JPS595243A - 放射線感応性組成物及びパタ−ン形成方法 - Google Patents
放射線感応性組成物及びパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS595243A JPS595243A JP11388282A JP11388282A JPS595243A JP S595243 A JPS595243 A JP S595243A JP 11388282 A JP11388282 A JP 11388282A JP 11388282 A JP11388282 A JP 11388282A JP S595243 A JPS595243 A JP S595243A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- acid
- radiation
- sensitive composition
- iodo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、放射線感応性組成物及びそれを用いたパター
ン形成方法に関する。より詳しくは、酸素プラズマに耐
性を有する塗膜を形成し得る放射線感応性組成物及びそ
れを用いたノくターン形成方法に関する。
ン形成方法に関する。より詳しくは、酸素プラズマに耐
性を有する塗膜を形成し得る放射線感応性組成物及びそ
れを用いたノくターン形成方法に関する。
キノンジアジド化合物とノボラック樹脂などからなる放
射線感応性組成物は、優れたポジ型ホトレジストとして
、平版印刷版の製造や、半導体素子の製造などに用いら
れている。その使用方法の一例として、組成物を塗膜と
し、通常の方法により所定のパターンを形成し、このパ
ターンを耐エツチング被膜として、その下の基板又は薄
膜をエツチング加工することが行なわれていた。加工す
べき基板又は薄膜が、アルミニウム、シリコン。
射線感応性組成物は、優れたポジ型ホトレジストとして
、平版印刷版の製造や、半導体素子の製造などに用いら
れている。その使用方法の一例として、組成物を塗膜と
し、通常の方法により所定のパターンを形成し、このパ
ターンを耐エツチング被膜として、その下の基板又は薄
膜をエツチング加工することが行なわれていた。加工す
べき基板又は薄膜が、アルミニウム、シリコン。
シリコン酸化物などの無機物である場合、その材質に応
じた適当な化学エツチング液を用いるか、あるいは、塩
素やフッ素のプラズマを用いたドライエツチングにより
加工を行なっていた。一般に加工形状の精度の点で、化
学エツチング液を用いた湿式エツチング方式よシも、ド
ライエツチング方式の方が優れている。一方、加工すべ
き基板又は薄膜が有機材料である場合、ドライエツチン
グ方式による場合は、酸素を含むプラズマによるエツチ
ングを行なう必要があり、この場合は耐エツチング被膜
となるホトレジスト塗膜のパターンもエツチングされて
しまい、耐エツチング被膜として十分な効果を得ること
ができない。また、被膜を酸素プラズマに耐えるように
十分に厚くすることは、ホトレジストの塗膜に露光して
パターンを形成する際に精度よくパターンを形成するコ
トカ困難になり、いずれにしても精度よく基板をエツチ
ングすることができない。
じた適当な化学エツチング液を用いるか、あるいは、塩
素やフッ素のプラズマを用いたドライエツチングにより
加工を行なっていた。一般に加工形状の精度の点で、化
学エツチング液を用いた湿式エツチング方式よシも、ド
ライエツチング方式の方が優れている。一方、加工すべ
き基板又は薄膜が有機材料である場合、ドライエツチン
グ方式による場合は、酸素を含むプラズマによるエツチ
ングを行なう必要があり、この場合は耐エツチング被膜
となるホトレジスト塗膜のパターンもエツチングされて
しまい、耐エツチング被膜として十分な効果を得ること
ができない。また、被膜を酸素プラズマに耐えるように
十分に厚くすることは、ホトレジストの塗膜に露光して
パターンを形成する際に精度よくパターンを形成するコ
トカ困難になり、いずれにしても精度よく基板をエツチ
ングすることができない。
本発明の目的は、酸素プラズマに対し耐性の大酢な塗膜
を形成し得る放射線感応性組成物及びそれを用いたパタ
ーン形成方法を提供することにある。
を形成し得る放射線感応性組成物及びそれを用いたパタ
ーン形成方法を提供することにある。
一般の有機高分子化合物は、酸素プラズマにより、二酸
化炭素や水などに分解し、除去される。
化炭素や水などに分解し、除去される。
しかしながら、塗膜中にヨウ素を含有する有機化合物が
存在すると、塗膜が酸素プラズマに対し耐性を示すとい
うことを見出したことにより、本発明は完成されたもの
である。
存在すると、塗膜が酸素プラズマに対し耐性を示すとい
うことを見出したことにより、本発明は完成されたもの
である。
本発明の放射線感応性組成物は、有機ヨウ素化合物、キ
ノンジアジド化合物及びこれらの化合物と実質的に相溶
性を有する水に不溶でアルカリ可溶性高分子化合物より
なる。
ノンジアジド化合物及びこれらの化合物と実質的に相溶
性を有する水に不溶でアルカリ可溶性高分子化合物より
なる。
本発明の組成物は、ヨウ素化合物、キノンジアジド化合
