JPS5983950A - ガラス基板の製造方法 - Google Patents
ガラス基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS5983950A JPS5983950A JP57193200A JP19320082A JPS5983950A JP S5983950 A JPS5983950 A JP S5983950A JP 57193200 A JP57193200 A JP 57193200A JP 19320082 A JP19320082 A JP 19320082A JP S5983950 A JPS5983950 A JP S5983950A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- glass substrate
- plate
- glass plate
- energy beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
- Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
- Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
Landscapes
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集積回路の製造工程で被処理媒体、例えばシ
リコン・ウェハー上のフォト・レジスト膜を選択露光す
るために用いられるフォト・マスクの製造方法に関し、
特にフォト・マスク用ガラス基板の製造方法に関するも
のである。
リコン・ウェハー上のフォト・レジスト膜を選択露光す
るために用いられるフォト・マスクの製造方法に関し、
特にフォト・マスク用ガラス基板の製造方法に関するも
のである。
フォト・マスクは、ガラス等の透明基板の一生平面上に
、写真乳剤おるいは金属膜を用いて＃４．積回路製造用
パターンを描いであるもので、通常、集積回路を製造す
るためには、このフォト・マスクが数種類−組として使
用される。フォト・マスク用として使用するガラス板社
、集積回路の要求精度が低い時には、ソーダー・ライム
・ガラスが用いられていた。最近、超ＬＳＩ等、高精度
集積回路が要求されるに及んで、フォト・マスク用ガラ
ス板もアルミナ・ホウケイ酸系の低＃張ガラスや、合成
石英ガラスが用いられる様になって来た。
、写真乳剤おるいは金属膜を用いて＃４．積回路製造用
パターンを描いであるもので、通常、集積回路を製造す
るためには、このフォト・マスクが数種類−組として使
用される。フォト・マスク用として使用するガラス板社
、集積回路の要求精度が低い時には、ソーダー・ライム
・ガラスが用いられていた。最近、超ＬＳＩ等、高精度
集積回路が要求されるに及んで、フォト・マスク用ガラ
ス板もアルミナ・ホウケイ酸系の低＃張ガラスや、合成
石英ガラスが用いられる様になって来た。
これは、膨張係数が小さいこと、機械的強度が大きいこ
と、光学的特性にすぐれていること等の理由によるもの
でおる。しかしながら、この合成石英ガラス板は、従来
のソーダー・ライム・ガラス板に比べ、価格が数倍から
数十倍高い欠点がある。
と、光学的特性にすぐれていること等の理由によるもの
でおる。しかしながら、この合成石英ガラス板は、従来
のソーダー・ライム・ガラス板に比べ、価格が数倍から
数十倍高い欠点がある。
従って、コスト・ダウンの為シリコン・ウェハー
（露光に使用して、キズが付いたシして使用不可能にな
った使用済７オト・マスクｆＫ：ｎ生する試みがなされ
ている。つまシ、使用済フォト・マスクのパターンを薬
液によって剥離し、キズが付いたガラス板を研磨剤を用
いて定盤による両面研磨、再生するのである。しかしな
がら使用済７．！ト・マスクの、ガラス板のキズは、５
０ミクロン程度の深さを有するものもおり、研磨剤を用
いた両面イ１）［磨を行う場合、最低５０ミクロンは、
ガラス板を研磨することになる。一般に、ガラス板の板
厚規格は％ある板厚に対して、１００ミクロン程度の公
差でろるから、」二連の再生研磨を行うとすると、２回
の再生研磨でガラス板は使用不可能になる。
（露光に使用して、キズが付いたシして使用不可能にな
った使用済７オト・マスクｆＫ：ｎ生する試みがなされ
ている。つまシ、使用済フォト・マスクのパターンを薬
液によって剥離し、キズが付いたガラス板を研磨剤を用
いて定盤による両面研磨、再生するのである。しかしな
がら使用済７．！ト・マスクの、ガラス板のキズは、５
０ミクロン程度の深さを有するものもおり、研磨剤を用
いた両面イ１）［磨を行う場合、最低５０ミクロンは、
ガラス板を研磨することになる。一般に、ガラス板の板
厚規格は％ある板厚に対して、１００ミクロン程度の公
差でろるから、」二連の再生研磨を行うとすると、２回
の再生研磨でガラス板は使用不可能になる。
本発明の目的は、以上の様な不都合に鑑み、前記、使用
済フォト・マスクのガラス板の板厚を減することなく、
ガラス板を再生する方法を提供するものである。
済フォト・マスクのガラス板の板厚を減することなく、
ガラス板を再生する方法を提供するものである。
すなわち、本発明は透明ガラス基板表面に有する欠陥が
