JPS5978506A - Vertical magnetic recording medium - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To provide superhigh density in a vertical magnetic recording medium by further adding Zr, Mo, Tc, Rh, Pd or Nb as a Co-Os composition as the third element, thereby manetically isolating between the crystalline grains of the medium. CONSTITUTION:At least one of Zr, Mo, Tc, Rh, Pd and Nb is further added up to 20wt% to Co-Os composition, thereby exhibiting the effect. When the content of the Zr, Mom Tc, Rh, Pd or Nb exceeds 20wt%, the crystallinity of the film remarkably decreases, thereby abruptly dropping the vertical magnetic anisotropy of the film. The lower limit of the quantity of the Os extends by the addition of the Zr, Mo, Tc, Rh, Pd or Nb, thereby exhibiting more preferable characteristics as compared with the case of two-element composition.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気記録材料、より詳しく述べるならば、コ
バルト・オスミウム垂直磁気記録媒体に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to magnetic recording materials, and more particularly to cobalt osmium perpendicular magnetic recording media.

磁気記録媒体は、コンピューターの記憶装置に用いられ
一般に記録媒体の長手方向に磁化させている。しかしな
がらこのような磁化方式では記録密度の高密度化に限界
があり、はるかに高密度化が可能となる記録媒体の面に
垂直な方向に磁化する方式が提案されている。そして、
世江博族に丸して垂直方向に磁化可能な垂直磁気記録媒
体には、コバルト・オスミウムが使用され、スパッタリ
ングによって基板上に薄膜を形成している。垂直記録媒
体の作成には、膜面垂直方向の反磁界に打勝つ垂直磁気
異方性を付与することが必要であるｏＭ密六方晶コバル
トはＯ軸方向に大きい結晶磁気異方性を有しているが、
磁化が大きいために形状磁気異方性エネルギーが大きく
、垂直磁気異方性膜は得られない。そのため、オスミウ
ム（以下Ｏ８と略す）を添加することにより飽和磁化を
減少させるとともに、最密六方晶のＯ軸を基板垂直方向
に強く配向させることにより、垂直磁気異方性膜を作成
することが可能になる。ところが、超高密度磁気記録を
実現させた場合、１つのピットにおける減磁界は、薄膜
時の最大の減磁界４πＭ　ｓ（Ｍｓは飽和磁化）より相
当域る筈であり、必ずしも Ｋｕ）２　　πＭｓ２ （Ｋ、　ｕは磁化結晶異方性定数である）の条件を満た
す必要はないと考えられる。Magnetic recording media are used in computer storage devices and are generally magnetized in the longitudinal direction of the recording medium. However, such a magnetization method has a limit in increasing the recording density, and a method has been proposed in which magnetization is performed in a direction perpendicular to the surface of the recording medium, which makes it possible to achieve a much higher density. and,
Perpendicular magnetic recording media that can be magnetized in the perpendicular direction use cobalt osmium, which is formed into a thin film on a substrate by sputtering. To create a perpendicular recording medium, it is necessary to provide perpendicular magnetic anisotropy that overcomes the demagnetizing field in the direction perpendicular to the film surface. OM dense hexagonal cobalt has a large crystal magnetic anisotropy in the O-axis direction. Although,
Since the magnetization is large, the shape magnetic anisotropy energy is large, and a perpendicular magnetic anisotropic film cannot be obtained. Therefore, it is possible to create a perpendicular magnetic anisotropic film by reducing the saturation magnetization by adding osmium (hereinafter abbreviated as O8) and by strongly aligning the O axis of the close-packed hexagonal crystal in the direction perpendicular to the substrate. It becomes possible. However, if ultra-high-density magnetic recording is realized, the demagnetizing field in one pit should be considerably larger than the maximum demagnetizing field 4πM s (Ms is saturation magnetization) in the case of a thin film, and it is not necessarily Ku)2 πMs2 ( It is considered that it is not necessary to satisfy the conditions (K and u are magnetocrystalline anisotropy constants).