物及び高分子化合物が、重量比で０．１〜３対０．０５
〜２対１の範囲であることが好ましく、０．４〜２対０
．１〜１対１の範囲であることがよシ好ましい。
物及び高分子化合物が、重量比で０．１〜３対０．０５
〜２対１の範囲であることが好ましく、０．４〜２対０
．１〜１対１の範囲であることがよシ好ましい。
本発明の放射線感応性組成物は、ネガ型パターンも、ポ
ジ型のパターンも形成することができる。
ジ型のパターンも形成することができる。
すなわち、通常のように組成物を基板上に塗布。
乾燥して塗膜を形成し、所定パターンの放射線を照射し
、現像液（例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム２
重量％水浴液などのアルカリ性現像液）で現像すると、
露光部分が溶解し、良好なポジ型パターンが得られる。
、現像液（例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム２
重量％水浴液などのアルカリ性現像液）で現像すると、
露光部分が溶解し、良好なポジ型パターンが得られる。
一方、ヨウ素化合物として加熱により散失させ得る化合
物を用いれば、つぎのような方法でネガ型のパターンを
形成することができる。前記と同様な方法で塗膜を形成
し、該塗膜に所望のパターンを有する放射線を照射し、
ついで上記塗膜を加熱して未照射部の上記ヨウ素化合物
を散失させ、その後酸素を含むプラズマを照射して未照
射部を除去する。
物を用いれば、つぎのような方法でネガ型のパターンを
形成することができる。前記と同様な方法で塗膜を形成
し、該塗膜に所望のパターンを有する放射線を照射し、
ついで上記塗膜を加熱して未照射部の上記ヨウ素化合物
を散失させ、その後酸素を含むプラズマを照射して未照
射部を除去する。
上記放射線の照射を受けて、上ピヨウ素化合物とキノン
ジアジド化合物とがどのような反応又は分解をするか明
らかではないが、少なくとも上記化合物のヨウ素を含む
部分が高分子化合物層中に実質的に固定される。この固
定される理由としては、キノンジアジド化合物又はその
反応生成物あるいは分解生成物がヨウ素化合物に結合し
てヨウ素化合物が加熱によって散失しない状態になるも
のと推定される。この説明は、単に推定したものであり
、この説明が正しいか否かは、本発明の構成になんらの
影響を与えるものではない。
ジアジド化合物とがどのような反応又は分解をするか明
らかではないが、少なくとも上記化合物のヨウ素を含む
部分が高分子化合物層中に実質的に固定される。この固
定される理由としては、キノンジアジド化合物又はその
反応生成物あるいは分解生成物がヨウ素化合物に結合し
てヨウ素化合物が加熱によって散失しない状態になるも
のと推定される。この説明は、単に推定したものであり
、この説明が正しいか否かは、本発明の構成になんらの
影響を与えるものではない。
いずれにしても、塗膜の照射部にはヨウ素が存在する。
そして、酸素を含むプラズマ中で表面層に不揮発性でか
つ酸素を含むプラズマに耐性のある物質が生成すると考
えられる。一方、ヨウ素化合物が熱により散失した未照
射部の塗膜は、酸素を含むプラズマによりすみやかに除
去されてネガ型の塗膜のパターンが形成される。これは
塩素や臭素を含む化合物には見られない現象である。
つ酸素を含むプラズマに耐性のある物質が生成すると考
えられる。一方、ヨウ素化合物が熱により散失した未照
射部の塗膜は、酸素を含むプラズマによりすみやかに除
去されてネガ型の塗膜のパターンが形成される。これは
塩素や臭素を含む化合物には見られない現象である。
本発明においてドライ現像を行なうには、前述の如くヨ
ウ素化合物を加熱により散失させる必要がある。この場
合の加熱の温度は、未照射部のヨウ素化合物が散失し得
る温度以上にすること、すなわち化合物の昇華温度又は
沸点以上にすることが必要である。従って用いるヨウ素
化合物によって異なり、また塗膜を減圧下におけば加熱
温度をある程度下げることも可能である。加熱温度の上
限は、高分子化合物の分解温度以下であることが必要で
ある。それ故、ヨウ素化合物と高分子化合物との組合せ
は、このような点から選ぶことが好ましい。
ウ素化合物を加熱により散失させる必要がある。この場
合の加熱の温度は、未照射部のヨウ素化合物が散失し得
る温度以上にすること、すなわち化合物の昇華温度又は
沸点以上にすることが必要である。従って用いるヨウ素
化合物によって異なり、また塗膜を減圧下におけば加熱
温度をある程度下げることも可能である。加熱温度の上
限は、高分子化合物の分解温度以下であることが必要で
ある。それ故、ヨウ素化合物と高分子化合物との組合せ
は、このような点から選ぶことが好ましい。
また、キノンジアジド化合物のあるものは、昇華温度又
は沸点に達する前に熱分解するものがある。それ故、こ
のようなタイプのキノンジアジド化合物を用いるときは
、その分解温度より低い温度で散失するヨウ素化合物を
選ぶことが好ましい。
は沸点に達する前に熱分解するものがある。それ故、こ
のようなタイプのキノンジアジド化合物を用いるときは
、その分解温度より低い温度で散失するヨウ素化合物を
選ぶことが好ましい。
