JPS5963781A - 発光構体 - Google Patents
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
-
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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-
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- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
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- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
- H01S5/2235—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface with a protrusion
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は９発光ダイオード、一般的には半導体接合レー
ザー、更に詳述すると、ストライプ状接合レーザーでの
横方向電流抑制（ＬＣＣ）に係るものである。
ザー、更に詳述すると、ストライプ状接合レーザーでの
横方向電流抑制（ＬＣＣ）に係るものである。
ストライプ状接合レーザーは、レーザー動作モード数を
減らす手段として米国特許第゛３、３６３．１９５号に
提案された。ストライプ状の幾何学的形状は、またレー
ザー動作のための閾値電流を減らし、これはまた熱溜め
（ヒートシンク）や、その他の問題を軽減すると共に出
力ビームの空間的床がりを制限して。
減らす手段として米国特許第゛３、３６３．１９５号に
提案された。ストライプ状の幾何学的形状は、またレー
ザー動作のための閾値電流を減らし、これはまた熱溜め
（ヒートシンク）や、その他の問題を軽減すると共に出
力ビームの空間的床がりを制限して。
光ファイバーへの結合を容易にするものである。最初の
提案以来レーザーの多数の形状が。
提案以来レーザーの多数の形状が。
ストライプ状の幾何学的形状の概念を実施するために工
夫されてきた。しかし明らかに信頼性があり、広い用途
がある点で、プロトンボンバード・ダブル・ヘテロ構造
（ＤＩ（）レーザーが最も優れており、これは、ジエイ
・ ゛シー・ダイメント他によりアプライド フィジッ
クス レターズ第１０巻８４頁（１９６７）及び米国特
許第ｓ、ｓ２４，１ｓｓ号に記載されている。
夫されてきた。しかし明らかに信頼性があり、広い用途
がある点で、プロトンボンバード・ダブル・ヘテロ構造
（ＤＩ（）レーザーが最も優れており、これは、ジエイ
・ ゛シー・ダイメント他によりアプライド フィジッ
クス レターズ第１０巻８４頁（１９６７）及び米国特
許第ｓ、ｓ２４，１ｓｓ号に記載されている。
プロトンボンバートメントによって形成されたストライ
プ状接合レーザーは、成功をおさめたにもかかわらず、
技術者はＬ／−ザーの閾値を下げ、単繊糸状の光出力な
制御し更に一層対称的な光ビームを発生するというよ５
な−、つ、またはそれ以上の目的のための構体を提案し
ている。そのよ・うな形状の一つは。
プ状接合レーザーは、成功をおさめたにもかかわらず、
技術者はＬ／−ザーの閾値を下げ、単繊糸状の光出力な
制御し更に一層対称的な光ビームを発生するというよ５
な−、つ、またはそれ以上の目的のための構体を提案し
ている。そのよ・うな形状の一つは。
ＬＣＣ接合レーザーであり、これによると順方向バイア
スした状態で、電流を活性領域に流すストライプ状チャ
ンネル領域が横方向に分離された逆バイアスｐ７ｎ接合
によって画成される。接合間のスペースはストライプを
規定する。
スした状態で、電流を活性領域に流すストライプ状チャ
ンネル領域が横方向に分離された逆バイアスｐ７ｎ接合
によって画成される。接合間のスペースはストライプを
規定する。
ＬＣＣストライプ状接合レーザーの１つのタイプに、ケ
イ・イトウ他著Ｉ Ｆ Ｅ Ｊフォント エレクト−Ｑ
Ｅ−１１巻７号ＰＰ４２１−、４２６ （１９７５）中
に記載されたヘテロアイソレーションレーザーがある。
イ・イトウ他著Ｉ Ｆ Ｅ Ｊフォント エレクト−Ｑ
Ｅ−１１巻７号ＰＰ４２１−、４２６ （１９７５）中
に記載されたヘテロアイソレーションレーザーがある。
このレーザーはｊｎ −ＡｊＧａＡｓ ０層をｐ、
−ＧａＡｓ キャップ層上に成長し、それらの界面に
ブロッキング接合を形成するという点乞除くと従来のｎ
−ｎ −ｐ Ａｌ！ＧａＡｓ ＤＨである。下層の
ｐ−ＧａＡｓ キャップが露出するように、ストライ
プ力ｓ ｎ ＡｊＧａＡｓ 層を通して、エツチ
ングされ、それによってｎ Ａｌ！ＧａＡｓ 層と
ブロン〜 キング接合が二つに分けられる。而して金属電極が分離
したｎ −ＡｊＧａＡｓ 層及び露出したｐ −Ｇａ
Ａｓ ストライプの両方の上に被着される。活性領域
ｐ−ｎ接合が順方向にバイアスされたとき１分離したｐ
−ｎ接合は、逆バイアスされている。従って、 ｎ
−ＡＪ？ＧａＡｓ セグメントを通る電流はブロック
され、ｐ−ＧａＡｓストライプを通って活性領域に流れ
るように抑制される。しかしながらイトー他によるレー
ザーの闇値は、比較的高く１例えば７６２０オングスト
ロームの基本モードでは、４６０ｍＡ で、そして厚さ
０．２乃至０．６μｍ の活性領域ではｓ ６０ Ｄ
ＯＡ／＋＋＋ である。
−ＧａＡｓ キャップ層上に成長し、それらの界面に
ブロッキング接合を形成するという点乞除くと従来のｎ
−ｎ −ｐ Ａｌ！ＧａＡｓ ＤＨである。下層の
ｐ−ＧａＡｓ キャップが露出するように、ストライ
プ力ｓ ｎ ＡｊＧａＡｓ 層を通して、エツチ
ングされ、それによってｎ Ａｌ！ＧａＡｓ 層と
ブロン〜 キング接合が二つに分けられる。而して金属電極が分離
したｎ −ＡｊＧａＡｓ 層及び露出したｐ −Ｇａ
Ａｓ ストライプの両方の上に被着される。活性領域
ｐ−ｎ接合が順方向にバイアスされたとき１分離したｐ
−ｎ接合は、逆バイアスされている。従って、 ｎ
−ＡＪ？ＧａＡｓ セグメントを通る電流はブロック
され、ｐ−ＧａＡｓストライプを通って活性領域に流れ
るように抑制される。しかしながらイトー他によるレー
