JPS5944633B2 - 薄膜elパネル - Google Patents
薄膜elパネルInfo
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- JPS5944633B2 JPS5944633B2 JP54032162A JP3216279A JPS5944633B2 JP S5944633 B2 JPS5944633 B2 JP S5944633B2 JP 54032162 A JP54032162 A JP 54032162A JP 3216279 A JP3216279 A JP 3216279A JP S5944633 B2 JPS5944633 B2 JP S5944633B2
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Landscapes
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- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は交流電界の印加に依うてEL(Electro
Luminescence)発光を呈する薄膜EL素子
を使用したEL表示パネルに対して有効な技術となる薄
膜ELパネルの劣化防止構造に関するものである。
Luminescence)発光を呈する薄膜EL素子
を使用したEL表示パネルに対して有効な技術となる薄
膜ELパネルの劣化防止構造に関するものである。
従来、交流動作の薄膜EL素子に関して、発光層に規則
的に高い電界(106V/cm程度)を印加し、絶縁耐
圧、発光効率及び動作の安定性等を高めるために、0.
1〜2.0wを%のMn(あるいはCu、Al、Br等
)をドープしたZnS、ZnSe等の半導体発光層をY
2O3、TiO2等の誘電体薄膜でサンドイッチした三
層構造ZnS:Mn(又はZnSe:Mn)EL素子が
開発され、発光諸特性の向上が確かめられている。
的に高い電界(106V/cm程度)を印加し、絶縁耐
圧、発光効率及び動作の安定性等を高めるために、0.
1〜2.0wを%のMn(あるいはCu、Al、Br等
)をドープしたZnS、ZnSe等の半導体発光層をY
2O3、TiO2等の誘電体薄膜でサンドイッチした三
層構造ZnS:Mn(又はZnSe:Mn)EL素子が
開発され、発光諸特性の向上が確かめられている。
この薄膜EL素子は数KH2の交流電界印加によつて高
輝度発光し、しかも長寿命であるという特徴を有してい
る。またこの薄膜EL素子の発光に関しては印加電圧を
昇圧していく過程と高電圧側より降圧していく過程で、
同じ印加電圧に対して発光輝度が異なるといつたヒステ
リシス特性を有していることが発見され、そしてこのヒ
ステリシス特性を有する薄膜EL素子に印加電圧を昇圧
する過程に於いて、光、電界、熱等が付与されると薄膜
EL素子はその強度に対応した発光輝度の状態に励起さ
れ、光、電界、熱等を除去して元の状態に戻しても発光
輝度は高くなつた状態で維持される、いわゆるメモリー
現象が表示技術の新たな利用分野を開拓するに到つた。
薄膜EL素子の1例としてZnS:Mn薄膜EL素子の
基本的構造を第1図に示す。第1図に基いて薄膜EL素
子の構造を具体的にノ 説明すると、ガラス基板1上に
ln2o3、sno2等の透明電極2、さらにその上に
積層してY2O3、TiO2、Al2O3、Si3N4
、SiO2等からなる第1の誘電体層3がスパッタある
いは電子ビーム蒸着法等により重畳形成されている。
輝度発光し、しかも長寿命であるという特徴を有してい
る。またこの薄膜EL素子の発光に関しては印加電圧を
昇圧していく過程と高電圧側より降圧していく過程で、
同じ印加電圧に対して発光輝度が異なるといつたヒステ
リシス特性を有していることが発見され、そしてこのヒ
ステリシス特性を有する薄膜EL素子に印加電圧を昇圧