上記ヨウ素化合物及びキノンジアジド化合物と実質的相
溶性のある高分子化合物とは、王者の混合物がほぼ均一
な組成の塗膜を形成することが出来ればよいことを示す
。また、あるヨウ素化合物やキノンジアジド化合物に対
してＰｓなる高分子化合物が相溶性がない場合でも、上
記Ｐｌと相溶性のある高分子化合物Ｐ！があり、両者の
混合物すなわちＰｓ＋Ｐ＊が上記両化合物と相溶性を示
せば、このような高分子在合物を用いることができる。
溶性のある高分子化合物とは、王者の混合物がほぼ均一
な組成の塗膜を形成することが出来ればよいことを示す
。また、あるヨウ素化合物やキノンジアジド化合物に対
してＰｓなる高分子化合物が相溶性がない場合でも、上
記Ｐｌと相溶性のある高分子化合物Ｐ！があり、両者の
混合物すなわちＰｓ＋Ｐ＊が上記両化合物と相溶性を示
せば、このような高分子在合物を用いることができる。
これらの高分子化合物としては、さらに塗膜性に優れる
ものが好ましい。
ものが好ましい。
上記アルカリ性水溶液可溶の高分子化合物としては、ポ
リビニルフェノール、ノボラック樹脂。
リビニルフェノール、ノボラック樹脂。
スチレン・無水マレイン酸共重合体、カルボキシ基をも
つポリマー、例えば酢酸セルロースハイドロジエン７タ
レート、ポリビニルヒドロキシベンゾアート、ポリビニ
ルヒドロキシベンザール、ポリメタクリル酸及びポリア
クリル酸などが用いられる。
つポリマー、例えば酢酸セルロースハイドロジエン７タ
レート、ポリビニルヒドロキシベンゾアート、ポリビニ
ルヒドロキシベンザール、ポリメタクリル酸及びポリア
クリル酸などが用いられる。
キノンジアジド化合物としては、一般式（ただし、Ｒは
、 （１１） ＣｘＨｓ （１２） で表わされる置換基を表わす）などがある。なおこれ以
上にも公知の感光性組成物に用いられているキノンジア
ジド化合物を用いることができる。
、 （１１） ＣｘＨｓ （１２） で表わされる置換基を表わす）などがある。なおこれ以
上にも公知の感光性組成物に用いられているキノンジア
ジド化合物を用いることができる。
また、２ｓ！以上同時に用いることもできる。
上記ヨウ素化合物としては、ショートメタン、ヨードホ
ルム、ヨードエタン、１−ヨードエタン、１−ヨー）’
へブタン、１−ヨードプロパン、２−ヨードプロパン、
１．２−ショートエタン、１゜４−ショートブタン、ヨ
ードトリメチルシラン、２−ヨード−１，１，１−１リ
フルオロエタン、（ヨードメチル）トリメチルシラン、
ヨードアセトアミド、ヨード酢酸、３−ヨードプロピオ
ン酸、２−ヨードエタノール、２−ヨードアニリン、３
−ヨード７＝！Ｊン、４−ヨードアニリン、４−ヨード
アニリンル、５−ヨードアントラニル酸、。
ルム、ヨードエタン、１−ヨードエタン、１−ヨー）’
へブタン、１−ヨードプロパン、２−ヨードプロパン、
１．２−ショートエタン、１゜４−ショートブタン、ヨ
ードトリメチルシラン、２−ヨード−１，１，１−１リ
フルオロエタン、（ヨードメチル）トリメチルシラン、
ヨードアセトアミド、ヨード酢酸、３−ヨードプロピオ
ン酸、２−ヨードエタノール、２−ヨードアニリン、３
−ヨード７＝！Ｊン、４−ヨードアニリン、４−ヨード
アニリンル、５−ヨードアントラニル酸、。
−ヨード安息香酸、ｍ−ヨード安息香酸、ｐ−ヨー）”
安息！酸、ｐ−ヨードベンゼンスルフォニルクロリド、
ｏ−ヨードベンジルアルコール、ｍ−ヨードベンジルア
ルコール、ｐ−ヨードベンジルアルコール、０−ヨード
ベンジルクロリド、１−ヨード−２−二トロベンゼン、
１−ヨード−３−二トロベンゼン、ｌ−ヨード−４−二
トロベンセン、２−ヨードフェノール、３−ヨードフェ
ノール、４−ヨードフェノール、５−ヨー）’ ｔ Ｉ
Ｊ ｆル酸、０−ヨードトルエン、ｍ−ヨードトルエン
、ｐ−ヨードトルエン、０−ヨード−〇、Ｑ、Ｑ−トリ
フルオロトルエン、２−ヨード−６−メチル−３−ビリ
ジノール、２−ヨード−３−ビリジノール、４−ヨード
ヒラゾール、２−ヨードチオフェン、３−ヨードチオフ
ェン、２．６−ジヨードー４−ニトロアニリン、２．６
−ジヨードー４−二トロフェノール、３．５−ショート
−４−ピリドン−Ｎ−酢酸、４−ハイドロキシ−３，５
−ショート安息香酸、２．４．５−１リョード安息香酸
、３，４．５−）リョード安息香酸、２，４゜６−トリ
ヨードフエノールなどが用いられる。
安息！酸、ｐ−ヨードベンゼンスルフォニルクロリド、
ｏ−ヨードベンジルアルコール、ｍ−ヨードベンジルア
ルコール、ｐ−ヨードベンジルアルコール、０−ヨード
ベンジルクロリド、１−ヨード−２−二トロベンゼン、
１−ヨード−３−二トロベンゼン、ｌ−ヨード−４−二
トロベンセン、２−ヨードフェノール、３−ヨードフェ
ノール、４−ヨードフェノール、５−ヨー）’ ｔ Ｉ
Ｊ ｆル酸、０−ヨードトルエン、ｍ−ヨードトルエン
、ｐ−ヨードトルエン、０−ヨード−〇、Ｑ、Ｑ−トリ
フルオロトルエン、２−ヨード−６−メチル−３−ビリ
ジノール、２−ヨード−３−ビリジノール、４−ヨード
ヒラゾール、２−ヨードチオフェン、３−ヨードチオフ
ェン、２．６−ジヨードー４−ニトロアニリン、２．６
−ジヨードー４−二トロフェノール、３．５−ショート
−４−ピリドン−Ｎ−酢酸、４−ハイドロキシ−３，５