一方、０ｏ−Ｏｓ垂直磁化膜は、バルクの場合コバルト
の飽和磁化が、ｏＩｌ＋含有量が増えるに従い、直線的
に減少するのに対し、その直線よりやや高い飽和磁化の
減少傾向を示していることがら、結晶粒界に０８が偏析
していることが予想され、最近、膜の断面のオージェ電
子分光分析によって実証された。つまり、飽和磁化を下
げ、減磁界を小さくするために、結晶粒中に適度にＯｓ
が混合することと、結晶粒界にＯｓが偏析し、非磁性層
を形成することによって、磁壁移動による磁化機構を減
少させ、結晶粒間を磁気的に分離させて、単磁区粒子の
磁化回転のみにすることが、理想的な垂直磁気記録媒体
と考えられる。On the other hand, in the 0o-Os perpendicularly magnetized film, whereas in the bulk case the saturation magnetization of cobalt decreases linearly as the oIl+ content increases, the saturation magnetization tends to decrease slightly higher than that straight line. However, it was predicted that 08 was segregated at the grain boundaries, and this was recently demonstrated by Auger electron spectroscopy analysis of a cross section of the film. In other words, in order to lower the saturation magnetization and reduce the demagnetizing field, an appropriate amount of Os is added in the crystal grains.
The mixture of Os and the segregation of Os at the grain boundaries to form a nonmagnetic layer reduce the magnetization mechanism caused by domain wall movement, magnetically separate the grains, and increase the magnetization rotation of single domain grains. It is considered that an ideal perpendicular magnetic recording medium is one in which only one perpendicular magnetic recording medium is used.

従来のＯＯ−Ｏｓ垂直磁化記録媒体は、膜の垂直異方性
（特にここでは垂直異方性磁界Ｈｋで表わす）を」二げ
ると垂直方向の保磁力Ｈｏ（土）も上昇してしまう。In conventional OO-Os perpendicular magnetization recording media, when the perpendicular anisotropy of the film (particularly expressed here as the perpendicular anisotropy magnetic field Hk) is decreased, the perpendicular coercive force Ho also increases. .

４インチＯＯターゲットに０８ペレツトをおいて、１２
．５μ惰厚のポリイミドにＲＩＰマグネトロンスパッタ
形成させた例を以下に配す。Place 08 pellets on a 4 inch OO target and
．． An example of RIP magnetron sputtering formed on polyimide having a thickness of 5 μm is shown below.

例１．　初期真空度　　３　Ｘ　１０＝　ｔｏｒｒ投入
電力　　　ＩＫＶ　　７０９ｎＡ 時間　　　　　１　ｈｏｕｒ における膜特性は、 例２　初期真空度　　５．５　Ｘ　１０−８ｔｏｒｒ投
入電力　　　２ＫＶ　　１２７ｍＡ 時間　　　　　１０５ｇ における膜の特性は、 であった、これは、投入電力を変えた場合の例であるが
、基板加熱した場合も同様の傾向を示す。Example 1. Initial degree of vacuum 3 x 10 = torr Input power IKV 709nA Time 1 hour The film properties are Example 2 Initial vacuum degree 5.5 x 10-8 torr Input power 2KV 127mA Time 105g The properties of the film are as follows. This is an example when the input power is changed, but the same tendency is shown when the substrate is heated.

つまり、熱が膜形成時にかかることによって、保磁力Ｈ
ａも、異方性磁界Ｈｋも上昇する。ところがこれは、現
実に非常に不都合である。垂直記録媒体は、例２のよう
に高Ｈｋが当然望ましいのであるが、）ｉｏ（土）が大
きくなりすぎると、フェライト、パーマロイ、センダス
ト、アモルファス軟磁性体等を用いた磁気ヘッドでは、
飽和させる為に、ヘッドに流す電流を非常に大きくしな
ければならない。たとえ、飽和記録できても消去が困難
でめったりオーバーライド特性が劣化してしまうという
欠点が生じる。一方、例１のような場合には、書き込み
電流及び、オーバーライドの特性は改善されるが、垂直
磁気記録本来の垂直異方性磁界が小であるため、高密度
記録における磁化反転がシャープでなく、記録密度特性
が悪化してしまう。In other words, due to the heat applied during film formation, the coercive force H
a and the anisotropic magnetic field Hk also rise. However, this is actually very inconvenient. It is naturally desirable for perpendicular recording media to have a high Hk as in Example 2, but if )io becomes too large, magnetic heads using ferrite, permalloy, sendust, amorphous soft magnetic materials, etc.
In order to achieve saturation, the current flowing through the head must be very large. Even if saturation recording is possible, erasing is difficult and override characteristics are rarely deteriorated. On the other hand, in a case like Example 1, the write current and override characteristics are improved, but because the perpendicular anisotropy field inherent in perpendicular magnetic recording is small, the magnetization reversal in high-density recording is not sharp. , recording density characteristics deteriorate.

本発明はかかる点を鑑み、０ｏ−Ｏｓ系に更に第三元素
としてジルコニウム、モリブデン、テクネチウム、ロジ
ウム、パラジウム、ニオビウムを添加することによりこ
れらの難点をＰ！ｆ、決したものである。In view of these points, the present invention solves these drawbacks by adding zirconium, molybdenum, technetium, rhodium, palladium, and niobium as third elements to the Oo-Os system. f, it has been decided.

本発明の目的は、結晶粒間を磁気的に分離させ、超高密
度磁気記録媒体を提供することにある。An object of the present invention is to magnetically separate crystal grains and provide an ultra-high density magnetic recording medium.

