JPS5965465A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5965465A JPS5965465A JP57175741A JP17574182A JPS5965465A JP S5965465 A JPS5965465 A JP S5965465A JP 57175741 A JP57175741 A JP 57175741A JP 17574182 A JP17574182 A JP 17574182A JP S5965465 A JPS5965465 A JP S5965465A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、N、PNl−ランジスタとP N j)ラン
ジスタを備えた半導体集積回路装置(以下ICという)
における、PNP トランジスタの高hli’li:化
を図った新規な半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
ジスタを備えた半導体集積回路装置(以下ICという)
における、PNP トランジスタの高hli’li:化
を図った新規な半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
従来例の構成とその問題点
ICでは、PNPトランジスタとして、一般に横型PN
P )ランジスタがよく用いられているが、近年、P
N P/N P NコンプリメンタリICには、第1図
に示す、工、ミッタ、ベース、コレクタ3重拡散法にお
い、て、1はP型半導体基板、2はN−型埋込層、3は
戸型埋込コレクタ領域、4はP+n、6はN−型エピタ
キシャル層、6はP型分離層、7はP−型コレクタ領域
、8はN型ベース領域、9は1型エミッタ領域、10は
n+型ベースコンタクト領域、11は保護被膜、12は
電極である。
P )ランジスタがよく用いられているが、近年、P
N P/N P NコンプリメンタリICには、第1図
に示す、工、ミッタ、ベース、コレクタ3重拡散法にお
い、て、1はP型半導体基板、2はN−型埋込層、3は
戸型埋込コレクタ領域、4はP+n、6はN−型エピタ
キシャル層、6はP型分離層、7はP−型コレクタ領域
、8はN型ベース領域、9は1型エミッタ領域、10は
n+型ベースコンタクト領域、11は保護被膜、12は
電極である。
通常、上記縦型PNP)ランジスタのn ベースコンタ
クト領域10は、PNP)ランシスタノエミッタ領域?
形成後に、NPNトランジスタのエミッタ領域形成と同
時に形成する。そこで、PNP)ランジスタのエミッタ
領域9上の酸化膜は、上記ベースコンタクト領域10形
成用不純物に対するマスク効果を持たせるために、一般
1c2000〜3000人の厚さを必要とする0その結
果、一般KPNP ’rトランジスタエミッタ用不純物
には、ボロンが使われるが、このボロンが、ベースコン
タクトの拡散時に形成される上記2000〜3000へ
の酸化膜に吸収されPNP )ランジスタのエミッタ領
域9を、高濃度不純物領域とすることが難かしくこのた
めに、PNP )ランジスタはhFEを高くすることが
困難である。
クト領域10は、PNP)ランシスタノエミッタ領域?
形成後に、NPNトランジスタのエミッタ領域形成と同
時に形成する。そこで、PNP)ランジスタのエミッタ
領域9上の酸化膜は、上記ベースコンタクト領域10形
成用不純物に対するマスク効果を持たせるために、一般
1c2000〜3000人の厚さを必要とする0その結
果、一般KPNP ’rトランジスタエミッタ用不純物
には、ボロンが使われるが、このボロンが、ベースコン
タクトの拡散時に形成される上記2000〜3000へ
の酸化膜に吸収されPNP )ランジスタのエミッタ領
域9を、高濃度不純物領域とすることが難かしくこのた
めに、PNP )ランジスタはhFEを高くすることが
困難である。
また、従来法ではPNP )ランジスタのエミッタ領域
とNPN)ランジスタのエミ・ツタ領域を、別々に形成
するため、PNP 、NPlを各)ランジスタ間の特性
のバラツキを少さくすることが難かしい、等の問題があ
る。
とNPN)ランジスタのエミ・ツタ領域を、別々に形成
するため、PNP 、NPlを各)ランジスタ間の特性
のバラツキを少さくすることが難かしい、等の問題があ
る。
発明の目的
本発明は、かかる問題点に鑑みなされたもので、PNP
)ランジスタのエミッタ領域を高不純物濃度に制御よ
く形成でき、かつPNP、NPN各トランジスタのエミ
ッタを一度の拡散により形成できる、新規な半導体装置
の製造方法を提供するものである。
)ランジスタのエミッタ領域を高不純物濃度に制御よ
く形成でき、かつPNP、NPN各トランジスタのエミ