−ショート安息香酸、２．４．５−１リョード安息香酸
、３，４．５−）リョード安息香酸、２，４゜６−トリ
ヨードフエノールなどが用いられる。
本発明においてヨウ素化合物と高分子化合物とが同一の
もの、例えはヨウ素化ポリビニルフェノールなどを用い
ることができる。この場合、ドライ現像は不可能であり
、湿式現像によらなければならない。
もの、例えはヨウ素化ポリビニルフェノールなどを用い
ることができる。この場合、ドライ現像は不可能であり
、湿式現像によらなければならない。
本発明において放射線とは、可視光、紫外光。
Ｘ線、を子線、イオンビームなど広義の放射線を意味す
る。また酸素を含むプラズマとは、酸素のほか窒素など
を含んでいてもよいことを意味するが酸素プラズマその
ものを用いることが好ましい。
る。また酸素を含むプラズマとは、酸素のほか窒素など
を含んでいてもよいことを意味するが酸素プラズマその
ものを用いることが好ましい。
前述したヨウ素を含む塗膜が酸素を含むプラズマに対し
耐性のあることを第１図を用いて説明する。まず、キノ
ンジアジド化合物として、２，３−ジヒドロキシ−４−
（１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル）ベ
ンゾフェノン、２５重量部とｍ、ｐ−クレゾールノボラ
ック樹脂（群栄化学工業株式会社製品、Ｐ８Ｆ−２８０
３）、１００重量部と酢酸２−エトキシエチル、３００
重責部からなる感光性組成物溶液をつくる。これをシリ
コン基板上にスピナ塗布乾燥させて、試料とする。次に
、この溶液に、ヨウ素化合物として２．４．６−）リョ
ードフェノールを所定量加え、固形成分中のヨウ素化合
物の含有率が、それぞれ、１７重量パーセント、３３重
量パーセント、５０重量パーセントとなるような溶液を
調合した。これらを、それぞれ、シリコン基板上にスピ
ナ塗布乾燥させて、試料とした。これらの試料を、最大
出力６００Ｗ、電極直径６０簡の平行平板形プラズマ反
応容儀を壱するプラズマ実験装置の下方の電極上に置き
排気した後、酸素ガスを導入して反応容器内の圧力を０
．５ Ｔｏｒｒに調整後、１３．５６ＭＨ２で高周波を
印加し、出力５５Ｗでプラズマ反応容器内に酸素プラズ
マを発生させ、所定時間、酸素プラズマを照射した。酸
素プラズマ照射時間５０重量パーセント、２は、３３重
量パーセント、３は、１７重量パーセント、４は、全く
含有しない試料のものである。第１図から、ヨウ素化合
物の含有率が増加するに従って、酸素プラズマ耐性が増
加することが分かる。従って、ヨウ素化合物を含有する
塗膜は、酸素プラズマに対するマスクになり得る。
耐性のあることを第１図を用いて説明する。まず、キノ
ンジアジド化合物として、２，３−ジヒドロキシ−４−
（１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル）ベ
ンゾフェノン、２５重量部とｍ、ｐ−クレゾールノボラ
ック樹脂（群栄化学工業株式会社製品、Ｐ８Ｆ−２８０
３）、１００重量部と酢酸２−エトキシエチル、３００
重責部からなる感光性組成物溶液をつくる。これをシリ
コン基板上にスピナ塗布乾燥させて、試料とする。次に
、この溶液に、ヨウ素化合物として２．４．６−）リョ
ードフェノールを所定量加え、固形成分中のヨウ素化合
物の含有率が、それぞれ、１７重量パーセント、３３重
量パーセント、５０重量パーセントとなるような溶液を
調合した。これらを、それぞれ、シリコン基板上にスピ
ナ塗布乾燥させて、試料とした。これらの試料を、最大
出力６００Ｗ、電極直径６０簡の平行平板形プラズマ反
応容儀を壱するプラズマ実験装置の下方の電極上に置き
排気した後、酸素ガスを導入して反応容器内の圧力を０
．５ Ｔｏｒｒに調整後、１３．５６ＭＨ２で高周波を
印加し、出力５５Ｗでプラズマ反応容器内に酸素プラズ
マを発生させ、所定時間、酸素プラズマを照射した。酸
素プラズマ照射時間５０重量パーセント、２は、３３重
量パーセント、３は、１７重量パーセント、４は、全く
含有しない試料のものである。第１図から、ヨウ素化合
物の含有率が増加するに従って、酸素プラズマ耐性が増
加することが分かる。従って、ヨウ素化合物を含有する
塗膜は、酸素プラズマに対するマスクになり得る。
以下、実施例を用いて本発明を説明する。
実施例１
、”＋Ｐ−クレゾールノボラック樹脂（群栄化学工業株
式会社製品ＰＳＦ−２８０３）、１００重量部、２．３
−ジヒドロキシ−４−（１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホニル）ベンゾフェノン、２５重置部、２，
４．６−１リヨードフエノール、６２＆５重量部、それ
に酢酸２−エトキシエチル、３００重量部を混合し、試
料溶液とする。
式会社製品ＰＳＦ−２８０３）、１００重量部、２．３
−ジヒドロキシ−４−（１，２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホニル）ベンゾフェノン、２５重置部、２，
４．６−１リヨードフエノール、６２＆５重量部、それ
に酢酸２−エトキシエチル、３００重量部を混合し、試
料溶液とする。
