JPS5969902A - 三端子型積層バリスタ - Google Patents
三端子型積層バリスタInfo
- Publication number
- JPS5969902A JPS5969902A JP18092682A JP18092682A JPS5969902A JP S5969902 A JPS5969902 A JP S5969902A JP 18092682 A JP18092682 A JP 18092682A JP 18092682 A JP18092682 A JP 18092682A JP S5969902 A JPS5969902 A JP S5969902A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- varistor
- material film
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、積層型バリスタに関する。
従来、積層型バリスタは、第1図(a)に示すように、
例えばZnO(酸化亜鉛)を主成分とする電圧非直線性
材料膜12上の片側端面に電極端13を形成しかつ該電
極端13から電圧非直線性材料膜12上に電極面14を
他の端面12aに到達しないよう形成した層°15と、
第1図0))に示すように、電圧非直線性材料膜12′
上の端面で、前記の電極端13と異なる位置に電極端1
6を形成しかつ電極端16から該電圧非直線性材料膜1
2′上に少なくとも一部分前記電極面14と重なるよう
にかつ該電極端13の位置まで到達しないように電極面
17を形成した層18とを、交互に、積層し、電極端1
3及び16を集合して接続すべく第2図のような外部電
極19.20を例えばAg塗膜で形成して同図の如き積
層形状に構成している。
例えばZnO(酸化亜鉛)を主成分とする電圧非直線性
材料膜12上の片側端面に電極端13を形成しかつ該電
極端13から電圧非直線性材料膜12上に電極面14を
他の端面12aに到達しないよう形成した層°15と、
第1図0))に示すように、電圧非直線性材料膜12′
上の端面で、前記の電極端13と異なる位置に電極端1
6を形成しかつ電極端16から該電圧非直線性材料膜1
2′上に少なくとも一部分前記電極面14と重なるよう
にかつ該電極端13の位置まで到達しないように電極面
17を形成した層18とを、交互に、積層し、電極端1
3及び16を集合して接続すべく第2図のような外部電
極19.20を例えばAg塗膜で形成して同図の如き積
層形状に構成している。
一般に、バリスタを実使用する場合、例えば電子交換機
の避雷器のような回路にあっては、第3図に示すように
、バリスタ24.28を直列に接続し、中点25をアー
ス端子としている。21は抵抗体、23は放電管である
。この場合両バリスタ24↓28の性能が均一であるこ
とが必要とされる。ところが従来のような積層型バリス
タを使用した場合1.2個の積層型バリスタをそれぞれ
実装しなければならないため、実装コストの増大をまね
くとともに、2個の積層型バリスタの性能の均一化が困
難となる欠点を有していた。
の避雷器のような回路にあっては、第3図に示すように
、バリスタ24.28を直列に接続し、中点25をアー
ス端子としている。21は抵抗体、23は放電管である
。この場合両バリスタ24↓28の性能が均一であるこ
とが必要とされる。ところが従来のような積層型バリス
タを使用した場合1.2個の積層型バリスタをそれぞれ
実装しなければならないため、実装コストの増大をまね
くとともに、2個の積層型バリスタの性能の均一化が困
難となる欠点を有していた。
本発明の目的は、実装コストの低減および前述のように
2犯で直列に使用されるバリスタ間の性能の均一化を図
った三端子型積層バリスタを提供することにある。
2犯で直列に使用されるバリスタ間の性能の均一化を図
った三端子型積層バリスタを提供することにある。
本発明に係る三端子型積層バリスタは、電圧非直線性材
料膜上に互いに重ならずに対向した一対の電極を形成し
た層と、電圧非直線性材料膜上に1つの電極を形成した
層とを交互に積層して成るものである。
料膜上に互いに重ならずに対向した一対の電極を形成し
た層と、電圧非直線性材料膜上に1つの電極を形成した
層とを交互に積層して成るものである。
次に、本発明をその実施例について図面を参照して説明
する。
する。
第4図(a) 、 (b)に本発明による三端子型積層
バリスタの第1の層の断面図および平面図を、また第5
図(a)、Φ)に本発明による三端子型積層バリスタの
第2の層の断面図および平面図を示す。第4図(a)
、 (t))を参照すると、本発明に係る第1の層6は
、ZnO(酸化亜鉛)を主成分とする20〜50μm厚
の+aをドクターブレード法等により作製し、目的とす
るバリスタ電圧(VimA;即ち1mAの電流を流すた
めに要する電圧)に適当な枚数積層した電圧非直線性材
料膜1上の両端面に、電極端2.3ン形成し、かつ両該
電極端2.3から膜1上に電極面4.5を、両者を短絡
させないよう延在させて構成しである。ここで、電極面
4.5は、例えばPt (白金)ベーストを厚膜印刷す
ることによって形成する。一方、第5図(a)、Φ)に
示すように、本発明の第2の層9は、上記したのと同様
にznOを主成分とする20〜50μm厚の膜をドクタ
ーブレード法等により形成し、目的とするバリスタ電圧
に適当な枚数積層した電圧非直線性材料膜1′を作製し
、該電圧非直線性材料1′上の端面で上記層6の電極端
2.3と重ならない位置に電極端7を形成し、かつ該電
極端7から膜1′上に電極面8を、上記電極面4,5と
少なくとも一部重なる様延在させて構成する。ここで電
極面8は、例えばpi(白金)ペーストを厚膜印刷する
ことによって形成する。次に、第6図(a)に示すよう
に、第1の層6及び第2の層9を交互に積層する。積層
数は、バリスタとして必要な電流容量あるいは静電容量
の制限等によって適宜窓める。次に、各層の電極端2,
3.7のそれぞれの集合を各々接続するように、外部電
極10.11.12を、例えばAgペーストの厚膜印刷
法により形成して本発明の三端子型積層バリスタを得る
