JPH0514751B2 - - Google Patents
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Landscapes
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明はタリウム元素付活系で付活したアルカ
リハライド蛍光体を用いた放射線画像変換方法に
関する。 （従来技術） 従来アルカリハライド蛍光体としてはCsI：
Na、CsI：Tl、CsBr：Tl、RbBr：Eu、RbCl：
Eu、KCl：Tl、LiF：Mg等が知られており、こ
の中でCsI：NaやCsI：TlはＸ線用I.I.管に応用さ
れており、CsBr：Tlも同様な用途への応用が試
みられている。またRbBr：Eu、、RbCl：Euや
LiF：Mgは熱輝尽性蛍光体であることが知られ
ており、KCl：Tlも輝尽現象を示すことが知られ
ている。 ところで、この蛍光体は輝尽性蛍光体として被
写体を透過した放射線を吸収せしめ、その後長波
長可視光および赤外線の一方またはその両方を照
射することによつて蛍光体が蓄積した放射線エネ
ルギーを蛍光として放出させ、それを検出するこ
とによつて被写体の放射線像を得る蓄積型放射線
画像変換パネルとしても利用できることがわかつ
ているが、このような放射線画像変換パネルとし
て使用する際には、人が被写体となる場が多いの
で、被写体の被曝線量をできるだけ軽減させる必
要から、それに用いる蛍光体としてはより輝尽発
光効率の高い蛍光体が望まれている。また、読取
時間と解像力及び放射線画像変換パネルの読取面
積の関係から実用上１画素当たりの走査時間は
10μsec程度であるので、これ以下の輝尽発光寿命
を有する蛍光体が望まれている。さらに、また読
取時に輝尽発光による残光があるとSN比を劣化
させる原因となるので、この残光現象を示さない
蛍光体が望まれている。即ちこれらの要望を満す
放射線画像変換方法が望まれている。 （発明の目的） 本発明はこのような要望に基づいてなされたも
のであり、より高輝度の輝尽発光を示す蛍光体、
輝尽励起した際の発光時間が短い蛍光体、さらに
また輝尽発光による残光がない蛍光体を用いた放
射線画像変換方法を提供することを目的としてい
る。 （発明の構成） 本発明者等は前記本発明の目的に沿つて検討し
た結果； 被写体を透過した放射線を下記一般式（）で
示されるタリウム元素付活ハロゲン化ルビジウム
輝尽性蛍光体の少なくとも一つに吸収せしめ、し
かる後、この輝尽性蛍光体を可視光及び／または
赤外線から選ばれる電磁波で励起して前記輝尽性
蛍光体が蓄積している前記放射線のエネルギーを
蛍光として放出せしめ、この蛍光を検出して放射
線画像を得ることを特徴とする放射線画像変換方
法によつて達成される。 一般式（） （１−ｘ）RbBr・xM〓Ｉ・aM〓X′2・bM〓X″3：cTl
・dA （ただし、M〓はRbまたはCsから選ばれる少な
くとも一種のアルカリ金属であり、M〓はBe，
Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，CdおよびNiから選ばれ
る少なくとも一種の二価金属であり、M〓はSc，
Ｙ，La，Pm，Lu，Al，GaおよびInから選ばれ
る少なくとも一種の三価金属であり、X′および
X″はＦ，Cl，BrおよびＩから選ばれる少なくと
も一種のハロゲンであり、ＡはEu，Tb，Ce，
Tm，Dy，Pr，Ho，Nd，Yb，Er，Gd，Sm，
Na，Ag，Cu，Pb，BiおよびMnから選ばれる少
なくとも一種の金属である。 また、ｘ，ａ，ｂ，ｃおよびｄはそれぞれ、０
＜ｘ＜0.9、０≦ａ＜0.5、０≦ｂ＜0.5、０＜ｃ＜
0.2、０≦ｄ＜0.2の範囲の数値である。） 前記一般式(1)を有する本発明に係るアルカリハ
ライド蛍光体に、Ｘ線、紫外線、電子線などの放
射線を照射したのち、前記蛍光体を可視光および
赤外線の一方またはその両方を照射して輝尽励起
すると、従来より知られているアルカリハライド
蛍光体を用いて同様の操作を行つた場合に比較し
て明らかに強い輝尽発光を示す。 また前記組成式を有する本発明に係るアルカリ
ハライド蛍光体に、Ｘ線、紫外線、電子線などの
放射線を照射したのち、前記蛍光体を可視光およ
び赤外線の一方またはその両方をその強度が矩形
に変化するようにして照射し輝尽励起すると、従
来より知られているアルカリハライド蛍光体を用
いて同様の操作を行つた場合に比較して明らかに
輝尽励起光に対する応答性が良く、また、輝尽の
残光も少ない。 即ち本発明に係る組成の輝尽性蛍光体は可視か
ら赤外の領域の電磁波で励起すると従来公知の輝
尽性蛍光体よりも高輝度の輝尽発光を示し、しか
も近赤外領域で特に実用的に高感度な放射線画像
変換方法が得られるものである。 本発明の放射線画像変換方法は、前記一般式
（）の輝尽性蛍光体を含有する放射線画像変換
パネルを用いる形態で実施される。 放射線画像変換パネルは、従来から知られてい
るように基本的には支持体と、その片面あるいは
両面に設けられた少なくとも一層の輝尽性蛍光体
層とからなるものである。また一般に、この輝尽
性蛍光体層の支持体とは反対側の表面には輝尽性
蛍光体層を化学的あるいは物理的に保護するため
の保護層が設けられている。すなわち、本発明の
放射線画像変換方法は、支持体と、この支持体上