光学的に平坦になるまで、エネルギー・ビームを照射す
る事を％徴とするガラス基板興造方法に関するものでお
る。
光学的に平坦になるまで、エネルギー・ビームを照射す
る事を％徴とするガラス基板興造方法に関するものでお
る。
以下に本発明の詳細な説明する。
シリコン・ウェハーとのｆａ着露光等でキズが付き、使
用不可能となった使用済フォト・マスクのパターン像を
薬液によシ剥離し、次に、酸等の薬液で洗浄しガラス板
表面を清浄にする。続いて、ガラス板のキズを有する部
分に、そのキズが光学的に影響のない程度になるまで、
エネルギー・ビームを照射する。エネルギー・ビームと
しては、炭酸ガスレーザーが適当であるが、）ガラス板
に吸収され、ガラス板のキズの部分を溶融し、ガラス板
のキズを光学的に平坦にするものであれば、どんなエネ
ルギー・ビームでも良い。又、エネルギー・ビームの照
射条件はガラス質が蒸発せず、溶融する条件であれば良
い。炭酸ガス・レーザーで、ガラス板のキズを修正する
場合、ビーム径１０〜１００ミクロンで数〜ｐｉ、１０
０ワツトのエネルギーになる様な条件が良い。
用不可能となった使用済フォト・マスクのパターン像を
薬液によシ剥離し、次に、酸等の薬液で洗浄しガラス板
表面を清浄にする。続いて、ガラス板のキズを有する部
分に、そのキズが光学的に影響のない程度になるまで、
エネルギー・ビームを照射する。エネルギー・ビームと
しては、炭酸ガスレーザーが適当であるが、）ガラス板
に吸収され、ガラス板のキズの部分を溶融し、ガラス板
のキズを光学的に平坦にするものであれば、どんなエネ
ルギー・ビームでも良い。又、エネルギー・ビームの照
射条件はガラス質が蒸発せず、溶融する条件であれば良
い。炭酸ガス・レーザーで、ガラス板のキズを修正する
場合、ビーム径１０〜１００ミクロンで数〜ｐｉ、１０
０ワツトのエネルギーになる様な条件が良い。
ガラス板のキズの修正Ｌ１原理的には、熱溶融と考えら
れるから、部分的に発熱を伴う。従って、ガラス板の熱
分配によるひずみの発生を防ぐために、ガラス板を３０
０〜４００℃に加占しておくと良い。以上によυ、本発
明は完成される。
れるから、部分的に発熱を伴う。従って、ガラス板の熱
分配によるひずみの発生を防ぐために、ガラス板を３０
０〜４００℃に加占しておくと良い。以上によυ、本発
明は完成される。
上述の様に、本発明によれば、簡単に、しかも、ガラス
板の板厚を損うことなく、ガラス板のキズの修正が出来
、ガラス板杜朽生されるのである。
板の板厚を損うことなく、ガラス板のキズの修正が出来
、ガラス板杜朽生されるのである。
しかも、本発明の方法によれば、何回でもガラス板の再
生が可能となり、コスト的効果はｎ（シ知れない。
生が可能となり、コスト的効果はｎ（シ知れない。
Claims (1)
- 透明ガラス基板表面に有する欠陥が光学的に平坦になる
まで、エネルギー・ビームを照射する事を特徴とするガ
ラス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57193200A JPS5983950A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | ガラス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57193200A JPS5983950A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | ガラス基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5983950A true JPS5983950A (ja) | 1984-05-15 |
Family
ID=16303964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57193200A Pending JPS5983950A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | ガラス基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5983950A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6360118A (ja) * | 1985-04-03 | 1988-03-16 | ハイネケン テクニカル サービシーズ ビー ブイ | 再使用せんとするびん表面の機械的および又は化学的損傷修理方法およびその装置 |
| JPH0616440A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-25 | Sharp Corp | 透明板表面の欠陥修正方法 |
| US7473151B2 (en) | 2002-08-26 | 2009-01-06 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing a substrate for a flat panel display including forming grooves in a surface |
