JPS5977620A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPS5977620A JPS5977620A JP57186951A JP18695182A JPS5977620A JP S5977620 A JPS5977620 A JP S5977620A JP 57186951 A JP57186951 A JP 57186951A JP 18695182 A JP18695182 A JP 18695182A JP S5977620 A JPS5977620 A JP S5977620A
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- Japan
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、垂直磁気記録媒体に関する。
従来の水平磁気記録は、記録密度が哉くなるにつれ、隣
ｐ合った磁化による反磁界の影響で３）〜原）キロビッ
トパーインチＣ以下Ｋｂｐｉと略す）が限界とされてい
たのに対し、岩崎俊−教授が提唱した垂直磁気記録は、
記録密度が高くなるにつれ、反磁界による磁化の杓ち消
しか減少するという特徴を有し、最大記録密度は、２０
０〜３００ Ｋｂｐｉも可能といわれている。
ｐ合った磁化による反磁界の影響で３）〜原）キロビッ
トパーインチＣ以下Ｋｂｐｉと略す）が限界とされてい
たのに対し、岩崎俊−教授が提唱した垂直磁気記録は、
記録密度が高くなるにつれ、反磁界による磁化の杓ち消
しか減少するという特徴を有し、最大記録密度は、２０
０〜３００ Ｋｂｐｉも可能といわれている。
垂直磁気記録媒体の構成は、用途によって、各種考えら
れている。第１図にその例を示す。
れている。第１図にその例を示す。
第１図Ｃα）は、基板１の上に高透磁率膜２を形成し、
その上に垂直磁化軸３を形成した、最も一般的な構成で
ある。−創：に−１ｉ石透磁率脱はパー・マロイ、コバ
ルト系アモルファス股等か用いられている。
その上に垂直磁化軸３を形成した、最も一般的な構成で
ある。−創：に−１ｉ石透磁率脱はパー・マロイ、コバ
ルト系アモルファス股等か用いられている。
第１図１６１は、基板上に直接垂直磁化膜３を形成した
媒体１．第１図１６１は、垂直磁化膜の磁気ｑｋ性を主
に向上させるため圧改良されたもので、垂直磁化膜３と
高透磁率膜２０間に中間層４を設りた媒体である。一般
に、中間層４は、 Ｅ３ｉｏ、 、チタン等が考えら
ノしている。
媒体１．第１図１６１は、垂直磁化膜の磁気ｑｋ性を主
に向上させるため圧改良されたもので、垂直磁化膜３と
高透磁率膜２０間に中間層４を設りた媒体である。一般
に、中間層４は、 Ｅ３ｉｏ、 、チタン等が考えら
ノしている。
本発明は、Ｍｒ１図Ｉ６）の基本構成に関するものであ
る。第１図１６１の様に基板の上に垂直磁化Ｈ〜を直接
形成すると、基板のＩ質、表面性によって磁気特性が悪
化する。基板の影響を少くするには、垂泊磁化膜ＪＬ７
を厚くする。、基板の上に呵０ツ、チタン等非磁性膜を
形成し、その上に垂＠磁化膜を形成する等が考えられる
が、前者は垂直磁化膜の膜厚が薄い方が良い垂直磁気記
録システムの場合には不適当であるし、後者は基板及び
垂直磁化軸との密着に間融がある。
る。第１図１６１の様に基板の上に垂直磁化Ｈ〜を直接
形成すると、基板のＩ質、表面性によって磁気特性が悪
化する。基板の影響を少くするには、垂泊磁化膜ＪＬ７
を厚くする。、基板の上に呵０ツ、チタン等非磁性膜を
形成し、その上に垂＠磁化膜を形成する等が考えられる
が、前者は垂直磁化膜の膜厚が薄い方が良い垂直磁気記
録システムの場合には不適当であるし、後者は基板及び
垂直磁化軸との密着に間融がある。
木兄８Ａは、かかる点に鑑みたもので、その目的は、基
板による磁気特性の影響を無くシ、垂直磁化膜単層媒体
よｐも、優れた垂直磁気異方性を有する垂直磁気記録媒
体を作シだすことにある。
板による磁気特性の影響を無くシ、垂直磁化膜単層媒体
よｐも、優れた垂直磁気異方性を有する垂直磁気記録媒
体を作シだすことにある。
以下、具体的な実施例のもとに本発明を詳述する。
実施例１
ＩＰ＝ Ｍ 性コバルトタンタル（以下ＣＱ −Ｔａと
略す）合釜痕を裾部磁化膜の下地に用いた。その基本４
１□＃成を第２図に示すＴａが、４５重量−以上Ｃ，）
内に混入するとｅＯ−Ｔａ膜は非磁性化する。ガラス基
板の上に直接コバルトΦクロム垂直磁化膜（以下、ｃＯ
−Ｃｒ膜と略す）単層ｊＭｔＪ成した場合と本発明によ
“″′磁性ｃｏ−Ｔａ膜を下地にし、その上にＣ□ −
Ｃｒ膜を形成した場合においてｃｏ −（ＥｆＭ０厚と
ＣＱ −Ｃｆの垂直磁気異方性磁界（以下、助と略す）
−との関係を第３図に示す。ＣＱ−Ｔα非磁性料は、Ｃ
ｏｗ ”ａ５（１（Ｎ ：！ｔ ’１６ ）であル、膜