に設けられた輝尽性蛍光体を含有する少なくとも
一層の輝尽性蛍光体層とから実質的になる放射線
画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍光体層の内
の少なくとも一層が、前記一般式（）で表わさ
れる輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする放
射線画像変換パネルを用いて実施される。 前記一般式（）の輝尽性蛍光体はＸ線などの
放射線を吸収した後、可視あるいは赤外領域の
光、好ましくは500〜900nmの波長領域の光（励
起光）の照射を受けると輝尽発光を示す。従つ
て、被写体を透過した、あるいは被写体から発せ
られた放射線を、その放射線量に比例して放射線
画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽
性蛍光体に吸収させ、前記放射線画像変換パネル
上に被写体あるいは被写体の放射線画像を、放射
線エネルギーを蓄積した潜像として形成させる。
次にこの潜像を、500nm以上の波長領域の励起光
で励起することにより、蓄積した放射線エネルギ
ーに比例した輝尽発光を示放射させ、この輝尽発
光を光検出器で光電的に読み取ることにより、放
射線エネルギーを蓄積した潜像を可視画像化する
ことが可能となる。 本発明の方法に用いられる励起光源としては、
放射線画像変換パネルに使用される輝尽性蛍光体
の輝尽励起波長を含む光源が使用でき、He−Ne
レーザ半導体レーザ光などが好適である。 光検出器としては、従来から用いられる光電
管、光電子倍増管、フオトダイオードなどが用い
られる。 次に本発明に係るアルカリハライド蛍光体につ
いて詳しく説明する。 本発明の前記一般式（）で表わされる蛍光体
は以下に述べる製造方法で製造される。 先ず蛍光体原料としては、 () RbBr () RbI，CsIのうちの１種 () BeF2，BeCl2，BeBr2，BeI2，MgF2，
MgCl2，MgBr2，MgI2，CaF2，CaCl2，
CaBr2，CaI2，SrF2，SrCl2，SrBr2，SrI2，
BaF2，BaCl2，BaBr2，BaBr2・2H2O，BaI2，
ZnF2，ZnCl2，ZnBr2，ZnI2，CdF2，CdCl2，
CdBr2，CdI2，NiF2，NiCl2，NiBr2，NiI2の
うちの１種もしくは２種以上 () ScF3，ScCl3，ScBr3，ScI3，YF3，YCl3，
YBr3，Yl3，LaF3，LaCl3，LaBr3，LaI3，
PmF3，PmCl3，PmBr3，PmI3，LuF3，
LuCl3，LuBr3，LuI3，AlF3，AlCl3，AlBr3，
AlI3，GaF3，GaCl3，GaBr3，GaI3，InF3，
InCl3，InBr3，InI3のうちの１種もしくは２種
以上、 () TIF，TlCl，TlBr，TlI，Tl2O，Hl2O3等
のタリウム化合物のうちの１種もしくは２種以
上、 および () Eu化合物群、Tb化合物群、Ce化合物群、
Tm化合物群、Dy化合物群、Pr化合物群、Ho
化合物群、Nd化合物群、Yb化合物群、Er化合
物群、Gd化合物群、Sm化合物群、Na化合物
群、Ag化合物群、Cu化合物群、Pb化合物群、
Bi化合物群、Mn化合物群のうちの１種もしく
は２種以上の共付活剤原料が用いられる。 前記原料を化学量論的に （１−ｘ）RbBr・xM〓Ｉ・aM〓X′2・bM〓
X″3：cTl・dA（但し、M〓はRbまたはCsから選
ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、
M〓はBe，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，CdおよびNi
から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、
M〓はSc，Ｙ，La，Pm，Lu，Al，GaおよびIn
から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、
X′およびX″はＦ，Cl，BrおよびＩから選ばれる
少なくとも一種のハロゲンであり、ＡはEu，
Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，Ho，Nd，Yb，Gd，
Sm，Na，Ag，Cu，Pb，BiおよびMnから選ば
れる少なくとも一種の金属である。 また、ｘ，ａ，ｂ，ｃおよびはそれぞれ０＜ｘ
＜0.9、０≦ａ＜0.5、０≦ｂ＜0.5、０＜ｃ＜0.2、
０≦ｄ＜0.2の範囲の数値である。） なる混合組成式となるように上記（）〜（）
の蛍光体原料を秤量し、ボールミル、ミキサーミ
ル、乳鉢等を用いて充分に混合する。 本発明に係る蛍光体においては、輝尽発光輝
度、輝尽励起光に対する応答性あるいは輝尽の残
光の点から、前記組成式のｂおよびｃはそれぞ
れ、０≦ｂ＜10-2および10-6≦ｃ≦0.1の範囲で
あることが好ましく、M〓はＹ，La，Lu，Al，
GaおよびInから選ばれる少なくも一種の三価金
属であることが好ましく、X″はＦ，ClおよびBr
から選ばれる少なくも一種のハロゲンであること
が好ましく、M〓はBe，Mg，Ca，SrおよびBaか
ら選ばれる少なくも一種のアルカリ土類金属であ
