JPS5951502A - Thermistor - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は対象物と機械的に接触することにより対象物の
温度検出をするサーミスタに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a thermistor that detects the temperature of an object by mechanically contacting the object.

従来例の構成とその問題点 この種サーミスタには、鍋物調理をする際鍋底と接触し
７−Ｃ鍋内部の調理物温度を検出するサーミスタ、石油
燃焼乙の気化器外壁と接触して気化器内部の石油気化温
度を検出するサーミスタなどがある。Conventional structure and problems This type of thermistor includes a thermistor that comes into contact with the bottom of the pot when cooking food in a pot and detects the temperature of the food inside the 7-C pot, and a thermistor that comes into contact with the outer wall of the vaporizer of an oil-burning pot to detect the temperature of the food inside the 7-C pot. There is a thermistor that detects the internal oil vaporization temperature.

従来この（１［温度検出は第１図に示す如く鍋底１に熱
電対２を機械的に接触せしめ、前記熱電対２の熱起電力
を検出することによってなされていた。Conventionally, temperature detection has been carried out by mechanically bringing a thermocouple 2 into contact with the bottom 1 of the pot, as shown in FIG. 1, and detecting the thermoelectromotive force of the thermocouple 2.

この時熱′ｔ１．χ・１２を鍋底１に機械的に強固に接
触せしめる為に熱電χＪ２は支持容器３に固定されてい
た。At this time, heat 't1. The thermoelectric χJ2 was fixed to the support container 3 in order to bring the χ·12 into strong mechanical contact with the pot bottom 1.

また１ｉｔＬ：熱電対に代りサーミスタを用いて温度を
検出することもできる。熱電対、サーミスタとも温度を
電気的に検出する。サーミスタは熱電対に比べ大きな電
気信号を取シ出すことができる。Moreover, 1itL: Temperature can also be detected using a thermistor instead of a thermocouple. Both thermocouples and thermistors detect temperature electrically. A thermistor can generate a larger electrical signal than a thermocouple.

従って０頼な電気回路を必要とせず、また低価格にでき
るなどの１（所を有する。この種サーミスタは従来第２
図に７Ｊｅす如く熱電対と同様、支持容器３に薄膜サー
ミスタ素子４を固定し、リード＃８を取り出し構成され
ていた。Therefore, it has the following advantages: it does not require an unreliable electric circuit and can be made at a low cost.
As shown in FIG. 7J, a thin film thermistor element 4 was fixed to a support container 3 and lead #8 was taken out, similar to the thermocouple.

薄膜サーミスタ素子４は絶縁性基板６の一力の表面に感
温抵抗体膜６と電極膜７とを形成して構成される。この
薄膜サーミスタ素子４は絶縁性基板の他の表面と支持容
器３の面とが相対する如く固定される。この固定は無機
質系あるいは有機物系接着剤、半田付、ロー材などの固
定層９を介してなされる。The thin film thermistor element 4 is constructed by forming a temperature sensitive resistor film 6 and an electrode film 7 on one surface of an insulating substrate 6. This thin film thermistor element 4 is fixed so that the other surface of the insulating substrate and the surface of the support container 3 face each other. This fixing is done via a fixing layer 9 made of inorganic or organic adhesive, soldering, brazing material, or the like.

絶縁性基板５にはアルミナ、ムライト、ベリリア、マグ
ネシア、ステアタイト、硝子などが用いられる。支持容
器３には通常ステンレス、チタン。For the insulating substrate 5, alumina, mullite, beryllia, magnesia, steatite, glass, etc. are used. The support container 3 is usually made of stainless steel or titanium.

コバール合金などの金属板を成形したものが用いられる
。この場合リードａ８と電極膜７、感温抵抗体膜６とは
電気的に接続されているので、ＩＪ　＋ド線８と支持容
器３とは絶縁性基板６により電気的に絶縁されているの
みであった。従って両者間の交流耐圧は絶縁性基板５の
厚さに相当する沿面距離によって決まり、かつ上記厚さ
は通常０．２〜０．８胴程度であるので、前記耐圧は４
００〜１０００ｖ（５０〜６ｏサイクル）の低い値しか
有しないという欠点があった。この耐圧は汚れによって
も大きな影響を受け、極端な場合、たとえば絶縁性基板
６の部分に結露水が付着した場合、電気的にリード線８
と支持容器３とが電気的に導通状態に近い事態すら生じ
る。これは電気回路の故障、あるいはそれに起因する燃
焼の制御不能などの事態をもたらすのみならず、安全上
も軽重しくない。A molded metal plate such as Kovar alloy is used. In this case, since the lead a8, the electrode film 7, and the temperature sensitive resistor film 6 are electrically connected, the IJ + lead wire 8 and the support container 3 are only electrically insulated by the insulating substrate 6. Met. Therefore, the AC withstand voltage between the two is determined by the creepage distance corresponding to the thickness of the insulating substrate 5, and since the above thickness is usually about 0.2 to 0.8 mm, the withstand voltage is 4.
It had the disadvantage that it only had a low value of 00-1000v (50-6o cycles). This withstand voltage is also greatly affected by dirt, and in extreme cases, for example, when dew condensation adheres to the insulating substrate 6, the electrical lead wire 8
There may even occur a situation where the support container 3 and the support container 3 are almost electrically connected to each other. This not only causes a failure of the electric circuit or an uncontrollable combustion caused by it, but also poses a serious problem in terms of safety.

