JPS604381A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS604381A JPS604381A JP58113079A JP11307983A JPS604381A JP S604381 A JPS604381 A JP S604381A JP 58113079 A JP58113079 A JP 58113079A JP 11307983 A JP11307983 A JP 11307983A JP S604381 A JPS604381 A JP S604381A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
Landscapes
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、インターライン電荷結合素子型固体撮像素子
(以後IL−CODと略す)を用いた固体撮像装置に関
するものである。
(以後IL−CODと略す)を用いた固体撮像装置に関
するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、新U71/>撮像デバイスとして固体撮像素子の
研究開発が活発に行われ、急速に実用化の域に達しつつ
ある。
研究開発が活発に行われ、急速に実用化の域に達しつつ
ある。
固体撮像素子を用いたテレビカメラは従来の撮像管方式
のテレビカメラに比べて、長寿命、堅牢性に富む、焼き
付きがない、取扱いが容易である等多くの特徴を有する
。
のテレビカメラに比べて、長寿命、堅牢性に富む、焼き
付きがない、取扱いが容易である等多くの特徴を有する
。
固体撮像素子にはアレイ状に配置された光電変換素子か
らの信号電荷を転送により得るCCD型。
らの信号電荷を転送により得るCCD型。
、垂直及び水平方向に配置されたシフトレジスタから出
力される走査パルスにより光電変換素子の位置をアドレ
スして信号を読み出すMOS型等多くの方式がある。そ
の中でテレビカメラとしての固体撮像素子は感度、疑似
信中等の諸性能を考慮すると、インターラインCCDm
固体撮像素子(IL−COD)が最も有利であると考え
られる。
力される走査パルスにより光電変換素子の位置をアドレ
スして信号を読み出すMOS型等多くの方式がある。そ
の中でテレビカメラとしての固体撮像素子は感度、疑似
信中等の諸性能を考慮すると、インターラインCCDm
固体撮像素子(IL−COD)が最も有利であると考え
られる。
以下、IL−CODの構成、動作を第1図〜第4図を用
いて説明する。
いて説明する。
第1図べおいて1は光電変換素子としてのフォトダイオ
ード、2は垂直転送レジスタであり、この垂直転送レジ
スタは、垂直転送ゲー)3,4゜6.6により構成され
ている。7は信号読み出しゲートであり等制約に垂直転
送ゲート3および5と共通となっている。8は垂直転送
パルスの供給端子である。9は水平転送レジスタであり
、この水平転送レジスタは水平転送ゲート10.11に
より構成されている。12は水平転送パルスの供給端子
である。13は電荷検出部であり、転送されてきた信号
電荷を信号電圧に変換する。電荷検出部13は通常フロ
ーティングディフィージョン7ンブ(Ftoating
Diffusion Amptifier )で構成
されている。14は信号出力端子である。
ード、2は垂直転送レジスタであり、この垂直転送レジ
スタは、垂直転送ゲー)3,4゜6.6により構成され
ている。7は信号読み出しゲートであり等制約に垂直転
送ゲート3および5と共通となっている。8は垂直転送
パルスの供給端子である。9は水平転送レジスタであり
、この水平転送レジスタは水平転送ゲート10.11に
より構成されている。12は水平転送パルスの供給端子
である。13は電荷検出部であり、転送されてきた信号
電荷を信号電圧に変換する。電荷検出部13は通常フロ
ーティングディフィージョン7ンブ(Ftoating
Diffusion Amptifier )で構成
されている。14は信号出力端子である。
以上の如き構成のIL−CODの動作を次に説明する。
フォトダイオード1id被写体よりの入射光を光電変換
し、信号電荷を得る。光電変換によシ侍られた信号電荷
は、信号読み出しゲート7を介して垂直転送レジスタ2
を構成する垂直転送ゲートへ読み込まれた後、垂直転送
パルス供給端子8より供給された垂直転送パルスにより
、垂直方向すなわち水平転送レジスタ9の方向へ順次転
送され、1水平ライン毎に水平転送レジスタ9に読み込
まれる。水平転送レジスタへ読み込まれた信号電荷は、
水平転送パルス供給端子12から供給される水平転送パ
ルスにより、電荷検出部13へ順次転送され、電荷検出
部13により電圧に変換され、信号出力端子14から点
順次信号として得られる。
し、信号電荷を得る。光電変換によシ侍られた信号電荷
は、信号読み出しゲート7を介して垂直転送レジスタ2
を構成する垂直転送ゲートへ読み込まれた後、垂直転送
パルス供給端子8より供給された垂直転送パルスにより
、垂直方向すなわち水平転送レジスタ9の方向へ順次転
送され、1水平ライン毎に水平転送レジスタ9に読み込
まれる。水平転送レジスタへ読み込まれた信号電荷は、
水平転送パルス供給端子12から供給される水平転送パ
ルスにより、電荷検出部13へ順次転送され、電荷検出
部13により電圧に変換され、信号出力端子14から点
順次信号として得られる。
前記の如き方法により得られた点1願次信号を電気回路
により信号処理する事によりテレビジョン信号を得る。
により信号処理する事によりテレビジョン信号を得る。
第2図に前記のI L−CODの受光部の平面図を示す
。第2図において、第1図と同一機能を有する部分には
同一の番号を付している。第2図において、1はフォト
ダイオード、2は垂直転送レジスタ、3〜6は垂直転送
ゲートであシ、前記垂直転送レジスタは4相CCD構成
としている。3はψV3,4ばψv4,5はψv1,6
はψv2である。
。第2図において、第1図と同一機能を有する部分には
同一の番号を付している。第2図において、1はフォト