ザーの闇値は、比較的高く１例えば７６２０オングスト
ロームの基本モードでは、４６０ｍＡ で、そして厚さ
０．２乃至０．６μｍ の活性領域ではｓ ６０ Ｄ
ＯＡ／＋＋＋ である。
逆バイアスｐ−ｎ接合を用いてストライプを画成する形
式のＬＣＣストライブ状接合レーザーの他の変形は、ア
ール・ディー・バーンハム他ｉ工ＥＥＪクオシト エレ
クト−Ｑμｍ１１巻７号ｐｐ４１ Ｂ−４２０（１９７
５）に記載されている。ストライプ状マスクは。
式のＬＣＣストライブ状接合レーザーの他の変形は、ア
ール・ディー・バーンハム他ｉ工ＥＥＪクオシト エレ
クト−Ｑμｍ１１巻７号ｐｐ４１ Ｂ−４２０（１９７
５）に記載されている。ストライプ状マスクは。
Ｈ−ＧａＡｓ基体上に被着され、そしてＺｎが露出部分
に拡散される。横方向に離間したブロッキングｐ−ｎ接
合は、このようにして基体に形成される。而して１通常
のｎ−ｎ−ｐＡｌ！ＧａＡｓ −’ Ｃ）ａ’Ａｓ −
ＡＪ（）ａＡｓ ＤＨが拡散基体表面上に成長される。
に拡散される。横方向に離間したブロッキングｐ−ｎ接
合は、このようにして基体に形成される。而して１通常
のｎ−ｎ−ｐＡｌ！ＧａＡｓ −’ Ｃ）ａ’Ａｓ −
ＡＪ（）ａＡｓ ＤＨが拡散基体表面上に成長される。
活性領域ｐ−ｎ接合が順方向にバイアスされた時、基体
中のブロッキング接合は、逆バイアスされそれによって
電流がストライプを流れるようになる。しかしまだイト
ー他によるＬＣＣレーザーを用いると閾値は高い。パル
ス闇値は幅１０μｍのストライプで、厚さ０．４５μｍ
の活性領域では約１５０ ｍ Ａ （８０００Ａ／ａｍ
）以上である。
中のブロッキング接合は、逆バイアスされそれによって
電流がストライプを流れるようになる。しかしまだイト
ー他によるＬＣＣレーザーを用いると閾値は高い。パル
ス闇値は幅１０μｍのストライプで、厚さ０．４５μｍ
の活性領域では約１５０ ｍ Ａ （８０００Ａ／ａｍ
）以上である。
更に他のＬＣＣレーザーの変形が米国特許第５．９８４
．２６２号で提案されている。これには基体だけでなく
ｊ ＤＨ（第５欄第１−１９行）の頂面上に横方向に
分離した逆バイアスｐ−ｎ接合を用いることが述べられ
ている。レーザー動作閾値のような動作パラメーターは
変形したＬＣＣレーザーには与えられていない。
．２６２号で提案されている。これには基体だけでなく
ｊ ＤＨ（第５欄第１−１９行）の頂面上に横方向に
分離した逆バイアスｐ−ｎ接合を用いることが述べられ
ている。レーザー動作閾値のような動作パラメーターは
変形したＬＣＣレーザーには与えられていない。
しかしながらこの種のＬＣＣＣＣストライブＨレーザー
のレーザー動作閾値は１通常約１００７７１Ａの閾値な
有する一般的なりＨレーザーを改良するには至っていな
い。
のレーザー動作閾値は１通常約１００７７１Ａの閾値な
有する一般的なりＨレーザーを改良するには至っていな
い。
本発明は一般的には発光ダイオード、特にＤＨレーザー
に適用できる新しい逆バイアスルーｎ接合ＬＣＣストラ
イプ状幾何学的形状に関するものである。本発明におけ
る形状のレーザー動作閾値は、従来のストライプ状ＤＨ
レーザー又はＬＣＣ−ＤＢレーザーのそれよりもかなり
低くすることができる。実際１４μ７１１Ｘ１５０μｍ
のストライプ領域に対してパルス及び連続波（ＣＷ）閾
値なそれぞれ４５７７ＺＡ及び６．５ｍＡまで低下させ
ることができた。
に適用できる新しい逆バイアスルーｎ接合ＬＣＣストラ
イプ状幾何学的形状に関するものである。本発明におけ
る形状のレーザー動作閾値は、従来のストライプ状ＤＨ
レーザー又はＬＣＣ−ＤＢレーザーのそれよりもかなり
低くすることができる。実際１４μ７１１Ｘ１５０μｍ
のストライプ領域に対してパルス及び連続波（ＣＷ）閾
値なそれぞれ４５７７ＺＡ及び６．５ｍＡまで低下させ
ることができた。
一実施例では本発明の技術は１次のような工程を含む。
即ち、（１）一方の導電形の単結晶基体の主表面にスト
ライプメサな形成する。
ライプメサな形成する。
メサの幅は、望ましい層のストライプ幅に対応する：メ
サの主表面に隣接して反対導電形の第一の対の層をＬＰ
Ｅによってエピタキシャル成長する。実際メサの一方の
側に一つずつある二つの分離した区域に同時に第一の対
の層が成長されるようにメサの頂部に成長核形成される
ことが阻止されることが本発明の形状を得るための方法
の特徴である。そして（３）メサによって分離された横
方向に離間したブロッキングｐ−ｎ接合の第一の対の層
と。
サの主表面に隣接して反対導電形の第一の対の層をＬＰ
Ｅによってエピタキシャル成長する。実際メサの一方の
側に一つずつある二つの分離した区域に同時に第一の対
の層が成長されるようにメサの頂部に成長核形成される
ことが阻止されることが本発明の形状を得るための方法
の特徴である。そして（３）メサによって分離された横
方向に離間したブロッキングｐ−ｎ接合の第一の対の層
と。
メサ上にレーザー構体なエピタキシャル成長する。レー
ザー構体は活性領域と発光ｐ−ｎ接合を含み、そのｐ−
ｎ接合は閾値以上の電流で順方向バイアスし、ポンピン
グした時。
ザー構体は活性領域と発光ｐ−ｎ接合を含み、そのｐ−
ｎ接合は閾値以上の電流で順方向バイアスし、ポンピン
グした時。
活性領域に誘尋、放出を生じさせる。同じ順バイアス電
圧が、ブロッキング接合を逆バイアスし、ポンピング電
流をメサな通して狭いストライプ状チャンネルに流れる
ようにするのに有効である。
圧が、ブロッキング接合を逆バイアスし、ポンピング電
流をメサな通して狭いストライプ状チャンネルに流れる
ようにするのに有効である。
好ましい実施例では、工程（３）はＤＨを生成し、その
次にメサに実質的に整列した窓によって分離された横方
向に離間したブロッキングｐ−ｎ接合の第二の対を形成
する。実施例では、後者の接合対は次の工程で形成され
る。
次にメサに実質的に整列した窓によって分離された横方
向に離間したブロッキングｐ−ｎ接合の第二の対を形成
する。実施例では、後者の接合対は次の工程で形成され
る。
即ち、構体の隣接する部分に対して反対の導電形の第三
層を、構体上にエピタキシャル成長する。（５）第三層
にストライプ窓をエツチングして下層４１１４体のスト
ライプを露出させる。
層を、構体上にエピタキシャル成長する。（５）第三層
にストライプ窓をエツチングして下層４１１４体のスト