ッタを一度の拡散により形成できる、新規な半導体装置
の製造方法を提供するものである。
発明の構成
本発明はトランジスタのエミッタ領域開口部を設けた後
、この開口部にエミッタ不純物を蒸着し、そして前記エ
ミッタ領域開口部上に前記エミッタ不純物を吸収するこ
となく、またベースコンタクト領域形成用不純物に対す
るマスクとなる第2の絶縁膜を形成した後、ベースコン
タクト領域形成用の開口部を形成し、このベースコンタ
クト開口部に不純物を蒸着した後、両不純物を同時拡散
し、エミッタ領域、ベースコンタクト領域を同時形成す
るものである。
、この開口部にエミッタ不純物を蒸着し、そして前記エ
ミッタ領域開口部上に前記エミッタ不純物を吸収するこ
となく、またベースコンタクト領域形成用不純物に対す
るマスクとなる第2の絶縁膜を形成した後、ベースコン
タクト領域形成用の開口部を形成し、このベースコンタ
クト開口部に不純物を蒸着した後、両不純物を同時拡散
し、エミッタ領域、ベースコンタクト領域を同時形成す
るものである。
実施例の説明
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳述する。
第2図(、)〜(C)は、本発明の一実施例の製造工程
断面図である。同図は第1図の一部に対応する部分を示
したもので、同一番号は同一部分を示す。まず、N型ベ
ース領域8内に、通常の熱酸化法により、酸化膜11a
を形成した後、上記酸化膜11aを選択的にエッチ除去
し、PNPトランジスタのエミッタ形成領域を開口する
。次に、P型不純物例えば、ボロン9を上記エミ・ノ形
成領域に、公知の方法により蒸着し、蒸着領域13を形
成する(第2図a)。
断面図である。同図は第1図の一部に対応する部分を示
したもので、同一番号は同一部分を示す。まず、N型ベ
ース領域8内に、通常の熱酸化法により、酸化膜11a
を形成した後、上記酸化膜11aを選択的にエッチ除去
し、PNPトランジスタのエミッタ形成領域を開口する
。次に、P型不純物例えば、ボロン9を上記エミ・ノ形
成領域に、公知の方法により蒸着し、蒸着領域13を形
成する(第2図a)。
次に、第2の絶縁膜14例えば、CVD法による無添加
硅酸ガラス(NSG)膜3000人を全面に形成した後
、写真食刻技術により、ベースコンタクト部を開口し、
公知の蒸着法によりリンを蒸着し、蒸着領域15を形成
する(第2図b)oここで、第2の絶縁膜14として他
に、窒化硅素膜、多結晶シリコン等を用いても良い0 この後、通常の酸化雰囲気中、1060°C前後の温度
で上記ボロンおよびリンを蒸着領域13.15から同時
拡散し、エミッタ領域9およびベース・コンタクト領域
10を形成する。最後に、写真食刻技術を用いて、エミ
ッタ、ベース、コレクタの各コンタクト部を開口し、周
知の方法で電極形成を行う。ここで、12E、12B、
12Cは、トランジスタのエミッタ電極、ベース電極、
およびコレクタ電極である(第2図C)0 本発明の方法によれば、通常の酸化雰囲気中でも、NS
C膜14により、熱酸化膜の成長が抑flillされ、
また、エミッタ領域9とベースコンタクト領域10を同
時に形成することにより、エミ・ツタ領域9形成のため
の拡散時間が減少し、このエミッタ領域9の形成の拡散
時に形成される熱酸化膜がなくなることにより、熱酸化
膜中へのボロンの吸収がその分だけ減少し、従来法に比
べ、約3倍の表面濃度を有するエミッタ電極9を得るこ
とができる。例えば、拡散深さ1.6μm、表面濃度が
従来の5.X10 cm に対し、1.5 X 1
020an−3である。
硅酸ガラス(NSG)膜3000人を全面に形成した後
、写真食刻技術により、ベースコンタクト部を開口し、
公知の蒸着法によりリンを蒸着し、蒸着領域15を形成
する(第2図b)oここで、第2の絶縁膜14として他
に、窒化硅素膜、多結晶シリコン等を用いても良い0 この後、通常の酸化雰囲気中、1060°C前後の温度
で上記ボロンおよびリンを蒸着領域13.15から同時
拡散し、エミッタ領域9およびベース・コンタクト領域
10を形成する。最後に、写真食刻技術を用いて、エミ
ッタ、ベース、コレクタの各コンタクト部を開口し、周
知の方法で電極形成を行う。ここで、12E、12B、
12Cは、トランジスタのエミッタ電極、ベース電極、
およびコレクタ電極である(第2図C)0 本発明の方法によれば、通常の酸化雰囲気中でも、NS
C膜14により、熱酸化膜の成長が抑flillされ、
また、エミッタ領域9とベースコンタクト領域10を同
時に形成することにより、エミ・ツタ領域9形成のため
の拡散時間が減少し、このエミッタ領域9の形成の拡散
時に形成される熱酸化膜がなくなることにより、熱酸化
膜中へのボロンの吸収がその分だけ減少し、従来法に比