する過程に於いて、光、電界、熱等が付与されると薄膜
EL素子はその強度に対応した発光輝度の状態に励起さ
れ、光、電界、熱等を除去して元の状態に戻しても発光
輝度は高くなつた状態で維持される、いわゆるメモリー
現象が表示技術の新たな利用分野を開拓するに到つた。
薄膜EL素子の1例としてZnS:Mn薄膜EL素子の
基本的構造を第1図に示す。第1図に基いて薄膜EL素
子の構造を具体的にノ 説明すると、ガラス基板1上に
ln2o3、sno2等の透明電極2、さらにその上に
積層してY2O3、TiO2、Al2O3、Si3N4
、SiO2等からなる第1の誘電体層3がスパッタある
いは電子ビーム蒸着法等により重畳形成されている。
第1の誘電体5 層3上にはZnS:Mn焼結ペレット
を電子ビーム蒸着することにより得られるZnS発光層
4が形成されている。この時蒸着用のZnS:Mn焼結
ぺレツトには活性物質となるMnが目的に応じた濃度に
設定されたペレツトが使用される。ZnS発光層4上に
は第1の誘電体層3と同様の材質から成る第2の誘電体
層5が積層され、更にその上にAl等から成る背面電極
6が蒸着形成されている。
を電子ビーム蒸着することにより得られるZnS発光層
4が形成されている。この時蒸着用のZnS:Mn焼結
ぺレツトには活性物質となるMnが目的に応じた濃度に
設定されたペレツトが使用される。ZnS発光層4上に
は第1の誘電体層3と同様の材質から成る第2の誘電体
層5が積層され、更にその上にAl等から成る背面電極
6が蒸着形成されている。
透明電極2と背面電極6は交流電源7に接続され、薄膜
EL素子が駆動される。電極2,6間にAC電圧を印加
すると、ZnS発光層4の両側の誘電体層3,5間に上
記AC電圧が誘起されることになり、従つてZnS発光
層4内に発生した電界によつて伝導帯に励起されかつ加
速されて充分なエネルギーを得た電子が、直接Mn発光
センターを励起し、励起されたMn発光センターが基底
状態に戻る際に黄色の発光を行なう。即ち高電界で加速
された電子がZnS発光層4中の発光センターであるZ
nサイトに入つたMn原子の電子を励起し、基底状態に
落ちる時、略々5850Nをピークに幅広い波長領域で
、強い発光を呈する。上記の如き構造を有する薄膜EL
素子はスペーニス・フアクタの利点を生かした平面薄型
デイスプレイ・デバイスとして、文字及び図形を含むコ
ンピユータ一の出力表示端末機器その他種々の表示装置
に文字、記号、静止画像、動画像等の表示手段として利
用することができる。
EL素子が駆動される。電極2,6間にAC電圧を印加
すると、ZnS発光層4の両側の誘電体層3,5間に上
記AC電圧が誘起されることになり、従つてZnS発光
層4内に発生した電界によつて伝導帯に励起されかつ加
速されて充分なエネルギーを得た電子が、直接Mn発光
センターを励起し、励起されたMn発光センターが基底
状態に戻る際に黄色の発光を行なう。即ち高電界で加速
された電子がZnS発光層4中の発光センターであるZ
nサイトに入つたMn原子の電子を励起し、基底状態に
落ちる時、略々5850Nをピークに幅広い波長領域で
、強い発光を呈する。上記の如き構造を有する薄膜EL
素子はスペーニス・フアクタの利点を生かした平面薄型
デイスプレイ・デバイスとして、文字及び図形を含むコ
ンピユータ一の出力表示端末機器その他種々の表示装置
に文字、記号、静止画像、動画像等の表示手段として利
用することができる。
平面薄型表示装二置としての薄膜ELパネルは従来のブ
ラウン管CRTと比較して動作電圧が低く、同じ平面型
デイスプレイ・デバイスであるブラズマデイスプレイパ
ネルPDPと比較すれば重量や強度面で優れており、液
晶LCDに比べて動作可能温度範囲が3広く、応答速度
が速い等多くの利点を有している。また純固体マトリツ
クス型パネルとして使用できるため動作寿命が長く、そ
のアドレスの正確さとともにコンピユータ一等の入出力
表示手段として非常に有効なものである。
