JPS5994866A - シヨツトキ接合を有する半導体装置 - Google Patents
シヨツトキ接合を有する半導体装置Info
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- JPS5994866A JPS5994866A JP20572282A JP20572282A JPS5994866A JP S5994866 A JPS5994866 A JP S5994866A JP 20572282 A JP20572282 A JP 20572282A JP 20572282 A JP20572282 A JP 20572282A JP S5994866 A JPS5994866 A JP S5994866A
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- aluminum
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/47—Schottky barrier electrodes
- H01L29/475—Schottky barrier electrodes on AIII-BV compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はショットキ接合を有する半導体装置に関する。
最近の通信システムの発展に伴って、これに使用される
半導体装置はより高い周波数で、より高速に動作するこ
とが要求されている。これらの要求に基すいて化合物半
導体装置が開発されてきた。
半導体装置はより高い周波数で、より高速に動作するこ
とが要求されている。これらの要求に基すいて化合物半
導体装置が開発されてきた。
その代表的なものが砒化ガリウム（以下ＱａＡｓと記す
）を用いた電界効果トランジスタ（以下ＱａＡ８・ＦＥ
Ｔと記す）である。化合物半導体を用いた半導体装置、
特にＱａＡｓを用いた半導体装置では主にショットキ接
合が用いられており、これらの装置において、良質なシ
ョットキ接合を得ることが最も重要なこととなっている
。
）を用いた電界効果トランジスタ（以下ＱａＡ８・ＦＥ
Ｔと記す）である。化合物半導体を用いた半導体装置、
特にＱａＡｓを用いた半導体装置では主にショットキ接
合が用いられており、これらの装置において、良質なシ
ョットキ接合を得ることが最も重要なこととなっている
。
従来、化合物半導体に対するショットキ接合形成用金属
としては、そのショットキ特性、耐熱性、加工性等に優
れていることからＡｔが多く用いられてきた。
としては、そのショットキ特性、耐熱性、加工性等に優
れていることからＡｔが多く用いられてきた。
第１図は従来のＧａＡ３”ＦＥＴの一例の断面図である
。
。
ＧａＡＳ基板１の上にゲート電極２、ソース及びドレイ
ン電極３，４を形成する。ソース及びドレイン電極３，
４にはオーミック接合を作る金属としてＡｕ−Ｇｅ合金
とＮｉ とが用いられる。例えばＡｕ−Ｇｅ合金を１
５０ＯＡの厚さに、 Ｎｉを５０ＯＡの厚さに形成し、
熱処理して合金化する。
ン電極３，４を形成する。ソース及びドレイン電極３，
４にはオーミック接合を作る金属としてＡｕ−Ｇｅ合金
とＮｉ とが用いられる。例えばＡｕ−Ｇｅ合金を１
５０ＯＡの厚さに、 Ｎｉを５０ＯＡの厚さに形成し、
熱処理して合金化する。
ゲート電極２にはショットキ接合を形成する金属として
Ａｔが用いられる。
Ａｔが用いられる。
しかしながら、Ａｔはマイグレーシロンといって通電中
にＡｔの結晶粒が移動する現象を起しゃすく、断線など
を起し、長期寿命の点で問題があった。このマイグレー
シロンの問題を解決する手段として、Ａｔの上にＴｉ
、 Ｎｉ等の異なる金属を乗せることが考え出された。
にＡｔの結晶粒が移動する現象を起しゃすく、断線など
を起し、長期寿命の点で問題があった。このマイグレー
シロンの問題を解決する手段として、Ａｔの上にＴｉ
、 Ｎｉ等の異なる金属を乗せることが考え出された。
第２図は従来のＧａＡｓ−ＦＥＴのゲート電極部分の一
例の断面図である。
例の断面図である。
ＧａＡｓ基板１の上にＡｔ層１１ 、 Ｔｉ または
Ｎｉの異種金属層１２を形成し、ゲート電極をボンディ
ングバットへ引出すための配線としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ
層゛１３を設けて接続させる。
Ｎｉの異種金属層１２を形成し、ゲート電極をボンディ
ングバットへ引出すための配線としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ
層゛１３を設けて接続させる。
このようにＴｉ またはＮｉの異種金属層１２を設ける
仁とによｐｈｔのマイグレーシロンの問題は解消される
が素子製造工程中に、Ａｔより反応性の強いＴ１または
Ｎｉ が酸化され、絶縁体層１４を作り、層１２と層１
３とが高抵抗層で接続されるという欠点を生じた。
仁とによｐｈｔのマイグレーシロンの問題は解消される
が素子製造工程中に、Ａｔより反応性の強いＴ１または
Ｎｉ が酸化され、絶縁体層１４を作り、層１２と層１
３とが高抵抗層で接続されるという欠点を生じた。
本発明は上記欠点を除去し、アルミニウムのマイグレー
シロンを抑制し、ゲート電極と配線との間の接続を低抵
抗で実現できるショットキ接合を有する半導体装置を提
供するものである。
シロンを抑制し、ゲート電極と配線との間の接続を低抵
抗で実現できるショットキ接合を有する半導体装置を提
供するものである。
本発明のショットキ接合を有する半導体装置は、化合物
半導体層に接触してショットキ接合を形成するアルミニ
ウム層と、該アルミニウム層の上に設けられるアルミニ
ウム以外の金属の層を少くとも一層と、該アルミニウム
以外の金属層の上に設けられるアルミニウム層とを含ん
で構成される。
半導体層に接触してショットキ接合を形成するアルミニ
ウム層と、該アルミニウム層の上に設けられるアルミニ
ウム以外の金属の層を少くとも一層と、該アルミニウム
以外の金属層の上に設けられるアルミニウム層とを含ん
で構成される。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第３図は本発明の一実施例の断面図である。