本発明の他の目的は１００ＫＩＩ’ＦＩＰ１以上の超高
密度記録媒体における出力及び分解能を飛躍的　′に高
めることにある。Another object of the present invention is to dramatically increase the output and resolution of ultra-high density recording media of 100KII'FIP1 or higher.

本発明はＣｏ−０ｓに更に２０重量％Ｃ以下ｗｔ％と略
す）までのジルコニウム（以下Ｚｒと略す）、モリブデ
ン（以下Ｍｏと略す）、テクネチウム（以下Ｔｏと略す
）、ロジウム（以下Ｒ１１と略す）、パラジウム（以下
ｐａと略す）、ニオビウム（以下Ｎｂと略す）のうち少
なくとも一種加えることにより明らかに効果を発揮する
。Ｚｒ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｐｂ、Ｎｂの含有量が２゜
ｗｔ％を越えると膜の結晶性が著しく低下し、膜の垂直
磁気異方性が急激に落ちる。従来０ｏ−Ｏｓ２元系では
、０日が１２〜３０ｗｔ％の範囲で磁気特性、結晶配向
とも良好であるとされていたが、本発明のＺｒ、Ｍｏ、
’Ｉｏ、Ｒｈ、Ｐｄ。In the present invention, in addition to Co-0s, zirconium (hereinafter abbreviated as Zr), molybdenum (hereinafter abbreviated as Mo), technetium (hereinafter abbreviated as To), and rhodium (hereinafter abbreviated as R11) up to 20 wt% C or less. ), palladium (hereinafter abbreviated as pa), and niobium (hereinafter abbreviated as Nb), which is clearly effective. When the content of Zr, Mo, Tc, Rh, Pb, and Nb exceeds 2% by weight, the crystallinity of the film decreases significantly and the perpendicular magnetic anisotropy of the film drops sharply. In the conventional 0o-Os binary system, it was said that magnetic properties and crystal orientation were good in the range of 12 to 30 wt% on day 0, but the present invention's Zr, Mo,
'Io, Rh, Pd.

Ｎｂ添加によって０８量の下限が広かり二元系の場合よ
りも良い特性を示した。第１図に本発明の効果を示す。By adding Nb, the lower limit of the amount of 08 was widened, and the properties were better than those of the binary system. FIG. 1 shows the effects of the present invention.

表中の数字は、００中の０６とＺｒ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒ＝
ｈ、Ｐｄ、Ｎｂの含有量を重量％で表示した。斜線部が
本発明によって垂直磁気異方性が改善された領域で、そ
の他は本発明の効果を示さない領域である。The numbers in the table are 06 out of 00, Zr, Mo, Tc, R=
The contents of h, Pd, and Nb are expressed in weight%. The shaded area is the area where the perpendicular magnetic anisotropy has been improved by the present invention, and the other areas are areas where the effect of the present invention is not exhibited.

具体例として、ＤＯスパッタ、ＲＦスパッタ。Specific examples include DO sputtering and RF sputtering.

マグネトロンスパッタ、対向ターゲット方式スノぐツタ
、イオンビームスパッタ、イオンプレ・−ティング、電
子ビーム蒸着、メッキ等薄膜作製法あるいはポリエチレ
ンテレフタラート、ポリイミド。Thin film production methods such as magnetron sputtering, facing target method, ion beam sputtering, ion plating, electron beam evaporation, and plating, or polyethylene terephthalate and polyimide.

ガラス、アルマイト処理したアルミ基板等の基板材質に
かかわらず、本発明のＺｒ、Ｍｏ、Ｔｏ。Zr, Mo, and To of the present invention can be used regardless of the substrate material, such as glass or alumite-treated aluminum substrate.

Ｒｈ、Ｐａ、Ｚｒ添加効果がある。一般に、垂直磁気記
録媒体として、垂直磁気記録層単層の場合とその下に裏
うち層として高透磁率層の材質、例エハハーマロイ＋　
ｏ　ｏ　系ｅ　Ｆ　８　Ｋ　ｔアモルファガス透磁率薄
膜を各種変更してもなりたつ。There is an effect of adding Rh, Pa, and Zr. In general, perpendicular magnetic recording media are made of a single perpendicular magnetic recording layer and a high permeability layer as a backing layer below the perpendicular magnetic recording layer.
o o series e F 8 Kt The result is obtained even if various changes are made to the amorphous gas permeability thin film.