シリコン基板上に、厚さ０．８μｍのポリイミド系高分
子化合物ＰＩＱ（日立化成工業株式会社商品名）の塗膜
を形成し、有機材料塗膜基板と−する。
子化合物ＰＩＱ（日立化成工業株式会社商品名）の塗膜
を形成し、有機材料塗膜基板と−する。
この有機材料塗膜基板上に、前記試料溶液をスピナで塗
布した後、空気中９０Ｃ２０分間ベークし、厚さ０．９
μｍの感光性組成物塗膜を形成し、露光試料とした。こ
の露光試料に、ｓｏｏｗの高圧水銀ランプからの光を用
いて、テストバタンマスクを介して７秒間照射した後、
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて現像し
たところ、全く膨潤のない線幅及び間隔がいずれも１μ
ｍのくり返しポジ型バタンか精度良くできた。この試料
基板を、最大出力６００Ｗ、電極直径６０ｍの平行平板
型プラズマ反応容器を有するプラズマ実験装置の下方の
電極上に置き、排気しそ後、酸素ガスを導入して反応容
器内の圧力を０．５Ｔｏｒｒに調整し、１３．５６ＭＨ
２で高周波を印加し、出力６０Ｗでプラズマ反応容器内
に２０分間酸素プラズマを発生させた。一度、反応容器
内を排気してから大気圧に戻し、試料を取り出して顕微
鏡検査したところ、テストバタンを忠実に反映した有機
塗膜のバタンか形成できた。
布した後、空気中９０Ｃ２０分間ベークし、厚さ０．９
μｍの感光性組成物塗膜を形成し、露光試料とした。こ
の露光試料に、ｓｏｏｗの高圧水銀ランプからの光を用
いて、テストバタンマスクを介して７秒間照射した後、
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて現像し
たところ、全く膨潤のない線幅及び間隔がいずれも１μ
ｍのくり返しポジ型バタンか精度良くできた。この試料
基板を、最大出力６００Ｗ、電極直径６０ｍの平行平板
型プラズマ反応容器を有するプラズマ実験装置の下方の
電極上に置き、排気しそ後、酸素ガスを導入して反応容
器内の圧力を０．５Ｔｏｒｒに調整し、１３．５６ＭＨ
２で高周波を印加し、出力６０Ｗでプラズマ反応容器内
に２０分間酸素プラズマを発生させた。一度、反応容器
内を排気してから大気圧に戻し、試料を取り出して顕微
鏡検査したところ、テストバタンを忠実に反映した有機
塗膜のバタンか形成できた。
実施例２
ノボラック樹脂としてフェノールノボラック樹脂（***
ヘキスト社製品ＡＬＮＯＶＯＬ ＰＮ４３０）を用いて
実施例１と同様に試料溶液を調合した。この試料溶液を
用いて、実施例１と同様にして露光。
ヘキスト社製品ＡＬＮＯＶＯＬ ＰＮ４３０）を用いて
実施例１と同様に試料溶液を調合した。この試料溶液を
用いて、実施例１と同様にして露光。
現像、酸素プラズマ照射によって有機塗膜バタンか形成
できた。
できた。
実施例３
シリコン基板上に、厚さ１μｍのポリスチレン塗膜を形
成したものを有機材料塗膜基板とする。
成したものを有機材料塗膜基板とする。
これに、実施例１と同様の試料溶液をスピナを用いて塗
布、ベークし、厚さ０．９μｍの感光性組成物塗膜を形
成し、露光試料とし、実施例１と同様にして、露光、現
像、酸素プラズマ照射によって有機塗膜バタンか形成で
きた。
布、ベークし、厚さ０．９μｍの感光性組成物塗膜を形
成し、露光試料とし、実施例１と同様にして、露光、現
像、酸素プラズマ照射によって有機塗膜バタンか形成で
きた。
実施例４
重量平均分子量（Ｍｙ）が約５８００のポリビニルフェ
ノールをＣｈａｂｐｉｅｒらの方法でヨウ素化し、ヨウ
素化ポリビニルフェノールを得た。このヨウ素化ポリビ
ニルフェノールをヨウ素化合物として実施例１と同様に
試料溶液を調合した。この試料溶液を用いて、実施例１
と同様と同様、露光、現像、酸素プラズマ照射によって
有機塗膜バタンか形成できた。
ノールをＣｈａｂｐｉｅｒらの方法でヨウ素化し、ヨウ
素化ポリビニルフェノールを得た。このヨウ素化ポリビ
ニルフェノールをヨウ素化合物として実施例１と同様に
試料溶液を調合した。この試料溶液を用いて、実施例１
と同様と同様、露光、現像、酸素プラズマ照射によって
有機塗膜バタンか形成できた。
実施例５
実施例１と同じｍ、ｐ−クレゾールノボラック樹脂を酢
酸２−エトキシエチルにとかし７重量パーセントの溶液
とする。さらにナフトキノン−（１，２）−ジアジドス
ルホン酸−（４）−メチルフェニル（！：２，４．６−
１リョードフェノールを添加する。ノボラック樹脂とナ
フトキノン−（１，２）−ジアジドスルホン酸−（４）
−メチルフェニルと２．４．６−） ＩＪヨードフェノ
ールの混合比は重量比で１ ： ０．２ ： ０．５と
した。この溶液をシリコンウェハ上にスピナを用いて塗
布し、 □厚さ０．６６μｍの膜を形成した。次いでＸ
ｅ−Ｈｇランプからの光を用いて所定のパターンの照射
した後１２０Ｃ２０分間ポストベークし、プラズマ現像
試料とした。実施例１と同じ条件で酸素プラズマ中でド
ライ現像したところ微細なネガ型のパターンが得られた
。
酸２−エトキシエチルにとかし７重量パーセントの溶液
とする。さらにナフトキノン−（１，２）−ジアジドス
ルホン酸−（４）−メチルフェニル（！：２，４．６−
１リョードフェノールを添加する。ノボラック樹脂とナ
フトキノン−（１，２）−ジアジドスルホン酸−（４）
