内で
あることが必要である。
に形成した金属膜13および銀電極14の゛形状例を示
したものである。いずれの例においても銀電極14の付
与領域は、電極膜12の面積の10〜50%の範囲内で
あることが必要である。
゛なお上記実施例ならびに図面に示したものは、本発明
の理解を容易にするためのものであって、本発明がこれ
らに特定されるものでないことはい゛うまでもない。
の理解を容易にするためのものであって、本発明がこれ
らに特定されるものでないことはい゛うまでもない。
4−
以上のように本発明正特性サーミスタは、リード線やバ
ネ端子との導電接続を長釘に行なうための銀電極の使用
を大幅にr111滅して安価なものにするとともに、こ
の銀電極と金属膜とによってニッケルメッキ電極膜を完
全に覆うようにしているので、多大の電流を流入させて
も電極膜が破壊することもなく、特性の安定なものにで
きる。
ネ端子との導電接続を長釘に行なうための銀電極の使用
を大幅にr111滅して安価なものにするとともに、こ
の銀電極と金属膜とによってニッケルメッキ電極膜を完
全に覆うようにしているので、多大の電流を流入させて
も電極膜が破壊することもなく、特性の安定なものにで
きる。
第1図は従来の正特性サーミスタの構造例を示す側断面
図、第2図は本発明正特性サーミスタの一実施例を示す
側断面図、第3図は同斜視図、第4図、第5図は本発明
正特性サーミスタの適用例を示したいずれも断面図、第
6図〜第8図はいずれも本発明正特性サーミスタの伯の
実施例を示した平面図である。 11−正特性サーミスタ素体 12−ニッケルメッキ電
極膜 13−金属膜 14−銀電極 特 許 出 願 人 株式会社村田製作所
図、第2図は本発明正特性サーミスタの一実施例を示す
側断面図、第3図は同斜視図、第4図、第5図は本発明
正特性サーミスタの適用例を示したいずれも断面図、第
6図〜第8図はいずれも本発明正特性サーミスタの伯の
実施例を示した平面図である。 11−正特性サーミスタ素体 12−ニッケルメッキ電
極膜 13−金属膜 14−銀電極 特 許 出 願 人 株式会社村田製作所
Claims (1)
- 正特性サーミスタ素体にニッケルメッキ電極膜を付与し
、この電極膜上に、この電極膜の面積の50〜90%の
領域に、アルミニウム、ニッケル、銅のいずれか一種の
金属膜を付与し、前記電極膜上の残余の領域に銀電極を
付与してなることを特徴とする特性サーミスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11966183A JPS6010701A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 正特性サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11966183A JPS6010701A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 正特性サ−ミスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6010701A true JPS6010701A (ja) | 1985-01-19 |
Family
ID=14766938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11966183A Pending JPS6010701A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 正特性サ−ミスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6010701A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6048201U (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-04 | ティーディーケイ株式会社 | 正特性サ−ミスタ装置 |
JPH0549420A (ja) * | 1991-08-16 | 1993-03-02 | Showa Tansan Kk | 炊飯米の保存方法 |
JPH0622709A (ja) * | 1992-03-06 | 1994-02-01 | Takano:Kk | 無菌パックおにぎりの製造法 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP11966183A patent/JPS6010701A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6048201U (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-04 | ティーディーケイ株式会社 | 正特性サ−ミスタ装置 |
JPH0211763Y2 (ja) * | 1983-09-09 | 1990-04-03 | ||
JPH0549420A (ja) * | 1991-08-16 | 1993-03-02 | Showa Tansan Kk | 炊飯米の保存方法 |
JPH0622709A (ja) * | 1992-03-06 | 1994-02-01 | Takano:Kk | 無菌パックおにぎりの製造法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH10149943A (ja) | 磁器コンデンサ | |
JPH06163306A (ja) | 電子部品 | |
US4660017A (en) | Chip-type varistor | |
EP1041586A2 (en) | Chip thermistor | |
JPS6010701A (ja) | 正特性サ−ミスタ | |
KR100358302B1 (ko) | 부온도 계수 써미스터 | |
JP2575400Y2 (ja) | サーミスタ | |
JPH0312446B2 (ja) | ||
JPS5826481Y2 (ja) | 正特性サ−ミスタ | |
JP2967221B2 (ja) | 正特性サーミスタ素子 | |
JP2559524Y2 (ja) | 正特性サーミスタ装置 | |
JPH0316243Y2 (ja) | ||
JP2556410Y2 (ja) | 集合電子部品 | |
JP3785961B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
JPH0316255Y2 (ja) | ||
JP2560872B2 (ja) | 正特性サーミスタの製造方法 | |
JP3413929B2 (ja) | 正特性サーミスタの製造方法 | |
JPS6041683Y2 (ja) | 正特性サ−ミスタ | |
JPH0347282Y2 (ja) | ||
JPH0316253Y2 (ja) | ||
JPH0322886Y2 (ja) | ||
JP3356508B2 (ja) | サーミスタセンサ | |
JPH0316252Y2 (ja) | ||
JPH0347283Y2 (ja) | ||
JPS5932148Y2 (ja) | ジャンパ−用チップ部品 |