ダイオード、2は垂直転送レジスタ、3〜6は垂直転送
ゲートであシ、前記垂直転送レジスタは4相CCD構成
としている。3はψV3,4ばψv4,5はψv1,6
はψv2である。
7は信号読み出しゲートであり、前記信号読み出しゲー
ト7はフォトダイオード1に対応して垂直転送ゲート6
.4すなわちψV2.ψv4と一部共通して設けられて
いる。16は水平方向に両系を分離するためのチャンネ
ルストッパーである(実際は読み出しゲート部以外のフ
ォトダイオードの周辺にも設置されている。)。
ト7はフォトダイオード1に対応して垂直転送ゲート6
.4すなわちψV2.ψv4と一部共通して設けられて
いる。16は水平方向に両系を分離するためのチャンネ
ルストッパーである(実際は読み出しゲート部以外のフ
ォトダイオードの周辺にも設置されている。)。
次に、垂直転送レジスタ、フォトダイオード、信号読み
出しゲート等の関係を第3図a、bを用いて説明する。
出しゲート等の関係を第3図a、bを用いて説明する。
第3図は第2図に示したA−A’部の断面図である。
第3図aにおいて、第1図、第2図と同一の機能を有す
る部分には同一の番号を付している。
る部分には同一の番号を付している。
第3図aにおいて、固体撮像素子はn型基板16上に9
層17をエピタキシャル成長させた上に、n4一層1を
設けてPN接合によるフォトダイオードを構成している
。6は垂直転送ゲートであシ、前記垂直転送ゲートはn
一層18.p+)fJ7の上方に配置されている。7は
信号読み出しゲートであり、18のn一層と17のp層
との接合部で埋込みチャンネル型COD即ち垂直転送レ
ジスタ2が構成されている。19はフォトダイオード部
1以外の部分に被写体よりの入射光が照射されてスメア
等疑企信号が発生するのを防ぐための埋光用アルミ配線
である。ここで、基板16とエピタキシャル層17の間
には電源20により逆バイアス電圧が印加されている。
層17をエピタキシャル成長させた上に、n4一層1を
設けてPN接合によるフォトダイオードを構成している
。6は垂直転送ゲートであシ、前記垂直転送ゲートはn
一層18.p+)fJ7の上方に配置されている。7は
信号読み出しゲートであり、18のn一層と17のp層
との接合部で埋込みチャンネル型COD即ち垂直転送レ
ジスタ2が構成されている。19はフォトダイオード部
1以外の部分に被写体よりの入射光が照射されてスメア
等疑企信号が発生するのを防ぐための埋光用アルミ配線
である。ここで、基板16とエピタキシャル層17の間
には電源20により逆バイアス電圧が印加されている。
また1 、7,8.13の各拡散層と転送電極6の間は
酸化シリコン(SiO2)21で絶縁されており、また
素子の表面はリンガラス(PSC;)22で覆って保護
にている。第3図すは第3図aの各部のボテン/ヤルの
概要を示す図である。第3図すにおいて実線のホテンシ
ャル図は垂直転送時のポテンンヤル図−cアル。チャン
ネルストッパー領域16のポテンシャルは常に一定であ
る。フォトダイオード部1のポテンシャルはダーク状態
のポテンシャルvAから入射光を受けて、信号電荷が満
杯になった時のポテンシャルVBまでの間の値をとる。
酸化シリコン(SiO2)21で絶縁されており、また
素子の表面はリンガラス(PSC;)22で覆って保護
にている。第3図すは第3図aの各部のボテン/ヤルの
概要を示す図である。第3図すにおいて実線のホテンシ
ャル図は垂直転送時のポテンンヤル図−cアル。チャン
ネルストッパー領域16のポテンシャルは常に一定であ
る。フォトダイオード部1のポテンシャルはダーク状態
のポテンシャルvAから入射光を受けて、信号電荷が満
杯になった時のポテンシャルVBまでの間の値をとる。
垂直転送段18のポテンシャルは、垂直転送ゲート6に
垂直転送パルスが知加されない時のポテンシャルVcと
垂直転送パルスが印加された時のポテンシャルVDの間
の値をとる。捷だ信号読み出しゲート7のポテンシャル
は、垂直転送パルスが垂直転送ゲート6に印加されない
時のボテンシャル■Eと印加された時のポテンシャル7
10間の値ヲトる。
垂直転送パルスが知加されない時のポテンシャルVcと
垂直転送パルスが印加された時のポテンシャルVDの間
の値をとる。捷だ信号読み出しゲート7のポテンシャル
は、垂直転送パルスが垂直転送ゲート6に印加されない
時のボテンシャル■Eと印加された時のポテンシャル7
10間の値ヲトる。
垂直転送段18における信号電荷はポテンシャルvcと
VDの間を転送される。
VDの間を転送される。
次にフォトダイオード1の信号電荷を垂直転送段18に
読み込む際のポテンシャルを説明する。
読み込む際のポテンシャルを説明する。
信号電荷を垂直転送段18に読み込むには、垂直帰線期
間中に信号読み出しパルスを垂直転送ゲート6に印加す
る。垂直転送パルスよりも十分大きい信号読み出しパル
スを垂直転送ゲート6に印加すれば、信号読み出しゲー
ト7及び垂直転送段18のボテンシャルは第3図すの破
線で示した電・位となる。すなわち、信号読み出しゲー
トのポテンシャルはVG、垂直転送段18のポテンシャ
ルは■Hとなり1.フォトダイオード1に蓄積された信
号電荷は信号読み出しパルスが印加されている期間中の
み垂直転送段18へ読み出される。前記の如き構成のI
L−CCDK第4図に示す垂直転送パルスψv1〜ψV
4を第1図に示す垂直転送パルス供給端子8より供給す
れば、第1フィールドにおいては、信号読み出しゲート
とψv2が共通となった水平ラインのフォトダイオード
の信号電荷を読み出す、第2フイールドにおいては、信
号読み出しゲートとψv4が共通となった水平ラインの
フォトダイオードの信号を読み出す。したがって、信号
出力端子14から得られた信号直圧を電気回路で信号処
理を行えば2:インターレース走査の行われたテレビジ
ョン信号を得る事かできる。ここで第4図に示した垂直
転送パルスのうち、ψv2に示したA、ψv4に示した
Bの各パルスは信号読み出しパルスである。
間中に信号読み出しパルスを垂直転送ゲート6に印加す
る。垂直転送パルスよりも十分大きい信号読み出しパル
