JPS60102251U - 気相成長装置 - Google Patents

気相成長装置

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JPS60102251U
JPS60102251U JP19238083U JP19238083U JPS60102251U JP S60102251 U JPS60102251 U JP S60102251U JP 19238083 U JP19238083 U JP 19238083U JP 19238083 U JP19238083 U JP 19238083U JP S60102251 U JPS60102251 U JP S60102251U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor phase
phase growth
reaction tube
bubbler
carrier gas
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Pending
Application number
JP19238083U
Other languages
English (en)
Inventor
吉田　政次
Original Assignee
日本電気株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気株式会社 filed Critical 日本電気株式会社
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Publication of JPS60102251U publication Critical patent/JPS60102251U/ja
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
図は本考案の一実施例を示すもので、ＭＯ−クロライド
法によって（Ｉｎ、　Ｇａ）　Ａｓを気相成長させた装
置の概略図である。 １・・・トリエチルインジウム、２・・・バブラ、３・
・・反応管ガス導入口、４・・・バブラのキャリアガス
出口、５・・・３と４を連結する配管、６・・・恒温槽
、７．１４・・・配管、８，１２・・・熱交換器、９・
・・有機金属導入管、１０・・・二重冷起管、１５・・
・トリエチルガリウム、１６・・・三塩化砒素、１７，
１８・・・バブラ、１９〜２７・・・バルブ、２８・・
・反応管、２９・・・ＧａＡｓ基板、３０・・・電気炉
、３１・・・原料ガス混　　−合領域。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 揮発性原料をキャリアガスをもって反応管内に導き、所
    定の反応温度で基板上に薄膜を形成する気相成長装置に
    おいて、キャリアガス中に揮発性ガスを蒸発させるバブ
    ラおよび反応管のガス導入口並びにバブラのキャリアガ
    ス出口と反応管のガス導入口との間を連結する配管を室
    温以上の温度の恒温槽内に設置したことを特徴とする気
    相成長装置。
JP19238083U 1983-12-14 1983-12-14 気相成長装置 Pending JPS60102251U (ja)

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