−メチルフェニルと２．４．６−） ＩＪヨードフェノ
ールの混合比は重量比で１ ： ０．２ ： ０．５と
した。この溶液をシリコンウェハ上にスピナを用いて塗
布し、 □厚さ０．６６μｍの膜を形成した。次いでＸ
ｅ−Ｈｇランプからの光を用いて所定のパターンの照射
した後１２０Ｃ２０分間ポストベークし、プラズマ現像
試料とした。実施例１と同じ条件で酸素プラズマ中でド
ライ現像したところ微細なネガ型のパターンが得られた
。
第１図は、本発明を説明するための酸素プラズマに対す
る塗膜の膜厚変化を示す図である。 第１頁の続き ０発 明 者 小橋隆裕 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 野々垣三部 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
る塗膜の膜厚変化を示す図である。 第１頁の続き ０発 明 者 小橋隆裕 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 野々垣三部 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、有機ヨウ素化合物、キノンジアジド化合物及びこれ
らの化合物と実質的に相溶性を有する水に不溶でアルカ
リ可溶性高分子化合物よシなることを特徴とする放射線
感応性組成物。 ２、上記有機ヨウ素化°合物、キノンジアジド化合物及
び高分子化合物の量が、重量比で０．１〜３対０．０５
〜２対１の範囲の量である特許請求の範囲第１項記載の
放射線感応性組成物。 ３、上記アルカリ可溶性高分子化合物が、ポリビニルフ
ェノール、ノボ２ツク樹ｊ４に、スｆＶ７・無水マレイ
ン酸共重合体、酢酸セルロースハイドロジエンフタレー
ト、ポリビニルヒドロキシベンゾアート、ポリビニルヒ
ドロキシベンザール、ポリメタクリル酸及びポリアクリ
ル酸からなる群から選ばれた少なくとも一種の高分子化
合物である特許請求の範囲第１項又は第２項記載の放射
線感応性組成物。 ４、上記ヨウ素化合物が、ショートメタン、ヨードホル
ム、ヨードエタン、１−ヨードブタン、１−ヨードへブ
タン、１−ヨードプロパン、２−ヨードフロパン、１．
２−ショートエタン、１．４−ショートブタン、ヨード
トリメチルシラン、２−ヨード−１，１，ｉ−トリフル
オロエタン、（ヨードメチル）トリメチルシラン、ヨー
ドアセトアミピ、ヨード酢酸、３−ヨードプロピオン酸
、２−ヨードエタノール、２−ミートアニリン、３−ヨ
ードアニリン、４−ヨードアニリン、４−ヨードアニソ
ール、５−ヨードアントラニル酸、０−ヨード安息香酸
、ｍ−ヨード安息香酸、ｐ−ヨード安息香酸、ｐ ”−
ドベンゼンスルフォニルクロリド、０−ヨードベンジル
アルコール、ｍ−ヨードベンジルアルコール、ｐ−ヨー
ドベンジルアルコール、〇−ヨードベンジルクロリド、
１−ヨード−２−二トロベンゼン、１−ヨード−３−二
トロベンゼン、１−ヨード−４−二トロベンゼン、２−
ヨードフェノール、３−ヨードフェノール、４−ヨード
フェノール、５−ヨードｖリチル酸、Ｏ−ヨードトルエ
ン、ｍ−ヨードトルエン、ｐ−ヨードトルエン、０−ヨ
ード−Ｑｌ Ｑｌ α−トリフルオロトルエン、２−ヨ
ー）’−６−メｆルー３−ビリジノール、２−ヨード−
３−ビリジノール、４−ヨードヒラゾール、２−ヨード
チオフェン、３−ヨードチオフェン、２．６−ジヨード
ー４−ニトロアニリン、２．６−ジヨードー４−二トロ
フェノール、３．５−ショート−４−ピリドン−Ｎ−酢
酸、４−ハイドロキシ−３，５−ショート安息香酸、２
，４．５−トリヨード安息香酸、３，４．５−１リヨー
ド安息香酸及び２，４．６−トリヨードフエノールから
なる群から選ばれた少なくとも一種の化合物である％肝
請求の範囲第１項、第２項又は第３項記載の放射線感応
性組成物。 ５、上記ヨウ素化合物が、ヨウ素化されたアルカリ可溶
性高分子化合物である特許請求の範囲第１項記載の放射
線感応性組成物。 ６、上記高分子化合物がヨウ素化されたアルカリ可、溶
性高分子化合物である特許請求の範囲第１項記載の放射
線感応性組成物。 ７、上記ヨウ素化合物と上記高分子化合物が同一の物質
であり、ヨウ素化された水に不溶でアルカリ可溶性の高
分子化合物である特許請求の範囲第１項記載の放射線感
応性組成物。 ルカリ可溶性高分子化合物よりなる放射線感応性組成物
の塗膜を形成する工程、該塗膜に所望のパターンを有す
る放射線を照射する工程、上記塗膜を加熱し未照射部の
上記ヨウ素化合物を塗膜から散失させる工程及び上記塗
膜に酸素を含むプラズマを照射して未照射部を除去する
工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。 ９、上記有機ヨウ素化合物、キノンジアジド化合物及び
高分子化合物の量が、重量比で０．１〜３対０．０５〜
２対ｌの範囲の量である特許請求の範囲第８項記載のパ
ターン形成方法。 １０、上記塗膜の加熱温度が上記ヨウ素化合物の昇華温
度又は沸点以上の温度である特許請求の範囲の第８項又
は第９項記載のパターン形成方法。 １１、上記放射線は、紫外線である特許請求の範囲第８