ることが好ましい。 次に、得られた蛍光体原料混合物を石英ルツボ
或はアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電
気炉中で焼成を行う。焼成温度は450乃至1000℃
が適当である。焼成時間は原料混合物の充填量、
焼成温度等によつて異なるが、一般には0.5乃至
６時間が適当である。焼成雰囲気としては少量の
水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭
素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、あ
るいは窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の
中性雰囲気が好ましい。なお、上記の焼成条件で
一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して
粉砕し、しかる後焼成物粉末を再び耐熱性容器に
充填して電気炉に入れ、上記と同じ焼成条件で再
焼成を行えば蛍光体の発光輝度を更に高めること
ができる。また、焼成物を焼成温度より室温に冷
却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中
で放冷することによつても所望の蛍光体を得るこ
とができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気も
しくは中性雰囲気のままで冷却する方が、得られ
た蛍光体の輝尽発光輝度をさらに高めることがで
きる。また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却
部へ移動させて、弱還元性雰囲気もしくは中性雰
囲気で急冷することにより、得られた蛍光体の輝
尽発光輝度をより一層高めることができる。 焼成後得られる蛍光体を粉砕し、その後洗浄、
乾燥、篩い分け等の蛍光体製造に於いて一般に採
用されている各種操作によつて処理して本発明に
係る蛍光体を得る。 以上のようにして得られた本発明の蛍光体 （１−ｘ）RbBr・xM〓Ｉ・aM〓X′2・bM〓
X″3：cTl・dAの輝尽発光スペクトルを第１図に
例示した。具体的な組成は下記の通りである。 0.97RbBr・0.03CsF：0.002Tl すなわち前記蛍光体に80KVpのＸ線を照射し
た後、該蛍光体を発振波長が780nmの半導体レー
ザーで励起することによつて測定した発光スペク
トルである。 また第２図に本発明の蛍光体 （１−ｘ）RbBr・xM〓Ｉ・aM〓X′2・bM〓
X″3：cTl・dAの輝尽励起スペクトルの一例を図
示した。80KVpのＸ線を照射した前記蛍光体の
輝尽励起スペクトルである。 （実施例） 次に実施例及び参照例、比較例によつて本発明
を具体的に説明する。尚試料(1)〜(9)及び(13)〜(18)は
参照例である。 実施例１、参照例１ 各蛍光体原料を下記(1)〜(18)に示されるように秤
量した後、ボールミルを用いて充分に混合して18
種類の蛍光体原料混合物を調合した。
リハライド蛍光体を用いた放射線画像変換方法に
関する。 （従来技術） 従来アルカリハライド蛍光体としてはCsI：
Na、CsI：Tl、CsBr：Tl、RbBr：Eu、RbCl：
Eu、KCl：Tl、LiF：Mg等が知られており、こ
の中でCsI：NaやCsI：TlはＸ線用I.I.管に応用さ
れており、CsBr：Tlも同様な用途への応用が試
みられている。またRbBr：Eu、、RbCl：Euや
LiF：Mgは熱輝尽性蛍光体であることが知られ
ており、KCl：Tlも輝尽現象を示すことが知られ
ている。 ところで、この蛍光体は輝尽性蛍光体として被
写体を透過した放射線を吸収せしめ、その後長波
長可視光および赤外線の一方またはその両方を照
射することによつて蛍光体が蓄積した放射線エネ
ルギーを蛍光として放出させ、それを検出するこ
とによつて被写体の放射線像を得る蓄積型放射線
画像変換パネルとしても利用できることがわかつ
ているが、このような放射線画像変換パネルとし
て使用する際には、人が被写体となる場が多いの
で、被写体の被曝線量をできるだけ軽減させる必
要から、それに用いる蛍光体としてはより輝尽発
光効率の高い蛍光体が望まれている。また、読取
時間と解像力及び放射線画像変換パネルの読取面
積の関係から実用上１画素当たりの走査時間は
10μsec程度であるので、これ以下の輝尽発光寿命
を有する蛍光体が望まれている。さらに、また読
取時に輝尽発光による残光があるとSN比を劣化
させる原因となるので、この残光現象を示さない
蛍光体が望まれている。即ちこれらの要望を満す
放射線画像変換方法が望まれている。 （発明の目的） 本発明はこのような要望に基づいてなされたも
のであり、より高輝度の輝尽発光を示す蛍光体、
輝尽励起した際の発光時間が短い蛍光体、さらに
また輝尽発光による残光がない蛍光体を用いた放
射線画像変換方法を提供することを目的としてい
る。 （発明の構成） 本発明者等は前記本発明の目的に沿つて検討し
た結果； 被写体を透過した放射線を下記一般式（）で
示されるタリウム元素付活ハロゲン化ルビジウム
輝尽性蛍光体の少なくとも一つに吸収せしめ、し
かる後、この輝尽性蛍光体を可視光及び／または
赤外線から選ばれる電磁波で励起して前記輝尽性
蛍光体が蓄積している前記放射線のエネルギーを