厚は０．２μｍである。Ｉｌｋは、トルクメーターによ
って測定した。点ｌ１１６は、垂直磁化２層膜の特性で
あシ、実線７社、本発明による非磁性ＣＱ Ｔ（ｚを下
地に設けた垂直磁化２層膜の特性を示した。特にｃｍ
−ｃｙ膜が０・３趣以下において、本発明の効果が歴然
としている。
略す）合釜痕を裾部磁化膜の下地に用いた。その基本４
１□＃成を第２図に示すＴａが、４５重量−以上Ｃ，）
内に混入するとｅＯ−Ｔａ膜は非磁性化する。ガラス基
板の上に直接コバルトΦクロム垂直磁化膜（以下、ｃＯ
−Ｃｒ膜と略す）単層ｊＭｔＪ成した場合と本発明によ
“″′磁性ｃｏ−Ｔａ膜を下地にし、その上にＣ□ −
Ｃｒ膜を形成した場合においてｃｏ −（ＥｆＭ０厚と
ＣＱ −Ｃｆの垂直磁気異方性磁界（以下、助と略す）
−との関係を第３図に示す。ＣＱ−Ｔα非磁性料は、Ｃ
ｏｗ ”ａ５（１（Ｎ ：！ｔ ’１６ ）であル、膜
厚は０．２μｍである。Ｉｌｋは、トルクメーターによ
って測定した。点ｌ１１６は、垂直磁化２層膜の特性で
あシ、実線７社、本発明による非磁性ＣＱ Ｔ（ｚを下
地に設けた垂直磁化２層膜の特性を示した。特にｃｍ
−ｃｙ膜が０・３趣以下において、本発明の効果が歴然
としている。
実施例？
基板として、アルミナ酸化処理をしたアルミを用い、ｃ
ｍ ： Ｃｆ垂直磁化膜の厚みを０．２μｍと固定した
場合において、非磁性ＣＱ −Ｔａの膜厚とＣＱ−Ｃｆ
膜の垂直磁気異方性磁界との関係を第４図忙示す。アル
ミナ基板１忙直接形成し、膜厚も０．２μｍと薄いＣＧ
−ＣＦ膜の場合は、垂直磁気異方性が＃１とんど無いの
に対し、下地にｃｏ６０ＴａＩＩｏ非磁性膜を形成させ
ると、 ＣＱＴα非磁性膜厚が厚くなるにつれ、その上
にあるＣ０Ｃｔ−膜の垂直磁気異方性が、急激に増加し
た。
ｍ ： Ｃｆ垂直磁化膜の厚みを０．２μｍと固定した
場合において、非磁性ＣＱ −Ｔａの膜厚とＣＱ−Ｃｆ
膜の垂直磁気異方性磁界との関係を第４図忙示す。アル
ミナ基板１忙直接形成し、膜厚も０．２μｍと薄いＣＧ
−ＣＦ膜の場合は、垂直磁気異方性が＃１とんど無いの
に対し、下地にｃｏ６０ＴａＩＩｏ非磁性膜を形成させ
ると、 ＣＱＴα非磁性膜厚が厚くなるにつれ、その上
にあるＣ０Ｃｔ−膜の垂直磁気異方性が、急激に増加し
た。
なお、非磁性コバルト合金膜は、コバルトタンタル系に
限られるわけではない。他に、非磁性コバルトクロム、
非磁性コバルトニオブ、非磁性コバルトタングステン、
非磁性コバルトモリブテン非磁性コバルトバナジウム、
非磁性コバルトチタン、更には非磁性コバルト３元系で
もよい。また主磁極、補助磁極対向型の磁気ヘッドにお
いてはＣＱ−Ｃｆ膜の下に高透磁率膜を設けると記録再
生効率は上昇するが、パーマ日イ等の変わシに高透磁率
アモルファスＣｏ−ＴｃＬを設けると、記録再生効率の
上昇のみならず、Ｃ：、Ｑ−Ｃｒの垂直磁気異方性及び
耐久性も上昇する仁とはいうまでもない。
限られるわけではない。他に、非磁性コバルトクロム、
非磁性コバルトニオブ、非磁性コバルトタングステン、
非磁性コバルトモリブテン非磁性コバルトバナジウム、
非磁性コバルトチタン、更には非磁性コバルト３元系で
もよい。また主磁極、補助磁極対向型の磁気ヘッドにお
いてはＣＱ−Ｃｆ膜の下に高透磁率膜を設けると記録再
生効率は上昇するが、パーマ日イ等の変わシに高透磁率
アモルファスＣｏ−ＴｃＬを設けると、記録再生効率の
上昇のみならず、Ｃ：、Ｑ−Ｃｒの垂直磁気異方性及び
耐久性も上昇する仁とはいうまでもない。
以上のように本発明によれば、ｃＯＣｇ−垂直磁化膜の
垂直磁気異方性は、基板の材質によらない。
垂直磁気異方性は、基板の材質によらない。
Ｃｏ Ｃｊ−膜厚が０．２μｍと薄い場合でもＨｋ ＞
５ＫＯ，である等の特徴を有するものである。
５ＫＯ，である等の特徴を有するものである。
第１甲は、垂直磁気記録媒体の構成例を示すもの、第２
図は、本発明による構成を示すもの。 第３図ｔよ、コバルトクロム単層膜と本発明による下地
に非磁性コバルトタンタルを有したコバルトクロム２層
膜において、コバルトクロムの膜厚に対する垂直磁気異
方性磁界をプロットしたもの、第４図は、本発明による
非磁性コバルトタンタルの膜厚の効果を示しえものであ
る。 １・一基板 ２・・高透磁率膜 ３・争垂直磁化膜 ４・・中間層 ５・・非磁性コバルト合金膜 ６・・単層膜の磁気特性 ７１１・２層膜Ｑ磁気特性 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 第１図 第２図 ｃｏ−（：ｙ ｆｒｌｓ ｔｋ；ｃｋｕｅｓｓ
（）Ａｍ）第３図 ０ ０、（ジλ ｏ、３ 武ｔＣｏ
−丁”ａＦｒｌ−七ｋｉｃｋｗｓｓ （ＪＪｍ）第４図
図は、本発明による構成を示すもの。 第３図ｔよ、コバルトクロム単層膜と本発明による下地
に非磁性コバルトタンタルを有したコバルトクロム２層
膜において、コバルトクロムの膜厚に対する垂直磁気異
