JPS59119666A - イオンビ−ム照射装置 - Google Patents

イオンビ−ム照射装置

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JPS59119666A
JPS59119666A JP22841682A JP22841682A JPS59119666A JP S59119666 A JPS59119666 A JP S59119666A JP 22841682 A JP22841682 A JP 22841682A JP 22841682 A JP22841682 A JP 22841682A JP S59119666 A JPS59119666 A JP S59119666A
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JP
Japan
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ion beam
sample
irradiate
ion
irradiation device
Prior art date
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Pending
Application number
JP22841682A
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English (en)
Inventor
Junji Sakurai
桜井　潤治
Haruhisa Mori
森　治久
Tsutomu Ogawa
力 小川
Tomihiro Yonenaga
富広 米永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS59119666A publication Critical patent/JPS59119666A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002—Details
    • H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
    • H—ELECTRICITY
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    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H01J37/3172—Maskless patterned ion implantation
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    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）　　発明の技術分野 本発明は、イオンビームを試料ｌこ照射するためのイオ
ンビーム照射装置に関する。
（ｂ）　　従来技術と問題点 イオンビームを試料ｌこ照射して試料の加工を行なった
り、試料ｌこ塗布されたレジスト−の感光を行うイオン
ビーム照射装置け、ビーム径が直径０．１μｍと小さく
、またイオンの物質中での非散乱性のために、電子ビー
ム露光装置など、電子ビームを用いたものよりも彼細な
領埴、例えば４００人巾０餉波に対する選択的な照射が
可能である。
しかし、このようなイオンビーム照射装置においてイオ
ンビームの振巾を大きくすると、ビームの収差が大きく
、又レンズ系が大型化するので、実際ｌこは面々１００
μｍ稈度しが振ることができず、大領域のビーム照射ｌ
こｌ−を多（の時間がががる欠点があった。
（畢）発明の目的 本発明の目的は、従来のこのような欠点を解消し大領域
に対してより短時間で、イオンビームを照射することが
できるようにすることζこある。
（１）　　発明の構成 上ｇｉｌ′１目的を達成するための本発明の特命は、複
数のイオンビーム発生手段と、各イオンビーム発生手段
から放射されたイオンビームを偏向する偏向手段を伽え
、各イオンビームを該偏向手段によシ偏向制御して試料
の所望飴域に該イオンビームを照射するよう５こしたこ
とにある。
偵）発明の実施例 リ下ｔこ図面を用いて本発明の一実施例を説明する。
図に本発明の一実施例のイオンビーム照射装置を示す。
イオンビーム発生部１には電源２に接続され、−列ｌこ
並置された複数のイオンビーム銃３ａ、３ｂ、３ｃと、
引出し電極４が設けられている。
各イオンビーム銃３ａ、３ｂ、３ｃから放射されたイオ
ンビーム５ａ、５ｂ、５ｃけコリメーク６１こよシ平行
成分のみが取Ｑ出される。
平行イオンビームは、静電レンズ７１こより収束され、
次いでブランキング用偏向器８を介して照射パターンの
形状に応じてイオンビームに対してブランキングがかけ
られ、ブランキングがかけられずに通過したイオンビー
ムは走査用偏向器的こより偏向を受け、矢印の方向に移
動する試料１０の所望の領域を走査する。
尚、静電レンズ７、ブランキング用偏向器８、走査用偏
向器９はそれぞれ制御装置１】から出力される信号Ｓ＋
　　＋　８２　＋　Ｓｓ　＆こより制御され偏向１つの
イオンビームでは高８！度の１１ｉ４射を実」するには
小領域しか走査できないが、かかる装置のように複数の
イオンビームを発生させて各々を制御すれば、広領域の
走査が可能となる。
尚、本実ＭＩＩ例ではイオンビーム銃を一列に並置した
が、マトリクス状に設けてもよい。
（１）　　発明の詳細 な説明したようζこ、本発明によればパターン精度を低
下させることなく、しかも簡単な構成で広い領域に対し
てイオンビームを照射することができる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例を示す図である。 図９こおいて、３ａ、３ｂ、３ｃはイオンビーム銃、７
は静電レンズ、８はブランキング用偏向器、９ｉｄ′走
査用偏向器である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数のイオンビーム発生手段と、各イオンビーム発生手
    段から放射されたイオンビームを偏向する偏向手段を備
    え、各イオンビームを該偏向手段により偏向制御して試
    料の所望領域番こ該イオンビームを照射するようにした
    ことを特徴とするイオンビーム照射装置。
JP22841682A 1982-12-27 1982-12-27 イオンビ−ム照射装置 Pending JPS59119666A (ja)

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