3しかしながら薄膜EL素子の誘電体層は製
造工程途中で発生した多数のピンホールやマイクロクラ
ツク等を含み、これらの欠陥を通してZnS発光層4に
湿気等が侵入するため、EL発光損失による発熱、素子
特性の劣化を招来する。 4上記問題を解決す
ることを目的として、第2図に示すように、薄膜EL素
子背面(ガラス基板1の反対側面)にSi3N4膜やA
l2O3膜等の絶縁膜8をコーテイングして保護する構
造成いは上記絶縁膜8の上に更に樹脂9をコーテイング
して保護する構造が実施されている。更には真空封止す
る構造が提案されている。第2図に於いて、第1図と同
一部分には同一符号を付して説明を省略する。
ラウン管CRTと比較して動作電圧が低く、同じ平面型
デイスプレイ・デバイスであるブラズマデイスプレイパ
ネルPDPと比較すれば重量や強度面で優れており、液
晶LCDに比べて動作可能温度範囲が3広く、応答速度
が速い等多くの利点を有している。また純固体マトリツ
クス型パネルとして使用できるため動作寿命が長く、そ
のアドレスの正確さとともにコンピユータ一等の入出力
表示手段として非常に有効なものである。
3しかしながら薄膜EL素子の誘電体層は製
造工程途中で発生した多数のピンホールやマイクロクラ
ツク等を含み、これらの欠陥を通してZnS発光層4に
湿気等が侵入するため、EL発光損失による発熱、素子
特性の劣化を招来する。 4上記問題を解決す
ることを目的として、第2図に示すように、薄膜EL素
子背面(ガラス基板1の反対側面)にSi3N4膜やA
l2O3膜等の絶縁膜8をコーテイングして保護する構
造成いは上記絶縁膜8の上に更に樹脂9をコーテイング
して保護する構造が実施されている。更には真空封止す
る構造が提案されている。第2図に於いて、第1図と同
一部分には同一符号を付して説明を省略する。
しかし、薄膜EL素子を構成する各薄膜3,4,5に対
する絶縁膜8のコーテイングによる保護膜形成には、微
少ゴミ、異物等の付着が原因となつてピンホール等がで
き易いこと、さらに大面積化に伴ない、欠陥を含まない
均一な保護膜の生成が困難となること等の欠点がある。
する絶縁膜8のコーテイングによる保護膜形成には、微
少ゴミ、異物等の付着が原因となつてピンホール等がで
き易いこと、さらに大面積化に伴ない、欠陥を含まない
均一な保護膜の生成が困難となること等の欠点がある。
また完全な保護膜形成が得られたとしても、薄膜EL素
子の微少領域での不完全さによつて通電時に発光面にブ
レークダウンを生じ、その結果微小領域の熱損傷によつ
て保護膜も損傷を受け、その損傷部分から薄膜EL素子
の破壊、劣化の主原因と考えられる大気中の湿気がEL
発光層へ侵入する。薄膜コーテイングによる保護方法を
実現するためには、薄膜EL素子並びに保護膜のいずれ
にも完全均一なものが要求されるが、現段階における薄
膜生成技術で各種の構造欠陥を含まない充分緻密なEL
発光層および誘電体層を生成することは極めて困難であ
り、現実的な方法ではない。
子の微少領域での不完全さによつて通電時に発光面にブ
レークダウンを生じ、その結果微小領域の熱損傷によつ
て保護膜も損傷を受け、その損傷部分から薄膜EL素子
の破壊、劣化の主原因と考えられる大気中の湿気がEL
発光層へ侵入する。薄膜コーテイングによる保護方法を
実現するためには、薄膜EL素子並びに保護膜のいずれ
にも完全均一なものが要求されるが、現段階における薄
膜生成技術で各種の構造欠陥を含まない充分緻密なEL
発光層および誘電体層を生成することは極めて困難であ
り、現実的な方法ではない。
一方、真空封止においては、前述の薄膜EL素子の不完
全さによるブレークダウンによつて熱破壊が生じた際の
アウトガスによる真空度の劣化の問題、真空封止工程の
煩雑さが伴なう欠点がある。また薄膜によるコーテイン
グ、真空封止共にEL発光損失に伴う発熱の放散効果が
ない等の欠点が掲げられる。凝固性樹脂コーテイングに
関して、樹脂と薄膜EL素子の密着性が強い場合、通電
時に生じる振動、取扱い上の応力歪み、および熱応力歪
み等が薄膜EL素子の層間剥離等の悪影響を与える。一
方、密着性が弱い場合には振動、たわみ、発熱によつて
ギヤツプを生じ大気中の湿気侵入を防止できなくなる欠
点がある。上記欠点に鑑み、薄膜EL素子特有の不完全
さ、即ちピンホール等によつて通電時に生じるブレーク
ダウンのため起る微小な熱損傷領域の拡大を防止、固定
化し、大気環境下での湿気保護、放熱効果、さらに振動
、たわみに対しても有効な改良技術となるシーリング方
式としてオイル等流体注入封止法が提唱されている。
全さによるブレークダウンによつて熱破壊が生じた際の
アウトガスによる真空度の劣化の問題、真空封止工程の
煩雑さが伴なう欠点がある。また薄膜によるコーテイン
グ、真空封止共にEL発光損失に伴う発熱の放散効果が
ない等の欠点が掲げられる。凝固性樹脂コーテイングに
関して、樹脂と薄膜EL素子の密着性が強い場合、通電
時に生じる振動、取扱い上の応力歪み、および熱応力歪
み等が薄膜EL素子の層間剥離等の悪影響を与える。一
方、密着性が弱い場合には振動、たわみ、発熱によつて
ギヤツプを生じ大気中の湿気侵入を防止できなくなる欠
点がある。上記欠点に鑑み、薄膜EL素子特有の不完全
さ、即ちピンホール等によつて通電時に生じるブレーク
ダウンのため起る微小な熱損傷領域の拡大を防止、固定
化し、大気環境下での湿気保護、放熱効果、さらに振動
、たわみに対しても有効な改良技術となるシーリング方
式としてオイル等流体注入封止法が提唱されている。
第3図にこの流体注入封止法を用いた薄膜ELパネルの
1例を示す。
1例を示す。
この薄膜ELパネルは第1図に於ける透明電極2及び背
面電極6が帯状に成形され、互いに直交する如く複数本
配列されたマトリツクス電極構造が採用されており、透
明電極2と背面電極6が平面図的に見て交又した位置が
パネルの1絵素に相当する。第3図に基いて説明すると
、ガラス基板1上に平行配列された透明電極2、第1の
誘電体層3,ZnS発光層4が順次積層され、ZnS発
光層4上にはSl3N4膜とSl3N4膜上に重畳され
たAl2O3膜とから成る第2の誘電体層5が2層構造
で積層され、更に上記透明電極2と直交する方向に平行
配列された背面電極6が第2の誘電体層上に設けられ、
薄膜EL素子が構成されている。
面電極6が帯状に成形され、互いに直交する如く複数本
配列されたマトリツクス電極構造が採用されており、透
明電極2と背面電極6が平面図的に見て交又した位置が
パネルの1絵素に相当する。第3図に基いて説明すると
、ガラス基板1上に平行配列された透明電極2、第1の
誘電体層3,ZnS発光層4が順次積層され、ZnS発
光層4上にはSl3N4膜とSl3N4膜上に重畳され
たAl2O3膜とから成る第2の誘電体層5が2層構造
で積層され、更に上記透明電極2と直交する方向に平行
配列された背面電極6が第2の誘電体層上に設けられ、
薄膜EL素子が構成されている。
この薄膜EL素子を封止するため、ガラス基板1にスペ
ーサ10を介して背面ガラス板11が対向配置され、ガ
ラス基板1、スペーサ10、及び背面ガラス板11の各
接合部は接着剤12で固定密封され、薄膜EL素子に対
する外囲器が構成されている。外囲器内には薄膜EL素
子が内蔵される,とともにシリコンオイル、真空グリー
ス等の薄膜EL素子保護用注入流体13が充填封入され
ている。注入流体13に要求される条件としては(1)
ピンホールへの浸透性があり、(2)絶縁耐圧が高く、
(3)耐熱性、耐湿性に秀れ、(4)薄膜EL素子構成
膜と反応せず、(5)蒸気性、熱膨張係数の小さい流動
性物質であることが望ましいが特にピンホールへの浸透
性があり絶縁耐圧がある程度高いこと及び薄膜EL素子
構成膜と反応しないことを要する。スペーサ10として
は厚さ0.5m71Lのテフロンやポリイミド樹脂等の
絶縁プラスチツクシートが使用されるが、その他シリコ
ンゴム、ガラス等も用いられる。スペーサ10は周辺に
シリコンオイル等注入用の微小注入孔14が1個乃至数
個設けられている。注入孔14は背面ガラス板11に形
成してもよい。接着剤12としてはエポキシ系樹脂その
他が用いられ、接着剤12は注入孔14を除いて外囲器
の接合部に付着される。また透明電極2及び背面電極6
のリード端子部15はガラス基板1と背面ガラス板11
の接合部を介して外囲器外部のガラス基板1上へその一
端が延設され、駆動制御用回路(図示せず)と電気的に
接続されている。透明電極2及び背面電極6を介して交
流電圧を印加するとガラス基板1の前面より絵素単位の
発光表示が実行される。上記構成から成る薄膜ELパネ
ルは大気中の湿気侵入を有効に防止することができるた
め、薄膜EL素子の信頼性、寿命を飛躍的に向上させる
優れた効果を有する。
ーサ10を介して背面ガラス板11が対向配置され、ガ
ラス基板1、スペーサ10、及び背面ガラス板11の各
接合部は接着剤12で固定密封され、薄膜EL素子に対
する外囲器が構成されている。外囲器内には薄膜EL素
子が内蔵される,とともにシリコンオイル、真空グリー
ス等の薄膜EL素子保護用注入流体13が充填封入され
ている。注入流体13に要求される条件としては(1)
ピンホールへの浸透性があり、(2)絶縁耐圧が高く、
(3)耐熱性、耐湿性に秀れ、(4)薄膜EL素子構成
膜と反応せず、(5)蒸気性、熱膨張係数の小さい流動
性物質であることが望ましいが特にピンホールへの浸透
性があり絶縁耐圧がある程度高いこと及び薄膜EL素子
構成膜と反応しないことを要する。スペーサ10として
は厚さ0.5m71Lのテフロンやポリイミド樹脂等の
絶縁プラスチツクシートが使用されるが、その他シリコ
ンゴム、ガラス等も用いられる。スペーサ10は周辺に
シリコンオイル等注入用の微小注入孔14が1個乃至数
個設けられている。注入孔14は背面ガラス板11に形
成してもよい。接着剤12としてはエポキシ系樹脂その
他が用いられ、接着剤12は注入孔14を除いて外囲器
の接合部に付着される。また透明電極2及び背面電極6
のリード端子部15はガラス基板1と背面ガラス板11
の接合部を介して外囲器外部のガラス基板1上へその一
端が延設され、駆動制御用回路(図示せず)と電気的に
接続されている。透明電極2及び背面電極6を介して交
流電圧を印加するとガラス基板1の前面より絵素単位の
発光表示が実行される。上記構成から成る薄膜ELパネ
ルは大気中の湿気侵入を有効に防止することができるた
め、薄膜EL素子の信頼性、寿命を飛躍的に向上させる
優れた効果を有する。
しかしながら上記構成に於いてもシーリング用オイル等
の注入流体自体に水分が含有されるためこの水分が薄膜
EL素子に侵入して素子特性の劣化要因になるという問
題点が尚残存する。注入流体に含有される水分を注入前
に完全に除去することは技術的に困難であり、ガス出し
操作を施こしても若干の水分は注入流体中に残留する。
本発明は上記問題点に鑑み、薄膜EL素子保護用注入流
体に含有される水分を吸収体に吸着せしめ、薄膜EL素
子を水分から完全に保護してより一層の信頼性を確立し
た新規有用な薄膜ELパネルを提供することを目的とす
る。
の注入流体自体に水分が含有されるためこの水分が薄膜
EL素子に侵入して素子特性の劣化要因になるという問
題点が尚残存する。注入流体に含有される水分を注入前
に完全に除去することは技術的に困難であり、ガス出し
操作を施こしても若干の水分は注入流体中に残留する。
本発明は上記問題点に鑑み、薄膜EL素子保護用注入流
体に含有される水分を吸収体に吸着せしめ、薄膜EL素
子を水分から完全に保護してより一層の信頼性を確立し
た新規有用な薄膜ELパネルを提供することを目的とす
る。
以下、本発明を実施例に従つて図面を参照しながら詳説
する。
する。
第4図は本発明の1実施例を示す薄膜ELパネルの要部
断面構成図である。
断面構成図である。
第3図と同一符号は同一内容を示し説明を省略する。第
3図同様薄膜EL素子が外囲器内に内蔵され、シリコン
オイル、真空グリース等の注入流体13が充填封入され
ている。
3図同様薄膜EL素子が外囲器内に内蔵され、シリコン
オイル、真空グリース等の注入流体13が充填封入され
ている。
外囲器を構成する背面ガラス板11の内面にはアルミ箔
上にシリカゲルを塗布した水分吸収体16がシート状に
貼設されている。シリカゲルは注入流体13が非イオン
性であるため、注入流体に妨げられることなくイオン性
を有する水分を吸着することができる。水分吸収体16
はエポキシ系樹脂等で背面ガラス板11に接着される。
外囲器への流体注人は外囲器接着後両者を10『C〜2
00℃に昇温し、10−2T0rr以下の減圧下で脱ガ
ス処理した後、注入孔14をシリコンオイル等の槽内に
挿入して行なう。流体注入後注入孔14はエポキシ系樹
脂等で密封する。水分吸収体16はアルミ箔上にシリカ
ゲルを塗布したものを用いたがガラス、プラスチツク上
に塗布しても良く、シリカゲルのみのシートを背面ガラ
ス11に直接貼設しても良い。第5図は第3図に示す薄
膜ELパネルと第4図に示す薄膜ELパネルをそれぞれ
10個抽出し加温加湿雰囲気中で加速試験した時の劣化
状況を示す特性図である。
上にシリカゲルを塗布した水分吸収体16がシート状に
貼設されている。シリカゲルは注入流体13が非イオン
性であるため、注入流体に妨げられることなくイオン性
を有する水分を吸着することができる。水分吸収体16
はエポキシ系樹脂等で背面ガラス板11に接着される。
外囲器への流体注人は外囲器接着後両者を10『C〜2
00℃に昇温し、10−2T0rr以下の減圧下で脱ガ
ス処理した後、注入孔14をシリコンオイル等の槽内に
挿入して行なう。流体注入後注入孔14はエポキシ系樹
脂等で密封する。水分吸収体16はアルミ箔上にシリカ
ゲルを塗布したものを用いたがガラス、プラスチツク上
に塗布しても良く、シリカゲルのみのシートを背面ガラ
ス11に直接貼設しても良い。第5図は第3図に示す薄
膜ELパネルと第4図に示す薄膜ELパネルをそれぞれ
10個抽出し加温加湿雰囲気中で加速試験した時の劣化
状況を示す特性図である。
図中aはシリカゲルを内包しない従来の薄膜ELパネル
の劣化曲線、bはシリカゲルを内包した上記実施例に示
す薄膜ELパネルの劣化曲線である。図中のcは表示品
位が低下し始める限界領域を示す。シリカゲルを内設し
た薄膜ELパネルは従来のものに比較してその素子寿命
が4〜5倍に達している。この実験に於いて、シリカゲ
ルは厚さ100μm以下に設定したが、シリカゲルの層
厚を厚くすると更に寿命が長くなる。第6図、第7図、
第8図はそれぞれ本発明の他の実施例を示す薄膜ELパ
ネルの要部構成断面図である。
の劣化曲線、bはシリカゲルを内包した上記実施例に示
す薄膜ELパネルの劣化曲線である。図中のcは表示品
位が低下し始める限界領域を示す。シリカゲルを内設し
た薄膜ELパネルは従来のものに比較してその素子寿命
が4〜5倍に達している。この実験に於いて、シリカゲ
ルは厚さ100μm以下に設定したが、シリカゲルの層
厚を厚くすると更に寿命が長くなる。第6図、第7図、
第8図はそれぞれ本発明の他の実施例を示す薄膜ELパ
ネルの要部構成断面図である。
第6図の実施例は、外囲器内の薄膜EL素子外周にプラ
スチツク等から成る型板17を架設し、型板17と背面
ガラス板11間にスペーサ18を介設するとともにスペ
ーサ18で離間された型板17と背面ガラス板11間の
間隙にシリカゲルの粉末から成る水分吸収体16を挿入
したものである。
スチツク等から成る型板17を架設し、型板17と背面
ガラス板11間にスペーサ18を介設するとともにスペ
ーサ18で離間された型板17と背面ガラス板11間の
間隙にシリカゲルの粉末から成る水分吸収体16を挿入
したものである。
注入流体13中にシリカゲルの微小粉末を混入するだけ
でも水分吸収機能を構成することは可冫能であるが、こ
の場合は沈殿による表示品位の低下をきたすことになる
ため、本実施例の如く型板17を用いてシリカゲルを前
面(表示側)のガラス基板1から見えないようにするこ
とが望ましい。第7図の実施例はシリカゲル粉末を微小
な孔が二多数設けられたチユーブあるいは水分透過性の
大なるチユーブ内に充填して成る水分吸収体16を外囲
器内の周囲に配設したものである。第8図はスペーサ1
0を構成する樹脂中にシリカゲルを含有せしめたもので
ある。
でも水分吸収機能を構成することは可冫能であるが、こ
の場合は沈殿による表示品位の低下をきたすことになる
ため、本実施例の如く型板17を用いてシリカゲルを前
面(表示側)のガラス基板1から見えないようにするこ
とが望ましい。第7図の実施例はシリカゲル粉末を微小
な孔が二多数設けられたチユーブあるいは水分透過性の
大なるチユーブ内に充填して成る水分吸収体16を外囲
器内の周囲に配設したものである。第8図はスペーサ1
0を構成する樹脂中にシリカゲルを含有せしめたもので
ある。
水分吸収効果は前記各実施例に比較して若干劣るが構成
は簡素化される。以上詳説した如く、本発明によれば薄
膜ELパネルに注入された薄膜EL素子保護用流体で大
気中の湿気が薄膜EL素子に侵入することを防止するの
みならず、流体自体の有する水分も流体中の水分吸収体
に吸着されるため、薄膜EL素子に対する水分侵入防止
効果がより一層顕著なものとなり、薄膜ELパネルの表
示寿命が飛躍的に向上する。
は簡素化される。以上詳説した如く、本発明によれば薄
膜ELパネルに注入された薄膜EL素子保護用流体で大
気中の湿気が薄膜EL素子に侵入することを防止するの
みならず、流体自体の有する水分も流体中の水分吸収体
に吸着されるため、薄膜EL素子に対する水分侵入防止
効果がより一層顕著なものとなり、薄膜ELパネルの表
示寿命が飛躍的に向上する。
第1図は薄膜EL素子の具体的構造を示す構成図である
。 第2図は従来の薄膜EL素子の構成図である。第3図は
従来の薄膜ELパネルの1例を示す要部構成図である。
第4図は本発明の1実施例の説明に供する薄膜ELパネ
ルの要部断面構成図である。第5図は第3図及び第4図
の薄膜ELパネルの劣化試験結果を示す特性図である。
第6図、第7図及び第8図はそれぞれ本発明の他の実施
例を示す薄膜ELパネルの要部構成断面図である。1・
・・・・・ガラス基板、10・・・・・・スペーサ、1
1・・・・・・背面ガラス板、16・・・・・・水分吸
収体。
。 第2図は従来の薄膜EL素子の構成図である。第3図は
従来の薄膜ELパネルの1例を示す要部構成図である。
第4図は本発明の1実施例の説明に供する薄膜ELパネ
ルの要部断面構成図である。第5図は第3図及び第4図
の薄膜ELパネルの劣化試験結果を示す特性図である。
第6図、第7図及び第8図はそれぞれ本発明の他の実施
例を示す薄膜ELパネルの要部構成断面図である。1・
・・・・・ガラス基板、10・・・・・・スペーサ、1
1・・・・・・背面ガラス板、16・・・・・・水分吸
収体。
Claims (1)
- 1 透光性前面基板と背面板とから成る外囲器内に薄膜
EL素子を内蔵し、前記透光性前面基板を介して表示を
実行する薄膜ELパネルに於いて、前記外囲器内に前記
薄膜EL素子への水分侵入を防止するシーリング用オイ
ルを注入するとともに該シーリング用オイルと接触する
水分吸収体を配設し、前記シーリング用オイルの含有す
る水分を前記水分吸収体に吸着せしめることを特徴とす
る薄膜ELパネル。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54032162A JPS5944633B2 (ja) | 1979-03-16 | 1979-03-16 | 薄膜elパネル |
GB8008831A GB2049274B (en) | 1979-03-16 | 1980-03-14 | Moisture absorptive arrangement for a glass sealed thinfilm electroluminescent display panel |
US06/130,347 US4357557A (en) | 1979-03-16 | 1980-03-14 | Glass sealed thin-film electroluminescent display panel free of moisture and the fabrication method thereof |
DE3010164A DE3010164C2 (de) | 1979-03-16 | 1980-03-17 | Dünnschicht-Elektrolumineszenz-Anzeigeelement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP54032162A JPS5944633B2 (ja) | 1979-03-16 | 1979-03-16 | 薄膜elパネル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55124182A JPS55124182A (en) | 1980-09-25 |
JPS5944633B2 true JPS5944633B2 (ja) | 1984-10-31 |
Family
ID=12351233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54032162A Expired JPS5944633B2 (ja) | 1979-03-16 | 1979-03-16 | 薄膜elパネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5944633B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6025193A (ja) * | 1983-07-21 | 1985-02-07 | ソニー株式会社 | 薄膜el装置 |
JPS60119595A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | 伊勢電子工業株式会社 | El表示装置 |
JPS60202683A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-14 | 関西日本電気株式会社 | Elパネル |
JPS60264094A (ja) * | 1984-06-12 | 1985-12-27 | アルプス電気株式会社 | エレクトロルミネツセンス素子 |
JPS62116394U (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-24 | ||
WO1988002209A1 (en) * | 1986-09-19 | 1988-03-24 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Thin-film el device |
CN110931651A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-03-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
-
1979
- 1979-03-16 JP JP54032162A patent/JPS5944633B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55124182A (en) | 1980-09-25 |
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