ＧａＡｓ基板１の上ｒＡｔ層２１．Ｔｉ またはＮｉの
異種金属層２２．Ａｔ層２３を順次積層してゲート電極
を形成する。Ａｔ層２１がＧａＡｓ基板１とショットキ
接合を作ることは言う、までもない。
異種金属層２２．Ａｔ層２３を順次積層してゲート電極
を形成する。Ａｔ層２１がＧａＡｓ基板１とショットキ
接合を作ることは言う、までもない。
次に、ゲート電極をポンディングパッドへ接続するため
の配線としてＴｉ層２４ 、 Ｐｔ層２５ 、Ａｕ層２
６を順次積層する。この発明では、異種金属層２２０表
面をＡｔ層２３で覆っているから、第２図に示したよう
な絶縁体層は形成されなく、ｈｔ層２３とＴｉ層２４と
は低抵抗で接合する。一方、Ａｔ層２１．２３のマイグ
レーシヨンは異種金属層２２及びＴｉ層２４を設けたか
ら抑制され、断線などの問題を生じない。
の配線としてＴｉ層２４ 、 Ｐｔ層２５ 、Ａｕ層２
６を順次積層する。この発明では、異種金属層２２０表
面をＡｔ層２３で覆っているから、第２図に示したよう
な絶縁体層は形成されなく、ｈｔ層２３とＴｉ層２４と
は低抵抗で接合する。一方、Ａｔ層２１．２３のマイグ
レーシヨンは異種金属層２２及びＴｉ層２４を設けたか
ら抑制され、断線などの問題を生じない。
上記実施例では基板１にＱａＡｓを用いたが、他の化合
物半導体を用いても本発明は同様に適用できる。
物半導体を用いても本発明は同様に適用できる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、アルミニ
ウムのマイグレーシロンを抑制し、しかもゲート電極と
ボンディングバットとを低抵抗で接続できるショットキ
接合型のゲート電極を有する半導体装置が得られるので
その効果は大きい。
ウムのマイグレーシロンを抑制し、しかもゲート電極と
ボンディングバットとを低抵抗で接続できるショットキ
接合型のゲート電極を有する半導体装置が得られるので
その効果は大きい。
第１図は従来のＧａＡｓ＊ＦＥＴの一例の断面図、第２
図は従来のＧａＡｓ＊ＦＥＴのゲー）！極部分の一例の
断面図、第３図は本発明の一実施例の断面図である。 １・・・・・・ＱａＡｓ基板、２・・・・・・ゲート電
極、３，４・・・・・・ソース及びドレイン電極、１１
・・・・・・Ａｔ層、１２・・・・・・異種金属層、１
３・・・・・・Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ層、１４・・・・・・
絶縁体層、２１・・・・・・Ａｔ層、２２・・・・・・
異種金属層、２３・・・・・・Ａｔ層、２４・・・・・
・Ｔｉ層、２５・・・・・・ｐｔ層、２６・・・・・・
Ａｕ層。
図は従来のＧａＡｓ＊ＦＥＴのゲー）！極部分の一例の
断面図、第３図は本発明の一実施例の断面図である。 １・・・・・・ＱａＡｓ基板、２・・・・・・ゲート電
極、３，４・・・・・・ソース及びドレイン電極、１１
・・・・・・Ａｔ層、１２・・・・・・異種金属層、１
３・・・・・・Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ層、１４・・・・・・
絶縁体層、２１・・・・・・Ａｔ層、２２・・・・・・
異種金属層、２３・・・・・・Ａｔ層、２４・・・・・
・Ｔｉ層、２５・・・・・・ｐｔ層、２６・・・・・・
Ａｕ層。
Claims (1)
- 化合物半導体層に接触してショットキ接合を形成するア
ルミニウム層と、該アルミニウム層の上に設けられるア
ルミニウム以外の金属の層を少くとも一層と、該アルミ
ニウム以外の金部層の上に設けられるアルミニウム層と
を含むことを特徴とする７目ットキ接合を有する半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20572282A JPS5994866A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | シヨツトキ接合を有する半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20572282A JPS5994866A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | シヨツトキ接合を有する半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994866A true JPS5994866A (ja) | 1984-05-31 |
Family
ID=16511596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20572282A Pending JPS5994866A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | シヨツトキ接合を有する半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994866A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5086450A (en) * | 1989-08-23 | 1992-02-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Emergency intercommunication system for elevator |
-
1982
- 1982-11-24 JP JP20572282A patent/JPS5994866A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5086450A (en) * | 1989-08-23 | 1992-02-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Emergency intercommunication system for elevator |
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