JPS60106130A - 荷電ビ−ム露光装置 - Google Patents

荷電ビ−ム露光装置

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Publication number
JPS60106130A
JPS60106130A JP58213259A JP21325983A JPS60106130A JP S60106130 A JPS60106130 A JP S60106130A JP 58213259 A JP58213259 A JP 58213259A JP 21325983 A JP21325983 A JP 21325983A JP S60106130 A JPS60106130 A JP S60106130A
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JP
Japan
Prior art keywords
matrix
blanker
blankers
deflector
aperture
Prior art date
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Pending
Application number
JP58213259A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Kurihara
健二 栗原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP58213259A priority Critical patent/JPS60106130A/ja
Publication of JPS60106130A publication Critical patent/JPS60106130A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路等の微細なパターン形成に用
いられる電子ビームあるいはイオンビームによるマルチ
ビーム方式の荷電ビーム露光装置に関するものである。
〔発明の背景〕
従来、荷電ビームによる露光装置として、単一ビームを
用いたスポットビーム、固定成形ビーム、可変成形ビー
ムの各方式が開発されている。しかし、これらの方式で
は単一ビームを用いるために高密度なバタンか要求され
る1、siパタン描画用としては、描画時間が長くスル
ープットが小さいという問題が生じている。スループッ
トを向上するだめには、多数のビームを同時に発生する
マルチビーム方式が有望である。マルチビーム方式テは
、各ビームを同じように偏向、ブラッキング等の制御を
するものと、各ビームを独立に制御するものがある。前
者では、偏向器、ブランカ等は一個ずつでよいが、後者
では各ビームに対して、偏向器、ブランカ等の制御手段
が必要となる。前者では、個々のビームを独立に制御す
ることが困難なために位置合わせ精度の点で問題がある
が、後者では、原理的に個々のビームを独立に制御して
いるのでこの問題はない。後者の方式においては、ビー
ムの本数が多くなると、偏向器、ブランカ等の制御手段
の数も比例して増加するので、微小な構造の偏向器、ブ
ランカを多数組み入れた制御機構が必要となる。ブラン
カを多数組み込んだマトリックスブランカを用いた荷電
ビーム露光装置については、特願昭58−63772に
詳しく述べられている。第1図にマトリックスブランカ
の概念図を示す。11は、複数個の開口を有するスリッ
トであり、12は各開口に対応した一対の偏向あるいは
ブランカの機能を持つ電極である。開口を通過する荷電
ビームは、電極12に電圧をかけて偏向やビームオン・
オフのブランキング動作をさせる回路1ろにより制御さ
れる。ところで、この開口の像を電子光学系により縮小
して、微細バタン描画に適用する場合を考えると開口の
大きさは数百μm以下の非常に小さいものとなシ、電極
12の寸法も同様に微小となる。スリット11の開口と
開口の間はある幅のメツシーを形成しているが、この像
が開口の像の大きさに比べて小さくビームの強度分布に
あまシ影響を与えず無視できるようにするには、開口と
開口の間を十分小さくする必要がある。10の大きさが
微小なために、゛開口と開口の部分をさらに小さくする
と、マトリックスブランカの製造が困難になるという問
題が生じる。これをさけるために、開口と開口の間を開
口の大きさの整数倍にとシ、このときの開口と開口の間
の部分に対応する、試料面上でビームが照射されない部
分を露光するだめに、マトリックスブランカを通過づる
ビーム全体を偏向器により開口と開口の間隔分だけソフ
トさせて、何回かに分けてこの部分を露光する方法も考
えられる。しかし、この方法では偏向により何回かに分
けて露光するだめに、偏向器ODA変換器の整定時間に
よるむだ時間のだめ描画時間が長くなるという問題があ
る。
〔発明の目的〕
本発明は、マトリックスブランカを用いたマルチビーム
方式の露光装置において、より高速な描画を可能とする
荷電ビーム露光装置を提供することが目的である。
〔発明の概要〕
本発明の特徴は、上記目的を達成するために、2次元マ
) IJソクス状の開口とこの開口を通過する荷電ビー
ムを偏向あるいはブランキングする開口ごとの電極とを
有するマトリックスブランカの複数個を互いに一定間隔
ずつ離して配置し、これらの複数個のマトリックスブラ
ンカの各々の開口による試料面上の開口像が、前記マ)