べ、約3倍の表面濃度を有するエミッタ電極9を得るこ
とができる。例えば、拡散深さ1.6μm、表面濃度が
従来の5.X10 cm に対し、1.5 X 1
020an−3である。
発明の効果
以上述べた、本発明の方法によれば、高濃度エミッタ領
域が形成出来、従来法比べ、約2倍のhFEを持つPN
P )ランジスタを実現することが出来る。また、PN
PトランジスタとNPNトランジスタの各エミッタを同
時拡散、形成できるためPNP、NPN各トシトランジ
ス2間性のノくラツキが減少する等の利点を有し、半導
体集積回路、特性PNP、NPNコンプリメンタリ−集
積回路の高性能化に大きく寄与するものである。
域が形成出来、従来法比べ、約2倍のhFEを持つPN
P )ランジスタを実現することが出来る。また、PN
PトランジスタとNPNトランジスタの各エミッタを同
時拡散、形成できるためPNP、NPN各トシトランジ
ス2間性のノくラツキが減少する等の利点を有し、半導
体集積回路、特性PNP、NPNコンプリメンタリ−集
積回路の高性能化に大きく寄与するものである。
第1図は、従来のICにおける縦型PNP)ランジスタ
の一例を示す断面図、第2図a −Cは、本発明の一実
施例による製造工程断面図である。 3・・・・・・エピタキシャル層、8・・・・ベース領
域、白 ・・エミッタ領域、1o・ ・・・ベースコン
タクト領域、13・・・・・エミッタ形成用蒸着領域、
14・・・NSC膜、15・・・・・ベースコンタクト
形成用蒸着領域。
の一例を示す断面図、第2図a −Cは、本発明の一実
施例による製造工程断面図である。 3・・・・・・エピタキシャル層、8・・・・ベース領
域、白 ・・エミッタ領域、1o・ ・・・ベースコン
タクト領域、13・・・・・エミッタ形成用蒸着領域、
14・・・NSC膜、15・・・・・ベースコンタクト
形成用蒸着領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板の主表面に形成されたベース領域上の第1の
絶縁膜に、エミッタ領域形成用開口部を□ 設ける工程と、エミッタ形成用不純物を前記エミッタ領
域形成用開口部に蒸着する工程と、前記エミッタ領域形
成用開口部上に第2の絶縁膜を形成した後この第2の絶
縁膜にベースコンタクト領域形成のための開口部を設け
る工程と、前記ベースコンタクト開口部に、ベースコン
タクト形成用不純物を蒸着した後、前記エミッタ形成用
及びベースコンタクト形成用不純物を同時拡散する工程
とからなることる特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57175741A JPS5965465A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57175741A JPS5965465A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5965465A true JPS5965465A (ja) | 1984-04-13 |
Family
ID=16001434
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57175741A Pending JPS5965465A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5965465A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6230372A (ja) * | 1985-04-19 | 1987-02-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路の製造方法 |
JPS62214662A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 縦型pnpトランジスタの製造方法 |
-
1982
- 1982-10-06 JP JP57175741A patent/JPS5965465A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6230372A (ja) * | 1985-04-19 | 1987-02-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路の製造方法 |
JPS62214662A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 縦型pnpトランジスタの製造方法 |
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