以下、実施例にもとづいて、本発明を説明する実施例１ ポリイミド基板にＲＩｒｉＶ源でＯｏ　−Ｏｇ及び、Ｏ
ｏ　−Ｏｓ　−Ｚ　ｒ垂直磁化膜を形成した。ターゲラ
　　ト　は、　　０ｏ−１３Ｗｔ　　％　Ｏｓ、０００
０−１（５％０８，００−２０ｗｔ％Ｏｓと３種類の０
ｏ−０８合金ターゲツトを用いた。ＯＯ−Ｏｅ　−Ｚ　
ｒ三元系垂直磁化膜については、０ｏ−Ｏｓ合金ターゲ
ット上に５Ｘ５Ｘ１ｍｍのサイズのＺｒベレットを分布
が均一になるように配置して各種のＺｒ量の薄膜を作成
した。各成分の含有量はＸＭＡにて定量を行った。Hereinafter, the present invention will be explained based on Examples. Example 1 A polyimide substrate was coated with Oo -Og and O
An o-Os-Zr perpendicular magnetization film was formed. Target is 0o-13Wt% Os, 000
0-1 (5%08,00-20wt%Os and three types of 0
An o-08 alloy target was used. OO-Oe-Z
Regarding r-ternary perpendicular magnetization films, thin films with various amounts of Zr were created by arranging Zr pellets with a size of 5 x 5 x 1 mm on an Oo-Os alloy target so that the distribution was uniform. The content of each component was determined by XMA.

スパッタ条件 スパッタ前にペルジャーのベーキング及びポリイミド基
板のガス出しを行った。スパッタ中は、基板ホルダーを
水冷した。スパッタ時間は、１５分で膜厚は約０．６μ
常であった。Sputtering conditions Before sputtering, Pelger baking and degassing of the polyimide substrate were performed. During sputtering, the substrate holder was water-cooled. The sputtering time was 15 minutes and the film thickness was approximately 0.6μ.
It was always.

この結果２０ｗｔ％までのＺｒを添加することにより、
垂直磁気異方性が約３０％向上した。As a result, by adding up to 20 wt% of Zr,
Perpendicular magnetic anisotropy was improved by about 30%.

又０８量を増加させると異方性磁界Ｈｋが最大となるＺ
ｒ量は少なくなった。更にＺｒ量が２０ｗｔ％を越える
と結晶配向性は急速に悪化すると共に、垂直磁気異方性
も急激に低くなった。Also, when the amount of 08 is increased, the anisotropic magnetic field Hk becomes maximum
The amount of r has decreased. Furthermore, when the amount of Zr exceeded 20 wt%, the crystal orientation deteriorated rapidly and the perpendicular magnetic anisotropy also decreased rapidly.

実施例２ 電子ビーム蒸発源を三個備え、基板と電子ビーム蒸発源
の間に高周波を印加するコイルを備えたイオンブレーテ
ィング装置によりポリイミドテープにＱ　ｏ　−Ｏｓ　
−Ｍ　ｏ三元系メディアを作製した各電子ビーム蒸発源
にはそれぞれＣｏ、０８゜ＭＯを充填し各電子ビームの
パワーをコントロールすることにより付着膜の組成を変
えることが可能である。成膜速度は約５００　Ｘ　／　
ｓｅｃであった。Example 2 Q o -Os was applied to a polyimide tape using an ion blating device equipped with three electron beam evaporation sources and a coil that applied high frequency between the substrate and the electron beam evaporation source.
It is possible to change the composition of the deposited film by filling Co and 08° MO into each electron beam evaporation source in which the -Mo ternary media is prepared and controlling the power of each electron beam. The film formation rate is approximately 500×/
It was sec.

実験はＯｑと０８の蒸発源のパワーの比を三坂階に変更
して生成膜のｃｏと０８の重量比が９０　：　１０　、
８５　：　’１５　、８０　：　２０のものに対してＭ
Ｏのパワーを変動させて、三種の元素の組成を変更した
。いずれの場合においてもＭＯの量が２０ｗｔ％を越え
るとＨｋは急激に低下した。In the experiment, the power ratio of the evaporation source of Oq and 08 was changed to Misaka Shina, and the weight ratio of CO and 08 of the produced film was 90:10.
85: M for '15, 80: 20
The composition of the three elements was changed by varying the power of O. In any case, when the amount of MO exceeded 20 wt%, Hk decreased rapidly.

その様子を第２図に示す。○印はＯｏとＯＢの比が、９
０：１０．Δ印はＯｏと０［］の比が８５：１５、Ｘ印
はＯｏと０８の比が８０　：　２．０である実施例３ 対向ターゲット方式スパッタ装置を用い、ビデオ用テー
プを作製し画像処理を行った。The situation is shown in Figure 2. The ○ mark indicates that the ratio of Oo and OB is 9.
0:10. The Δ mark indicates the ratio of Oo to 0[] is 85:15, and the X mark indicates the ratio of Oo to 08 of 80:2.0.Example 3 A video tape was produced using a facing target sputtering device and image processing was performed. I did it.