ライプを露出させる。
（６）二つに分かれた第三層と、下層構体の露出したス
トライプ上に金属電極な被着する。横方向に離間した接
合の第一の対と同様、第二対も発光ｐｎ接合が順バイア
スされた時。
トライプ上に金属電極な被着する。横方向に離間した接
合の第一の対と同様、第二対も発光ｐｎ接合が順バイア
スされた時。
逆バイアスされる。このよ５に構成するとストライプ窓
とストライプメサとの間の狭いストライプ状チャンネル
に電流を流すようにすることができ、その結果ＤＨ−Ｌ
ＣＣ！レーザーの閾値な最低にすることができる。
とストライプメサとの間の狭いストライプ状チャンネル
に電流を流すようにすることができ、その結果ＤＨ−Ｌ
ＣＣ！レーザーの閾値な最低にすることができる。
また１本発明はＬＣＣストライプ状接合レーザーであり
、このレーザーは一方の導電形でその主表面にストライ
プ状メサな有する基体と、メサの両側の主表面にその側
壁に隣接して形成された反対の導電形の第一の対の層と
、第一の対の層と基体の間の界面が、メサによって分離
された横方向に離間したｐ−ｎ接合の第一の対を形成す
るよ５に、第一の対の層とメサの上に形成されたレーザ
ー構体とから成る。レーザー構体は、その中に活性領域
及び発光ｐ−ｎ接合を有し、この接合が。
、このレーザーは一方の導電形でその主表面にストライ
プ状メサな有する基体と、メサの両側の主表面にその側
壁に隣接して形成された反対の導電形の第一の対の層と
、第一の対の層と基体の間の界面が、メサによって分離
された横方向に離間したｐ−ｎ接合の第一の対を形成す
るよ５に、第一の対の層とメサの上に形成されたレーザ
ー構体とから成る。レーザー構体は、その中に活性領域
及び発光ｐ−ｎ接合を有し、この接合が。
閾値以上の電流で順方向バイアスされ、ポンピングされ
た時、活性領域にレーザー発光を生じさせる。同様な順
方向バイアスは、ポンピング電流がメサな通り、狭いス
トライプ状チャンネルの活性領域を通って流れるように
ブロッキングを逆バイアスするのに有効である。
た時、活性領域にレーザー発光を生じさせる。同様な順
方向バイアスは、ポンピング電流がメサな通り、狭いス
トライプ状チャンネルの活性領域を通って流れるように
ブロッキングを逆バイアスするのに有効である。
ＬＣＣレーザーの望ましい実施例では、レーザー構体は
ＤＨ（ダブルへテロ型）であり。
ＤＨ（ダブルへテロ型）であり。
横方向に離間したｐ−ｎ接合の第二の対の間の窓がメサ
に実質的に整列するようにその主表面上に形成される。
に実質的に整列するようにその主表面上に形成される。
発光ｐ−ｎ接合の順バイアスは、また第二の対を逆バイ
アスし、更にポンピング電流を窓とメサの間の狭いスト
ライプ状チャンネルに流れるようにする。
アスし、更にポンピング電流を窓とメサの間の狭いスト
ライプ状チャンネルに流れるようにする。
以下本発明を図示実施例について説明することにする。
図面には、ストライプ状ＬＣＣ接合レーザーの端面が示
されているが、説明の便宜上スケールは実際に即して描
かれてはいない。レーザーは一方の導電形の単結晶半導
体本体即ち基体１０と、基体１０と基体１０の主表面上
に形成され−たストライプ状メサ１０．１から成る。メ
サ１Ｇ、１は、一方のレーザー反射臆から、他の反射鏡
から、他の反射鏡（例えば紙面に平行に設定された小面
）まで装置の長さに沿って縦に延びている。反対の導電
形の横方向に離間したエピタキシャル層１２．１と１２
２はメサ１０．１の両端にある主表面にその側壁に接し
て成長される。そして順方向にバイアスされた時、誘導
放出をする活性領域１６．１を含むレーザー構体１５は
１層１２゜１及び層１２．２上と、メサ１０．１の頂部
にエピタキシャル成長される。そのため、横方向に離間
したブロッキングｐ−ｎ接合の第一の対’１３．１及び
１３．２は層１２．１及び層１２．２との界面に形成さ
れる。この目的を達成するためには、構体１５の第一の
層が基体１０と同じ導電形であり１層１２．１及び層１
２．２と反対の導電形でなければならな（・。
されているが、説明の便宜上スケールは実際に即して描
かれてはいない。レーザーは一方の導電形の単結晶半導
体本体即ち基体１０と、基体１０と基体１０の主表面上
に形成され−たストライプ状メサ１０．１から成る。メ
サ１Ｇ、１は、一方のレーザー反射臆から、他の反射鏡
から、他の反射鏡（例えば紙面に平行に設定された小面
）まで装置の長さに沿って縦に延びている。反対の導電
形の横方向に離間したエピタキシャル層１２．１と１２
２はメサ１０．１の両端にある主表面にその側壁に接し
て成長される。そして順方向にバイアスされた時、誘導
放出をする活性領域１６．１を含むレーザー構体１５は
１層１２゜１及び層１２．２上と、メサ１０．１の頂部
にエピタキシャル成長される。そのため、横方向に離間
したブロッキングｐ−ｎ接合の第一の対’１３．１及び
１３．２は層１２．１及び層１２．２との界面に形成さ
れる。この目的を達成するためには、構体１５の第一の
層が基体１０と同じ導電形であり１層１２．１及び層１
２．２と反対の導電形でなければならな（・。
好ましくは構体１５の最上表面に横方向に離間したブロ
ッキングｐ−ｎ接合２１．１及び２１．２の第二の対を
形成することによりＬＣＣは完成される。なお、ブロッ
キングｐ−ｎ接合２１．１及び２１．２はメサ１０．’
１に実質的に整列している窓、即ち開口部２２．１によ
って分離されている。電極２６は基体１０の底部に形成
され、他方の電極２４は、構体１５の頂部に形成される
。そのため窓２２．１の電極部分２４１だげが構体１５
と接触するようになる。
ッキングｐ−ｎ接合２１．１及び２１．２の第二の対を
形成することによりＬＣＣは完成される。なお、ブロッ
キングｐ−ｎ接合２１．１及び２１．２はメサ１０．’
１に実質的に整列している窓、即ち開口部２２．１によ
って分離されている。電極２６は基体１０の底部に形成
され、他方の電極２４は、構体１５の頂部に形成される
。そのため窓２２．１の電極部分２４１だげが構体１５
と接触するようになる。
動作上では、活性領域１６１（ｐ−ｎ接合を含む）は、
順方向にバイアスされ、ポンピング電流は電極２４と電
極２６の間に接続された電源（例えば蓄電池）によって
印加される。そのような状態では、″岸※″の印を付し
であるブロッキング接合の２つの対は逆バイアスされ、
ボンピング電流を電極部分２４．１間の狭いストライプ