| US7712333B2 (en) * | 2006-03-29 | 2010-05-11 | Asahi Glass Company, Limited | Method for smoothing a surface of a glass substrate for a reflective mask blank used in EUV lithography |
-
1982
- 1982-11-02 JP JP57193200A patent/JPS5983950A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6360118A (ja) * | 1985-04-03 | 1988-03-16 | ハイネケン テクニカル サービシーズ ビー ブイ | 再使用せんとするびん表面の機械的および又は化学的損傷修理方法およびその装置 |
| JPH0616440A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-25 | Sharp Corp | 透明板表面の欠陥修正方法 |
| US7473151B2 (en) | 2002-08-26 | 2009-01-06 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing a substrate for a flat panel display including forming grooves in a surface |
| US7712333B2 (en) * | 2006-03-29 | 2010-05-11 | Asahi Glass Company, Limited | Method for smoothing a surface of a glass substrate for a reflective mask blank used in EUV lithography |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI836704B (zh) | 防塵薄膜組件框架、防塵薄膜組件、附防塵薄膜組件的光阻、曝光方法、圖案的製造方法以及半導體裝置的製造方法 | |
| US4405701A (en) | Methods of fabricating a photomask | |
| US20020179852A1 (en) | Apparatus and method for removing photomask contamination and controlling electrostatic discharge | |
| US20080264441A1 (en) | Method for removing residuals from photomask | |
| KR20100032865A (ko) | 유리 기판 표면으로부터 이물질을 제거하는 방법 및 유리 기판 표면을 가공하는 방법 | |
| EP2871521B1 (en) | Method for bonding a pellicle to a stencil | |
| CN215449882U (zh) | 防护薄膜框架及组件、曝光原版、装置与***及制造*** | |
| US8153334B2 (en) | Method for stripping pellicle and stripping apparatus used therein | |
| US3715244A (en) | Chromium film microcircuit mask | |
| JPS5983950A (ja) | ガラス基板の製造方法 | |
| JP2005070120A (ja) | リソグラフィ用ペリクル | |
| JPH05323584A (ja) | リソグラフィー用ペリクルの製造方法 | |
| JP5635839B2 (ja) | マスクブランク用基板の製造方法及びマスクブランクの製造方法 | |
| JPH04110944A (ja) | 透明材料のマーキング方法 | |
| US4361643A (en) | Photomask and method of using same | |
| JP3265137B2 (ja) | ペリクルおよびその接着方法 | |
| US4499162A (en) | Photomask and method of using same | |
| JPS5988332A (ja) | フオト・マスク基板の再生方法 | |
| WO2014050700A1 (ja) | ガラス再生処理方法および再生ガラス基板とそれを用いたフォトマスクブランクスとフォトマスク | |
| JP2000305252A (ja) | ペリクルの剥離方法 | |
| JP2005292623A (ja) | ペリクル | |
| JP2001147519A (ja) | ペリクルおよびペリクル板の製造方法 | |
| JP2579358B2 (ja) | 感光性ガラスのパターン形成方法 | |
| JPS6218560A (ja) | フオトマスクブランクとフオトマスク | |
| JPH02269343A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 |