JPS5938375A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS5938375A JPS5938375A JP57147932A JP14793282A JPS5938375A JP S5938375 A JPS5938375 A JP S5938375A JP 57147932 A JP57147932 A JP 57147932A JP 14793282 A JP14793282 A JP 14793282A JP S5938375 A JPS5938375 A JP S5938375A
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- JP
- Japan
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- electrode
- gas
- raw material
- cylindrical
- chamber
- Prior art date
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5093—Coaxial electrodes
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基体上に堆積膜を形成するプラズマＣＶＤ装
置に関するもので、例えば電子写真用感光体ドラムΣ・
連続的に生産し、特にプラズマＣＶＤ技術を用いて円筒
状基体表面にアモルファス・シリコン膜を堆積し、感光
体ドラムを連続的に生産するのに使用することのできる
プラズマＣＶＤ装置−更に同一反応室内に各種原料ガス
を適当に供給する事によシシリコンナイトライド（Ｓｉ
Ｎ ）膜、シリコンオキシナイトライド（５ｓｏＮ ）
膜、シリコンオキサイド（８１０２）膜、シリコンカー
バイト（ＳｔＣ）膜を上記感光体ドラム表面に連続的に
積層堆積し、感光体ドラムの帯電特性を向上させ、かつ
感光体ドラム表面の耐湿・耐摩耗特性を向上させること
も可能とするプラズマＣＶＤ装置に関するものである。
置に関するもので、例えば電子写真用感光体ドラムΣ・
連続的に生産し、特にプラズマＣＶＤ技術を用いて円筒
状基体表面にアモルファス・シリコン膜を堆積し、感光
体ドラムを連続的に生産するのに使用することのできる
プラズマＣＶＤ装置−更に同一反応室内に各種原料ガス
を適当に供給する事によシシリコンナイトライド（Ｓｉ
Ｎ ）膜、シリコンオキシナイトライド（５ｓｏＮ ）
膜、シリコンオキサイド（８１０２）膜、シリコンカー
バイト（ＳｔＣ）膜を上記感光体ドラム表面に連続的に
積層堆積し、感光体ドラムの帯電特性を向上させ、かつ
感光体ドラム表面の耐湿・耐摩耗特性を向上させること
も可能とするプラズマＣＶＤ装置に関するものである。
尚、以下の説明においては、主として堆積膜を形成する
基体を電子写真用円筒状基体とした実施例に関して本発
明を説明するが、本発明装置は長方形の基体を円筒状の
対向電極上に多角形を成すように配置し、アモルファス
感光体膜や演算素子用アモルファス半導体膜を堆積する
目的にも利用することができ、また、金型。
基体を電子写真用円筒状基体とした実施例に関して本発
明を説明するが、本発明装置は長方形の基体を円筒状の
対向電極上に多角形を成すように配置し、アモルファス
感光体膜や演算素子用アモルファス半導体膜を堆積する
目的にも利用することができ、また、金型。
バイト等の摩耗し易い工具等の表面に超硬質膜を堆積す
ることによって、耐摩耗性を向上させ、寿命を延ばす目
的にも利用することができる。
ることによって、耐摩耗性を向上させ、寿命を延ばす目
的にも利用することができる。