。第6図(b)はその外観斜視図である。このようにし
て作製した三端子型積層バリスタを、例えば第3図の回
路上では第6図(a) 、 (b)の外部電極12を中
点25に接続して共通アースと成し、また外部電極10
.11をそれぞれ回路端子26.27に接続して使用す
る。このようにして作製した三端子型積層バリスタは、
従来のように2個の積層型バリスタを実装する場合に比
べ実装コストが低減できる効果と共に、同一の電圧非直
性材料膜上に2個のバリスタが形成された構造となって
いるため、両バリスタの性能に差異が生じないという効
果が得られる。
バリスタの第1の層の断面図および平面図を、また第5
図(a)、Φ)に本発明による三端子型積層バリスタの
第2の層の断面図および平面図を示す。第4図(a)
、 (t))を参照すると、本発明に係る第1の層6は
、ZnO(酸化亜鉛)を主成分とする20〜50μm厚
の+aをドクターブレード法等により作製し、目的とす
るバリスタ電圧(VimA;即ち1mAの電流を流すた
めに要する電圧)に適当な枚数積層した電圧非直線性材
料膜1上の両端面に、電極端2.3ン形成し、かつ両該
電極端2.3から膜1上に電極面4.5を、両者を短絡
させないよう延在させて構成しである。ここで、電極面
4.5は、例えばPt (白金)ベーストを厚膜印刷す
ることによって形成する。一方、第5図(a)、Φ)に
示すように、本発明の第2の層9は、上記したのと同様
にznOを主成分とする20〜50μm厚の膜をドクタ
ーブレード法等により形成し、目的とするバリスタ電圧
に適当な枚数積層した電圧非直線性材料膜1′を作製し
、該電圧非直線性材料1′上の端面で上記層6の電極端
2.3と重ならない位置に電極端7を形成し、かつ該電
極端7から膜1′上に電極面8を、上記電極面4,5と
少なくとも一部重なる様延在させて構成する。ここで電
極面8は、例えばpi(白金)ペーストを厚膜印刷する
ことによって形成する。次に、第6図(a)に示すよう
に、第1の層6及び第2の層9を交互に積層する。積層
数は、バリスタとして必要な電流容量あるいは静電容量
の制限等によって適宜窓める。次に、各層の電極端2,
3.7のそれぞれの集合を各々接続するように、外部電
極10.11.12を、例えばAgペーストの厚膜印刷
法により形成して本発明の三端子型積層バリスタを得る
。第6図(b)はその外観斜視図である。このようにし
て作製した三端子型積層バリスタを、例えば第3図の回
路上では第6図(a) 、 (b)の外部電極12を中
点25に接続して共通アースと成し、また外部電極10
.11をそれぞれ回路端子26.27に接続して使用す
る。このようにして作製した三端子型積層バリスタは、
従来のように2個の積層型バリスタを実装する場合に比
べ実装コストが低減できる効果と共に、同一の電圧非直
性材料膜上に2個のバリスタが形成された構造となって
いるため、両バリスタの性能に差異が生じないという効
果が得られる。
本発明は以上説明したように、電圧非直線性材料膜上に
、互いに対向するように一対の電極を形成した層と電圧
非直線性材料膜上に1つの電極を形成した層とを交互に
積層した構成をとることにより、実装コストの低減およ
び2組で直列に使用されるバリスタ間の性能の均一化を
図り得る効果がある。
、互いに対向するように一対の電極を形成した層と電圧
非直線性材料膜上に1つの電極を形成した層とを交互に
積層した構成をとることにより、実装コストの低減およ
び2組で直列に使用されるバリスタ間の性能の均一化を
図り得る効果がある。
第1図(a) 、 (b)は従来の積層型バリスタの各
層の構成を示す断面図、第2図は従来の積層型バリスタ
を示す断面図、第3図は゛iL子交゛換様の避雷器を示
す回路図、第4図(a) 、 (b)は本発明の実施例
に係名三端子型積層バリスタの第1の層の構成を示す断
面図及び平面図、第5図(a) 、 (b)は本発明に
係る積層型バリスタの第2の層の構成を示す断面図及び
平面図、第6図(a)、Φ)はそれぞれ本発明の実施例
を示す断面図及び斜視図である。 1.12・・・電圧非直線性材料膜、 2.3,7,13.16・・・電極端、4.5,8.1
4.17・・・電極面、6・・・第1の層、9・・・第
2のj響、 15.18・・・電極が形成された電圧非直性材料層、
10.11,12,19.20・・・外部電極、21・
・・抵抗体、23・・・放電管、24.28・・・バリ
スタ。 代理人 弁理士 染 川 利 吉
層の構成を示す断面図、第2図は従来の積層型バリスタ
を示す断面図、第3図は゛iL子交゛換様の避雷器を示
す回路図、第4図(a) 、 (b)は本発明の実施例
に係名三端子型積層バリスタの第1の層の構成を示す断
面図及び平面図、第5図(a) 、 (b)は本発明に
係る積層型バリスタの第2の層の構成を示す断面図及び
平面図、第6図(a)、Φ)はそれぞれ本発明の実施例
を示す断面図及び斜視図である。 1.12・・・電圧非直線性材料膜、 2.3,7,13.16・・・電極端、4.5,8.1
4.17・・・電極面、6・・・第1の層、9・・・第
2のj響、 15.18・・・電極が形成された電圧非直性材料層、
10.11,12,19.20・・・外部電極、21・
・・抵抗体、23・・・放電管、24.28・・・バリ
スタ。 代理人 弁理士 染 川 利 吉
Claims (1)
- 電圧非直線性材料膜上に互いに対向するように一対の電
極を形成した第1の層と、電圧非直線性材料膜上に1つ
の電極を形成した第2の層とを交互に積層したことを特
徴とする三端子型積層バリスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18092682A JPS5969902A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 三端子型積層バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18092682A JPS5969902A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 三端子型積層バリスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5969902A true JPS5969902A (ja) | 1984-04-20 |