状チャンネル（例えば１０μｍ幅）よりメサ１０．１を
通して下層電極２６に流れるようにさせる。電流の流れ
るチャンネルは、誘導放出を生ずるという意味で、実際
に活性である層１６の領域１６．１を規定する。室温に
おけるａＷ動作のためレーザーは典型的には技術的によ
く知られている手段により、適当な熱溜め（ヒートシン
ク）（図には示していない）に取り付けられ、活性層１
６は、約１μｍ以下の厚さくｎｔａ−Ｖａ族物質）に形
成される。
順方向にバイアスされ、ポンピング電流は電極２４と電
極２６の間に接続された電源（例えば蓄電池）によって
印加される。そのような状態では、″岸※″の印を付し
であるブロッキング接合の２つの対は逆バイアスされ、
ボンピング電流を電極部分２４．１間の狭いストライプ
状チャンネル（例えば１０μｍ幅）よりメサ１０．１を
通して下層電極２６に流れるようにさせる。電流の流れ
るチャンネルは、誘導放出を生ずるという意味で、実際
に活性である層１６の領域１６．１を規定する。室温に
おけるａＷ動作のためレーザーは典型的には技術的によ
く知られている手段により、適当な熱溜め（ヒートシン
ク）（図には示していない）に取り付けられ、活性層１
６は、約１μｍ以下の厚さくｎｔａ−Ｖａ族物質）に形
成される。
好ましくは、レーザー構体１５は、二重へテロ構造（Ｄ
Ｈ）をしており、これは第一と第二の反対の導電形の大
きさの禁止帯のクラツディング層１４と１層１８を含み
、その二つの層は補償されることがある狭い禁止帯幅の
活性層１６ｊ即ち、ｎ形、ｐ形、又はｎ形とｐ形の両方
（例えば層１６がそれ自体周知のＰ、ＮＮ又はＰ、Ｎ’
Ｎ ＤＨ、レーザーのように相接するｎ層及びｐ層か
ら成っている場合）によって互に分離される。それらの
層自体、典型的にはＩ［ａ−Ｖａ族の化合物であり、ク
ラツディング層が活性層に結晶格子整合するよ５に選ば
れる。例えば層１４１層１６及び層１８は、典型的には
夫々Ａｊ’、Ｇａ１ ｘＡｓ 。
Ｈ）をしており、これは第一と第二の反対の導電形の大
きさの禁止帯のクラツディング層１４と１層１８を含み
、その二つの層は補償されることがある狭い禁止帯幅の
活性層１６ｊ即ち、ｎ形、ｐ形、又はｎ形とｐ形の両方
（例えば層１６がそれ自体周知のＰ、ＮＮ又はＰ、Ｎ’
Ｎ ＤＨ、レーザーのように相接するｎ層及びｐ層か
ら成っている場合）によって互に分離される。それらの
層自体、典型的にはＩ［ａ−Ｖａ族の化合物であり、ク
ラツディング層が活性層に結晶格子整合するよ５に選ば
れる。例えば層１４１層１６及び層１８は、典型的には
夫々Ａｊ’、Ｇａ１ ｘＡｓ 。
Ａｌ ｙＧａｌ−ｙＡｓ及びＡｊ’２Ｇａ４、Ａｓから
成り、０．８〜０．９μｍの波長領域の動作のためｙ＜
ｘ、ｚ；Ｑ＜ｘ、Ｚ ｐ Ｏ≦ｙ≦０．４（直接−間接
のクロスオーバー）とする。実施例ではｘ ”” ｚ
＝０．２４及びｙ ＝ ０．０８である。ｋｌｙＧａ
１ ｑ Ｐｑで少量のＰ（ｑ≦０．６）をもったものは
、同じ波長領域で動作する。約１．０〜１．６μｍのさ
らに長い波長の領域では、 ＧａＡｓＳｂが活性層と
して及びＡＩ！ＧａＡｓＳｂ がクラツディング層と
して用いられるか或は、 Ｉｎ１）ａＡｓＰが活性層
として及び、 ＩｎＰがクラツディング層として用い
られる。叙上のタイプのＧａＡｓ−Ａ１！ＧａＡｓのス
トライプ状Ｄ Ｈ−Ｌ’Ｃ’Ｃの製造に用いる処理工程
を以下に述べる。
成り、０．８〜０．９μｍの波長領域の動作のためｙ＜
ｘ、ｚ；Ｑ＜ｘ、Ｚ ｐ Ｏ≦ｙ≦０．４（直接−間接
のクロスオーバー）とする。実施例ではｘ ”” ｚ
＝０．２４及びｙ ＝ ０．０８である。ｋｌｙＧａ
１ ｑ Ｐｑで少量のＰ（ｑ≦０．６）をもったものは
、同じ波長領域で動作する。約１．０〜１．６μｍのさ
らに長い波長の領域では、 ＧａＡｓＳｂが活性層と
して及びＡＩ！ＧａＡｓＳｂ がクラツディング層と
して用いられるか或は、 Ｉｎ１）ａＡｓＰが活性層
として及び、 ＩｎＰがクラツディング層として用い
られる。叙上のタイプのＧａＡｓ−Ａ１！ＧａＡｓのス
トライプ状Ｄ Ｈ−Ｌ’Ｃ’Ｃの製造に用いる処理工程
を以下に述べる。
Ｓｉを１０１８／ｃＩ＋＋３までドープした厚さ１００
１’ ” （１００） ＧａＡｓ’ｎ形ウェハ（即ち基
体１０）が市販のものが得られ、ＡＺ１６５０フォトレ
ジスト（図に示してい１【い）でマスクされた。６８０
μｍの中心幅で幅約５〜２５μｍの狭いストライプ状マ
スク領域の平行な列が一般的なフォトリソグラフィ方法
を用いてウェハ上に形成された。ウェハの露出部分は２
４℃でＨ２ＳＯ４ｐ Ｈ２Ｏ２（５０％）：Ｈ２０＝１
： ８ 二１０Ｙ用いてエッチされ、而してフォトレジ
ストは除去された。この方法により、高さ約５μｍ１幅
約５〜２５μｍ。
１’ ” （１００） ＧａＡｓ’ｎ形ウェハ（即ち基
体１０）が市販のものが得られ、ＡＺ１６５０フォトレ
ジスト（図に示してい１【い）でマスクされた。６８０
μｍの中心幅で幅約５〜２５μｍの狭いストライプ状マ
スク領域の平行な列が一般的なフォトリソグラフィ方法
を用いてウェハ上に形成された。ウェハの露出部分は２
４℃でＨ２ＳＯ４ｐ Ｈ２Ｏ２（５０％）：Ｈ２０＝１
： ８ 二１０Ｙ用いてエッチされ、而してフォトレジ
ストは除去された。この方法により、高さ約５μｍ１幅
約５〜２５μｍ。
〔１１０〕方向に配向した平行なストライプメサの列（
例えばその一つが１０．１で示されている）を形成する
。
例えばその一つが１０．１で示されている）を形成する
。
次に層１２．１−１２．２．レーザー構体１５及び層２
２が標準の傾斜冷却技術及び常套的なボートスライダー
装置を用いて単−ＬＰＥサイクルで成長された簡単化す
るための、単一の装置の成長を以下で説明する。特に１
次のエピタキシャル層を、下記の順に基体１０の上に成
長する。即ちＰ ””０．２２ ＧＯ＋３．７ＢＡＳ
層１２．１−１２．２．ｎ−Ｍｏ、４５Ｇａｏ、５ｓＡ
Ｓ クラツディング層１４ 、Ｐ−ＧａＡｓ活性層１６
゜Ｐ −Ａｌ ｏ、４５ Ｇａ ０．５ ｓＡｓクラツ
ディング層１８゜Ｐ −ＧａＡｓ エッチ阻止兼接触
層２０．及びｎ ＡＪｏ、 ４’５（）ａｏ、 ５５
ＡＳ層２２゜更に詳述するとｓ’ Ｐ ”−Ａｌｏ、
２２ＧａＯ０７ａＡＳ層１２．２−１２．２は、 Ｇ
ｅが約１０２ム までドープされ１層の厚さはメサ側壁
に近接したところで最大となり、メサから離れるに従っ
て徐々に減する頻回にある。図のように個々のレーザー