すなわち鍋、あるいは燃焼器の器壁などを通して人体に
重み電圧が印加される恐れがあるからである。That is, there is a risk that weight voltage may be applied to the human body through the pot or the wall of the combustor.

発明の目的 本発明は」二記欠点に鑑み、耐圧の高い、汚れの影響も
受けにくいサーミスタを提供するものである。OBJECTS OF THE INVENTION In view of the above-mentioned drawbacks, the present invention provides a thermistor that has high pressure resistance and is less susceptible to dirt.

発明の構成 この目的を達成するだめに、本発明のサーミスタは、゛
支持容器に薄膜サーミスタ素子を固定し、リード線を取
り出し、少なくとも支持容器が絶縁性である構成とし、
耐圧の高い、汚れの影響も受けにくいこととなる。Structure of the Invention In order to achieve this object, the thermistor of the present invention has a structure in which a thin film thermistor element is fixed to a support container, a lead wire is taken out, and at least the support container is insulating.
It has high pressure resistance and is less susceptible to dirt.

実施例の説明 本考案のす−ミスタの支持容器３は絶縁性であるので、
第１図に示す如き使用状態下において、リード線８と鍋
底１とは絶縁性支持容器３により絶縁される。この場合
、絶縁耐圧は沿面距離によって決まるのではなく絶縁性
支持容器３の洞性の耐圧によって決まるので、耐圧が高
くなるのみならず汚れの影響も受けにくくなるという長
所がある。絶縁性支持容器３にはアルミナ、ムライト。DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Since the supporting container 3 of the Sumister of the present invention is insulating,
Under the operating condition shown in FIG. 1, the lead wire 8 and the pot bottom 1 are insulated by the insulating support container 3. In this case, the dielectric strength voltage is determined not by the creepage distance but by the sinusoidal withstand voltage of the insulating support container 3, so there is an advantage that not only the dielectric strength voltage becomes higher but also it is less susceptible to the influence of dirt. The insulating support container 3 is made of alumina and mullite.

ベリリア、ステアタイトなどのセラミック成形体が用い
られる。これらの絶縁耐圧は〜１０５ｖ／ｃｍ以上であ
る。Ceramic molded bodies such as beryllia and steatite are used. The dielectric strength voltage of these is ˜105 v/cm or more.

絶縁性支持容器３を厚さ０．６　ｍｍのアルミナで構成
し、絶縁耐圧を測定したところ少なくとも１０ＫＶ以上
あった。このように本考案のサーミスタは優れた絶縁性
を有するので、電気回路や燃焼の制御における故障が少
ないのみならず安全性も高い。The insulating support container 3 was made of alumina with a thickness of 0.6 mm, and the dielectric strength voltage was measured to be at least 10 KV. As described above, since the thermistor of the present invention has excellent insulating properties, it not only has fewer failures in electric circuits and combustion control, but also has high safety.

なおこの種サーミスタは前述の如く調理器、燃焼器など
に応用されるので高温広範囲、たとえば室温〜３５０℃
の温度を検出することが望１れる。As mentioned above, this type of thermistor is used in cookers, burners, etc., so it can be used over a wide range of high temperatures, for example from room temperature to 350℃.
It is desirable to detect the temperature of

このような場合、絶縁性支持容器３の内面にＷ。In such a case, W is applied to the inner surface of the insulating support container 3.

Ｍｏ　、　Ｎ’　ｉ　、　Ｍｎの群から選ばれた１種も
しくは２種以上のメタライ、ズ膜１０を形成し、他方薄
膜サーミスタ素〕−４の絶縁性支持容器３と相対する面
にも前記ツタライズ膜１ｏを形成し、両者をロー材して
固定することが望ましい。この構成を第３図に示す。ロ
ー拐１１には銀−銅共晶ロー（、ｍ、ｐ。A metallization film 10 of one or more types selected from the group of Mo, N'i, and Mn is formed, and on the other hand, the surface of the thin film thermistor element]-4 facing the insulating support container 3 is also coated with the vines. It is desirable to form the membrane 1o and fix the two using brazing material. This configuration is shown in FIG. Silver-copper eutectic rho (, m, p) is used for the rhodium 11.