スを垂直転送ゲート6に印加すれば、信号読み出しゲー
ト7及び垂直転送段18のボテンシャルは第3図すの破
線で示した電・位となる。すなわち、信号読み出しゲー
トのポテンシャルはVG、垂直転送段18のポテンシャ
ルは■Hとなり1.フォトダイオード1に蓄積された信
号電荷は信号読み出しパルスが印加されている期間中の
み垂直転送段18へ読み出される。前記の如き構成のI
L−CCDK第4図に示す垂直転送パルスψv1〜ψV
4を第1図に示す垂直転送パルス供給端子8より供給す
れば、第1フィールドにおいては、信号読み出しゲート
とψv2が共通となった水平ラインのフォトダイオード
の信号電荷を読み出す、第2フイールドにおいては、信
号読み出しゲートとψv4が共通となった水平ラインの
フォトダイオードの信号を読み出す。したがって、信号
出力端子14から得られた信号直圧を電気回路で信号処
理を行えば2:インターレース走査の行われたテレビジ
ョン信号を得る事かできる。ここで第4図に示した垂直
転送パルスのうち、ψv2に示したA、ψv4に示した
Bの各パルスは信号読み出しパルスである。
ところが、以上説明した垂直転送パルスの関係を持たせ
て2:1インターレース走査を行った場合に2つの問題
点が生じる。
て2:1インターレース走査を行った場合に2つの問題
点が生じる。
第1の問題点は残像の発生である0fftJ記残像の・
発生原因は、第4図から明らかなようにフォトダイオー
ドへの信号電荷の蓄積時間は、2フィールドJυ]間で
あるが、信号電荷の読み出しは1水平ラインおきに1フ
イールド毎に行われるためである。
発生原因は、第4図から明らかなようにフォトダイオー
ドへの信号電荷の蓄積時間は、2フィールドJυ]間で
あるが、信号電荷の読み出しは1水平ラインおきに1フ
イールド毎に行われるためである。
したがって、撮像中にテレビカメラをパンした場合など
には1フイールド後の信号電荷が読み出される残像が発
生し、画像のエツジ部が2重に見える。
には1フイールド後の信号電荷が読み出される残像が発
生し、画像のエツジ部が2重に見える。
第2の問題点は、インターレースフリッカ−の発生であ
る。ビジコン等一般的な撮像管においては、その走査ビ
ームのビームは、はぼ円形でありしかも、走査ビーム径
が本来の走査線幅(広がっている)ため、第5図に示す
ように走査ビーム30が両フィールド分にまたがって走
査する。なお、実際の走査ビームはもっと大きく電子密
度はビーム中心に対してガラス分布している。
る。ビジコン等一般的な撮像管においては、その走査ビ
ームのビームは、はぼ円形でありしかも、走査ビーム径
が本来の走査線幅(広がっている)ため、第5図に示す
ように走査ビーム30が両フィールド分にまたがって走
査する。なお、実際の走査ビームはもっと大きく電子密
度はビーム中心に対してガラス分布している。
したがって走査線相互の境界はボケでいる。すなわち、
垂直方向のMTFは、垂直線数以下となっている。
垂直方向のMTFは、垂直線数以下となっている。
しかしながら、固体撮像素子の場合には第2図に示した
ようにフォトダイオード1が完全に分散して配置されて
いるため撮像管のように走査線相互の境界がボケる事は
ない。すなわち垂直方向のMTFid垂直走査線数近く
でも、はとんど低下しない。したがって垂直方向に輝度
信号が大きく変化した垂直相関の無い被写体像を撮像し
モニターTVで見ると前記、垂直相関の無い被写体部分
ではフィールド毎に信号が大きく変化するために、垂直
エツジ部では、見かけ上フリッカ−となって現われ、落
ち着きのない画質となる。
ようにフォトダイオード1が完全に分散して配置されて
いるため撮像管のように走査線相互の境界がボケる事は
ない。すなわち垂直方向のMTFid垂直走査線数近く
でも、はとんど低下しない。したがって垂直方向に輝度
信号が大きく変化した垂直相関の無い被写体像を撮像し
モニターTVで見ると前記、垂直相関の無い被写体部分
ではフィールド毎に信号が大きく変化するために、垂直
エツジ部では、見かけ上フリッカ−となって現われ、落
ち着きのない画質となる。
したがって、前記の欠点を解決する方法としてフォトダ
イオードへの信号電荷の蓄積期間を1フィールド期間と
し、信号読み出しをフィールド毎とする事により残像の
発生を無くし、また垂直方向に隣接する2つの水平ライ
ンのフォトダイオードの信号電荷を混合して読み出し、
フィールド毎に1ラインずらす事によりフォトダイオー
ドの見かけ上の開口率を大きくシ、すなわち撮像管の走
査線と電子ビームの関係の如きにしてインターレスフリ
ッカ−も発生しないI L−CODの駆動方法が提案さ
れている。
イオードへの信号電荷の蓄積期間を1フィールド期間と
し、信号読み出しをフィールド毎とする事により残像の
発生を無くし、また垂直方向に隣接する2つの水平ライ
ンのフォトダイオードの信号電荷を混合して読み出し、
フィールド毎に1ラインずらす事によりフォトダイオー
ドの見かけ上の開口率を大きくシ、すなわち撮像管の走
査線と電子ビームの関係の如きにしてインターレスフリ
ッカ−も発生しないI L−CODの駆動方法が提案さ
れている。
次に前記のIL−CCD駆動方法による固体撮像装置の
従来例を第6図、第7図を用いて説明する。
従来例を第6図、第7図を用いて説明する。
第6図は従来例におけるIL−CODの垂直転送パルス
である。ψv11.ψv3は第4図に示したフレーム読
み出しの垂直転送パルスと同一であるが、ψ■2.ψv
4は第1.第2のフィールド共に信号読み出しパルスを
設けている。第6図に示す垂直転送パルスを第1図に示
すI L−CODの垂直転送パルス供給端子、8のψ■
1〜ψ■4供給端子に印加した時の垂直転送段を構成す
る垂直転送ゲートψV123〜ψv426におけるポテ
ンシャルの概要を第7図に示す。
である。ψv11.ψv3は第4図に示したフレーム読
み出しの垂直転送パルスと同一であるが、ψ■2.ψv
4は第1.第2のフィールド共に信号読み出しパルスを
設けている。第6図に示す垂直転送パルスを第1図に示
すI L−CODの垂直転送パルス供給端子、8のψ■