第３図に対向ターゲット方式スパッタ装置の概略図を示
す。Ｏｏ　−Ｏｅ　２元系ターゲット１と専用の直流電
源（以下Ｄｏ電源と記す）２とそれに対向して設けられ
たＯ　ｏ　−Ｏａ　−Ｔβ三元系ターゲット３と専用の
Ｄｏ電源４からなり、この対向したターゲット間に約３
００ガウスの磁界を発生させ、基板５がプラズマにさら
されないようにべルジャーの外側に電磁石６を備えた構
成である。FIG. 3 shows a schematic diagram of a facing target type sputtering apparatus. It consists of an Oo -Oe binary target 1, a dedicated DC power supply (hereinafter referred to as Do power supply) 2, an Oo -Oa -Tβ ternary target 3 provided opposite to it, and a dedicated Do power supply 4. Approximately 3 between opposing targets
It generates a magnetic field of 0.00 Gauss and includes an electromagnet 6 outside the bell jar so that the substrate 5 is not exposed to plasma.

基板５は、ロール方式で巻き取れるように設計してあり
、後方の加熱及び水冷可能な基板ホルダー７及びそれと
連動したガイド棒によって上下に可動になっている。The substrate 5 is designed to be rolled up in a roll manner, and is movable up and down by a substrate holder 7 at the rear that can be heated and cooled by water, and a guide rod interlocked with the substrate holder 7.

スパッタ条件 この対向ターゲット方式スパッタ装置は、それぞれの電
極に電源を独立に設けているため、ＣＯ−Ｏｓ膜中のＴ
ａ量を変えるにはそれぞれターゲえたことによる膜厚分
布の変動は、基板ホルダー及び基板の上下によって制御
した。Sputtering conditions This facing target type sputtering equipment has an independent power supply for each electrode, so the T in the CO-Os film is
Variations in the film thickness distribution due to varying the amount of a were controlled by adjusting the substrate holder and the upper and lower positions of the substrate.

第４図に、Ｔａ量を変えたときのΔθ５０　　と、Ｈｋ
の変化を示す。Ｔｃが２０ｗｔ％以上の範囲では、Ｈｋ
がＴＯ添加によって急激に上昇している。ただしＴＯが
２０ｗｔ％以上添加されるとΔθ５０が異常に大となり
結晶性及びその配向性が悪化したと思われる。Figure 4 shows Δθ50 and Hk when the amount of Ta is changed.
shows the change in In the range where Tc is 20wt% or more, Hk
increases rapidly with the addition of TO. However, when 20 wt % or more of TO was added, Δθ50 became abnormally large, and it seems that the crystallinity and its orientation deteriorated.

第４図は、第２図の傾向と全く同様であり、膜形成装置
及び、基板による差はない。The tendency in FIG. 4 is exactly the same as that in FIG. 2, and there is no difference depending on the film forming apparatus and substrate.

実施例４ カウフマン型イオン源からυ１き出されたアルゴンイオ
ンビームをターゲットに照射するイオンビームスパッタ
装置を用いガラス基板上に０ｏ−Ｏｓ　−Ｒｈ三元系メ
ディアを作製した。Example 4 An 0o-Os-Rh ternary media was fabricated on a glass substrate using an ion beam sputtering device that irradiated a target with an argon ion beam emitted by υ1 from a Kauffman type ion source.

ｃｏ−ｔｏｗｔ％Ｏｓ、Ｏｏ−１５ｗｔ％０８、Ｏｏ−
２０ｗｔ％ＯＩＩ＋の三種のターゲット上に５ｒｒａ角
で厚さ１咽のロジウムペレットを載せてイオンビームを
照射し、スパッタした。ロジウムベレットの個数及び配
置によりガラス基板上に付着するＯ　Ｏ−Ｏｅ　−Ｒｈ
の組成が変った。いずれのターゲットを用いた場合でも
ロジウムが微量混入することにより結晶配向性及び垂直
異方性磁界が向上するが、ロジウムの量が２０ｗｔ％を
越えると結晶配向性及び垂直異方性磁界のいずれも極端
に悪化した。co-towt%Os, Oo-15wt%08, Oo-
Rhodium pellets with a thickness of 1 mm and 5 rra square were placed on three types of 20 wt% OII+ targets, and ion beam irradiation was performed to perform sputtering. O O-Oe -Rh attached to the glass substrate depending on the number and arrangement of rhodium pellets
The composition of has changed. No matter which target is used, crystal orientation and perpendicular anisotropy magnetic field improve by mixing a small amount of rhodium, but when the amount of rhodium exceeds 20 wt%, both crystal orientation and perpendicular anisotropy magnetic field improve. It got extremely worse.