蛍光として放出せしめ、この蛍光を検出して放射
線画像を得ることを特徴とする放射線画像変換方
法によつて達成される。 一般式（） （１−ｘ）RbBr・xM〓Ｉ・aM〓X′2・bM〓X″3：cTl
・dA （ただし、M〓はRbまたはCsから選ばれる少な
くとも一種のアルカリ金属であり、M〓はBe，
Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，CdおよびNiから選ばれ
る少なくとも一種の二価金属であり、M〓はSc，
Ｙ，La，Pm，Lu，Al，GaおよびInから選ばれ
る少なくとも一種の三価金属であり、X′および
X″はＦ，Cl，BrおよびＩから選ばれる少なくと
も一種のハロゲンであり、ＡはEu，Tb，Ce，
Tm，Dy，Pr，Ho，Nd，Yb，Er，Gd，Sm，
Na，Ag，Cu，Pb，BiおよびMnから選ばれる少
なくとも一種の金属である。 また、ｘ，ａ，ｂ，ｃおよびｄはそれぞれ、０
＜ｘ＜0.9、０≦ａ＜0.5、０≦ｂ＜0.5、０＜ｃ＜
0.2、０≦ｄ＜0.2の範囲の数値である。） 前記一般式(1)を有する本発明に係るアルカリハ
ライド蛍光体に、Ｘ線、紫外線、電子線などの放
射線を照射したのち、前記蛍光体を可視光および
赤外線の一方またはその両方を照射して輝尽励起
すると、従来より知られているアルカリハライド
蛍光体を用いて同様の操作を行つた場合に比較し
て明らかに強い輝尽発光を示す。 また前記組成式を有する本発明に係るアルカリ
ハライド蛍光体に、Ｘ線、紫外線、電子線などの
放射線を照射したのち、前記蛍光体を可視光およ
び赤外線の一方またはその両方をその強度が矩形
に変化するようにして照射し輝尽励起すると、従
来より知られているアルカリハライド蛍光体を用
いて同様の操作を行つた場合に比較して明らかに
輝尽励起光に対する応答性が良く、また、輝尽の
残光も少ない。 即ち本発明に係る組成の輝尽性蛍光体は可視か
ら赤外の領域の電磁波で励起すると従来公知の輝
尽性蛍光体よりも高輝度の輝尽発光を示し、しか
も近赤外領域で特に実用的に高感度な放射線画像
変換方法が得られるものである。 本発明の放射線画像変換方法は、前記一般式
（）の輝尽性蛍光体を含有する放射線画像変換
パネルを用いる形態で実施される。 放射線画像変換パネルは、従来から知られてい
るように基本的には支持体と、その片面あるいは
両面に設けられた少なくとも一層の輝尽性蛍光体
層とからなるものである。また一般に、この輝尽
性蛍光体層の支持体とは反対側の表面には輝尽性
蛍光体層を化学的あるいは物理的に保護するため
の保護層が設けられている。すなわち、本発明の
放射線画像変換方法は、支持体と、この支持体上
に設けられた輝尽性蛍光体を含有する少なくとも
一層の輝尽性蛍光体層とから実質的になる放射線
画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍光体層の内
の少なくとも一層が、前記一般式（）で表わさ
れる輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする放
射線画像変換パネルを用いて実施される。 前記一般式（）の輝尽性蛍光体はＸ線などの
放射線を吸収した後、可視あるいは赤外領域の
光、好ましくは500〜900nmの波長領域の光（励
起光）の照射を受けると輝尽発光を示す。従つ
て、被写体を透過した、あるいは被写体から発せ
られた放射線を、その放射線量に比例して放射線
画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に含まれる輝尽
性蛍光体に吸収させ、前記放射線画像変換パネル
上に被写体あるいは被写体の放射線画像を、放射
線エネルギーを蓄積した潜像として形成させる。
次にこの潜像を、500nm以上の波長領域の励起光
で励起することにより、蓄積した放射線エネルギ
ーに比例した輝尽発光を示放射させ、この輝尽発
光を光検出器で光電的に読み取ることにより、放
射線エネルギーを蓄積した潜像を可視画像化する
ことが可能となる。 本発明の方法に用いられる励起光源としては、
放射線画像変換パネルに使用される輝尽性蛍光体
の輝尽励起波長を含む光源が使用でき、He−Ne
レーザ半導体レーザ光などが好適である。 光検出器としては、従来から用いられる光電
管、光電子倍増管、フオトダイオードなどが用い
られる。 次に本発明に係るアルカリハライド蛍光体につ
いて詳しく説明する。 本発明の前記一般式（）で表わされる蛍光体
は以下に述べる製造方法で製造される。 先ず蛍光体原料としては、 () RbBr () RbI，CsIのうちの１種 () BeF2，BeCl2，BeBr2，BeI2，MgF2，
MgCl2，MgBr2，MgI2，CaF2，CaCl2，
CaBr2，CaI2，SrF2，SrCl2，SrBr2，SrI2，
BaF2，BaCl2，BaBr2，BaBr2・2H2O，BaI2，
ZnF2，ZnCl2，ZnBr2，ZnI2，CdF2，CdCl2，
CdBr2，CdI2，NiF2，NiCl2，NiBr2，NiI2の
うちの１種もしくは２種以上 () ScF3，ScCl3，ScBr3，ScI3，YF3，YCl3，
YBr3，Yl3，LaF3，LaCl3，LaBr3，LaI3，
PmF3，PmCl3，PmBr3，PmI3，LuF3，