に切り出した後は、その最小の厚さは約１．６μ？ルと
測定された。ここで諸因子が重要である。第一に通常の
動作（例えば電源２８からの１０Ｖの電圧）において、
逆バイアス接合１３．１−１３．２に関連した空間電荷
領域が基体中に広がり、これらの層の最小の厚さ及びキ
ャリヤ濃度（ドーピング）をブレークダウンを引き起さ
ないように、相互に調整するべきである。第二に分離し
ている層１２．１−１２．２ｙ、成長している間に合体
して一つになってしまわないようにその最大の厚さがメ
サの高さよりあまり高くするべきではない。第三にメサ
１０，１の頂面で核形成が阻止されるように分離された
層１２．１−１２．２が成長される。第四に１層１２．
１−１２．２は。
２が標準の傾斜冷却技術及び常套的なボートスライダー
装置を用いて単−ＬＰＥサイクルで成長された簡単化す
るための、単一の装置の成長を以下で説明する。特に１
次のエピタキシャル層を、下記の順に基体１０の上に成
長する。即ちＰ ””０．２２ ＧＯ＋３．７ＢＡＳ
層１２．１−１２．２．ｎ−Ｍｏ、４５Ｇａｏ、５ｓＡ
Ｓ クラツディング層１４ 、Ｐ−ＧａＡｓ活性層１６
゜Ｐ −Ａｌ ｏ、４５ Ｇａ ０．５ ｓＡｓクラツ
ディング層１８゜Ｐ −ＧａＡｓ エッチ阻止兼接触
層２０．及びｎ ＡＪｏ、 ４’５（）ａｏ、 ５５
ＡＳ層２２゜更に詳述するとｓ’ Ｐ ”−Ａｌｏ、
２２ＧａＯ０７ａＡＳ層１２．２−１２．２は、 Ｇ
ｅが約１０２ム までドープされ１層の厚さはメサ側壁
に近接したところで最大となり、メサから離れるに従っ
て徐々に減する頻回にある。図のように個々のレーザー
に切り出した後は、その最小の厚さは約１．６μ？ルと
測定された。ここで諸因子が重要である。第一に通常の
動作（例えば電源２８からの１０Ｖの電圧）において、
逆バイアス接合１３．１−１３．２に関連した空間電荷
領域が基体中に広がり、これらの層の最小の厚さ及びキ
ャリヤ濃度（ドーピング）をブレークダウンを引き起さ
ないように、相互に調整するべきである。第二に分離し
ている層１２．１−１２．２ｙ、成長している間に合体
して一つになってしまわないようにその最大の厚さがメ
サの高さよりあまり高くするべきではない。第三にメサ
１０，１の頂面で核形成が阻止されるように分離された
層１２．１−１２．２が成長される。第四に１層１２．
１−１２．２は。
Ｐ −（：）ａＡｓ であるが、それらの層中にＡｌ
が存在してＧａ−Ａｓ−Ａｊ’成長溶液中のＡｓの溶解
度を減らす。このことは、基体に溶融することを阻止す
るのに好都合であり、またそれによってメサ１０．１の
完全性を保持する。
が存在してＧａ−Ａｓ−Ａｊ’成長溶液中のＡｓの溶解
度を減らす。このことは、基体に溶融することを阻止す
るのに好都合であり、またそれによってメサ１０．１の
完全性を保持する。
ｎ−Ａｌ！ｏ、４５Ｇａｏ、５５Ａｓクラツディング層
１４には、Ｓｎが約２Ｘ１０Ｑ＋＋ までｓｎヲドー
プし、厚さを約２．６μｍとする。Ｐ −ＧａＡｓ活性
層１６には、約１．５ Ｘ Ｉ Ｄ１７ａｎ”−３まで
Ｇｅをドープし、厚さを約０．２μ扉とする。
１４には、Ｓｎが約２Ｘ１０Ｑ＋＋ までｓｎヲドー
プし、厚さを約２．６μｍとする。Ｐ −ＧａＡｓ活性
層１６には、約１．５ Ｘ Ｉ Ｄ１７ａｎ”−３まで
Ｇｅをドープし、厚さを約０．２μ扉とする。
Ｐ−ＡｌＯ９４５Ｇａｏ、５５Ａｓ クラツディング
層１８は、Ｇｅが約１０ＣＩ＋ までにＧｅをドープ
し。
層１８は、Ｇｅが約１０ＣＩ＋ までにＧｅをドープ
し。
厚さを約０．９μｍとする。そして１４，１６゜及び１
８は二重へテロ構造を形成する。
８は二重へテロ構造を形成する。
エッチ阻止兼接触Ｐ −ＧａＡｓ層２ｏには。
Ｇｅが約１ｏ１８／ｃｍ５ までＧｅｍドープし、厚さ
を約０．５μｍとする。ｎ ｋｌ ｏ、 、ｓ ｓ
Ｇａ ｏ、 ｓ ｓＡＳ層２２には、 Ｓｎが約１０
１７．、−ｓまでＳｎ’ｉドープし、厚さを約２．６μ
ｍとする。
を約０．５μｍとする。ｎ ｋｌ ｏ、 、ｓ ｓ
Ｇａ ｏ、 ｓ ｓＡＳ層２２には、 Ｓｎが約１０
１７．、−ｓまでＳｎ’ｉドープし、厚さを約２．６μ
ｍとする。
ＬＰＥ成長の完了に引き続いてｓ ｎ−Ａｌ ｏ、４
ｓＧａ ｏ、 ｓ ｓＡＳ層２層上２上本来の酸化物マ
スク層（図には示していない）を陽極処理的に成長した
。メサ１０．１を形成するのに用いたのと同じフォトリ
ソグラフィマスクを用いて、メサな形成するのに用いら
れた第一の窓の対に。
ｓＧａ ｏ、 ｓ ｓＡＳ層２層上２上本来の酸化物マ
スク層（図には示していない）を陽極処理的に成長した
。メサ１０．１を形成するのに用いたのと同じフォトリ
ソグラフィマスクを用いて、メサな形成するのに用いら
れた第一の窓の対に。
実質的に整列するよ５にマスクに厚さ１〇−６０μｍ窓
を形成した。５層２２の露出部分を１次にヨウ素エツチ
ング液（例えばＸ１１１５！ＩｎＬｓ Ｉ２６５ｇｍ
、 Ｈ２Ｏ１０’０ＣＣ）に曝した。そのヨウ素液はＡ
ｊ’ＧａＡｓ をエツチングするが（）ａＡｓ Ｙ
余りエツチングしないとい５意味で選択性である。その
結果として。
を形成した。５層２２の露出部分を１次にヨウ素エツチ
ング液（例えばＸ１１１５！ＩｎＬｓ Ｉ２６５ｇｍ
、 Ｈ２Ｏ１０’０ＣＣ）に曝した。そのヨウ素液はＡ
ｊ’ＧａＡｓ をエツチングするが（）ａＡｓ Ｙ
余りエツチングしないとい５意味で選択性である。その
結果として。
窓（例えば２２．１）のｎ−Ａｊ’ ｏ、 ４ｓ Ｇａ
Ｏｏｓ ５Ａｓのエツチングは、下層のエッチ阻止Ｐ
−ＧａＡｓ層２０の部分が露出するまで継続する。そ
してエツチングは、はぼ垂直方向に止まる。この形のエ
ツチング阻止法が望ましい。なぜなら５層２２が冗全に
エツチングされ、それによって５層２２と層２０とｊ−
２２の界面にあるｐ−ｎ接合を開口即ち窓２２．１によ
って分離された離間したブロッキング接合２１．１と２
１．２の対に分けるまでエツチングが自動的に継続する
からである。
Ｏｏｓ ５Ａｓのエツチングは、下層のエッチ阻止Ｐ
−ＧａＡｓ層２０の部分が露出するまで継続する。そ
してエツチングは、はぼ垂直方向に止まる。この形のエ
ツチング阻止法が望ましい。なぜなら５層２２が冗全に
エツチングされ、それによって５層２２と層２０とｊ−
２２の界面にあるｐ−ｎ接合を開口即ち窓２２．１によ
って分離された離間したブロッキング接合２１．１と２
１．２の対に分けるまでエツチングが自動的に継続する