実施例５ 前記８インチマグネトロンスパッタ’Ｊｉｉ［［用イ、
記録再生評価用５インチフロッピーメディアを作製した
。本スパッタ装置は、６基の８インチターゲットを備え
ており、電極１には、Ｏｏクムゲット上に膜組成が００
８ｓ　ｚ　ｒ　ｉｓ　　（重ｉｔ％表示）となるように
Ｚｒペレットを置いたもの、電極２には、Ｏｏ−１６ｗ
ｔ％ＯＢターゲット、電極乙には、００００−１ｔＳ％
Ｏｓターゲット上にＰｄベレットを膜組成が（００８４
０日１８）９６Ｐ（１４となるように配置した。基板は
、５０μ惧厚ポリエチレンテレフタラートを用いた。一
般にＰＥＴとか、マイラといわれているものであり、耐
熱性に乏しいため、Ｄｏ％Ｌ源により腺を形成した。ス
パッタの順序としては、別々の基板にＣ０８５Ｚ　ｒ　
ｔ５　　膜をＧ、　５７１ｒｌＬ同一条件で形成後、一
つの基板には、Ｑ　Ｏ８４０８１６膜を０．６μ惜　別
の基板には、（００８４０ｓ１６）９６Ｐｄ４膜を０．
６μｍ作製した。後でメディアにソリがないように反対
面にも同一条件で膜を形成した。Example 5 The 8-inch magnetron sputter 'Jii
A 5-inch floppy media for recording/playback evaluation was prepared. This sputtering apparatus is equipped with six 8-inch targets, and electrode 1 has a film composition of 00
Zr pellets were placed so that the weight was 8s z ris (indicated by weight it%), and Oo-16w was placed on electrode 2.
t%OB target, electrode O is 0000-1tS%
The film composition of the Pd pellet on the Os target is (0084
0 day 18) 96P (14). The substrate used was polyethylene terephthalate with a thickness of 50 μm. It is generally called PET or Mylar, and since it has poor heat resistance, it was used as a Do%L source. The sputtering order was as follows: C085Z r
After forming the t5 film under the same conditions as G and 571rlL, one substrate was coated with a QO840816 film with a spacing of 0.6μ, and another substrate was coated with a (00840s16)96Pd4 film with a spacing of 0.6μ.
6 μm was prepared. Later, a film was formed on the opposite side under the same conditions to prevent warping of the media.

スパッタ条件 第５図に、本実施例によって作製したメディアの構成を
示す。メディアＡは、５０μｍマイラ８の両面に０．３
μ惧厚の００８５Ｚｒ１５　　アモルファス軟磁性膜９
と０．６μ情厚のＣ！０８４０９１６垂直磁化膜１０を
形成したものであり、メディアＢは、５０μｍマイラ８
の両面に０．３μ常厚の００８１ｉＺｒ１５　　アモル
ファス軟磁性膜９と０．６７１　ｍ厚の（ＯＯ８４０８
１６）９６　Ｐ　ｃ１４　　垂直磁化膜１１を形成した
ものである。Sputtering Conditions FIG. 5 shows the structure of the media produced according to this example. Media A is 0.3 mm on both sides of 50 μm Mylar 8.
μ thick 0085Zr15 amorphous soft magnetic film 9
And 0.6μ compassionate C! 0840916 perpendicular magnetization film 10 is formed, and media B is 50 μm Mylar 8.
0081iZr15 amorphous soft magnetic film 9 with a normal thickness of 0.3μ and a 0.671m thick (OO8408
16) 96 P c14 A perpendicular magnetization film 11 is formed.

メディアＡとメディアＢを、１，３μ情厚パーマロイ主
磁極−補助磁極タイプヘッドで記録再生したときの記録
密度特性を第６図に示す。第６図は、両対数グラフ上で
プロットしである。縦軸は、相対出力、横軸は、記録密
度を（ＫＦＲＰ工）の単位で記しである。同図から、メ
ディアＢの方が、セカンドビーク、サードビークの出力
がかなり大きくなっている。このことは、０ｏ−Ｏｓ膜
にＰ（ｌを添加したＯ　Ｏ−Ｏｓ　−Ｐ　ｄ三元系垂直
磁化膜が、実用上においても、０ｏ−Ｏｓ二元系膜より
も優れており、１００ＫＦＲＰ工以上の超高密度磁気配
録を十分可能ならしめつる。FIG. 6 shows the recording density characteristics when recording and reproducing media A and media B using a 1.3μ permalloy main pole-auxiliary pole type head. FIG. 6 is plotted on a log-log graph. The vertical axis shows the relative output, and the horizontal axis shows the recording density in units of (KFRP units). As can be seen from the figure, the second beak and third beak outputs of media B are considerably larger. This means that the O O - Os - P d ternary perpendicular magnetization film, which is obtained by adding P(l) to the O o -Os film, is superior to the O o - Os binary film in practical use, and is The above ultra-high density magnetic recording is fully possible.