方性磁界をプロットしたもの、第４図は、本発明による
非磁性コバルトタンタルの膜厚の効果を示しえものであ
る。 １・一基板 ２・・高透磁率膜 ３・争垂直磁化膜 ４・・中間層 ５・・非磁性コバルト合金膜 ６・・単層膜の磁気特性 ７１１・２層膜Ｑ磁気特性 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 第１図 第２図 ｃｏ−（：ｙ ｆｒｌｓ ｔｋ；ｃｋｕｅｓｓ
（）Ａｍ）第３図 ０ ０、（ジλ ｏ、３ 武ｔＣｏ
−丁”ａＦｒｌ−七ｋｉｃｋｗｓｓ （ＪＪｍ）第４図
Claims (1)
- 非４１様性コバルト系、合金膜の上に垂直磁化膜を形成
したことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57186951A JPS5977620A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57186951A JPS5977620A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5977620A true JPS5977620A (ja) | 1984-05-04 |
| JPH0430083B2 JPH0430083B2 (ja) | 1992-05-20 |
Family
ID=16197574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57186951A Granted JPS5977620A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5977620A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4632883A (en) * | 1985-04-22 | 1986-12-30 | International Business Machines Corporation | Vertical recording medium with improved perpendicular magnetic anisotropy due to influence of beta-tantalum underlayer |
| US4657824A (en) * | 1985-10-28 | 1987-04-14 | International Business Machines Corporation | Vertical magnetic recording medium with an intermetallic compound nucleating layer |
| US4722869A (en) * | 1985-07-03 | 1988-02-02 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium |
| JPS63300428A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
-
1982
- 1982-10-25 JP JP57186951A patent/JPS5977620A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4632883A (en) * | 1985-04-22 | 1986-12-30 | International Business Machines Corporation | Vertical recording medium with improved perpendicular magnetic anisotropy due to influence of beta-tantalum underlayer |
| US4722869A (en) * | 1985-07-03 | 1988-02-02 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium |
| US4657824A (en) * | 1985-10-28 | 1987-04-14 | International Business Machines Corporation | Vertical magnetic recording medium with an intermetallic compound nucleating layer |
| JPS63300428A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0430083B2 (ja) | 1992-05-20 |
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