からである。
Ｐ Ａｊ’ＧａＡｓ 層１２．１−１２．２と同様
に。
に。
ｎ −Ａｊ’ＧａＡｓ 層２２の厚さと、ドーピング
はレーザーの通常の動作状態においてブレークダウンを
阻止するように相互に調整する。
はレーザーの通常の動作状態においてブレークダウンを
阻止するように相互に調整する。
常套的な電極を次に被着する。例えばＣＸ−Ａｘ −成
極をｎ層２２上と窓２２．１で露出しているＰ ０ａ
Ａｓ 層２００部分上に被着する。
極をｎ層２２上と窓２２．１で露出しているＰ ０ａ
Ａｓ 層２００部分上に被着する。
ＣＧａＡＳ上の被着はｓ ｋｌＧａＡｓ上よりも容易で
あり、そういうわけで１接触″層２０という用語を使う
。）そしてＩｎ −Ａｎ電極が基体１０の低部主表面に
被着された。最後に、普通の分割方法によって形成され
た個々のレーザーは、適切な銅の熱溜め（ヒートシンク
）上に取り付けられた。
あり、そういうわけで１接触″層２０という用語を使う
。）そしてＩｎ −Ａｎ電極が基体１０の低部主表面に
被着された。最後に、普通の分割方法によって形成され
た個々のレーザーは、適切な銅の熱溜め（ヒートシンク
）上に取り付けられた。
ストライプの幅く１４μｍのＤＨ−ＬＣＣレーザーは約
２倍の閾値までのポンピング電流に対して最下位モード
で動作した。この場合１反射鏡面当り１６ｍＷの光出力
が観測された。これらのレーザーでは、注入電流が閾値
以上に増加されると、最下位モードの半値出力幅は対称
的に増大した。ストライプ幅〉２０μｍのレーザーにと
っては、接合平面での変化した高次横モードが時として
１−値に近い電流でさえたやすく励起された。
２倍の閾値までのポンピング電流に対して最下位モード
で動作した。この場合１反射鏡面当り１６ｍＷの光出力
が観測された。これらのレーザーでは、注入電流が閾値
以上に増加されると、最下位モードの半値出力幅は対称
的に増大した。ストライプ幅〉２０μｍのレーザーにと
っては、接合平面での変化した高次横モードが時として
１−値に近い電流でさえたやすく励起された。
テストされた全てのレーザーのうちストライプ幅が約１
０と２０μｍの間の全てのものに対し光学的出力対注入
電流特性のすぐれた直線性が得られストライプ幅１８μ
ｍの一つのレーザーがｓｍｗで弱い“キング″を生じた
ことを除いては反射鏡面当り１６ｍＷの出力が、測定さ
れた。５ｍ−Ｖｉ以下では、他の同様のストライプ幅を
持つダイオードで観測される普通モードパターンを示さ
ず、ストライプ幅よりも極めて狭い繊条でダイオードが
レーザー動作するのが観測され１こ。
０と２０μｍの間の全てのものに対し光学的出力対注入
電流特性のすぐれた直線性が得られストライプ幅１８μ
ｍの一つのレーザーがｓｍｗで弱い“キング″を生じた
ことを除いては反射鏡面当り１６ｍＷの出力が、測定さ
れた。５ｍ−Ｖｉ以下では、他の同様のストライプ幅を
持つダイオードで観測される普通モードパターンを示さ
ず、ストライプ幅よりも極めて狭い繊条でダイオードが
レーザー動作するのが観測され１こ。
三つの大きさの長方形のストライプ状レーザーが製造さ
れた。それは（１）３２μｍ Ｘ ２４０μｍ、 （２
）２０μｒｎＸ２ＤＯｔｔｒｎ及び（３）１２μｒｎ
Ｘ ２６５ ｔｔ ｍであった。（１）及び（２）では
。
れた。それは（１）３２μｍ Ｘ ２４０μｍ、 （２
）２０μｒｎＸ２ＤＯｔｔｒｎ及び（３）１２μｒｎ
Ｘ ２６５ ｔｔ ｍであった。（１）及び（２）では
。
注入電流が増大されると接合面で相次ぐ高次横モードが
励起されても光出力対電流特性は直線性を保っていた。
励起されても光出力対電流特性は直線性を保っていた。
室温でのパルス及びｃｗｔ−値電流は、ストライプ領域
１４μｍ×１５０μｍにつき、それぞれ４５ｍＡおよび
６５ｍＡと低かった。２０μｉＸ２００８ｍ及び６０μ
ｒＩＬＸ２５０μｍのストライプを有するダイオードに
とって典型的な１剥値電流（パルス形）は、それぞれ７
ＣＪｍＡ及び９０ｍＡであった。
１４μｍ×１５０μｍにつき、それぞれ４５ｍＡおよび
６５ｍＡと低かった。２０μｉＸ２００８ｍ及び６０μ
ｒＩＬＸ２５０μｍのストライプを有するダイオードに
とって典型的な１剥値電流（パルス形）は、それぞれ７
ＣＪｍＡ及び９０ｍＡであった。
我々は又、頂部のストライプ幅（窓２２．１）の関数と
して室温パルス臨界電流密度の依存性を調べた。臨界密
度は他のストライプ状レーザーで得られるものと近（以
していた。これらの結果を電流の広がりが顕著なストラ
イプ状レーザーと比較するために、下方のプロツキジグ
接合１３．１−１３．２の対が省かれることを除いてＨ
Ｄ−ＬＣＣレーザーと同一の組成のレーザーが成長され
た。それらの単一電流抑制（ｓｅａ）レーザーにとって
７５専Ａｃ１１μｍＸ１９０μｍ）の室温パルス閾値が
得られ１こ。ＳＣＣレーザーに対し、頂部チャンネル幅
の関数としての室温パルス１闇値電流密度もまた測定さ
れた。一般に本レーザーはｓｅＣレーザーに比べ閾値電
流密度が３０％減り電流の広がりも減った。
して室温パルス臨界電流密度の依存性を調べた。臨界密
度は他のストライプ状レーザーで得られるものと近（以
していた。これらの結果を電流の広がりが顕著なストラ
イプ状レーザーと比較するために、下方のプロツキジグ
接合１３．１−１３．２の対が省かれることを除いてＨ
Ｄ−ＬＣＣレーザーと同一の組成のレーザーが成長され
た。それらの単一電流抑制（ｓｅａ）レーザーにとって
７５専Ａｃ１１μｍＸ１９０μｍ）の室温パルス閾値が
得られ１こ。ＳＣＣレーザーに対し、頂部チャンネル幅
の関数としての室温パルス１闇値電流密度もまた測定さ
れた。一般に本レーザーはｓｅＣレーザーに比べ閾値電
流密度が３０％減り電流の広がりも減った。
これに加え、我々はメサ１０．１及び恕２．２．１が不
整列の場合の効果を調べた。同じストライプ幅な持つ姫
列したレーザーと、不整列（１０μｍだけ）のレーザー
は、はぼ同じ電流密度閾値をもっていることが判った。
整列の場合の効果を調べた。同じストライプ幅な持つ姫
列したレーザーと、不整列（１０μｍだけ）のレーザー
は、はぼ同じ電流密度閾値をもっていることが判った。
両者は、はっきりした光学的モートノ（ターンを持って
いるけれども出力反射面での接合面のうを学的強度分析
は、全く異って（・た。整列したレーザーでは、電流及
び光学モードの強度Ｇま窓２２，１とメサ１０．１の間
のストライプ状チャンネルの中央に束中した。不整列の