LuCl3，LuBr3，LuI3，AlF3，AlCl3，AlBr3，
AlI3，GaF3，GaCl3，GaBr3，GaI3，InF3，
InCl3，InBr3，InI3のうちの１種もしくは２種
以上、 () TIF，TlCl，TlBr，TlI，Tl2O，Hl2O3等
のタリウム化合物のうちの１種もしくは２種以
上、 および () Eu化合物群、Tb化合物群、Ce化合物群、
Tm化合物群、Dy化合物群、Pr化合物群、Ho
化合物群、Nd化合物群、Yb化合物群、Er化合
物群、Gd化合物群、Sm化合物群、Na化合物
群、Ag化合物群、Cu化合物群、Pb化合物群、
Bi化合物群、Mn化合物群のうちの１種もしく
は２種以上の共付活剤原料が用いられる。 前記原料を化学量論的に （１−ｘ）RbBr・xM〓Ｉ・aM〓X′2・bM〓
X″3：cTl・dA（但し、M〓はRbまたはCsから選
ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、
M〓はBe，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，CdおよびNi
から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、
M〓はSc，Ｙ，La，Pm，Lu，Al，GaおよびIn
から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、
X′およびX″はＦ，Cl，BrおよびＩから選ばれる
少なくとも一種のハロゲンであり、ＡはEu，
Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，Ho，Nd，Yb，Gd，
Sm，Na，Ag，Cu，Pb，BiおよびMnから選ば
れる少なくとも一種の金属である。 また、ｘ，ａ，ｂ，ｃおよびはそれぞれ０＜ｘ
＜0.9、０≦ａ＜0.5、０≦ｂ＜0.5、０＜ｃ＜0.2、
０≦ｄ＜0.2の範囲の数値である。） なる混合組成式となるように上記（）〜（）
の蛍光体原料を秤量し、ボールミル、ミキサーミ
ル、乳鉢等を用いて充分に混合する。 本発明に係る蛍光体においては、輝尽発光輝
度、輝尽励起光に対する応答性あるいは輝尽の残
光の点から、前記組成式のｂおよびｃはそれぞ
れ、０≦ｂ＜10-2および10-6≦ｃ≦0.1の範囲で
あることが好ましく、M〓はＹ，La，Lu，Al，
GaおよびInから選ばれる少なくも一種の三価金
属であることが好ましく、X″はＦ，ClおよびBr
から選ばれる少なくも一種のハロゲンであること
が好ましく、M〓はBe，Mg，Ca，SrおよびBaか
ら選ばれる少なくも一種のアルカリ土類金属であ
ることが好ましい。 次に、得られた蛍光体原料混合物を石英ルツボ
或はアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電
気炉中で焼成を行う。焼成温度は450乃至1000℃
が適当である。焼成時間は原料混合物の充填量、
焼成温度等によつて異なるが、一般には0.5乃至
６時間が適当である。焼成雰囲気としては少量の
水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭
素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、あ
るいは窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の
中性雰囲気が好ましい。なお、上記の焼成条件で
一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して
粉砕し、しかる後焼成物粉末を再び耐熱性容器に
充填して電気炉に入れ、上記と同じ焼成条件で再
焼成を行えば蛍光体の発光輝度を更に高めること
ができる。また、焼成物を焼成温度より室温に冷
却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中
で放冷することによつても所望の蛍光体を得るこ
とができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気も
しくは中性雰囲気のままで冷却する方が、得られ
た蛍光体の輝尽発光輝度をさらに高めることがで
きる。また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却
部へ移動させて、弱還元性雰囲気もしくは中性雰
囲気で急冷することにより、得られた蛍光体の輝
尽発光輝度をより一層高めることができる。 焼成後得られる蛍光体を粉砕し、その後洗浄、
乾燥、篩い分け等の蛍光体製造に於いて一般に採
用されている各種操作によつて処理して本発明に
係る蛍光体を得る。 以上のようにして得られた本発明の蛍光体 （１−ｘ）RbBr・xM〓Ｉ・aM〓X′2・bM〓
X″3：cTl・dAの輝尽発光スペクトルを第１図に
例示した。具体的な組成は下記の通りである。 0.97RbBr・0.03CsF：0.002Tl すなわち前記蛍光体に80KVpのＸ線を照射し
た後、該蛍光体を発振波長が780nmの半導体レー
ザーで励起することによつて測定した発光スペク
トルである。 また第２図に本発明の蛍光体 （１−ｘ）RbBr・xM〓Ｉ・aM〓X′2・bM〓