1〜ψ■4供給端子に印加した時の垂直転送段を構成す
る垂直転送ゲートψV123〜ψv426におけるポテ
ンシャルの概要を第7図に示す。
第7図は第2図に示したE −8’断面のポテンシャル
を示し、各ボテンシャル図は第6図に示したt1〜t2
oの各時間におけるものである。ここで、フォトダイオ
ードから垂直転送段への信号読み込みのメカニズムは第
3図を用いて説明したので省略する。丑だポテンシャル
の説明に不必テな遮光用アルミ配線や表面保護膜(PS
G)等は省略している。
を示し、各ボテンシャル図は第6図に示したt1〜t2
oの各時間におけるものである。ここで、フォトダイオ
ードから垂直転送段への信号読み込みのメカニズムは第
3図を用いて説明したので省略する。丑だポテンシャル
の説明に不必テな遮光用アルミ配線や表面保護膜(PS
G)等は省略している。
第7図において8は垂直転送パルス供給端子、18は垂
直転送段を構成するn−拡散層、23はφv1電極24
はψ■2電極、26はψv3電極、26はψv4電極、
21は拡散層上ψV1〜ψV4電極を分離する絶縁層(
SiO2)である。
直転送段を構成するn−拡散層、23はφv1電極24
はψ■2電極、26はψv3電極、26はψv4電極、
21は拡散層上ψV1〜ψV4電極を分離する絶縁層(
SiO2)である。
次に垂直転送パルスψv1〜ψ■4を垂直駆動パルス供
給端子8に印加したときの動作を第7図にもとづいて説
明する。
給端子8に印加したときの動作を第7図にもとづいて説
明する。
1ず、第6図における第1フイールドの垂直4%線期間
中のtlにおけるポテンシャルは第7図aの11 に示
す形となるがこの時には信号電荷は存在しない。第7図
においてポテンシャルを示す図の中でバリアとして示し
たものは、固体撮像素子の製造過程において、垂直、転
送電極等を形成する時にマスク合せのズレやn一層の拡
散過程等において発生するものであシ、本従来例ではψ
■1電極とψv2電極の接合部で、バリアが発生したも
のとしている。このポテンシャルバリアはψ■組電極電
圧が印加されポテンシャルが高くなっている部分ではフ
リンジ効果等で無視できるため第7図におけるボテンシ
ャル図では、ψv1.ψv2電極の双方又は一方に電圧
が印力nされた場合では図示していない。尚前記バリア
は固体撮像素子の製造が完全に理想的に行われれば発生
しないが、現在の半導体ICプロセス技術ではマスク合
せ精度等に限界があり殆んど発生する。次に時間t2に
おけるポテンシャルは第7図aの12に示す形となる。
中のtlにおけるポテンシャルは第7図aの11 に示
す形となるがこの時には信号電荷は存在しない。第7図
においてポテンシャルを示す図の中でバリアとして示し
たものは、固体撮像素子の製造過程において、垂直、転
送電極等を形成する時にマスク合せのズレやn一層の拡
散過程等において発生するものであシ、本従来例ではψ
■1電極とψv2電極の接合部で、バリアが発生したも
のとしている。このポテンシャルバリアはψ■組電極電
圧が印加されポテンシャルが高くなっている部分ではフ
リンジ効果等で無視できるため第7図におけるボテンシ
ャル図では、ψv1.ψv2電極の双方又は一方に電圧
が印力nされた場合では図示していない。尚前記バリア
は固体撮像素子の製造が完全に理想的に行われれば発生
しないが、現在の半導体ICプロセス技術ではマスク合
せ精度等に限界があり殆んど発生する。次に時間t2に
おけるポテンシャルは第7図aの12に示す形となる。
すなわち信号読み出しパルスを電極φ■2に印加する事
によシ第2図に示したPDl、Pf)3の信号電荷Q1
.Q3(この場合の信号電荷は電子である)をψv2電
極電極弁ケットに読み込む。(ここでフォトダイオード
からψ■電極下のパケットに読み込むメカニズムは第3
図で説明したので省略する)0次に時間t3におけるポ
テンシャルは第7図aのt3に示す形となる。この時ψ
■2電極下の電荷はφV27ψv3電極下に拡散され更
にψV2電極電極水テンンヤルがt2の状態からt3の
状態へ犬きく。
によシ第2図に示したPDl、Pf)3の信号電荷Q1
.Q3(この場合の信号電荷は電子である)をψv2電
極電極弁ケットに読み込む。(ここでフォトダイオード
からψ■電極下のパケットに読み込むメカニズムは第3
図で説明したので省略する)0次に時間t3におけるポ
テンシャルは第7図aのt3に示す形となる。この時ψ
■2電極下の電荷はφV27ψv3電極下に拡散され更
にψV2電極電極水テンンヤルがt2の状態からt3の
状態へ犬きく。
変化するためt3に示した矢印イの方向のベクトルが電
荷に与えられ、その結果信号電荷Q1 の一部はφv4
電極電極弁し込まれる。次に時間t4になるとψV31
φv4電極に電圧が印加されるため、ポテンシャルは第
7図aのt4に示す形となる。
荷に与えられ、その結果信号電荷Q1 の一部はφv4
電極電極弁し込まれる。次に時間t4になるとψV31
φv4電極に電圧が印加されるため、ポテンシャルは第
7図aのt4に示す形となる。
すなわちt のポテンシャル状態から電荷転送方向に1
電極分だけ転送した状態となるため、信号電荷Q1 は
ψv3 +ψ■4電極下のパケットに集丑る。
電極分だけ転送した状態となるため、信号電荷Q1 は
ψv3 +ψ■4電極下のパケットに集丑る。
時間t5におけるポテンシャルは第7図aのt6に示す
形となり、第2図に示したPD2 、PD4の信号電荷
Q2.Q4がψv4電極電極水み込まれる。
形となり、第2図に示したPD2 、PD4の信号電荷
Q2.Q4がψv4電極電極水み込まれる。
この時信号電荷Q1.Q2は混在するが説明の便宜上図
のように分離している。次に時間t6におけるポテンシ
ャルは第7図aのt6に示す形となるがψv4電極電極
水テンシャルがt6の状態から七〇の状態へ大きく変化
するためt6に示した矢印口の方向のベクトルが電荷に
与えられ、その結果信号電荷Q1.Q3の一部はψv2
電極電極弁し込まれる。この時φV11ψV2電極接合
面においてはバリアが存在するため信号電荷はψv1電
極下捷で移動する事はない0次に時間t7になるとψv