項から第１０項までのいずれかに記載のノくターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11388282A JPS595243A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 放射線感応性組成物及びパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11388282A JPS595243A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 放射線感応性組成物及びパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS595243A true JPS595243A (ja) | 1984-01-12 |
Family
ID=14623484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11388282A Pending JPS595243A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 放射線感応性組成物及びパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS595243A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6227732A (ja) * | 1985-07-30 | 1987-02-05 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型放射線感応性組成物 |
| WO1988005928A1 (en) * | 1987-02-02 | 1988-08-11 | Nippon Paint Co., Ltd. | Positive photosensitive resin composition and process for its production |
| EP0341608A2 (en) * | 1988-05-07 | 1989-11-15 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resist composition, novel phenol compound and quinone diazide sulfonic acid ester of novel phenol compound |
| JPH02262150A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-24 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| US5290656A (en) * | 1988-05-07 | 1994-03-01 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resist composition, novel phenol compound and quinone diazide sulfonic acid ester of novel phenol compound |
| WO2017033633A1 (ja) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物、感光性樹脂組成物、樹脂膜および電子装置 |
-
1982
- 1982-07-02 JP JP11388282A patent/JPS595243A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6227732A (ja) * | 1985-07-30 | 1987-02-05 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型放射線感応性組成物 |
| WO1988005928A1 (en) * | 1987-02-02 | 1988-08-11 | Nippon Paint Co., Ltd. | Positive photosensitive resin composition and process for its production |
| EP0302941A1 (en) * | 1987-02-02 | 1989-02-15 | Nippon Paint Co., Ltd. | Positive photosensitive resin composition and process for its production |
| EP0302941B1 (en) * | 1987-02-02 | 1993-12-29 | Nippon Paint Co., Ltd. | Positive photosensitive resin composition and process for its production |