Family
ID=16091691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18092682A Pending JPS5969902A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 三端子型積層バリスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5969902A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6466907A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-13 | Murata Manufacturing Co | Voltage-dependent nonlinear resistor |
JPS6466908A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-13 | Murata Manufacturing Co | Voltage-dependent nonlinear resistor |
JPH04125902A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-04-27 | Nec Corp | 三端子積層チップバリスタ |
KR100436020B1 (ko) * | 2002-01-11 | 2004-06-12 | (주) 래트론 | 적층형 배리스터 |
JP2007288140A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-11-01 | Tdk Corp | バリスタ素子 |
WO2022138515A1 (ja) * | 2020-12-24 | 2022-06-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 積層バリスタ |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP18092682A patent/JPS5969902A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6466907A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-13 | Murata Manufacturing Co | Voltage-dependent nonlinear resistor |
JPS6466908A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-13 | Murata Manufacturing Co | Voltage-dependent nonlinear resistor |
JPH04125902A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-04-27 | Nec Corp | 三端子積層チップバリスタ |
KR100436020B1 (ko) * | 2002-01-11 | 2004-06-12 | (주) 래트론 | 적층형 배리스터 |
JP2007288140A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-11-01 | Tdk Corp | バリスタ素子 |
WO2022138515A1 (ja) * | 2020-12-24 | 2022-06-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 積層バリスタ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0732273B2 (ja) | 電歪効果素子 | |
JP2000082603A (ja) | チップ型サ―ミスタおよびその製造方法 | |
JPS5969902A (ja) | 三端子型積層バリスタ | |
JPS59132216A (ja) | 積層型圧電共振子 | |
JPH0235785A (ja) | 積層型変位素子 | |
JPH10199709A (ja) | 積層型バリスタ | |
JPH0256822B2 (ja) | ||
JPS63102218A (ja) | 積層形多端子電子部品 | |
JPS6015275Y2 (ja) | 複合厚膜バリスタ | |
JP3058305B2 (ja) | サーミスタ及びその製造方法 | |
JP2985444B2 (ja) | 積層型バリスタ | |
JPH08115844A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JPS5827302A (ja) | 抵抗を含むチツプ形素子 | |
JPH0210805A (ja) | 積層型バリスタ | |
JPH0831393B2 (ja) | ヒューズ付積層セラミックコンデンサ | |
JP2739453B2 (ja) | ヒューズ機能付コンデンサ、及びその製造方法 | |
JPS6015277Y2 (ja) | 厚膜バリスタ | |
JP3265667B2 (ja) | チップサーミスタ | |
JPH0419782Y2 (ja) | ||
JPS63258001A (ja) | 抵抗素子 | |
JPS6240420Y2 (ja) | ||
JPH02164082A (ja) | 電歪効果素子 | |
JP3237966B2 (ja) | 積層型圧電素子 | |
JP3008575B2 (ja) | バリスタ | |
JPH02260605A (ja) | 積層型バリスタ |