2゜ψv3電極に電圧が印加されるため、時間t6の状
態から第7図すに示すように電荷転送方向と逆の方向に
1電極分たけ転送した状態となり、信号電荷Q1.Q2
ばψ、v2.ψv3電極下に集丑る。この状態から時間
t8〜t1゜に示すように電荷転送方向に向って電極1
個分つつ転送する。
のように分離している。次に時間t6におけるポテンシ
ャルは第7図aのt6に示す形となるがψv4電極電極
水テンシャルがt6の状態から七〇の状態へ大きく変化
するためt6に示した矢印口の方向のベクトルが電荷に
与えられ、その結果信号電荷Q1.Q3の一部はψv2
電極電極弁し込まれる。この時φV11ψV2電極接合
面においてはバリアが存在するため信号電荷はψv1電
極下捷で移動する事はない0次に時間t7になるとψv
2゜ψv3電極に電圧が印加されるため、時間t6の状
態から第7図すに示すように電荷転送方向と逆の方向に
1電極分たけ転送した状態となり、信号電荷Q1.Q2
ばψ、v2.ψv3電極下に集丑る。この状態から時間
t8〜t1゜に示すように電荷転送方向に向って電極1
個分つつ転送する。
次に第2フイールドにおける動作を説明する。
第2フイールドにおける垂直帰線期間中のtll。
t12におけるポテンシャルは第7図Cのtll。
t12となるその動作は第1フイールド同一であるので
説明は省略する。時間t13においてはψv4電極電極
水テンシャルばt12の状態からt13の状態へ大きく
変化するためt13に示した矢印イの方向のベクトルが
重荷に与えられるが、ψV1+ψv2接合部におけるバ
リアが存在するため信号電荷がψv2主2電極下動する
事は無い0時間t14では時間t13から進行方向へ電
極1個分の転送が行われる。次に時間t15においてψ
v2主2電極下くケノトへ信号電荷Q1.Q3を読み込
む。次に時間t16におけるポテンシャルは第7図Cの
t16に示す形となるが、ψv2主2電極下テンシャル
がt15の状態からt16の状態へ大きく変化するため
矢印口の方向のベクトルが信号電荷に与えられ、その結
果信号電荷の一部はψ■4電極電極水し込まれる。次に
時間t1□においては、ψV2電極電極水テンシャルが
下がり、ψ■4電極電極水テンシャルが上るためハに示
すベクトルが信号電荷に与えられるため、’16におい
てψV4電極下にあった信号電荷はt1□では第7図d
に示すようにψV3電極下に移動する。
説明は省略する。時間t13においてはψv4電極電極
水テンシャルばt12の状態からt13の状態へ大きく
変化するためt13に示した矢印イの方向のベクトルが
重荷に与えられるが、ψV1+ψv2接合部におけるバ
リアが存在するため信号電荷がψv2主2電極下動する
事は無い0時間t14では時間t13から進行方向へ電
極1個分の転送が行われる。次に時間t15においてψ
v2主2電極下くケノトへ信号電荷Q1.Q3を読み込
む。次に時間t16におけるポテンシャルは第7図Cの
t16に示す形となるが、ψv2主2電極下テンシャル
がt15の状態からt16の状態へ大きく変化するため
矢印口の方向のベクトルが信号電荷に与えられ、その結
果信号電荷の一部はψ■4電極電極水し込まれる。次に
時間t1□においては、ψV2電極電極水テンシャルが
下がり、ψ■4電極電極水テンシャルが上るためハに示
すベクトルが信号電荷に与えられるため、’16におい
てψV4電極下にあった信号電荷はt1□では第7図d
に示すようにψV3電極下に移動する。
次に時間t18になるとψv1.ψv2電極に電圧が印
加されt18に示すポテンシャルとなるが、この時には
t1□においてψV41ψ■1電極下に存在にだ信号電
荷はt18ではψ■1.ψv2電極下に転送されるがt
1□においてψ■3主3電極下った信号電荷はt18に
おいても移動せずにその丑ま存在する。次に時間t19
になるとψ■2.ψv3電極に電圧が印加されるため時
間t18でψ■3主3電極下在する電荷とψv2主2電
極下在する電荷が混合される。以下時間t2゜から順次
信号電荷転送方向に転送され信号電荷として読み出され
る。
加されt18に示すポテンシャルとなるが、この時には
t1□においてψV41ψ■1電極下に存在にだ信号電
荷はt18ではψ■1.ψv2電極下に転送されるがt
1□においてψ■3主3電極下った信号電荷はt18に
おいても移動せずにその丑ま存在する。次に時間t19
になるとψ■2.ψv3電極に電圧が印加されるため時
間t18でψ■3主3電極下在する電荷とψv2主2電
極下在する電荷が混合される。以下時間t2゜から順次
信号電荷転送方向に転送され信号電荷として読み出され
る。
ところが、第7図の110”2゜から明らかなように信
号電荷の混合は第1.第2フイールドとも殆んど同一の
信号成分となっている。
号電荷の混合は第1.第2フイールドとも殆んど同一の
信号成分となっている。
したがって本従来例においては、フォトダイオードへの
信号電荷の蓄積時間は1フィールド期間であり、信号電
荷の読み出しは1フイールド毎であるため残像の発生は
無い、がしかし、前述の如く第1.第2フィールド共に
ほぼ同一のフォトダイオード信号を混合して読み出すた
めに等測的に垂直方向の画素数かiとなってしまう。更
に第1第2フィールド共に殆んど同一の信号成分である
ため、垂直方向に輝度信号が変化した被写体を撮像しモ
ニターTVで見ると、前記輝度信号が垂直方向に変化し
た垂直エツジ部において、ジッターとなって現れ洛ち着
きのない画質となる。
信号電荷の蓄積時間は1フィールド期間であり、信号電
荷の読み出しは1フイールド毎であるため残像の発生は
無い、がしかし、前述の如く第1.第2フィールド共に
ほぼ同一のフォトダイオード信号を混合して読み出すた
めに等測的に垂直方向の画素数かiとなってしまう。更
に第1第2フィールド共に殆んど同一の信号成分である
ため、垂直方向に輝度信号が変化した被写体を撮像しモ
ニターTVで見ると、前記輝度信号が垂直方向に変化し
た垂直エツジ部において、ジッターとなって現れ洛ち着
きのない画質となる。
それ故、前述のIL−CCDの駆動は初期の目的を達し
ていない。
ていない。
発明の目的