| EP0341608A2 (en) * | 1988-05-07 | 1989-11-15 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resist composition, novel phenol compound and quinone diazide sulfonic acid ester of novel phenol compound |
| US5290656A (en) * | 1988-05-07 | 1994-03-01 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resist composition, novel phenol compound and quinone diazide sulfonic acid ester of novel phenol compound |
| JPH02262150A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-24 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| WO2017033633A1 (ja) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物、感光性樹脂組成物、樹脂膜および電子装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5908738A (en) | Undercoating composition for photolithography | |
| US5650261A (en) | Positive acting photoresist comprising a photoacid, a photobase and a film forming acid-hardening resin system | |
| US4259407A (en) | Radiation-sensitive positive resist | |
| JPH05249683A (ja) | 感放射線性組成物 | |
| JP2003502698A (ja) | 電子線露光による１９３ｎｍ感光性フォトレジスト材料の改変 | |
| WO2003050613A2 (en) | Method and apparatus for modification of chemically amplified photoresist by electron beam exposure | |
| KR880002518B1 (ko) | 방사선 감응성 조성물 | |
| TW200530748A (en) | Photoresist composition | |
| TW201041908A (en) | Self-forming top anti-reflective coating compositions and, photoresist mixtures and method of imaging using same | |
| JPS595243A (ja) | 放射線感応性組成物及びパタ−ン形成方法 | |
| JPS58168048A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| US4454200A (en) | Methods for conducting electron beam lithography | |
| US5498514A (en) | Lithographic double-coated patterning plate with undercoat levelling layer | |
| JPS5834445A (ja) | 感光材 | |
| JPS617835A (ja) | レジスト材料 | |
| US4600684A (en) | Process for forming a negative resist using high energy beam | |
| JPS6161154A (ja) | 微細ネガレジストパターン形成方法 | |
| JPS58192033A (ja) | 放射線感応性組成物及びそれを用いたパタ−ン形成方法 | |
| JPH0635201A (ja) | リソグラフィー用下地材及びそれを用いたパターン形成方法 | |
| JPH0330852B2 (ja) | ||
| JPH0145610B2 (ja) | ||
| JPS595242A (ja) | 放射線感応性組成物 | |
| JPS63291052A (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| CA1181627A (en) | Radiation-sensitive composition containing an azide compound and an iodine compound | |
| Hong et al. | PEB sensitivity studies of ArF resists: II. Polymer and solvent effects |