 IJソクスプラン力の配置順序と同じ順序に一定間隔
で並ぶように前記複数個のマトリックスブランカをそれ
ぞれ別個に偏向制御する偏向器を設ける構成とすること
にある。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の荷電ビーム露光装置の実施例を示して、
その構成、動作について詳細に説明する。
本発明の荷電ビーム露光装置の構成を、第2図に示す。
ここで、21は光源、22はマトリックスブランカ、2
6は絞り、24は偏向器、25は縮小レンズ、26はブ
ランキング絞り、27は対物レンズ、28は位置決め偏
向器、29は試料面である。
まず、マトリックスブランカ22の部分を説明する。
マトリックスブランカの説明図を第6図に平面図を(a
)、立面図を(b)として示す。第6図(a)はマトリ
ックスブランカのスリットの開口配列とマトリックスブ
ランカの配列の対応を表わしだ図である。ここで、61
はスリットの開口、62は一つのマトリックスブランカ
に対応する2×2の開口配列である。A、 B、C,D
はそれぞれ開1」配列62に対応してスリットの下部に
設置されるマトリックスブランカを指すものとする。こ
こでは、スリットが一枚のプレートで形成されている場
合を示しだ。一つのマトリックスブランカに対応する2
×2の開口配列62は開口の大きさeの2倍の間隔21
をおいて2×2に配列されている。これに対して、マト
リックスブランカA、B、C,Dは間隔りをおいて2×
2に配列されている。ここでは、等間隔にマトリックス
ブランカが配列された例を示したが、等間隔に配列され
ていなくてもよい。
スリットは一枚のプレートとしだが、各マトリックスブ
ランカで独立女構造でも良く、一体の構造でなくても良
い。第6図(b)はマトリックスブランカを示す図であ
る。ここで、66はスリット、64は開口、65は一つ
のマトリックスブランカ部分、ろ6はブランカ電極であ
る。スリット66は、第6図(a)のように開口が配列
されている。ここでは、一体構造のスリットの例が示し
である。スリット36の開口64を通過したビームは、
ブランカ電極66によりオン・オフされる。マトリック
スブランカによりオフされたビームは、第2図26のブ
ランキング絞りによりカットされる。ここでは、ブラン
キング絞りは縮小レンズの結像面に設置されている。な
お、ブランキング絞りは、ブランキング可能であればど
こに設置してもよい。第6図(a)のスリットは、第2
図に示すように光源21により一様に照明される。マト
リックスブランカを通過したビームは絞り26で散乱ビ
ーム等の不要なビームが除かれ、偏向器24に入射する
。偏向器24は、2×2に配列されだXY偏向器4個か
らなる。この偏向器24は、第6図(a)に示したマト
リックスブランカA、 B、 C,D、4つの像を後で
説明するようにそれぞれ別個に偏向制御するだめのもの
である。マトリックスブランカA、 B、 C1Dの像
の作り方を第4図に示す。ここで、a、b、c、 dは
それぞれ第6図(a)に示しだマトリックスブランカA
、 B、 C,I)のスリットの開口に対応する像を表
わしている。第4図のように各マトリックスブランカの
像を開口と開口の間隔だけX、Y方向にずらして各マト
リックスブランカの開口の像がそれぞれ重ならないよう
にし7て描画領域を形成する。このようにして、正方形
の領域内のすべてに一度にビームを照射することが可能
となる。
第5図にパタン発生の方法を表わす。ここで、51は描
画可能領域、52は描画パタンである。破線は描画バタ
ンを開口の単位で分割したところを表わしている。52
のパタンを描画する場合、破線で分割された領域に対応
する開口を通過するビームを、オン、これ以外の領域を
オフ、あるいは破線で分割された領域に対応する開口を
通過するビームを、オフ、これ以外の領域をオンさせる
ようにマトリックスブランカを動作させて描画パタンを
発生させる。このようにして得られた像を、さらに縮小
レンズ25により縮小する。縮小された像は、対物゛レ
ンズ27により試料面29に結像される。前述のように
マトリックスブランカを動作させて、所望のパタンを試
料に露光していくことができる。第5図に示した描画可
能領域51を越えるパタンを描画する場合は、位置決め
偏向器28で所望の位置にビーム全体を偏向すればよい
。したがって、描画可能領域51を露光するには、描画
可能領域51にビーム位置を合わせるだめの1回の偏向
動作だけ行えばよい。このために、偏向に伴うむだ時間
を低減することが可能となる。この偏向動作の他に試料
ステージを移動させることを組合せてもよいこのように
して、試料全面を露光していくことができる。なお、こ
こではマトリックスブランカの開口と開口の間隔を開口
の大きさと同じとしだが、この間隔は開口の大きさの整
数倍であればよく、また、XY方向に同じ間隔で配列す
る必要はない。
例えば、開口の間隔を開口の大きさの6倍とした場合、
マトリックスブランカの像を重ね合わせて正方形の描画
領域を形成するためには、マトリックスブランカ2の配
列を6×3にすればよい。なお、上記の間隔は開口の大
きさに対して正確に整数倍とする必要はなく、多少の余
裕をもつ整数倍とすることもできる。
つぎに、本発明の他の実施例を説明する。111j記の
実施例では、スリットを照明する光源は1個であったが
、スリットの開口以外の部分でど−1・がカットされて
しまうので、その分試料面でのビーム電流が少なくなる
。ビーム電流を太きぐするだめに、光源を複数個にする