X″3：cTl・dAの輝尽励起スペクトルの一例を図
示した。80KVpのＸ線を照射した前記蛍光体の
輝尽励起スペクトルである。 （実施例） 次に実施例及び参照例、比較例によつて本発明
を具体的に説明する。尚試料(1)〜(9)及び(13)〜(18)は
参照例である。 実施例１、参照例１ 各蛍光体原料を下記(1)〜(18)に示されるように秤
量した後、ボールミルを用いて充分に混合して18
種類の蛍光体原料混合物を調合した。
【表】
【表】
【表】
次に前記18種類の蛍光体原料混合物をそれぞれ
石英ボートに詰めて電気炉に入れ焼成を行つた。
焼成は２容量％の水素ガスを含む窒素ガスを流速
2500c.c.／分で流しながら650℃で２時間行い、そ
の後室温まで放冷した。 得られた焼成物をボールミルを用いて粉砕した
後、150メツシユの篩にかけて粒子径をそろえ、
それぞれの蛍光体試料(1)〜(18)を得た。 前記蛍光体試料(1)〜(18)を夫々測定用ホルダに詰
めＸ線管球焦点から100cmの距離において管電圧
80KVp、管電流100mAのＸ線を0.1秒照射した
後、これを10mWのHe−Neレーザ光（633nm）
で励起し、その蛍光体から放射される輝尽による
蛍光を光検出器で測定した。結果を第１表に示
す。 比較例 １ 実施例１において蛍光体原料をKCl74.56ｇ
（１モル）、Tl2O 0.424ｇ（0.001モル）としたこ
と以外は実施例１と同様にして蛍光体KCl：
0.002Tlを得た。この蛍光体を用いて実施例１と
同様にして比較試料(1)を得、更に実施例１と同様
にHe−Neレーザ（633nm、10mW）を用いて輝
尽発光輝度を測定した。結果を第１表に併記す
る。
石英ボートに詰めて電気炉に入れ焼成を行つた。
焼成は２容量％の水素ガスを含む窒素ガスを流速
2500c.c.／分で流しながら650℃で２時間行い、そ
の後室温まで放冷した。 得られた焼成物をボールミルを用いて粉砕した
後、150メツシユの篩にかけて粒子径をそろえ、
それぞれの蛍光体試料(1)〜(18)を得た。 前記蛍光体試料(1)〜(18)を夫々測定用ホルダに詰
めＸ線管球焦点から100cmの距離において管電圧
80KVp、管電流100mAのＸ線を0.1秒照射した
後、これを10mWのHe−Neレーザ光（633nm）
で励起し、その蛍光体から放射される輝尽による
蛍光を光検出器で測定した。結果を第１表に示
す。 比較例 １ 実施例１において蛍光体原料をKCl74.56ｇ
（１モル）、Tl2O 0.424ｇ（0.001モル）としたこ
と以外は実施例１と同様にして蛍光体KCl：
0.002Tlを得た。この蛍光体を用いて実施例１と
同様にして比較試料(1)を得、更に実施例１と同様
にHe−Neレーザ（633nm、10mW）を用いて輝
尽発光輝度を測定した。結果を第１表に併記す
る。
【表】
第１表より本発明に係る前記蛍光体試料(10)〜(12)
の輝尽による発光輝度は、比較例１に示した従来
の蛍光体KCl：0.002Tlよりなる比較試料(1)を同
一条件で測定した輝尽による発光輝度より大であ
る。 また、本発明に係る前記試料(10)〜(12)の蛍光体
は、本発明に近い組成を有する参照例の試料(1)〜
(9)及び(13)〜(18)の蛍光体に比較して平均して３〜４
割の高感度を有している。 （発明の効果） 以上説明したように、本発明に係る蛍光体は放
射線を照射した後に、可視光および赤外線の一方
またはその両方を照射して輝尽励起したときの輝
尽発光輝度が、従来のアルカリハライド蛍光体に
比較して著しく増大するものである。また、本発
明に係る蛍光体は放射線を照射した後に、可視光
および赤外線の一方またはその両方を照射して輝
尽励起したときの輝尽発光の応答特性および輝尽
の残光特性についても、従来のアルカリハライド
蛍光体に比較して改善される。 従つて、本発明に係る輝尽性蛍光体は放射線に
対する感度が高いため、本発明の放射線画像変換
方法をＸ線診断等に利用する場合、被写体のＸ線
被曝量を低減することが可能となる。 また本発明に係る輝尽性蛍光体は励起光に対す
る応答速度および蓄積エネルギー（残光）の消去
速度が速いため、本発明の放射線画像変換方法に
おける放射線画像読取り速度を高速化し、残像の
消去時間を短縮してシステムの運転効率を向上さ
せることが可能である。 さらにまた、本発明に係る輝尽性蛍光体の輝尽
励起スペクトルは半導体レーザの発振波長領域に
まで拡大しているので半導体レーザによる励起が
可能であり、放射線画像読取り装置の小型化、低
価格化、簡略化が可能である。
の輝尽による発光輝度は、比較例１に示した従来
の蛍光体KCl：0.002Tlよりなる比較試料(1)を同
一条件で測定した輝尽による発光輝度より大であ
る。 また、本発明に係る前記試料(10)〜(12)の蛍光体
は、本発明に近い組成を有する参照例の試料(1)〜
(9)及び(13)〜(18)の蛍光体に比較して平均して３〜４
割の高感度を有している。 （発明の効果） 以上説明したように、本発明に係る蛍光体は放
射線を照射した後に、可視光および赤外線の一方
またはその両方を照射して輝尽励起したときの輝
尽発光輝度が、従来のアルカリハライド蛍光体に
比較して著しく増大するものである。また、本発
明に係る蛍光体は放射線を照射した後に、可視光
および赤外線の一方またはその両方を照射して輝
尽励起したときの輝尽発光の応答特性および輝尽
の残光特性についても、従来のアルカリハライド
蛍光体に比較して改善される。 従つて、本発明に係る輝尽性蛍光体は放射線に
対する感度が高いため、本発明の放射線画像変換
方法をＸ線診断等に利用する場合、被写体のＸ線
被曝量を低減することが可能となる。 また本発明に係る輝尽性蛍光体は励起光に対す
る応答速度および蓄積エネルギー（残光）の消去
速度が速いため、本発明の放射線画像変換方法に
おける放射線画像読取り速度を高速化し、残像の
消去時間を短縮してシステムの運転効率を向上さ
せることが可能である。 さらにまた、本発明に係る輝尽性蛍光体の輝尽
励起スペクトルは半導体レーザの発振波長領域に
まで拡大しているので半導体レーザによる励起が
可能であり、放射線画像読取り装置の小型化、低
価格化、簡略化が可能である。
第１図は本発明に係る輝尽性蛍光体例の輝尽発
光スペクトル、第２図は該蛍光体例の輝尽励起ス
ペクトルである。
光スペクトル、第２図は該蛍光体例の輝尽励起ス
ペクトルである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被写体を透過した放射線を下記一般式（）
で示されるタリウム元素付活ハロゲン化ルビジウ
ム輝尽性蛍光体の少なくとも一つに吸収せしめ、
しかる後、この輝尽性蛍光体を可視光及び／また
は赤外線から選ばれる電磁波で励起して前記輝尽
性蛍光体が蓄積している前記放射線のエネルギー
を蛍光として放出せしめ、この蛍光を検出して放
射線画像を得ることを特徴とする放射線画像変換
方法。 一般式（） （１−ｘ）RbBr・xM〓Ｉ・aM〓X′2・bM〓X″3：cTl
・dA （ただし、M〓はRbまたはCsから選ばれる少な
くとも一種のアルカリ金属であり、M〓はBe，
Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，CdおよびNiから選ばれ
る少なくとも一種の二価金属であり、M〓はSc，
Ｙ，La，Pm，Lu，Al，GaおよびInから選ばれ
る少なくとも一種の三価金属であり、X′および
X″はＦ，Cl，BrおよびＩから選ばれる少なくと
も一種のハロゲンであり、ＡはEu，Tb，Ce，
Tm，Dy，Pr，Ho，Nd，Yb，Er，Gd，Sm，
Na，Ag，Cu，Pb，BiおよびMnから選ばれる少
なくとも一種の金属である。 また、ｘ，ａ，ｂ，ｃおよびｄはそれぞれ、０
＜ｘ＜0.9、０≦ａ＜0.5、０≦ｂ＜0.5、０＜ｃ＜
0.2、０≦ｄ＜0.2の範囲の数値である。） ２ 前記一般式(1)におけるｂが０≦ｂ＜10-2であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
放射線画像変換方法。 ３ 前記一般式(1)におけるM〓がＹ，La，Lu，
Al，GaおよびInから選ばれる少なくとも一種の
三価金属であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項もしくは第２項記載の放射線画像変換方
法。 ４ 前記一般式(1)におけるX″がＦ，ClおよびBr
から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項
のいずれかの項記載の放射線画像変換方法。 ５ 前記一般式(1)におけるM〓がBe，Mg，Ca，
SrおよびBaから選ばれる少なくとも一種のアル
カリ土類金属であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項乃至第４項のいずれかの項記載の放射
線画像変換方法。 ６ 前記一般式(1)におけるｃが10-6≦ｃ≦0.1で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至
第５項のいずれかの項記載の放射線画像変換方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19636784A JPS6173787A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 放射線画像変換方法 |
| DE8585306567T DE3578081D1 (de) | 1984-09-14 | 1985-09-16 | Verfahren zur umwandlung eines radiographischen bildes und schirm zum speichern einer strahlungsenergie mit einer anregbaren phosphorschicht. |
| EP19850306567 EP0174875B1 (en) | 1984-09-14 | 1985-09-16 | Method for converting radiographic image and radiation energy storage panel having stimulable phosphor-containing layer |
| US07/344,543 US5028509A (en) | 1984-09-14 | 1989-04-25 | Method for converting radiographic image, radiation energy storage panel having stimulable phosphor-containing layer and alkali halide phosphor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19636784A JPS6173787A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 放射線画像変換方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6173787A JPS6173787A (ja) | 1986-04-15 |
| JPH0514751B2 true JPH0514751B2 (ja) | 1993-02-25 |
Family
ID=16356672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19636784A Granted JPS6173787A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-18 | 放射線画像変換方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPS6173787A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2261932A3 (en) | 2002-11-27 | 2011-09-28 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Radiographic image conversion panel, method for manufacturing the same, method for forming phosphor particle, method for forming photostimulable phosphor precursor, phosphor precursor and photostimulable phosphor |
| EP1533655A3 (en) | 2003-11-18 | 2008-07-30 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Radiation image conversion panel and preparation method thereof |
| EP1533816A3 (en) | 2003-11-18 | 2008-02-13 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Radiation image conversion panel and preparation method thereof |
| JP4321395B2 (ja) | 2004-07-22 | 2009-08-26 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線画像変換パネル及びその製造方法 |
| KR100766585B1 (ko) | 2006-04-18 | 2007-10-11 | 장상구 | 표시소자용 형광체 및 그의 제조방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6172088A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-14 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 放射線画像変換方法及びその方法に用いられる放射線画像変換パネル |
| JPS6172087A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-14 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 放射線画像変換方法及びその方法に用いられる放射線画像変換パネル |
-
1984
- 1984-09-18 JP JP19636784A patent/JPS6173787A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6172088A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-14 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 放射線画像変換方法及びその方法に用いられる放射線画像変換パネル |
| JPS6172087A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-14 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 放射線画像変換方法及びその方法に用いられる放射線画像変換パネル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6173787A (ja) | 1986-04-15 |
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