このような従来型の円筒状プラズマＣＶＤ装置の代表的
な一例の概略を第１図に示す。第１図中、１は真空チャ
ンバーを構成している円筒状のカソード電極、２は該真
空チャンバーの中心軸の周りに回転するようにこれと同
心に配置された対向電極たるアノード電極を溝底してい
る円筒状の基体、３は該真空チャンバーの上下の壁体、
４は該壁体を該カソード電極から絶縁するだめのドーナ
ツ形の絶縁がイシ、５は高周波電源、６は原料ガス供給
パイノ°、７は排気系、８はヒーター、９は上記の円筒
状の基体を回転する回転機構、１０はアース、１１は原
料ガス放出穴を示す。
な一例の概略を第１図に示す。第１図中、１は真空チャ
ンバーを構成している円筒状のカソード電極、２は該真
空チャンバーの中心軸の周りに回転するようにこれと同
心に配置された対向電極たるアノード電極を溝底してい
る円筒状の基体、３は該真空チャンバーの上下の壁体、
４は該壁体を該カソード電極から絶縁するだめのドーナ
ツ形の絶縁がイシ、５は高周波電源、６は原料ガス供給
パイノ°、７は排気系、８はヒーター、９は上記の円筒
状の基体を回転する回転機構、１０はアース、１１は原
料ガス放出穴を示す。
上記のプラズマＣＶＤ装置の動作を簡単に説明する。
まず、真空チャンバー内に円筒状の基体２をセットし、
排気系７によってチャンバー内を真空にする。同時に基
体２をヒータ８によって加熱し、基体２を回転機構９に
よって回転し、基体の温度分布を均一にする。この時、
ヒーターは固定されている。基体温度が一定になったら
、ガス供給パイｆ６から原料ガスを真空チャンバー内に
供給する・原料ガスは円筒状の電極の多数のガス放出穴
から基体２に向けて放出される。真空チャンバー内にガ
スが安定して供給されている状態で１３．５６ＭＨｚの
高周波電源５によりカソード電極１に高周波電圧を印加
し、アース接地された基体２０間でグロー放電を発生さ
せ、カソード電極から飛び出した電子のガス分子への衝
突により、ガス分子をラジカル反応させて基体上に堆積
させ、基体２上に堆積膜、例えばアモルファスシリコン
膜を成膜する。
排気系７によってチャンバー内を真空にする。同時に基
体２をヒータ８によって加熱し、基体２を回転機構９に
よって回転し、基体の温度分布を均一にする。この時、
ヒーターは固定されている。基体温度が一定になったら
、ガス供給パイｆ６から原料ガスを真空チャンバー内に
供給する・原料ガスは円筒状の電極の多数のガス放出穴
から基体２に向けて放出される。真空チャンバー内にガ
スが安定して供給されている状態で１３．５６ＭＨｚの
高周波電源５によりカソード電極１に高周波電圧を印加
し、アース接地された基体２０間でグロー放電を発生さ
せ、カソード電極から飛び出した電子のガス分子への衝
突により、ガス分子をラジカル反応させて基体上に堆積
させ、基体２上に堆積膜、例えばアモルファスシリコン
膜を成膜する。
上記のようなプラズマＣＶＤ装置において、堆積した膜
の膜厚分布は装置の排気口の位置や、原料ガス流量、放
電時の高周波電力の大きさによる膜の堆積速度、さらに
は真空度や、原料ガス放出穴の位置によって変化する。
の膜厚分布は装置の排気口の位置や、原料ガス流量、放
電時の高周波電力の大きさによる膜の堆積速度、さらに
は真空度や、原料ガス放出穴の位置によって変化する。
アモルファス・シリコン感光体膜の利用目的からすれば
、大面積の基体上に広範囲な膜厚分布の均一性が要求さ
れる。
、大面積の基体上に広範囲な膜厚分布の均一性が要求さ
れる。
プラズマＣＶＤ装置では、ガス流量や、高周波電力の大
きさ、真空度等は膜舜性に影響をおよぼすため、膜厚分
布を調整する手段として用いることはできない。排気口
の位置も、装置構成上自由に変更することは難しい。す