。光源を複数個設けたときの荷電ビーム露光装置の構成
を、第6図に示す。61は光源、62はマトリックスブ
ランカ、6ろは絞り、64は偏向器、65は縮小レンズ
、66はブランキング絞り、67は対物レンズ、68は
位置決め偏向器、69は試料面である。ここでは、前実
施例と同様に2×2のマトリックスブランカ配列とし、
2X2の開口配列を4組持つスリットを、各々の開口配
列の組が一つのマトリックスブランカに対応するように
設置する。光源は、各マトリックスブランカに対応して
1個ずつ設け、2×2に配列される各光源は、2×2に
配列されたマトリックスブランカをそれぞれ一様に照明
する。他の部分は、第2図と全く同様の構成となってお
り、描画動作も同じように行われる。すなわち、第4図
と同じようにマトリックスブランカの像を重ね合わせて
矩形の描画領域を形成し、第5図のようにして描画パタ
/を発生することができる。なおここでは各マトリック
スブランカに1個の光源を対応させたが、複数個の光源
を対応させてもよい。
〔発明の効果〕
本発明によれば、1個または複数個の光源で複数個のマ
トリックスブランカを照明し、各マトリックスブランカ
からのビームをそれぞれに設けた偏向器により別個に偏
向して、複数マトリックスブランカの各々の像を試料面
上において互いに隣接するマトリックスブランカによる
開口像を交互に隣接させて一定間隔で並べる構成である
ので、マトリックスブランカの一回の動作で試料面上の
矩形領域内に複雑なバタンを同時に描画させることがで
き、従って偏向動作を低減でき、偏向器ODA変換器の
整定時間によるむだ時間の影響を少なくすることができ
、高速な描画が可能となる大きな効果があり、LSIの
バタン描画の露光装置として用いて好適なものである。
なお、」二記の場合、光源を複数個とすることにより、
1個の光源を用いる場合に比較して、試料面でのビーム
電流を太きくすることができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はマトリックスブランカの概念図、第2図は本発
明の荷電ビーム露光装置の構成を示す図、第6図はマト
リックスブランカの説明図で(a)は平面図、(1))
はその一部の立面図、第4図はマトリックスブランカ群
の像の重ね方、第5図はバタン発生の方法、第6図は本
発明の他の荷電ビーム露光装置の構成を示す図である。 符号の説明 11.63・・・スリット 12・・・電極13・・・
ブランキング回路21.61・・・光源22.65.6
2・・・マトリックスブランカ2ろ・・・絞り 24.
64・・・偏向器25.65・・・縮小レンズ 26.66・・・ブランキング絞り 27.67・・・対物レンズ 28.68・・・位置決め偏向器 29.69・・試料面 61.34・・・開口62・・
・開口配列 66・・ブランカ電極51・・・描画可能
領域 52・・・描画ノくタン特許出願人 日本電信電
話公社 代理人弁理士 中利純之助 才1 図 3・2図 4p3図 (Q) 1P4図 溜P5図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)2次元マトリックス状の開口とこの開口を通過す
    る荷電ビームを偏向あるいはブランキングする開口ごと
    の電極とを有するマトリックスブランカの複数個を互い
    に一定間隔ずつ離して配置し、これらの複数個のマトリ
    ックスブランカの各々の開口による試別面上の開[」像
    が、前記マトリックスブランカの配置順序と同じ順序に
    一定間隔で並ぶように前記複数個のマトリックスブラン
    カをそれぞれ別個に偏向制御する偏向器を設けたことを
    特徴とする荷電ビーム露光装置。 (2、特許請求の範囲第1項記載の装置において前記複
    数個のマトリックスブランカは、それぞれに少なくとも
    1個ずつの光源を備えたマトリ・クスブランカであるこ
    とを特徴とする荷電ビーム露光装置。
JP58213259A 1983-11-15 1983-11-15 荷電ビ−ム露光装置 Pending JPS60106130A (ja)

Priority Applications (1)

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JP58213259A JPS60106130A (ja) 1983-11-15 1983-11-15 荷電ビ−ム露光装置

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JP58213259A JPS60106130A (ja) 1983-11-15 1983-11-15 荷電ビ−ム露光装置

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JPS60106130A true JPS60106130A (ja) 1985-06-11

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ID=16636130

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JP58213259A Pending JPS60106130A (ja) 1983-11-15 1983-11-15 荷電ビ−ム露光装置

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