本発明は上記従来の問題点を解決し、残像が無く、イン
ターレースフリッカ−も無く、シかも垂直方向の解像度
の劣化も殆んど無い固体撮像装置を提供するものである
。
ターレースフリッカ−も無く、シかも垂直方向の解像度
の劣化も殆んど無い固体撮像装置を提供するものである
。
発明の構成
上記目的を達成するため本発明は、光電変換素子に対応
して配置された信号読み出しゲートと、垂直転送レジス
タを、成する転送ゲートのうち所定の転送ゲートとを各
々等価的に共通接続とした固体撮像装置において、前記
光電変換素子から垂直転送レジスタへ信号電荷を絖み込
む際に、垂直転送レジスタの電荷転送方向に電位の井戸
(パケット)が発生するように信号読み出しパルスをフ
ィールド毎に垂直転送ゲートに印加し、かつ、垂直方向
に隣接する光電変換素子の信号′電荷を混合した後、垂
直方向、水平方向に信号電荷を転送し時系列に信号を読
み出し、残像、インターレースフリッカ−が無く、垂直
解像度も良好な固体撮像装置を得るものである。
して配置された信号読み出しゲートと、垂直転送レジス
タを、成する転送ゲートのうち所定の転送ゲートとを各
々等価的に共通接続とした固体撮像装置において、前記
光電変換素子から垂直転送レジスタへ信号電荷を絖み込
む際に、垂直転送レジスタの電荷転送方向に電位の井戸
(パケット)が発生するように信号読み出しパルスをフ
ィールド毎に垂直転送ゲートに印加し、かつ、垂直方向
に隣接する光電変換素子の信号′電荷を混合した後、垂
直方向、水平方向に信号電荷を転送し時系列に信号を読
み出し、残像、インターレースフリッカ−が無く、垂直
解像度も良好な固体撮像装置を得るものである。
実施例の説明
以下、本発明による固体撮像装置の一実施例を第8図、
第9図を用いて説明する。
第9図を用いて説明する。
第8図は前記I L−CODの本発明による垂直転Xパ
ルスである。第1フィールドにおけるψV1+ψV21
ψV31ψv4の各ノぐパルスは第2フイールドにおけ
るψV3’ψv4.ψV1rψ■2と各々等しい。丑だ
第各フィールド共、ψV2’ψv4に信号読み出しパル
スを設けている0第8図に示す垂直転送パルスを第1図
に示すIL−CODの垂直転送パルス供給端子8のψv
1〜ψ■4端子に供給した時の垂直転送段を構成する垂
直転送ゲートψ■123〜ψv426におけるポテンシ
ャルの概要を第9図に示す。第9図において各電極のポ
テンシャルのバリヤーの存在等は従来例第7図で説明し
たものと同一であるので説明は省略する。
ルスである。第1フィールドにおけるψV1+ψV21
ψV31ψv4の各ノぐパルスは第2フイールドにおけ
るψV3’ψv4.ψV1rψ■2と各々等しい。丑だ
第各フィールド共、ψV2’ψv4に信号読み出しパル
スを設けている0第8図に示す垂直転送パルスを第1図
に示すIL−CODの垂直転送パルス供給端子8のψv
1〜ψ■4端子に供給した時の垂直転送段を構成する垂
直転送ゲートψ■123〜ψv426におけるポテンシ
ャルの概要を第9図に示す。第9図において各電極のポ
テンシャルのバリヤーの存在等は従来例第7図で説明し
たものと同一であるので説明は省略する。
第8図に示した時間tnでのポテンシャル概要を第9図
tnに対応させて示している。
tnに対応させて示している。
まず時間t1 では第9図aのようにψV2jψ■3電
極下にパケットが発生するが信号電荷は存在しない。時
間t2ではフォトダイオードPD1゜Pi)3の信号電
荷がψV2主2電極下み込丑れる。
極下にパケットが発生するが信号電荷は存在しない。時
間t2ではフォトダイオードPD1゜Pi)3の信号電
荷がψV2主2電極下み込丑れる。
時間t3ではψ■3電極下の信号電荷Q1.Q3iJ、
電極ψ■2.ψv3電極下に拡散され更にψv2電極電
極水テンシャルが12の状態からt3の状態へ大きく変
化するために13に示した矢印イの方向のベクトルが電
荷に与えられるため、Ql、Q3の一部はψv4電極電
極弁し込まれる。時間t4ではパケットがψ■2〜ψv
4電極下丑で広かるために信号電荷Q1.Q3は全て再
びパケットの中に蓄積される。時間t6〜t7において
電荷転送方向に信号電荷を転送している。時間t5から
時間t7に変化した時点で転送電極1個分の転送を行な
っている。
電極ψ■2.ψv3電極下に拡散され更にψv2電極電
極水テンシャルが12の状態からt3の状態へ大きく変
化するために13に示した矢印イの方向のベクトルが電
荷に与えられるため、Ql、Q3の一部はψv4電極電
極弁し込まれる。時間t4ではパケットがψ■2〜ψv
4電極下丑で広かるために信号電荷Q1.Q3は全て再
びパケットの中に蓄積される。時間t6〜t7において
電荷転送方向に信号電荷を転送している。時間t5から
時間t7に変化した時点で転送電極1個分の転送を行な
っている。
時間t8においてはPD’2 、PO2、PO2(図示
せず)の信号電荷Q。、Q2.Q4がψ■4電極下に読
み込丑れる。次に時間t9においてはψV11ψv4電
極下に信号電荷Q1 とQ2.Q3とQ4が混合して存
在する。ここでψ■4電極下のポテンシャルがt8から
t9へ大きく変化するためt9に示す口の方向のベクト
ルが与えられるがψ■1゜ψ■4の間にバリアが存在、
するため信号電荷はψV2主2電極下し込まれる事はな
い。時間t1゜〜t13においては転送方向へ転送電極
2個分の電荷転送を行なう。以後転送ノくルスにより、
順次垂直方向、水平方向へ転送し信号出力として得る。
せず)の信号電荷Q。、Q2.Q4がψ■4電極下に読
み込丑れる。次に時間t9においてはψV11ψv4電
極下に信号電荷Q1 とQ2.Q3とQ4が混合して存
在する。ここでψ■4電極下のポテンシャルがt8から
t9へ大きく変化するためt9に示す口の方向のベクト
ルが与えられるがψ■1゜ψ■4の間にバリアが存在、
するため信号電荷はψV2主2電極下し込まれる事はな
い。時間t1゜〜t13においては転送方向へ転送電極
2個分の電荷転送を行なう。以後転送ノくルスにより、
順次垂直方向、水平方向へ転送し信号出力として得る。
次に第2フイールドにおける動作を説明する。