なわち、膜厚分布を調整する方法としては、ガス放出穴
の穴径や位置を調整することが、最も容易な手段と考え
られる。
きさ、真空度等は膜舜性に影響をおよぼすため、膜厚分
布を調整する手段として用いることはできない。排気口
の位置も、装置構成上自由に変更することは難しい。す
なわち、膜厚分布を調整する方法としては、ガス放出穴
の穴径や位置を調整することが、最も容易な手段と考え
られる。
一方、プラズマＣＶＤ装置では、特定の膜特性を得る為
にガス流量や流速を選定する必要があり膜厚分布もその
つど変動するために、ガス放出穴の穴径や位置は選択の
自由度が高いものであることが要求される。従来の円筒
状壁面放出型のプラズマＣＶＤ装置には、原料ガス放出
穴を不規則に多数個開口したものや、回転軸方向に多数
列開口したものがほとんどで、穴数が多過ぎるため、膜
厚分布の均一化のために最適な穴位置を選択するのが難
しかった。また、穴径の自由度に対してほとんど考慮さ
れていなかったため、膜厚分布の調整は穴位置の選定の
みにたよっていた。このため、有効権扶範囲が広くなる
のに比例して、その膜厚分布調整が難しくなるという欠
点が有った０本発明は、上述の従来型円筒状プラズマＣ
ＶＤ装置における欠点を除去するとともに、プラズマＣ
ＶＤ装置における膜厚分布調整を大幅に改善しようとす
るもので、その特徴とするところは、円筒状心極の壁面
に、該電極の中心軸に平行な列をなすように原料ガス放
出穴を多数個開口せしめ、且つ該円筒状電極を二重壁構
造として電極間にガス室を形成したことにある。然して
カソードを極壁面に開口したガス放出穴を基体の表面積
に比例して１〜１０列とし、膜厚分布上問題の無い程度
にまで開口数を限定することによって、膜厚分布とガス
放出穴の開口位置との相関関係を明確にし、膜厚分布調
整を容易にすることが可能となり、基体を中心軸のまわ
りに回転することで膜厚の均一化も保障される。さらに
、ガス放出穴にネジ穴〃口工を施こして、この穴にとり
つけるネジに穴径の異なる放出口を設けることによって
膜厚分布の微調整が可能になり、大面積基体上へのアモ
ルファスシリコン感光体膜の均一堆積を可能にするもの
である。
にガス流量や流速を選定する必要があり膜厚分布もその
つど変動するために、ガス放出穴の穴径や位置は選択の
自由度が高いものであることが要求される。従来の円筒
状壁面放出型のプラズマＣＶＤ装置には、原料ガス放出
穴を不規則に多数個開口したものや、回転軸方向に多数
列開口したものがほとんどで、穴数が多過ぎるため、膜
厚分布の均一化のために最適な穴位置を選択するのが難
しかった。また、穴径の自由度に対してほとんど考慮さ
れていなかったため、膜厚分布の調整は穴位置の選定の
みにたよっていた。このため、有効権扶範囲が広くなる
のに比例して、その膜厚分布調整が難しくなるという欠
点が有った０本発明は、上述の従来型円筒状プラズマＣ
ＶＤ装置における欠点を除去するとともに、プラズマＣ
ＶＤ装置における膜厚分布調整を大幅に改善しようとす
るもので、その特徴とするところは、円筒状心極の壁面
に、該電極の中心軸に平行な列をなすように原料ガス放
出穴を多数個開口せしめ、且つ該円筒状電極を二重壁構
造として電極間にガス室を形成したことにある。然して
カソードを極壁面に開口したガス放出穴を基体の表面積
に比例して１〜１０列とし、膜厚分布上問題の無い程度
にまで開口数を限定することによって、膜厚分布とガス
放出穴の開口位置との相関関係を明確にし、膜厚分布調
整を容易にすることが可能となり、基体を中心軸のまわ
りに回転することで膜厚の均一化も保障される。さらに
、ガス放出穴にネジ穴〃口工を施こして、この穴にとり
つけるネジに穴径の異なる放出口を設けることによって
膜厚分布の微調整が可能になり、大面積基体上へのアモ