実施例６ ８インチターゲットを有するマグネトロンスパッタ装置
を用い、５インチのアルマイト処理した０ｏ５０Ｔａ５
０（重量％）を０５μｍ形成させ、ディスクＯには０ｏ
８４０ｓｊ、６　　を０．３μ常、ディスクＤには（０
０８４０９１６）９６Ｎｂ４　　を０．６μｍ作製した
。構成図は、第７図に示した。Example 6 Using a magnetron sputtering device with an 8-inch target, 5-inch alumite-treated 0o50Ta5
0 (wt%) was formed to a thickness of 05 μm, and 0o was formed on the disk O.
840sj, 6 is always 0.3μ, disk D is (0
0840916) 96Nb4 was prepared to a thickness of 0.6 μm. The configuration diagram is shown in FIG.

０、５　ｐ惧非磁性アモルファス０ｏ５０Ｔａ５０を下
層に設けたのは、アルマイト処理したディスク表面の粗
さを緩和させることと、その上の００８４０８１６　　
と（ａ　Ｏ８４０８１６）９４　Ｎ　ｂ４の磁気特性を
上昇させるためである。The purpose of providing the 0,5p non-magnetic amorphous 0o50Ta50 as the lower layer was to reduce the roughness of the alumite-treated disk surface, and to reduce the roughness of the alumite-treated disk surface.
This is to increase the magnetic properties of (aO840816)94Nb4.

上記２種のディスクを用い、５インチウィンチェスター
ディスクドライブで記録再生を行った。Recording and reproduction were performed using the above two types of discs with a 5-inch Winchester disc drive.

浮上量を小さくするため、標準の３６００ｒｐｍから、
１１０００ｒｐに落とした。浮上量は、０．２μｍ程度
である。磁気ヘッドは、標準のＭｈ−Ｚ　ｎ−フェライ
トで、ギャップは１μ惟であった。ディスクＣとディス
クＤを用いた場合の記録密度特性を第８図に示す。縦軸
は相対出力、横軸は記録密度（単位はＫＦＲＰ工）であ
る。Ｎｂを４％添加したディスクＤは、ディスクＣに較
べ、セカンドビーク値で倍の出力を得・ている。In order to reduce the flying height, from the standard 3600 rpm,
I dropped it to 11,000 rpm. The flying height is about 0.2 μm. The magnetic head was a standard Mh-Z n-ferrite with a 1μ gap. FIG. 8 shows recording density characteristics when discs C and D are used. The vertical axis is relative output, and the horizontal axis is recording density (unit: KFRP units). Disc D with 4% Nb added has twice the output in second peak value compared to disc C.

なお、本発明は前記実施例に制約されない。Note that the present invention is not limited to the above embodiments.

０ｏ−Ｏｓ−Ｚ’ｒ、０ｏ−Ｏｓ−Ｎｂ、０ｏ−Ｏｅ−
Ｍｏ　、　Ｏｏ−Ｏｓ−Ｔ　ｃ　、　Ｏｏ−Ｏｓ　−Ｒ
ｈ　、０ｏ−Ｏｓ−Ｐ＋ｉ等の三元合金を作製しうるス
パッタ以外の他の手段、例えば、電子ビーム蒸着、メッ
キ、ロール法等でもよい。また、実施例２では、対向タ
ー、ゲット方式の改良装置を用いた例を挙げたが、Ｏｏ
−Ｏｅ　−Ｍ　ｏ三元合金で最良の垂直磁気異方性を有
する成分組成が決定されれば、対向する二個のターゲッ
トともに同一三元材質を用い、同一の直流もしくは高周
波電源を使用する方式でもよい。また、実施例１及び実
施例３は、基板水冷しているが、基板加熱を行なうと０
ｏ−Ｏｅ２元合金膜は、例えばＨｋ＝６８００と高くな
るが、Ｚｒ、Ｎｂ、ＭＯ，Ｔｃ、Ｒｈ。0o-Os-Z'r, 0o-Os-Nb, 0o-Oe-
Mo, Oo-Os-Tc, Oo-Os-R
Other means than sputtering, such as electron beam evaporation, plating, and roll methods, which can produce ternary alloys such as h, 0o-Os-P+i, etc., may also be used. In addition, in Example 2, an example was given in which an improved device with opposing targets and a target method was used, but Oo
-Oe -Mo Once the composition of the ternary alloy with the best perpendicular magnetic anisotropy is determined, the same ternary material is used for both opposing targets, and the same DC or high frequency power source is used. It may be a method. In addition, in Examples 1 and 3, the substrate was water cooled, but when the substrate was heated,
The o-Oe binary alloy film has a high value of Hk=6800, for example, but contains Zr, Nb, MO, Tc, and Rh.