時間t14.t1.におけるポテンシャルは時間t1゜
t2における動作と同一である。時間ti6ではψ■4
電極下のポテンシャルがt16の状態からt16の状態
に大きく変化するためt16に示した矢印イの方向のベ
クトルが電荷に与えられるが、ψ■1.ψ■2接合部に
おける・(リアが存在するため信号電荷Q0.Q2がψ
v2電極下へ移動することはない。次に時間116〜t
2゜においで信号電荷Q0.Q2.Q4を転送ゲート2
個分だけ転送方向へ電荷転送する。1次にt21におい
て、フォトダイオードPD1.PD3の信号電荷Q1.
Q3をψv2電極下に読み込む、t22においてはψ■
2電極下のポテンシャルが大きく変化するためt22に
示した矢印口の方向のベクトルが信号電荷に与えられ、
その結果信号電荷の一部はψ■4電極下に押し込まれる
。
t2における動作と同一である。時間ti6ではψ■4
電極下のポテンシャルがt16の状態からt16の状態
に大きく変化するためt16に示した矢印イの方向のベ
クトルが電荷に与えられるが、ψ■1.ψ■2接合部に
おける・(リアが存在するため信号電荷Q0.Q2がψ
v2電極下へ移動することはない。次に時間116〜t
2゜においで信号電荷Q0.Q2.Q4を転送ゲート2
個分だけ転送方向へ電荷転送する。1次にt21におい
て、フォトダイオードPD1.PD3の信号電荷Q1.
Q3をψv2電極下に読み込む、t22においてはψ■
2電極下のポテンシャルが大きく変化するためt22に
示した矢印口の方向のベクトルが信号電荷に与えられ、
その結果信号電荷の一部はψ■4電極下に押し込まれる
。
次に’23においては一■4電極に電圧が印加されるた
め、信号電荷Q。Ql、Q2Q3は再びψv2〜ψ■4
電極下のパケットに蓄積される。以下t24〜t25に
転送された後、転送パルスにより順次垂直方向、水平方
向へ転送し信号出力として得る。
め、信号電荷Q。Ql、Q2Q3は再びψv2〜ψ■4
電極下のパケットに蓄積される。以下t24〜t25に
転送された後、転送パルスにより順次垂直方向、水平方
向へ転送し信号出力として得る。
ここで第9図の1131t26から明らかなように、第
1フイールドにおいてはPDlとPO2゜PO3とPO
2の信号電荷Q1 とQ2 、Q3とQ4を混合した信
号を読み出し1、第2フイールドにおいてH1PD○(
図示せず)とPDl、Pv2とPO3の信号電荷Q。と
Ql 、Q2とQ3の[言号のみを混合して読み出す。
1フイールドにおいてはPDlとPO2゜PO3とPO
2の信号電荷Q1 とQ2 、Q3とQ4を混合した信
号を読み出し1、第2フイールドにおいてH1PD○(
図示せず)とPDl、Pv2とPO3の信号電荷Q。と
Ql 、Q2とQ3の[言号のみを混合して読み出す。
固体撮像装置においては前記混合して読み出した信号を
電気回路により信号処理してテレビジョン信号を得てい
る。
電気回路により信号処理してテレビジョン信号を得てい
る。
以上説明したように本発明による垂直転送パルスを用い
れば、垂直方向に隣接する2水平ラインの信号電荷を完
全に混合した後読み出す事ができる。
れば、垂直方向に隣接する2水平ラインの信号電荷を完
全に混合した後読み出す事ができる。
以上の具体例では垂直レジスタに4相CCDを使用した
が、3相であっても同様である。
が、3相であっても同様である。
発明の効果
以上述べたように本発明によれば、フォトダイオードへ
の信号電荷の蓄積時間は1フィールド期間であり、信号
読み出しもフィールド毎であるため、従来例で述べた残
像は全く発生しない。
の信号電荷の蓄積時間は1フィールド期間であり、信号
読み出しもフィールド毎であるため、従来例で述べた残
像は全く発生しない。
また、垂直方向に隣接する2つの水平ラインのフォトダ
イオードの信号電荷を混合して読み出すため、見かけ上
のフォ[・ダイオードの開口率が広くなり、すなわち、
撮像管の走査1腺と電子ビームの関係の如くなり、イン
ターレースフリッカ−の発生も皆無となる。
イオードの信号電荷を混合して読み出すため、見かけ上
のフォ[・ダイオードの開口率が広くなり、すなわち、
撮像管の走査1腺と電子ビームの関係の如くなり、イン
ターレースフリッカ−の発生も皆無となる。
更に、フォトダイオードの信号電荷を混合する際、第1
フイールドと第2フイールドとで、インターレースする
ように信号電荷を混合するため、等測的に熾像程度の垂
直解像度が得られるため垂直解像度は全く問題とならな
い。
フイールドと第2フイールドとで、インターレースする
ように信号電荷を混合するため、等測的に熾像程度の垂
直解像度が得られるため垂直解像度は全く問題とならな
い。
第1図はI L−COD等価回路、第2図はI L−C
ODの平面図、第3図aはIL−CODの断面図、bは
第3図aの各部のポテンシャルの概要を示す図、第4図
は従来のIL−CODの垂直転送パルスを示す図、第5
図は撮像管における走査線と電子ビームの関係を示す図
、第6図は従来例の垂直転送パルスを示す図、第7図&
、 b 。 c、dは従来例の垂直転送段のポテンシャルを示す図、
第8図は本発明の固体撮像装置の一実施例における垂直
転送パルスを示す図、第9図a、b。 c、dは本発明の固体撮像装置の一実施例における垂直
転送段のポテンシャルを示す図である01・・・・・・
フォトダイオード(光電変換素子)、2・・・・・・垂
直転送レジスータ、3,4,6.6・・・・・垂直転送
ゲート、7・・・・・・信号読み出しゲート、8・・・
・・・垂直転送パルス入力端子、9・・・・・・水平転
送レジスタ、10.11・・・・・・水平転送ゲート、
12・・・・・・水平転送パルス入力端子、13・・・
・・・電荷検出部、23 ψV1電極、24・・・・・
・ψ■2電極、25・・・・・・ψ■3電極、 26・
・・・・・ψv4電極。 第1図 一一□−v−= 姥2図 第7図 (′a′う 転送方向 第7図 (b) 堝5欠方向 第7図 (C) 16 転送方向 第7図 (1) lt、q 椰 9 図 (幻 卑ム送方向 花9図 (b) 第9図 (C) 転送方向 第9図 (d−)
ODの平面図、第3図aはIL−CODの断面図、bは