ルファスシリコン感光体膜の均一堆積を可能にするもの
である。
以下に、実施例装置に基いて本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の第１の実施
例を示す。図中、第１図に示す装置における部分と同様
の部分は同じ参照数字によって指示しである・図中、１
は真空チャンバーを構成している円筒状のカソード電極
、２は該真空チャンバーの中心軸の周りに回転するよう
にこれと同心に配置されたアノード電極を構成する円筒
状の基体、３は該カソード電極の上下で真空チャンバー
を構成している壁体、４は該壁体を該カソード正極がら
絶縁するためのドーナツ形の絶縁ガイシ、５はカソード
正極に高周波電力を供給しグロー放′ＦＬ７１！−起こ
すだめの高周波電源、６は原料ガス供給パイプ、７は真
空チャンバーを真空に保つだめの排気系、８は円筒状の
基体を加熱するだめのヒーター、９は円筒状の基体を回
転させて堆積膜の膜厚を均一にするだめの回転機構、１
０はアース、１１は原料ガス放出穴、１２は円筒状基体
回転用のモータを示す。
例を示す。図中、第１図に示す装置における部分と同様
の部分は同じ参照数字によって指示しである・図中、１
は真空チャンバーを構成している円筒状のカソード電極
、２は該真空チャンバーの中心軸の周りに回転するよう
にこれと同心に配置されたアノード電極を構成する円筒
状の基体、３は該カソード電極の上下で真空チャンバー
を構成している壁体、４は該壁体を該カソード正極がら
絶縁するためのドーナツ形の絶縁ガイシ、５はカソード
正極に高周波電力を供給しグロー放′ＦＬ７１！−起こ
すだめの高周波電源、６は原料ガス供給パイプ、７は真
空チャンバーを真空に保つだめの排気系、８は円筒状の
基体を加熱するだめのヒーター、９は円筒状の基体を回
転させて堆積膜の膜厚を均一にするだめの回転機構、１
０はアース、１１は原料ガス放出穴、１２は円筒状基体
回転用のモータを示す。
カソード電極１は、真空チャンバーの一部を兼ねた円筒
状二重壁構造のものとして構成されて電極内にガス室全
形成している◎然して、その真空チャン・９−側の内壁
に、中心軸方向に沿って４列をなして並らんだ多数の原
料ガス放出穴１１が開口している。各原料ガス放出穴１
１にはネジ加工が施こされていて、円筒状の基体の表面
に堆積する膜の膜厚分布調整を行なう場合、不用な穴を
ネジにより塞ぐことができ、また、原料ガスを吹き付け
るだめのネジ穴に取付けるネジの中心にガス放出口を設
け、該放出口の穴径を変えたネジを該ネジ穴に取付ける
ことにより、ガス放出量を変えて膜厚分布を調整できる
ようになっている。
状二重壁構造のものとして構成されて電極内にガス室全
形成している◎然して、その真空チャン・９−側の内壁
に、中心軸方向に沿って４列をなして並らんだ多数の原
料ガス放出穴１１が開口している。各原料ガス放出穴１
１にはネジ加工が施こされていて、円筒状の基体の表面
に堆積する膜の膜厚分布調整を行なう場合、不用な穴を
ネジにより塞ぐことができ、また、原料ガスを吹き付け
るだめのネジ穴に取付けるネジの中心にガス放出口を設
け、該放出口の穴径を変えたネジを該ネジ穴に取付ける
ことにより、ガス放出量を変えて膜厚分布を調整できる
ようになっている。
第３図は、上記の本発明の第１の実施例によるプラズマ
ＣＶＤ装置の円筒状二重構造カソード正極の断面を示す
。図中１ｍは該′カソード正極の大気側壁面でちり、１
ｂはガス放出穴を開けた真空側壁面、１１はネジ加工さ
れ等間隔に開けられた原料ガス放出穴である。
ＣＶＤ装置の円筒状二重構造カソード正極の断面を示す
。図中１ｍは該′カソード正極の大気側壁面でちり、１
ｂはガス放出穴を開けた真空側壁面、１１はネジ加工さ