７７９　”に　）　、純銀ｏ　−（ｍ、ｐ、　９６０″
Ｃ）、金−ニソケル合金ｏ　−（ｍ、ｐ、　９９０°Ｃ
）、銅ロー（ｍ、’ｐ。779"), pure silver o-(m, p, 960"
C), gold-nisokel alloy o - (m, p, 990°C
), copper rho (m, 'p.

１０８３°（シ）などが適するが、他のロー材でもよい
。1083° (shi) is suitable, but other brazing materials may also be used.

これは必要とする耐熱性、ロー材の容易性などを考慮し
て決められる。This is determined by considering the required heat resistance, ease of brazing, etc.

また前記メタライズ膜１ｏ以外にもＡ　ｑ　、　Ａ　ｕ
　。In addition to the metallized film 1o, A q , A u
.

Ｐｔ　、Ａｇ−Ｐｄ　、Ａｕ−Ｐｄ　、Ａｕ−Ｐｔ　　
などの厚膜極膜、あるい１）ＩＣｕ、ｌｉ、Ａｕ、Ａｇ
、Ｃｕなどの単層、積層蒸着膜などもロー材できる可能
性があるが、これ゛等の膜に１７−月する際、前述の如
き金属元素がロー月中に拡１１ｔシ易すい。この為これ
性膜へのロー材ｄ、困φ１ｆで４うり、前記メタライズ
膜１０が最適である。すなわちこの種メタライズ膜１０
を構成する金属元素はロー祠中に拡散しないからである
。Pt, Ag-Pd, Au-Pd, Au-Pt
Thick film polar films such as 1) ICu, li, Au, Ag
Single-layer or laminated vapor-deposited films such as , Cu, etc. may also be used as brazing materials, but when forming these films, the metal elements mentioned above are likely to spread into the brazing material. For this reason, the metallized film 10 is optimal because the brazing material d for this type of film is 4 mm with a diameter of 1 f. That is, this kind of metallized film 10
This is because the metal elements constituting the alloy do not diffuse into the raw material.

発明の効果 以−七のように本発明によればザーミスタ素子を固定す
る支持容器をアルミナ、ムライトなどの絶縁性材料で構
成し、かつ内面にＷ　、　Ｍｏ　、　Ｎ　ｉ　、　Ｍｎ
の群から選ばれたメタライズ膜を形成し支持容器とロー
材しているので、絶縁耐圧が高く、しかもロー材が容易
である。According to the present invention, the support container for fixing the thermistor element is made of an insulating material such as alumina or mullite, and the inner surface is coated with W, Mo, Ni, Mn.
Since a metallized film selected from the group is formed and brazed with the support container, the dielectric strength is high and it is easy to braze.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図、第２図は従来例の構成を示す断面図、第３図は
本交明の一実施例の構成を示す断面図である。 ３・・・絶縁性支持容器、４・・・・薄膜サーミスタ素
子、５・・・・絶縁性基板、６・・　感温抵抗体膜、７
・・　電極膜、８・・・リード線、１ｏ・・−メタライ
ズ膜、１１・・・・ロー材。 代理式の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 ？ 第２図 〃、 第３図 １1 and 2 are sectional views showing the structure of a conventional example, and FIG. 3 is a sectional view showing the structure of an embodiment of the present invention. 3... Insulating support container, 4... Thin film thermistor element, 5... Insulating substrate, 6... Temperature sensitive resistor film, 7
... Electrode film, 8... Lead wire, 1o...-metallized film, 11... Brazing material. Name at proxy: Patent attorney Toshio Nakao and 1 other person 1st
figure? Figure 2〃, Figure 31

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）支持容器に薄膜サーミスタ素子を固定し、リード
線を取り出して成るサーミスタにおいて、少なくとも支
持容器が絶縁性である構成としたサーミスタ。(1) A thermistor comprising a thin film thermistor element fixed to a support container and a lead wire taken out, in which at least the support container is insulative. （２）絶縁性支持、容器の内面にＷ　、　Ｍｏ　、　Ｎ
　ｉ　、　Ｍｎの群から選ばれた１種もしくは２種以上
のメタライズ膜を形成し、他方薄膜サーミスタ素子の前
記支持容器と相対する面にも前記メタライズ膜を形成し
、両者をロー付して固定する構成とした特許請求の範囲
第１項記載のサーミスタ。(2) Insulating support, W, Mo, N on the inner surface of the container
One or more metallized films selected from the group of i, Mn are formed, and the metallized film is also formed on the surface of the thin film thermistor element facing the support container, and both are fixed by brazing. A thermistor according to claim 1, which is configured to: