JPS5944334B2 - 螢光体 - Google Patents
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- JPS5944334B2 JPS5944334B2 JP53159449A JP15944978A JPS5944334B2 JP S5944334 B2 JPS5944334 B2 JP S5944334B2 JP 53159449 A JP53159449 A JP 53159449A JP 15944978 A JP15944978 A JP 15944978A JP S5944334 B2 JPS5944334 B2 JP S5944334B2
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Classifications
-
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7772—Halogenides
- C09K11/7773—Halogenides with alkali or alkaline earth metal
-
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- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- F21K2/005—Non-electric light sources using luminescence; Light sources using electrochemiluminescence excited by infrared radiation using up-conversion
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- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
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- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は螢光体、さらに詳しくはプロロー・ロゲン化バ
リウム螢光体に関する。
リウム螢光体に関する。
ある種の螢光体は電離放射線、紫外線、電子線等の照射
を受けた後、可視光あるいは赤外線の照射を受けると螢
光を発する。
を受けた後、可視光あるいは赤外線の照射を受けると螢
光を発する。
この現象は「輝尽」と呼ばれ、輝尽を示す螢光体は「輝
尽性螢光体」と呼ばれる。輝尽性螢光体は蓄積型放射線
像変換器として利用することができることが知られてい
る。すなわち、輝尽性螢光体からなる螢光体層に被写体
を透過した放射線を吸収せしめ、その後可視光あるいは
赤外線を螢光体層に照射することによつて輝尽性螢光体
が蓄積した放射線エネルギーを螢光として放射させ、そ
れを検出することによつて被写体の放射線像を得ること
ができる。蓄積型放射線像変換器を実用するにあたつて
は被写体は人である場合が多く、従つて被写体の被曝線
量をできるだけ軽減させることが必要とされる。この点
から蓄積型放射線像変換器に用いられる輝尽性螢光体と
しては輝尽の発光輝度がより高いものが要望される。従
来輝尽性螢光体の1つとして、その組成式がBaFX:
xCe(但しXは塩素、臭素および沃素のうちの少なく
とも1種であり、Xは0<x≦2×10−”なる条件を
満たす数である)で表わされるセリウム付活フロロハロ
ゲン化バリウム螢光体が知られている(特願昭53一8
4744号参照)。
尽性螢光体」と呼ばれる。輝尽性螢光体は蓄積型放射線
像変換器として利用することができることが知られてい
る。すなわち、輝尽性螢光体からなる螢光体層に被写体
を透過した放射線を吸収せしめ、その後可視光あるいは
赤外線を螢光体層に照射することによつて輝尽性螢光体
が蓄積した放射線エネルギーを螢光として放射させ、そ
れを検出することによつて被写体の放射線像を得ること
ができる。蓄積型放射線像変換器を実用するにあたつて
は被写体は人である場合が多く、従つて被写体の被曝線
量をできるだけ軽減させることが必要とされる。この点
から蓄積型放射線像変換器に用いられる輝尽性螢光体と
しては輝尽の発光輝度がより高いものが要望される。従
来輝尽性螢光体の1つとして、その組成式がBaFX:
xCe(但しXは塩素、臭素および沃素のうちの少なく
とも1種であり、Xは0<x≦2×10−”なる条件を
満たす数である)で表わされるセリウム付活フロロハロ
ゲン化バリウム螢光体が知られている(特願昭53一8
4744号参照)。
このセリウム付活フロロハロゲン化バリウム螢光体を蓄
積型放射線像変換器に用いるにあたつては、上述のよう
な状況からより高輝度の輝尽発光を示すセリウム付活フ
ロロ・・ロゲン化バリウム螢光体が望まれている。従つ
て本発明は従来のセリウム付活フロロ・〜ロゲン化バリ
ウム螢光体よりもより高輝度の輝尽発光を示すセリウム
付活フロロ・・ロゲン化バリウム螢光体を提供すること
を目的とするものである。
積型放射線像変換器に用いるにあたつては、上述のよう
な状況からより高輝度の輝尽発光を示すセリウム付活フ
ロロ・・ロゲン化バリウム螢光体が望まれている。従つ
て本発明は従来のセリウム付活フロロ・〜ロゲン化バリ
ウム螢光体よりもより高輝度の輝尽発光を示すセリウム
付活フロロ・・ロゲン化バリウム螢光体を提供すること
を目的とするものである。
本発明者等は上記目的を達成するために上記螢光体の付
活剤であるセリウムの共付活剤について種々の実験を行
なつてきた。その結果セリウムの共付活剤としてインジ
ウム、タリウム、ガドリニウム、サマリウムおよびジル
コニウムのうちの少なくとも1種を適当量螢光体中に含
有せしめればセリウム付活フロロー・ロゲン化バリウム
螢光体の輝尽による発光輝度を著しく向上させることが
できることを見出し本発明を完成するに至つた。本発明
の螢光体は組成式が(但しXは塩素、臭素および沃素の
うちの少なくとも1種、Aはインジウム、タリウム、ガ
ドリニウム、サマリウムおよびジルコニウムのうちの少
なくとも1種であり、XおよびyはそれぞれOくx≦2
×10−1およびO<y≦5×10−2なる条件を満た
す数である)で表わされるものである。
活剤であるセリウムの共付活剤について種々の実験を行
なつてきた。その結果セリウムの共付活剤としてインジ
ウム、タリウム、ガドリニウム、サマリウムおよびジル
コニウムのうちの少なくとも1種を適当量螢光体中に含
有せしめればセリウム付活フロロー・ロゲン化バリウム
螢光体の輝尽による発光輝度を著しく向上させることが
できることを見出し本発明を完成するに至つた。本発明
の螢光体は組成式が(但しXは塩素、臭素および沃素の
うちの少なくとも1種、Aはインジウム、タリウム、ガ
ドリニウム、サマリウムおよびジルコニウムのうちの少
なくとも1種であり、XおよびyはそれぞれOくx≦2
×10−1およびO<y≦5×10−2なる条件を満た
す数である)で表わされるものである。
輝尽による発光輝度の点から上記組成式のX値およびy
値のより好ましい範囲はそれぞれ10−6≦Xく5×1
0−3おょび10−5≦3≦10−3である。本発明の
螢光体はX線、γ線等の電離放射線、紫外線、電子線等
を照射した後、450乃至800nmの波長の光で励起
すると従来のセリウム付活フロロ・〜ロゲン化バリウム
螢光体よりも著しく高輝度の輝尽発光を示す。
値のより好ましい範囲はそれぞれ10−6≦Xく5×1
0−3おょび10−5≦3≦10−3である。本発明の
螢光体はX線、γ線等の電離放射線、紫外線、電子線等
を照射した後、450乃至800nmの波長の光で励起
すると従来のセリウム付活フロロ・〜ロゲン化バリウム
螢光体よりも著しく高輝度の輝尽発光を示す。
また本発明の螢光体は電離放射線、紫外線、電子線等の
励起によつても近紫外乃至青色の発光(瞬時発光)を示
す。さらに本発明の螢光体は電離放射線、紫外線、電子
線等で励起した後加熱すると高輝度の熱螢光を示す。上
記組成式で表わされる本発明の螢光体は以下に逮べる承
旧告一弁辻?十つヅ創ミ失弐h入先ず螢光体原料として
は(1)弗化バリウム(BaF2) (4)塩化バリウム(BaCl2)、臭化バリウム(B
aBr2)、沃化バリウム(BaI2)、塩化アンモニ
ウム(NH4Cl)、臭化アンモニウム(NH4Br)
および沃化アンモニウム(NH4l)からなる・・ロゲ
ン化物の1種もしくは2種以上、(9))硝酸セリウム
〔Ce(NO3)3〕、塩化セリウム(CeCl3)、
酸化セリウム(Ce2O3)等のセリウム化合物の1種
もしくは2種以上、およびσV)塩化物、弗化物、臭化
物、硝酸塩、酸化物等のインジウム化合物、タリウム化
合物、ガドリニウム化合物、サマリウム化合物およびジ
ルコニウム化合物からなる化合物群から選ばれる化合物
の1種もしくは2種以上が用いられる。
励起によつても近紫外乃至青色の発光(瞬時発光)を示
す。さらに本発明の螢光体は電離放射線、紫外線、電子
線等で励起した後加熱すると高輝度の熱螢光を示す。上
記組成式で表わされる本発明の螢光体は以下に逮べる承
旧告一弁辻?十つヅ創ミ失弐h入先ず螢光体原料として
は(1)弗化バリウム(BaF2) (4)塩化バリウム(BaCl2)、臭化バリウム(B
aBr2)、沃化バリウム(BaI2)、塩化アンモニ
ウム(NH4Cl)、臭化アンモニウム(NH4Br)
および沃化アンモニウム(NH4l)からなる・・ロゲ
ン化物の1種もしくは2種以上、(9))硝酸セリウム
〔Ce(NO3)3〕、塩化セリウム(CeCl3)、
酸化セリウム(Ce2O3)等のセリウム化合物の1種
もしくは2種以上、およびσV)塩化物、弗化物、臭化
物、硝酸塩、酸化物等のインジウム化合物、タリウム化
合物、ガドリニウム化合物、サマリウム化合物およびジ
ルコニウム化合物からなる化合物群から選ばれる化合物
の1種もしくは2種以上が用いられる。
上記各螢光体原料を化学量論的に(但しXは塩素、臭素
および沃素のうちの少なくとも1種、Aはインジウム、
タリウム、ガドリニウム、サマリウムおよびジルコニウ
ムのうちの少なくとも1種であり、xおよびyはそれぞ
れO〈x≦2×10−1およびO<y≦5×10−2な
る条件を満たす数である。以下同様である)なる混合組
成式となるように秤量し、ボールミルミキサーミル等を
用いて充分に混合する。ここで螢光体原料の1つとして
・・ロゲン化アンモニウム(NH4X)を用いる場合は
上記化学量論量以上の過剰の・・ロゲン(X)が原料混
合物中に存在しうる場合もあるが、これら過剰のハロゲ
ン(X)は以下に述べる焼成の過程でNH4Xとして反
応系外へ散逸する。次に上記原料混合物をアルミナルツ
ボ、石英ルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼
成を行なう。
および沃素のうちの少なくとも1種、Aはインジウム、
タリウム、ガドリニウム、サマリウムおよびジルコニウ
ムのうちの少なくとも1種であり、xおよびyはそれぞ
れO〈x≦2×10−1およびO<y≦5×10−2な
る条件を満たす数である。以下同様である)なる混合組
成式となるように秤量し、ボールミルミキサーミル等を
用いて充分に混合する。ここで螢光体原料の1つとして
・・ロゲン化アンモニウム(NH4X)を用いる場合は
上記化学量論量以上の過剰の・・ロゲン(X)が原料混
合物中に存在しうる場合もあるが、これら過剰のハロゲ
ン(X)は以下に述べる焼成の過程でNH4Xとして反
応系外へ散逸する。次に上記原料混合物をアルミナルツ
ボ、石英ルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼
成を行なう。
焼成温度は600乃至1000℃が適当であり、好まし
くは700乃至900℃である。焼成時間は原料混合物
の充填量、採用する焼成温度等によつて異なるが一般に
は1乃至6時間が適当である。焼成は空気中で行なつて
もよいが、アルゴンガス雰囲気、窒素ガス雰囲気等の中
性雰囲気あるいは炭素雰囲気、少量の水素ガスを含む窒
素ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気中で焼成するのが好ま
しい。なお、上記焼成条件で一度焼成した後焼成物を電
気炉外に取り出し、粉砕した後同一条件で再焼成を行な
えば得られる螢光体の発光輝度をさらに高めることがで
きる。焼成後得られる焼成物を粉砕し、その後洗浄、乾
燥、篩分け等の螢光体製造においで一般に採用されてい
る各種操作を行なつて本発明の螢光体を得る。なお、本
発明の螢光体は?水で分解し易いので、その洗浄は冷水
(15℃以下)あるいはアセトン、酢酸エチル、エチル
アルコール等の有機溶剤で行なう。上述のようにして製
造される本発明のフロロー・ロゲン化バリウム螢光体は
従来のセリウム付活フロロ・・ロゲン化バリウム螢光体
よりも高輝度の輝尽発光を示し、また高輝度の瞬時発光
および熱螢光を示す。第1図は本発明の螢光体の1つで
あるBaFBr:0.0005Ce10.0001Sm
螢光体に80KVp(7)X線を照射した後He−Ne
レーザー光で励起した場合の輝尽の発光スペクトルであ
る。
くは700乃至900℃である。焼成時間は原料混合物
の充填量、採用する焼成温度等によつて異なるが一般に
は1乃至6時間が適当である。焼成は空気中で行なつて
もよいが、アルゴンガス雰囲気、窒素ガス雰囲気等の中
性雰囲気あるいは炭素雰囲気、少量の水素ガスを含む窒
素ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気中で焼成するのが好ま
しい。なお、上記焼成条件で一度焼成した後焼成物を電
気炉外に取り出し、粉砕した後同一条件で再焼成を行な
えば得られる螢光体の発光輝度をさらに高めることがで
きる。焼成後得られる焼成物を粉砕し、その後洗浄、乾
燥、篩分け等の螢光体製造においで一般に採用されてい
る各種操作を行なつて本発明の螢光体を得る。なお、本
発明の螢光体は?水で分解し易いので、その洗浄は冷水
(15℃以下)あるいはアセトン、酢酸エチル、エチル
アルコール等の有機溶剤で行なう。上述のようにして製
造される本発明のフロロー・ロゲン化バリウム螢光体は
従来のセリウム付活フロロ・・ロゲン化バリウム螢光体
よりも高輝度の輝尽発光を示し、また高輝度の瞬時発光
および熱螢光を示す。第1図は本発明の螢光体の1つで
あるBaFBr:0.0005Ce10.0001Sm
螢光体に80KVp(7)X線を照射した後He−Ne
レーザー光で励起した場合の輝尽の発光スペクトルであ
る。
第1図から明らかなように、本発明のBaFBr:Ce
,.Sm螢光体はおよそ390nmにピークを有する近
紫外乃至青色の輝尽発光を示す。なお、このBaFBr
:Ce.Sm螢光体をX線、電子線、紫外線等で励起し
た時の瞬時発光の発光スペクトルも第1図に示される発
光スペクトルとほぼ同様であつた。第2図は本発明の螢
光体の1つであるBaFBr:0.0005Ce.0.
0001Sm螢光体に管電圧80KVpのX線を照射し
た後波長の異なる光エネルギーを照射した場合の輝尽に
よる発光強度の変化を示したもの、すなわちBaFBr
:0.0005Ce、0.0001Sm螢光体の輝尽の
励起スペクトルである。
,.Sm螢光体はおよそ390nmにピークを有する近
紫外乃至青色の輝尽発光を示す。なお、このBaFBr
:Ce.Sm螢光体をX線、電子線、紫外線等で励起し
た時の瞬時発光の発光スペクトルも第1図に示される発
光スペクトルとほぼ同様であつた。第2図は本発明の螢
光体の1つであるBaFBr:0.0005Ce.0.
0001Sm螢光体に管電圧80KVpのX線を照射し
た後波長の異なる光エネルギーを照射した場合の輝尽に
よる発光強度の変化を示したもの、すなわちBaFBr
:0.0005Ce、0.0001Sm螢光体の輝尽の
励起スペクトルである。
第2図から明らかなように、BaFBr:Ce.Sm螢
光体はおよそ450乃至800nmの波長の光で励起し
た場合に輝尽発光を示し、この波長範囲内でも特におよ
そ450乃至700nmの波長の光で励起した場合に高
輝度の輝尽発光を示す。
光体はおよそ450乃至800nmの波長の光で励起し
た場合に輝尽発光を示し、この波長範囲内でも特におよ
そ450乃至700nmの波長の光で励起した場合に高
輝度の輝尽発光を示す。
上述第1図および第2図はそれぞれ本発明のBaFBr
:Ce.Sm螢光体についての輝尽の発光および励起ス
ペクトルであるが、セリウムの共付活剤(A)がインジ
ウム、タリウム、ガドリニウムあるいはジルコニウムで
ある場合あるいはインジウム、タリウム、ガドリニウム
、サマリウムおよびジルコニウムのうちの2種以上から
なる場合、および螢光体母体成分である・・ロゲン(X
)が塩素あるいは沃素である場合あるいは塩素、臭素お
よび沃素のうちの2種以上からなる場合も輝尽の発光お
よび励起スペクトルは第1図および第2図に示されるB
aFBr:Ce.Sm螢光体の場合とほぼ同様であつた
。
:Ce.Sm螢光体についての輝尽の発光および励起ス
ペクトルであるが、セリウムの共付活剤(A)がインジ
ウム、タリウム、ガドリニウムあるいはジルコニウムで
ある場合あるいはインジウム、タリウム、ガドリニウム
、サマリウムおよびジルコニウムのうちの2種以上から
なる場合、および螢光体母体成分である・・ロゲン(X
)が塩素あるいは沃素である場合あるいは塩素、臭素お
よび沃素のうちの2種以上からなる場合も輝尽の発光お
よび励起スペクトルは第1図および第2図に示されるB
aFBr:Ce.Sm螢光体の場合とほぼ同様であつた
。
なお、従来のBaFX:Ce螢光体の輝尽の発光および
励起スペクトルも第1図および第2図に示されるBaF
Br:Ce.Sm螢光体の場合とほぼ同様である。この
ことから本発明の螢光体においてセリウムの共付活剤と
して用いられるインジウム、タリウム、ガドリニウム、
サマリウムおよびジルコニウムのうちの少なくとも1種
はセリウムの増感剤として作用しているものと考えられ
る。第3図は本発明の螢光体の1つであるBaFBr:
0.0003Ce,.ySm螢光体についてのサマリウ
ム量(y値)と、この螢光体に80KVp17)X線を
照射した後He−Neレーザー光で励起して輝尽を起さ
せた時の発光強度との関係を示すグラフである。
励起スペクトルも第1図および第2図に示されるBaF
Br:Ce.Sm螢光体の場合とほぼ同様である。この
ことから本発明の螢光体においてセリウムの共付活剤と
して用いられるインジウム、タリウム、ガドリニウム、
サマリウムおよびジルコニウムのうちの少なくとも1種
はセリウムの増感剤として作用しているものと考えられ
る。第3図は本発明の螢光体の1つであるBaFBr:
0.0003Ce,.ySm螢光体についてのサマリウ
ム量(y値)と、この螢光体に80KVp17)X線を
照射した後He−Neレーザー光で励起して輝尽を起さ
せた時の発光強度との関係を示すグラフである。
第3図において輝尽の発光強度を示す縦軸はサマリウム
が共付活されていない従来のBaFBr:0.0003
Ce螢光体の輝尽の発光強度を100とする相対値で示
してある。第3図から明らかなようにセリウム付活量(
x値)が一定である場合、y値がO<y≦5X10−2
の範囲にある場合にBaFBr:0.0003Ce..
ySm螢光体は従来のBaFBr:0.0003Ce螢
光体よりも高輝度の輝尽発光を示し、この範囲内でも特
に10−5≦y≦10−3である場合により一層高輝度
の輝尽発光を示す。なお、第3図はBaFBr:0.0
003Ce.ySm螢光体についてのy値と輝尽の発光
強度との関係を示すグラフであるが、x値が変化した場
合、およびセリウムの共付活剤(A)がインジウム、タ
リウム、ガドリニウムあるいはジルコニウムである場合
あるいはインジウム、タリウム、ガドリニウム、サマリ
ウムおよびジルコニウムのうちの2種以上からなる場合
もy値と輝尽の発光強度との関係は第3図とほぼ同様の
傾向にあることが確認された。また螢光体母体成分であ
る・・ロゲン(x)が塩素あるいは沃素である場合ある
いは塩素、臭素および沃素のうちの2種以上からなる場
合もy値と輝尽の発光強度との関係は第3図とほぼ同様
の傾向にあることが確認された。本発明のフロ畦・ロゲ
ン化バリウム螢光体におけるセリウム付活量(x値)範
囲はセリウムのみを付活した従来のフロロ・〜ロゲン化
バリウム螢光体の場合と同じくO<X≦2×10−1で
ある。
が共付活されていない従来のBaFBr:0.0003
Ce螢光体の輝尽の発光強度を100とする相対値で示
してある。第3図から明らかなようにセリウム付活量(
x値)が一定である場合、y値がO<y≦5X10−2
の範囲にある場合にBaFBr:0.0003Ce..
ySm螢光体は従来のBaFBr:0.0003Ce螢
光体よりも高輝度の輝尽発光を示し、この範囲内でも特
に10−5≦y≦10−3である場合により一層高輝度
の輝尽発光を示す。なお、第3図はBaFBr:0.0
003Ce.ySm螢光体についてのy値と輝尽の発光
強度との関係を示すグラフであるが、x値が変化した場
合、およびセリウムの共付活剤(A)がインジウム、タ
リウム、ガドリニウムあるいはジルコニウムである場合
あるいはインジウム、タリウム、ガドリニウム、サマリ
ウムおよびジルコニウムのうちの2種以上からなる場合
もy値と輝尽の発光強度との関係は第3図とほぼ同様の
傾向にあることが確認された。また螢光体母体成分であ
る・・ロゲン(x)が塩素あるいは沃素である場合ある
いは塩素、臭素および沃素のうちの2種以上からなる場
合もy値と輝尽の発光強度との関係は第3図とほぼ同様
の傾向にあることが確認された。本発明のフロ畦・ロゲ
ン化バリウム螢光体におけるセリウム付活量(x値)範
囲はセリウムのみを付活した従来のフロロ・〜ロゲン化
バリウム螢光体の場合と同じくO<X≦2×10−1で
ある。
輝尽の発光輝度の点からより好ましいX値範囲は10−
6〈X〈5×10−3である。以上説明したように、本
発明の螢光体はX線、紫外線、電子線等を照射した後4
50乃至800nmの波長の光で励起すると従来のセリ
ウム付活フロロ・〜ロゲン化バリウム螢光体よりも高輝
度の輝尽発光を示す。
6〈X〈5×10−3である。以上説明したように、本
発明の螢光体はX線、紫外線、電子線等を照射した後4
50乃至800nmの波長の光で励起すると従来のセリ
ウム付活フロロ・〜ロゲン化バリウム螢光体よりも高輝
度の輝尽発光を示す。
従つて本発明の螢光体を用いた蓄積型放射線像変換器は
従来のセリウム付活フカロ一・ロゲン化バリウム螢光体
を用いた放射線像変換器よりも高感度である。また本発
明の螢光体はX線、紫外線、電子線等で励起した場合に
高輝度の近紫外乃至青色の瞬時発光を示すので、放射線
増感紙、螢光ランプ、陰極線管等に利用することができ
る。さらに本発明の螢光体はX線、紫外線、電子線等で
励起した後加熱すると高輝度の熱螢光を示すので、熱螢
光線量計等に利用することができる。このように本発明
の工業的利用価値は非常に大きい。次に実施例によつて
本発明を説明する。
従来のセリウム付活フカロ一・ロゲン化バリウム螢光体
を用いた放射線像変換器よりも高感度である。また本発
明の螢光体はX線、紫外線、電子線等で励起した場合に
高輝度の近紫外乃至青色の瞬時発光を示すので、放射線
増感紙、螢光ランプ、陰極線管等に利用することができ
る。さらに本発明の螢光体はX線、紫外線、電子線等で
励起した後加熱すると高輝度の熱螢光を示すので、熱螢
光線量計等に利用することができる。このように本発明
の工業的利用価値は非常に大きい。次に実施例によつて
本発明を説明する。
実施例 1
上記各螢光体原料をボールミルで充分混合した後、アル
ミナルツポに充填して電気炉に入れ、炭素雰囲気中で8
00℃の温度で2時間焼成した。
ミナルツポに充填して電気炉に入れ、炭素雰囲気中で8
00℃の温度で2時間焼成した。
焼成後ルツボを電気炉から取り出し空気中で冷却した。
得られた焼成物を粉砕した後エチルアルコールで洗浄し
、乾燥後150メツシユの篩を通して粒子径をそろえた
。このようにしてBaFBr:0.0005Ce10.
00011n螢光体を得た。このBaFBr:0.00
05Ce,.0.0001In螢光体に80KVpf)
X線を照射した後、分を回折格子で分光して得た630
nmの光でこの螢光体を励起して輝尽の発光輝度を測定
した。その結果、この螢光体の輝尽の発光輝度はピーク
値で比較した場合、同一条件で測定した従来のBaFB
r:0.0005Ce螢光体の輝尽の発光輝度の約11
倍であつた。実施例 2 上記各螢光体原料をボールミルで充分混合した後、アル
ミナルツボに充填し、以下実施例1と同様にしてBaF
Br:0,0005Ce10.0001Sm螢光体を得
た。
得られた焼成物を粉砕した後エチルアルコールで洗浄し
、乾燥後150メツシユの篩を通して粒子径をそろえた
。このようにしてBaFBr:0.0005Ce10.
00011n螢光体を得た。このBaFBr:0.00
05Ce,.0.0001In螢光体に80KVpf)
X線を照射した後、分を回折格子で分光して得た630
nmの光でこの螢光体を励起して輝尽の発光輝度を測定
した。その結果、この螢光体の輝尽の発光輝度はピーク
値で比較した場合、同一条件で測定した従来のBaFB
r:0.0005Ce螢光体の輝尽の発光輝度の約11
倍であつた。実施例 2 上記各螢光体原料をボールミルで充分混合した後、アル
ミナルツボに充填し、以下実施例1と同様にしてBaF
Br:0,0005Ce10.0001Sm螢光体を得
た。
このBaFBr:0.0005Ce、0,0001Sm
螢光体に80KVpのX線を照射した後、分光器にセツ
トされたキセノンランプから発する光を回折格子で分光
して得た630nmの光でこの螢光体を励起して輝尽の
発光輝度を測定した。
螢光体に80KVpのX線を照射した後、分光器にセツ
トされたキセノンランプから発する光を回折格子で分光
して得た630nmの光でこの螢光体を励起して輝尽の
発光輝度を測定した。
その結果、この螢光体の輝尽の発光輝度はピーク値で比
較した場合、同一条件で測定した従来のBaFBr:0
.0005Ce螢光体の輝尽の発光輝度の約12倍であ
つた。
較した場合、同一条件で測定した従来のBaFBr:0
.0005Ce螢光体の輝尽の発光輝度の約12倍であ
つた。
実施例 3
上記各螢光体原料をボールミルで充分混合した後、アル
ミナルツボに充填し、以下実施例1と同様にしてBaF
Br:0.0005Ce,.0.00005Gd螢光体
を得た。
ミナルツボに充填し、以下実施例1と同様にしてBaF
Br:0.0005Ce,.0.00005Gd螢光体
を得た。
このBaFBr:0.0005Ce10.00005G
d螢光体に80KVpのX線を照射した後、分光器にセ
ツトされたキセノンランプから発する光を回折格子で分
光して得た630nmの光でこの螢光体を励起して輝尽
の発光輝度を測定した。
d螢光体に80KVpのX線を照射した後、分光器にセ
ツトされたキセノンランプから発する光を回折格子で分
光して得た630nmの光でこの螢光体を励起して輝尽
の発光輝度を測定した。
その結果、この螢光体の輝尽の発光輝度はピーク値で比
較した場合、同一条件で測定した従来のBaFBr:0
.0005Ce螢光体の輝尽の発光輝度の約8.5倍で
あつた。実施例 4 上記各螢光体原料をボールミルで充分混合した後、アル
ミナルツポに充填し、以下実施例1と同様にしてBaF
Cl:0.001Ce.0.00005Sm螢光体を得
た。
較した場合、同一条件で測定した従来のBaFBr:0
.0005Ce螢光体の輝尽の発光輝度の約8.5倍で
あつた。実施例 4 上記各螢光体原料をボールミルで充分混合した後、アル
ミナルツポに充填し、以下実施例1と同様にしてBaF
Cl:0.001Ce.0.00005Sm螢光体を得
た。
このBaFCl:0.001Ce10.00005Sm
螢光体に80KVpのX線を照射した後、この螢光体を
He−Neレーザー光で励起して輝尽の発光輝度を測定
した。
螢光体に80KVpのX線を照射した後、この螢光体を
He−Neレーザー光で励起して輝尽の発光輝度を測定
した。
その結果、この螢光体の輝尽の発光輝度はピーク値で比
較した場合、同一条件で測定した従来のBaFCl:0
.001Ce螢光体の輝尽の発光輝度の約10.5倍で
あつた。実施例 5上記各螢光体原料をボールミルで充
分混合した後、アルミナルツボに充填し750℃で3時
間焼成する以外は実施例1と同様にしてBaF(ClO
.4、BrO.6):0.0001Ce、0.0000
5Sm螢光体を得た。
較した場合、同一条件で測定した従来のBaFCl:0
.001Ce螢光体の輝尽の発光輝度の約10.5倍で
あつた。実施例 5上記各螢光体原料をボールミルで充
分混合した後、アルミナルツボに充填し750℃で3時
間焼成する以外は実施例1と同様にしてBaF(ClO
.4、BrO.6):0.0001Ce、0.0000
5Sm螢光体を得た。
このBaF(ClO.4、BrO.6):0.0001
Ce,.0.00005Sm螢光体に80KVpのX線
を照射した後、この螢光体をHe−Neレーザー光で励
起して輝尽の発光輝度を測定した。
Ce,.0.00005Sm螢光体に80KVpのX線
を照射した後、この螢光体をHe−Neレーザー光で励
起して輝尽の発光輝度を測定した。
その結果、この螢光体の輝尽の発光輝度はピーク値で比
較した場合、同一条件で測定した従来のBaF(ClO
.4、BrO.6):0,0001Ce螢光体の輝尽の
発光輝度の約11倍であつた。
較した場合、同一条件で測定した従来のBaF(ClO
.4、BrO.6):0,0001Ce螢光体の輝尽の
発光輝度の約11倍であつた。
実施例 6
上記各螢光体原料をボールミルで充分混合した後、アル
ミナルッポに充填し、以下実施例1と同様にしてBaF
Br:0.0005Ce10.0002T1螢光体を得
た。
ミナルッポに充填し、以下実施例1と同様にしてBaF
Br:0.0005Ce10.0002T1螢光体を得
た。
このBaFBr:0.0005Ce..0.0002T