れ等間隔に開けられた原料ガス放出穴である。
第４図（イ）（ロ）は、上記の装置のガス放出穴に取付
けるだめの六角穴付ネジを示す。第４図（イ）において
、１３はガス放出口を設けた六角穴付ネジ、１４はガス
放出口を示し、ガス放出口１４の穴径を変えたネジを取
り換えることによってガス放出量を変え、膜厚制御を行
なうことができる◎第４図←）の１５はガス放出口の無
い六角穴付ネジであシ、膜厚分布調整の際不用となった
ガス放出口を塞ぐ目的に使用する。
けるだめの六角穴付ネジを示す。第４図（イ）において
、１３はガス放出口を設けた六角穴付ネジ、１４はガス
放出口を示し、ガス放出口１４の穴径を変えたネジを取
り換えることによってガス放出量を変え、膜厚制御を行
なうことができる◎第４図←）の１５はガス放出口の無
い六角穴付ネジであシ、膜厚分布調整の際不用となった
ガス放出口を塞ぐ目的に使用する。
次に、上記の装置の各部の動作を順を追って説明する。
まず、真空チャンバー内に円筒状の基体２をセットし、
排気系７によってチャンバー内を真空にする。同時に基
体２をヒーター８によって加熱し、基体２をモーター１
２に連結された回転軸によって回転し、基体の温度分布
を均一にする。この時、ヒーターは固定されている。基
体温度が一定になったら、ガス供給バイブロから原料ガ
スを真空チャンバー内に供給する。原料ガスは円筒二重
壁によって囲まれたカソード電極１内のガス室に送られ
る。ζこで、ガス供給ノ？イグ６はガス放出穴１１の列
の中間位置に取り付けられているため、ガス室に送られ
た原料ガスは直接ガス放出穴から放出されず、一度ガス
室内に充満し各ガス放出穴から基体に向って放出される
。各放出穴から放出されるガス量は、放出穴に取付けら
れたネジに開けられたガス放出口の穴径によって制御さ
れる。真空チャンバー内にガスが安定して供給されてい
る状態で１３．５６ ？ｖＩＨｚＯ高周波電源５によシ
カソード電極１に高周波電圧を印加し、アース接地され
た基体２の間でグロー放電を発生させ、カソード電極か
ら飛び出した電子のガス分子への衝突によシ、ガス分子
をラジカル反応させて基体上に堆積させ、堆積膜例えば
アモルファスシリコン膜を成膜する。
排気系７によってチャンバー内を真空にする。同時に基
体２をヒーター８によって加熱し、基体２をモーター１
２に連結された回転軸によって回転し、基体の温度分布
を均一にする。この時、ヒーターは固定されている。基
体温度が一定になったら、ガス供給バイブロから原料ガ
スを真空チャンバー内に供給する。原料ガスは円筒二重
壁によって囲まれたカソード電極１内のガス室に送られ
る。ζこで、ガス供給ノ？イグ６はガス放出穴１１の列
の中間位置に取り付けられているため、ガス室に送られ
た原料ガスは直接ガス放出穴から放出されず、一度ガス
室内に充満し各ガス放出穴から基体に向って放出される
。各放出穴から放出されるガス量は、放出穴に取付けら
れたネジに開けられたガス放出口の穴径によって制御さ
れる。真空チャンバー内にガスが安定して供給されてい
る状態で１３．５６ ？ｖＩＨｚＯ高周波電源５によシ
カソード電極１に高周波電圧を印加し、アース接地され
た基体２の間でグロー放電を発生させ、カソード電極か
ら飛び出した電子のガス分子への衝突によシ、ガス分子
をラジカル反応させて基体上に堆積させ、堆積膜例えば
アモルファスシリコン膜を成膜する。
第５図は、本発明の他の実施例を示す。この実施例は、
基本的には第２図に示す実施例と同様カソード電極が真
空チャンバー壁の一部を兼ねる構造とし、カソード電極
に開けられた原料ガス放出口の列数と、真空チャンバー
内に収納されている円筒状基体の数、及び該円筒状基体
の回転機構が異なるのみで、池の部分は同様の構造を有
するものであるので、同様の部分は同じ参照数字により