レーザーでは、電流は窓２２．１を通りチャンネルσ〕
一方に向かって流れた。この電流パターンレル−ザー動
作モードをその方向にシフトすることになった。
いるけれども出力反射面での接合面のうを学的強度分析
は、全く異って（・た。整列したレーザーでは、電流及
び光学モードの強度Ｇま窓２２，１とメサ１０．１の間
のストライプ状チャンネルの中央に束中した。不整列の
レーザーでは、電流は窓２２．１を通りチャンネルσ〕
一方に向かって流れた。この電流パターンレル−ザー動
作モードをその方向にシフトすることになった。
斜上の装置は１本発明の原理の応用するために考案でき
る多くの可能な実施例の単なる例示であるということが
理解されるべきである。
る多くの可能な実施例の単なる例示であるということが
理解されるべきである。
本発明の精神及び馳囲内で当業者にとってこれらの原理
に従って多くの改良した他の装置が工夫できる。特にメ
サ１０，１が台形の形を有するように示されているが、
逆にした台形のような他の形もまた適当であり、結晶方
位と望ましいエツチング液のよく知られている組合せに
より製造され得る。更にその上にある導電形が図示され
述べられて〜・るが全ての層の導電形は逆にすることが
できること（ま□ 明らかであろう。更に本実験では厚
さ１〇−５０μｍのストライプを扱ったが、１μｍ程の
狭い幅のものもまた使用できる。最後に。
に従って多くの改良した他の装置が工夫できる。特にメ
サ１０，１が台形の形を有するように示されているが、
逆にした台形のような他の形もまた適当であり、結晶方
位と望ましいエツチング液のよく知られている組合せに
より製造され得る。更にその上にある導電形が図示され
述べられて〜・るが全ての層の導電形は逆にすることが
できること（ま□ 明らかであろう。更に本実験では厚
さ１〇−５０μｍのストライプを扱ったが、１μｍ程の
狭い幅のものもまた使用できる。最後に。
前記のＬＣＣ構造は、接合レーザーに関して述べてきた
が９本発明の原理は周縁発光型（即ちレーザーのように
接合平面に平行に発光するタイプ）か又む１垂直発光壓
（例えば接合平面に直角に発光するブルースダイオード
）のいずれかのＬＥＤＳも適用することができる。
が９本発明の原理は周縁発光型（即ちレーザーのように
接合平面に平行に発光するタイプ）か又む１垂直発光壓
（例えば接合平面に直角に発光するブルースダイオード
）のいずれかのＬＥＤＳも適用することができる。
第１図は本発明の実施例のＬＣＣレーザーの端部断面図
である。 〔主要部分の符号の説明〕 基体 １０ 本体、基体メサ
１０．１ メサ 第一のクラツディング １４ クラツディング層層 構体 １５ 構体 活性層 １６ 活性層 活性領域 １６．１ 活性領域第二のクラツデ
ィング １８ クラツディング層層 電流 １９ ポンピング電流第一の
エピタキシャル ２０ 接合層層 第二のｐ−ｎ接合対 ２１．１− ２１．２ 第二のエピタキシャル ２２ 二つに分かれたｎ一層
層 窓、開口 ２２．１ 窓、開口電極（陽極）
２４ 電極 電極（陰極）２６ 電極 ２８ 電源
である。 〔主要部分の符号の説明〕 基体 １０ 本体、基体メサ
１０．１ メサ 第一のクラツディング １４ クラツディング層層 構体 １５ 構体 活性層 １６ 活性層 活性領域 １６．１ 活性領域第二のクラツデ
ィング １８ クラツディング層層 電流 １９ ポンピング電流第一の
エピタキシャル ２０ 接合層層 第二のｐ−ｎ接合対 ２１．１− ２１．２ 第二のエピタキシャル ２２ 二つに分かれたｎ一層
層 窓、開口 ２２．１ 窓、開口電極（陽極）
２４ 電極 電極（陰極）２６ 電極 ２８ 電源
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 主表面に形成されたメサを有する第１の導電形の半
導体本体を含み 反対の導電形の一対の別々の層がメサの両側及びその両
側面に隣接した主表面上に形成され。 発光構体が別々の層及びメサの頂部に形成され、活性領
域及び第−ｐ−ｎ接合をその中に含む構体が電流によっ
て順方向にバイアスされ、ボンピングされた時、活性領
域に発光を生じさせるストライプ型発光構体において
□ 該構体がメサによって分離され、横方向に離間したブロ
ッキングｐ−ｎ接合の第一の対を層との界面に形成し第
一の接合の順バイアスはブロッキング接合の第一の対を
逆バイアスしメサを通して電流を実質的にチャンネルに
流れさせるのに有効であるようにしたことを特徴とする
ストライプ型発光構体。 ２、特許請求の範囲第１項に記載したストライプ型発光
構体において。 横方向に離間したブロッキングｐ−ｎ接合の第二の対は
構体上に形成され、且つメサに実質的に整列したストラ
イプ状窓によって分離され、電流が窓とメサの間のチャ
ンネルに流れさせるように第一の接合の順バイアスもブ
ロッキング接合の第二の対を逆バイアスするのに有効で
あることを特徴とするストライプ型発光構体。 ６、特許請求の範囲第１項又は第２項記載のストライフ
０型発光構体において。 窓とメサがそれぞれ厚さ１０μｍ又はそれ以下であるこ
とを特徴とする発光構体。 ４、特許請求の範囲第１項、第２項又は第６項記載の発
光構体において。 分離された層の対のキャリヤ濃度と厚さは通常の動作状
態においてブロッキング接合の第一の対のブレークダウ
ンを阻止するように相互（二適合されることを特徴とす
る発光構体。 ５ 特許請求の範囲第１項、第２項、第３項又は第４項
記載の発光構体であって 基体は単結晶のｎ −（ｌａＡｓ であり；発光構体
はｎ−ＡｅＸＧａｌ−ｘＡＳ エピタキシャル第一クラ
ツディング層と。 該第−クラツディング層上に成長した ＭｙＧ２□−ｙ ＡＳ エピタキシャル活性層と。 該活性層上に成長したｐ −Ｑ２Ｇａよ−Ｚ ＡＳエピ
タキシャル第二クラツディング層とからなり、ここでＤ
＜Ｘ、 ｚ ：ｙ＜ｚ ；Ｏ≦ｙ ＜ ０．４であり。 ｐ −Ｇａｐｓエピタキシャル層が第二クラツディング
層上に成長されている発光構体において メサの両側の主表面上に成長した分離しているエピタキ
シャル層の対はｐ −ＡｊＧａＡｓであり。 離間し、たｎ −ＡｅＧａＡｓ エピタキシャル層が
ｐ−（］ａＡＳ 、Ｎ上に形成され、ストライプ状窓に
よって分離されており、そのストライプ状窓は＋ ＋
） −ＧａＡｓ層の一部を露出し。 また実質的にメサに整列しており、それによってｐ −