ｐａ添加により、ＨＯは更に高くなる。By adding pa, HO becomes even higher.

本発明は、以上説明したように、ｏ　ｏ　−ｏ　ｓ膜に
Ｚｒ、Ｎｂ、ＭＯ，ＴＯ，Ｒｈ、Ｐｄを２０重量％以下
含有させ、ＯＯ−Ｏｓ二元合金における垂直磁気異方性
の限界を大きく上回る幽ヒ蝮ｘｉ己録媒体を作り出し、
現在の記録密度特性を大幅に改善した超高密度記録媒体
を作り出すものであるAs explained above, the present invention contains 20% by weight or less of Zr, Nb, MO, TO, Rh, and Pd in the OO-OS film, thereby solving the limit of perpendicular magnetic anisotropy in the OO-Os binary alloy. Created a self-recording medium that far exceeds the
This will create an ultra-high-density recording medium that significantly improves current recording density characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は本発明の詳細な説明する図である。第２図は実
施例２を説明するためのもので、ＭＯ添加量に対する異
方性磁界Ｈｋの変化を示したもの。第３図及び第４図は
、実施例３を説明するためのもので、それぞれ、装置の
構成図、Ｔｏ量に対する膜特性の変化を示したもの。第
５図、第６図は、実施例５を説明するためのもので、メ
ディアの構成図及びそれぞれのメディアの記録密度特性
、第７図、第８図は、実施例６を説明するためのもので
、磁気ディスクの構成図及びそれぞれの磁気ディスクの
記録密度特性である。 １・・・・・・ｃｏ−Ｏｓ合金ターゲット２・・・・・
・直流電源 ３・・・・・・ＣＯ−○ｔｓ　−Ｔ　ｃ合金ターゲット
４・・・・・・直流電源 ５・・・・・・基　板 ６・・・・・・電磁石 ７・・・・・・基板ホルダー ８−−　マイラ（５０ｔｔ　ｍ　） ９・−・−ｏ　ｏ　−ｚ　ｒ膜（０，３／Ｊ　ｍ　）１
０−・０ｏ−Ｏｓ膜（０，６μｆｒＬ）１１・・・Ｏｏ
　−Ｏｎ−Ｐ　ｄ膜（０，６ｐ餌）１２・・・アルミデ
ィスク（１，９ｍｍ）１３・・・アルマイト １４−Ｏｏ−Ｔａ膜（０，５／Ｊ　ｍ　）１５・−Ｃｏ
−Ｏｓ膜あるいはＯＯ−Ｏｓ　−Ｎ　ｂ膜（０，３μｍ
〕 以上 出願人　杆式会社趣訪精工舎 代理人　弁理士最上　　務 第１図 Ｉ′ｌｏどｗｔズ） ′２．Ｉ″Ｓ２図 第３図 第４図 第５図 篇６図 第７図 記性剪度（￥ｇＦＺＰＩ） 第８図FIG. 1 is a diagram illustrating the present invention in detail. FIG. 2 is for explaining Example 2, and shows the change in the anisotropic magnetic field Hk with respect to the amount of MO added. FIGS. 3 and 4 are for explaining Example 3, and respectively show a configuration diagram of the apparatus and changes in film characteristics with respect to the amount of To. Figures 5 and 6 are for explaining the fifth embodiment, and are diagrams of the configuration of the media and the recording density characteristics of each medium, and Figures 7 and 8 are for explaining the sixth embodiment. This is a block diagram of a magnetic disk and recording density characteristics of each magnetic disk. 1... co-Os alloy target 2...
・DC power supply 3...CO-○ts-T c alloy target 4...DC power supply 5...Substrate 6...Electromagnet 7... ...Substrate holder 8--Mylar (50tt m) 9--o o -zr film (0,3/J m) 1
0-・0o-Os film (0,6 μfrL) 11...Oo
-On-P d film (0.6p bait) 12... Aluminum disk (1.9 mm) 13... Alumite 14 -Oo-Ta film (0.5/J m ) 15.-Co
-Os film or OO-Os -Nb film (0.3μm
〕 Applicant: Shuwa Seikosha Co., Ltd. Agent: Mogami, Patent Attorney (Figure 1 I'lodo wts) '2. Figure I″S2 Figure 3 Figure 4 Figure 5 Section 6 Figure 7 Indication of the degree of shear (￥gFZPI) Figure 8

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] コバルトとオスミウムに加えて、ジルコニウム、モリブ
デン、テクネチウム、ロジウム、パラジウム、ニオビウ
ムのうち少なくとも一種を含有したことを特徴とする垂
直磁気記録媒体。A perpendicular magnetic recording medium characterized by containing at least one of zirconium, molybdenum, technetium, rhodium, palladium, and niobium in addition to cobalt and osmium.