指示して、その詳細な説明は省略する。
基本的には第２図に示す実施例と同様カソード電極が真
空チャンバー壁の一部を兼ねる構造とし、カソード電極
に開けられた原料ガス放出口の列数と、真空チャンバー
内に収納されている円筒状基体の数、及び該円筒状基体
の回転機構が異なるのみで、池の部分は同様の構造を有
するものであるので、同様の部分は同じ参照数字により
指示して、その詳細な説明は省略する。
第５図の実施例において第２図の実施例と大きく異なる
部分は、４本の円筒状の基体２ａ 、 ２ｂ２ｃ、２ｄ
がカソード電極１の中心軸を共有する円周上に配置され
、該カソード電極の中心軸に配置した円筒゛状基体回転
機構１２によって中心軸のまわシを自公転するようにし
たことおよび円筒状基体が４本となり堆積面積が広くな
ったため、膜厚分布調整をより広範囲に行なわなければ
ならないことから、カソード電極ｌの真空側内壁に開口
した原料ガス放出口１１を８列にしたことである。
部分は、４本の円筒状の基体２ａ 、 ２ｂ２ｃ、２ｄ
がカソード電極１の中心軸を共有する円周上に配置され
、該カソード電極の中心軸に配置した円筒゛状基体回転
機構１２によって中心軸のまわシを自公転するようにし
たことおよび円筒状基体が４本となり堆積面積が広くな
ったため、膜厚分布調整をより広範囲に行なわなければ
ならないことから、カソード電極ｌの真空側内壁に開口
した原料ガス放出口１１を８列にしたことである。
第５図に示す実施例装置も各部の基本動作は同じである
が、基体回転機構９によって各基体２ａ＋２ｂ 、２ｃ
、２ａは自公転し均一成膜を可能としている。
が、基体回転機構９によって各基体２ａ＋２ｂ 、２ｃ
、２ａは自公転し均一成膜を可能としている。
以上説明したように、本発明によるプラズマＣＶＤ装置
は、カソード電極に開口した原料ガス放出口の大数を少
なくシ、円筒状基体の回転軸に平行に直列配置すること
によって、回転軸方向の膜厚分布調整を容易にする効果
がある＠さらに、ガス放出口に取付ける六角穴付ネジに
穴径の異なるガス放出口を開けることによって、ガス放
出量を回転軸に沿って調整することができ、膜厚分布の
微調整を可能とする効果がある。１だ、従来装置では膜
厚分布調整が複雑になる大面積基体への成膜も、本発明
を使用することによっ−Ｃ膜厚分布調整が容易となるば
かシでなく、堆積膜厚の均一性、堆積膜特性の再現性も
良好になるという効果があり、本装置の使用目的の一つ
である電子写真用感光体ドラムの量産を、安価にかつ安
定して行ない得る効果がある。
は、カソード電極に開口した原料ガス放出口の大数を少
なくシ、円筒状基体の回転軸に平行に直列配置すること
によって、回転軸方向の膜厚分布調整を容易にする効果
がある＠さらに、ガス放出口に取付ける六角穴付ネジに
穴径の異なるガス放出口を開けることによって、ガス放
出量を回転軸に沿って調整することができ、膜厚分布の
微調整を可能とする効果がある。１だ、従来装置では膜
厚分布調整が複雑になる大面積基体への成膜も、本発明
を使用することによっ−Ｃ膜厚分布調整が容易となるば
かシでなく、堆積膜厚の均一性、堆積膜特性の再現性も
良好になるという効果があり、本装置の使用目的の一つ
である電子写真用感光体ドラムの量産を、安価にかつ安
定して行ない得る効果がある。
第１図は従来型の円筒形プラズマＣＶＤ装置の代表的な
一例を示す概略断面図、第２図は本発明フ。 ラズマＣＶＤ装誼の第１の実施例を下す一部矢切斜視図
、第３図はカソード電極の断面図、第４図Ｇ）（ロ）は
、それぞれ、ガス放出穴に取付ける六角穴付ネジのＩｌ
１面図、第５図は本発明プラズマＣＶＤ装置の第２の実
施例を示す一部矢切斜視図でおる０１は円筒状カソード
電極、２は円筒状基体、３は真・空チャンバーの壁体、
４はドーナッツ状絶縁ガイシ、５は高周波電源、６は原
料ガス供給・ξイン０．７は排気系、８は基体加熱用ヒ
ーター、９は基体回転機構、１０はアース、１１は原料
ガス放出穴、１２は基体回転用のモータ、１３はガス放
出口を有する六角穴付ネジ、１４はガス放出口、１５は
ガス放出口を塞ぐだめの六角穴付ネジであるＯ 馬１図
一例を示す概略断面図、第２図は本発明フ。 ラズマＣＶＤ装誼の第１の実施例を下す一部矢切斜視図
、第３図はカソード電極の断面図、第４図Ｇ）（ロ）は
、それぞれ、ガス放出穴に取付ける六角穴付ネジのＩｌ
１面図、第５図は本発明プラズマＣＶＤ装置の第２の実
施例を示す一部矢切斜視図でおる０１は円筒状カソード
電極、２は円筒状基体、３は真・空チャンバーの壁体、
４はドーナッツ状絶縁ガイシ、５は高周波電源、６は原
料ガス供給・ξイン０．７は排気系、８は基体加熱用ヒ
ーター、９は基体回転機構、１０はアース、１１は原料
ガス放出穴、１２は基体回転用のモータ、１３はガス放
出口を有する六角穴付ネジ、１４はガス放出口、１５は
ガス放出口を塞ぐだめの六角穴付ネジであるＯ 馬１図
Claims (4)
- （１）真空チャンバーを構成している円筒状電極および
該真空チャンバーの中心軸の周りに回転するように配置
された対向電極を備え、上記の電極に設けた多数の穴か
ら原料ガスを放出し、上記の対向電極上の基体に原料ガ
スを吹付けて該基体上に堆積膜を形成するプラズマＣＶ
Ｄ装置において、上記の円筒状電極の壁面に、該電極の
中心軸に平行な列をなすように原料ガス放出穴を多数個
開口せしめ、且つ該円筒状電極を二重壁構造として、電
極内にガス室を形成したことを特徴とするプラズマＣＶ
Ｄ装置。 - （２）該真空チャンバー内に、複数個の円筒状基体を、
その中心軸が該真空チャンバーの中心軸に平行になるよ
うに配置した特許請求の範囲第（１）項記載のプラズマ
ＣＶＤ装置。 - （３）原料ガスを吹き付けるだめの穴に不ノ穴加工を施
こし、円筒状基体表面に堆積する膜の膜厚分布調整を行
なう場合、不用な穴をネジによシ塞ぐことができるよう
にした特許請求の範囲第（１）項記載のプラズマＣＶＤ
装置。 - （４）原料ガスを吹き付けるだめのネジ穴に取付けるネ
ジの中心にガス放出口を設け、該放出口の穴径を変えた
ネジを該ネジ穴に取付けることによシ、ガス放出量を変
えて膜厚分布を調整できるようにした特許請求の範囲第
（２）項記載のプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57147932A JPS5938375A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57147932A JPS5938375A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5938375A true JPS5938375A (ja) | 1984-03-02 |
Family
ID=15441326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57147932A Pending JPS5938375A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5938375A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1982
- 1982-08-26 JP JP57147932A patent/JPS5938375A/ja active Pending
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