第3図aの各部のポテンシャルの概要を示す図、第4図
は従来のIL−CODの垂直転送パルスを示す図、第5
図は撮像管における走査線と電子ビームの関係を示す図
、第6図は従来例の垂直転送パルスを示す図、第7図&
、 b 。 c、dは従来例の垂直転送段のポテンシャルを示す図、
第8図は本発明の固体撮像装置の一実施例における垂直
転送パルスを示す図、第9図a、b。 c、dは本発明の固体撮像装置の一実施例における垂直
転送段のポテンシャルを示す図である01・・・・・・
フォトダイオード(光電変換素子)、2・・・・・・垂
直転送レジスータ、3,4,6.6・・・・・垂直転送
ゲート、7・・・・・・信号読み出しゲート、8・・・
・・・垂直転送パルス入力端子、9・・・・・・水平転
送レジスタ、10.11・・・・・・水平転送ゲート、
12・・・・・・水平転送パルス入力端子、13・・・
・・・電荷検出部、23 ψV1電極、24・・・・・
・ψ■2電極、25・・・・・・ψ■3電極、 26・
・・・・・ψv4電極。 第1図 一一□−v−= 姥2図 第7図 (′a′う 転送方向 第7図 (b) 堝5欠方向 第7図 (C) 16 転送方向 第7図 (1) lt、q 椰 9 図 (幻 卑ム送方向 花9図 (b) 第9図 (C) 転送方向 第9図 (d−)
Claims (1)
- アレイ状に配置した光電変換素子群と、複数の転送ゲー
トから成る垂直転送レジスタ及び複数の転送ゲートから
成る水平転送レジスタを備え、前記光電変換素子に対応
して配置された信号読み出しゲートと、前記垂直転送レ
ジスタを構成する転送ゲートのうち所定の転送ゲートと
を各々等価的に共通接続し、前記光電変換素子から垂直
転送レジスタへ信号電荷を読み込む際に、垂直転送レジ
スタの電荷転送方向に電位の井戸が発生するように信号
読み出しパルスをフィールド毎に垂直転送ゲートに印加
し、かつ、垂直方向に隣接する光電変換素子の信号電荷
を混合した後電荷転送により信号を時系列に得ることを
特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58113079A JPS604381A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58113079A JPS604381A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS604381A true JPS604381A (ja) | 1985-01-10 |
JPH0560304B2 JPH0560304B2 (ja) | 1993-09-02 |
Family
ID=14602942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58113079A Granted JPS604381A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS604381A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03293874A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像デバイス |
JPH0468880A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPH04178083A (ja) * | 1990-11-13 | 1992-06-25 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置 |
US8221171B2 (en) | 2007-11-01 | 2012-07-17 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Crimp terminal, terminal-provided wire, and manufacturing method thereof |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5847380A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-19 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
-
1983
- 1983-06-22 JP JP58113079A patent/JPS604381A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5847380A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-19 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03293874A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像デバイス |
JPH0468880A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPH04178083A (ja) * | 1990-11-13 | 1992-06-25 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置 |
US8221171B2 (en) | 2007-11-01 | 2012-07-17 | Autonetworks Technologies, Ltd. | Crimp terminal, terminal-provided wire, and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0560304B2 (ja) | 1993-09-02 |
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