ＧａＡＳ層との界面に窓によって分離された横方向に離
間したブロッキングｐ−ｎ接合の第二の対を形成し； 陰極電極がｎ −ＧａＡｓ本体上に形成され。 離間したｎ −ＡｊＧａＡｓ層とｐ −ＱａＡｓ層の露
出した部分の上に電極が形成されていることを特徴とす
る発光構体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/794,466 US4169997A (en) | 1977-05-06 | 1977-05-06 | Lateral current confinement in junction lasers |
| US794466 | 1977-05-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5963781A true JPS5963781A (ja) | 1984-04-11 |
Family
ID=25162697
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5400678A Pending JPS53138689A (en) | 1977-05-06 | 1978-05-06 | Method of producing light emitting diode |
| JP58122501A Pending JPS5963781A (ja) | 1977-05-06 | 1983-07-07 | 発光構体 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5400678A Pending JPS53138689A (en) | 1977-05-06 | 1978-05-06 | Method of producing light emitting diode |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4169997A (ja) |
| JP (2) | JPS53138689A (ja) |
| CA (1) | CA1093197A (ja) |
| DE (1) | DE2819843A1 (ja) |
| FR (1) | FR2390829A1 (ja) |
| GB (1) | GB1596820A (ja) |
| NL (1) | NL7804878A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0590633A (ja) * | 1991-09-25 | 1993-04-09 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE2856507A1 (de) * | 1978-12-28 | 1980-07-17 | Amann Markus Christian Dipl In | Halbleiter-laserdiode |
| DE3065856D1 (en) * | 1979-02-13 | 1984-01-19 | Fujitsu Ltd | A semiconductor light emitting device |
| FR2458158A1 (fr) * | 1979-06-01 | 1980-12-26 | Thomson Csf | Diode laser a emission localisee et emetteur opto-electronique utilisant une telle diode |
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| US4329189A (en) * | 1980-02-04 | 1982-05-11 | Northern Telecom Limited | Channelled substrate double heterostructure lasers |
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1977
- 1977-05-06 US US05/794,466 patent/US4169997A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
- 1978-04-24 GB GB16031/78A patent/GB1596820A/en not_active Expired
- 1978-04-26 CA CA301,990A patent/CA1093197A/en not_active Expired
- 1978-05-05 NL NL7804878A patent/NL7804878A/xx not_active Application Discontinuation
- 1978-05-05 FR FR7813411A patent/FR2390829A1/fr active Granted
- 1978-05-05 DE DE19782819843 patent/DE2819843A1/de not_active Ceased
- 1978-05-06 JP JP5400678A patent/JPS53138689A/ja active Pending
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1983
- 1983-07-07 JP JP58122501A patent/JPS5963781A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2390829A1 (fr) | 1978-12-08 |
| DE2819843A1 (de) | 1978-11-09 |
| JPS53138689A (en) | 1978-12-04 |
| CA1093197A (en) | 1981-01-06 |
| GB1596820A (en) | 1981-09-03 |
| NL7804878A (nl) | 1978-11-08 |
| FR2390829B1 (ja) | 1982-06-04 |
| US4169997A (en) | 1979-10-02 |
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