1螢光体に80KVpf)X線を照射した後、この螢光
体をHe−Neレーザー光で励起して輝尽の発光輝度を
測定した。
1螢光体に80KVpf)X線を照射した後、この螢光
体をHe−Neレーザー光で励起して輝尽の発光輝度を
測定した。
その結果、この螢光体の輝尽の発光輝度はピーク値で比
較した場合、同一条件で測定した従来のBaFBr:0
.0005Ce螢光体の輝尽の発光輝度の約6倍であつ
た。実施例 7上記各螢光体原料をボールミルで充分混
合した後、アルミナルツボに充填し、以下実施例1と同
様にしてBaFBr:0.0005Ce10.0002
Zr螢光体を得た。
較した場合、同一条件で測定した従来のBaFBr:0
.0005Ce螢光体の輝尽の発光輝度の約6倍であつ
た。実施例 7上記各螢光体原料をボールミルで充分混
合した後、アルミナルツボに充填し、以下実施例1と同
様にしてBaFBr:0.0005Ce10.0002
Zr螢光体を得た。
このBaFBr;0.0005Ce,.0.0002Z
r螢光体に80KVpf)X線を照射した後、この螢光
体をHe−Neレーザー光で励起して輝尽の発光輝度を
測定した。
r螢光体に80KVpf)X線を照射した後、この螢光
体をHe−Neレーザー光で励起して輝尽の発光輝度を
測定した。
その結果、この螢光体の輝尽の発光輝度はピーク値で比
較した場合、同一条件で測定した従来のBaFBr:0
.0005Ce螢光体の輝尽の発光輝度の約4,5倍で
あつた。実施例 8上記各螢光体原料をポールミルで充
分混合した後、アルミナルツボに充填し、以下実施例1
と同様にしてBaFBr:0.0005Ce10.00
005Sm、0.000021n螢光体を得た。
較した場合、同一条件で測定した従来のBaFBr:0
.0005Ce螢光体の輝尽の発光輝度の約4,5倍で
あつた。実施例 8上記各螢光体原料をポールミルで充
分混合した後、アルミナルツボに充填し、以下実施例1
と同様にしてBaFBr:0.0005Ce10.00
005Sm、0.000021n螢光体を得た。
このBaFBr:0,0005Ce10。
00005Sm、0.000021n螢光体に80KV
p(71)X線を照射した後、この螢光体をHe−Ne
レーザー光で励起して輝尽の発光輝度を測定した。
p(71)X線を照射した後、この螢光体をHe−Ne
レーザー光で励起して輝尽の発光輝度を測定した。
その結果、この螢光体の輝尽の発光輝度はピーク値で比
較した場合、同一条件で測定した従来のBaFBr:0
.0005Ce螢光体の輝尽の発光輝度の約10.5倍
であつた。
較した場合、同一条件で測定した従来のBaFBr:0
.0005Ce螢光体の輝尽の発光輝度の約10.5倍
であつた。
第1図は本発明の螢光体の輝尽の発光スペクトルである
。
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 組成式が BaFX:xCe、yA (但しXは塩素、臭素および沃素のうちの少なくとも1
種、Aはインジウム、タリウム、ガドリニウム、サマリ
ウムおよびジルコニウムのうちの少なくとも1種であり
、xおよびyはそれぞれ0<X≦2×10^−^1およ
び0<y≦5×10^−^2なる条件を満たす数である
)で表わされるフロロハロゲン化バリウム螢光体。 2 前記xが10^−^6≦x≦5×10^−^3なる
条件を満たす数であることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載のフロロハロゲン化バリウム螢光体。 3 前記yが10^−^5≦y≦10^−^3なる条件
を満たす数であることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載のフロロハロゲン化バリウム螢光体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53159449A JPS5944334B2 (ja) | 1978-12-21 | 1978-12-21 | 螢光体 |
US06/104,857 US4261854A (en) | 1978-12-21 | 1979-12-18 | Phosphor |
DE2951516A DE2951516C2 (de) | 1978-12-21 | 1979-12-20 | Bariumfluorghalogenid-Leuchtstoff |
NLAANVRAGE7909225,A NL189764C (nl) | 1978-12-21 | 1979-12-20 | Luminescerend bariumfluoridehalogenide. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53159449A JPS5944334B2 (ja) | 1978-12-21 | 1978-12-21 | 螢光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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