JPS5967669A - 磁気抵抗素子集積回路 - Google Patents

磁気抵抗素子集積回路

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Publication number
JPS5967669A
JPS5967669A JP57178771A JP17877182A JPS5967669A JP S5967669 A JPS5967669 A JP S5967669A JP 57178771 A JP57178771 A JP 57178771A JP 17877182 A JP17877182 A JP 17877182A JP S5967669 A JPS5967669 A JP S5967669A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
bridge circuit
terminal pad
insulating layer
switching
Prior art date
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Pending
Application number
JP57178771A
Other languages
English (en)
Inventor
Giichi Kawashima
川島　義一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Azbil Corp
Original Assignee
Azbil Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Azbil Corp filed Critical Azbil Corp
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Publication of JPS5967669A publication Critical patent/JPS5967669A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one galvanomagnetic or Hall-effect element covered by groups H10N50/00 - H10N52/00

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  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は磁気抵抗素子集積回路に関する。
従来半導体磁気センサーとしてホール効果素子を用いた
集積回路がすでに知られているが、磁気抵抗素子たとえ
ば鉄−ニッケル合金の１つであるノ・°−マロイ等はそ
の磁気感度がホール効果素子の数十倍ないし数杓倍ある
。
そして従来は磁気抵抗素子をシリコンウェハーまたはガ
ラス上（二蒸着してチップを構成し、また回路部分は従
来の半導体プロセスを用いてチップを磁気抵抗素子のチ
ップと別体に構成していた。
しかしこの集積回路のチップを用いて磁気センサーを構
成するばあい、そのセンサーそのものが大形化するとと
もに原価の上昇を招くおそれがある。
この発明はこの工うな従来の欠点を解消しようとするも
ので、以下図によってこの発明の一実施例について説明
する。
すなわち第１図は磁気抵抗素子を用いた磁気センサーの
回路図を示している。
この図においてブリッジ回路１は磁気抵抗素子１１１、
　　Ｉ（，２，Ｒ３お工びＲ４＋ニエリ構成されている
。また増幅回路２はブリッジ回路１の出力信号を増幅す
る。比較回路３は増幅回路２の出力信号と、あらかじめ
設定された基阜電圧とを比較する比較回路である。さら
に出力回路４は比較回路３の出力信号にエリオン・オフ
する出力回路である１、そして増幅回路２、比較回路３
ν工び出力回路４（二よりスイッチング回路Ｓが構成さ
れ、このスイッチング回路とブリッジ回路１（二より１
つの磁気センサー回路が構成される。定電圧回路５はス
イッチング回路に定電圧を供給し、また定電流目ｗ１６
はブリッジ回路１に定電流を供給する。
なおＡは増幅器、Ｃは比較］Ｔｒはトランジスタ、ＤＺ
はツェナーダイオード、Ｒ５〜Ｒ，１４は抵抗である。
第２図は第１図に示す回路ｆ集積化したチップの仰１断
面図を示すもので、この図において第１図に示すスイッ
チング回路Ｓ、定？ＭＥＦＥ回路５お工び定電流回路６
はシリコンウェハー７上に従来の半導体プロセスにおけ
る拡散等を甲いて集積される。この集積化した回路りに
は第１の絶縁層８が設けられ石。この絶縁層のヒには磁
気抵抗素子Ｒが蒸着され、かつエツチングにエリブリッ
ジ回路ｌが形成される。このとき第１の絶縁ＷＩ８に設
けた百通穴９内にも導体ｌＯが蒸着され、これによって
スイッチング回路Ｓとブリッジ回路１とがたがい（二接
続される。ブリッジ回路ｌＥには第２の絶縁ＪＶ１１１
が設けられている。この第２の絶縁層Ｅには導体膜１２
お工び端子バッド１３が設けられている。第１の絶縁層
８と第２の絶縁＃　１１　ｃはこれらを貫通する導体１
４が設けられ、この導体によりブリッジ回路ｌまたはス
イッチング回路Ｓを構成する各回路と導体膜１２または
端子バッド１３とが接続される。導体膜１２お工び端子
バッド１３のＬ部にはパシベーション膜１５が設けられ
、これによって耐環境性を得ている。さらにこのパシベ
ーション膜の端子バッド１３に相当する部分には回路相
互間の接続および外部端子を接続するための開口ｇｌｓ
　１６が設けられている。
この発明は上述のようにシリコンウェハーＬにスイッチ
ング回路を形成するとともにこの回路上に設けた第１の
絶縁ｗｊｔに磁気抵抗素子により形成されるブリッジ回
路を設けているので、従来のようにブリッジ回路とスイ
ッチング回路とを別々の集積回路チップにより構成する
必要がなく、すなわちブリッジ回路とスイッチング回路
とを同一のチップに設けることができるため、チップ全
体の大きさを小形化しうるととも（二安価に供給できる
利点がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の磁気抵抗素子集積回路を適用した磁
気センサーの回路図、第２図はこの発明の磁気抵抗素子
集積回路の正断面図である。 ｌ・・・ブリッジ回路、２・・・増幅回路、３・・・比
較回路、４・・・出力回路、５・・・定電圧回路、６・
・・定電流回路、７・・・シリコンウェハー、８・・・
第１の絶縁層、９・・・貫通穴、１０・・・導体、１１
・・・第２の絶縁層、１２・・・導体膜、１３・・・端
子バッド、１４・・・導体、１５・・・パシベーション
膜、ＩＧ・・・開口部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 磁気抵抗素子にエリ形成されたブリッジ回路と、このブ
    リッジ回路の出力信号によってスイッチング出力を発す
    るスイッチング回路とにより１つの回路を構成するもの
    において、シリコンウェハーＥに、Ｌ記スイッチング回
    路を集積し、この回路上、に第１の絶縁層を設け、この
    第１の絶縁層の上≦二上記磁気抵抗素子を蒸着し、かつ
    エツチングすることにより上記ブリッジ回路を形成し、
    このブリッジ回路と上記スイッチング回路とを上記第１
    の絶縁層を貫通する導体によりたがいに接続し、上記ブ
    リッジ回路Ｌ１−第２の１部紛層を設け、この第２の絶
    縁層のＥ部に導体膜および端子パッドを設け、上記第１
    の＠線層および上記第２の絶縁層を貫通する導体により
    上記ブリッジ回路またはスイッチング回路と上記導体膜
    または端子パッドとを接続し、上記導体膜および端子パ
    ッドの１部にパシベーション膜’Ｔ　設ケｓ　カつこの
    パシベーション膜の上記端子パッドに相幽する部分に上
    記各回路相互間または外部端子を接続するための開口部
    を設けた磁気抵抗素子集積回路。
JP57178771A 1982-10-12 1982-10-12 磁気抵抗素子集積回路 Pending JPS5967669A (ja)

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