JPS5938374A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS5938374A JPS5938374A JP57147931A JP14793182A JPS5938374A JP S5938374 A JPS5938374 A JP S5938374A JP 57147931 A JP57147931 A JP 57147931A JP 14793182 A JP14793182 A JP 14793182A JP S5938374 A JPS5938374 A JP S5938374A
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- JP
- Japan
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- gas
- holes
- chamber
- electrode
- hole
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基体上に堆積膜を形成するだめのプラズマＣ
ＶＤ装置に関するもので、例えばアモルファス・シリコ
ン感光体使用の受光素子の生産、特にプラズマＣＶＤ技
術を用いて平板基体表面にアモルファス・シリコン膜を
堆゛積し、受光素子を生産するのに使用することのでき
るフ０ラズマＣＶＤ装置、更に反応室内に各種原料ガス
を適当に供給することにより、シリコンナイトライド（
ＳｉＮ ） ｋ、シリコンオキシナイトライド（８１Ｏ
Ｎ ）膜、シリコンオキナイ ド（５ｉＯ２） Ｍ、シ
リコンカーバイト（ＳｉＣ）膜を上記感光体嵌面に連続
的に積層堆積し、受光素子の耐湿・耐摩耗特性を向上さ
せることも可能なプラズマＣＶＤ装置に関するものであ
る。
ＶＤ装置に関するもので、例えばアモルファス・シリコ
ン感光体使用の受光素子の生産、特にプラズマＣＶＤ技
術を用いて平板基体表面にアモルファス・シリコン膜を
堆゛積し、受光素子を生産するのに使用することのでき
るフ０ラズマＣＶＤ装置、更に反応室内に各種原料ガス
を適当に供給することにより、シリコンナイトライド（
ＳｉＮ ） ｋ、シリコンオキシナイトライド（８１Ｏ
Ｎ ）膜、シリコンオキナイ ド（５ｉＯ２） Ｍ、シ
リコンカーバイト（ＳｉＣ）膜を上記感光体嵌面に連続
的に積層堆積し、受光素子の耐湿・耐摩耗特性を向上さ
せることも可能なプラズマＣＶＤ装置に関するものであ
る。
尚、以下の説明においては、主として成膜される基体を
受光素子用平板基体とした実施例について本発明を説明
するが、本発明プラズマＣＶＤ装置は金型、バイト等の
摩耗、劣化しゃすい工具等の表面にシリコンカーバイト
（ＳｉＣ）膜などの硬質膜を堆積することによシ、工具
の耐摩耗性を向上させ、その使用寿命を延ばす目的にも
利用することができ、また、アクリル非球面レンズ等の
表面にアンダーコート材としてシリコンオキサイド（ｓ
ｔｏ２）ｇなどの膜を堆積し、アクリル非球面レンズ表
面への光学薄膜の堆積を可能とする目的にも利用するこ
とができる。
受光素子用平板基体とした実施例について本発明を説明
するが、本発明プラズマＣＶＤ装置は金型、バイト等の
摩耗、劣化しゃすい工具等の表面にシリコンカーバイト
（ＳｉＣ）膜などの硬質膜を堆積することによシ、工具
の耐摩耗性を向上させ、その使用寿命を延ばす目的にも
利用することができ、また、アクリル非球面レンズ等の
表面にアンダーコート材としてシリコンオキサイド（ｓ
ｔｏ２）ｇなどの膜を堆積し、アクリル非球面レンズ表
面への光学薄膜の堆積を可能とする目的にも利用するこ
とができる。
上記のように基体上に堆積膜を形成する装置として使用
される従来型の平行平板壁面放出型のプラズマＣＶＤ装
置の代表的な一例を第１図に示す。
される従来型の平行平板壁面放出型のプラズマＣＶＤ装
置の代表的な一例を第１図に示す。
図中１はカソード電極、２はアノード電極を構成してい
る円形平板状の基体、３ｉ４３空チヤンバー、４は絶縁
ガイシ、５は基体加熱用ヒーター、６は基体回転用モー
ター、７は排気系、８は原料ガス供給・マイノ、９は真
空中でグロー放電を発生させるだめの高周波電源、１ｏ
は円形平板基体をアノード電極Ｌ極とするためのアース
、１１は原料ガスの放出穴である・図示のように、カソ
ード電、愼は円形平板二重構造となっていて、その内部
に原料ガスが供給される室が形成されている。
る円形平板状の基体、３ｉ４３空チヤンバー、４は絶縁
ガイシ、５は基体加熱用ヒーター、６は基体回転用モー
ター、７は排気系、８は原料ガス供給・マイノ、９は真
空中でグロー放電を発生させるだめの高周波電源、１ｏ
は円形平板基体をアノード電極Ｌ極とするためのアース
、１１は原料ガスの放出穴である・図示のように、カソ
ード電、愼は円形平板二重構造となっていて、その内部
に原料ガスが供給される室が形成されている。
上記の装置の動作は次の通りである。
まず、チャンバー３内に円盤状の基体２をセ。
トし、排気系７によってチ曳・ンパー内を真空にする。
同時に、基体２をヒーター５によって加熱し、基体２を
モーター６によって回転し、基体の製産分布を均一にす
る。ξの時、ヒーターは固定されている。基体温度が一
定になったら、ガス供給・母イブ８から原料ガスを真空
チャンバー３内に供給する。ガスは放出穴１１から基体
に向って放出され、真空チャンバー３内に原料ガスが供
給されている状態で１３．５６ Ｍｌｌｚの高周波゛電
源９によりカソード電極１に高周波電圧を印加し、アー
ス接地ｌＯされた基体２の間でグロー放′ｉＦＬを発生
させ、カソードｉＢ４から飛び出した電子のガス分子へ
の衝突により・ガス分子をラジカル反応させて基体上に
堆積させ、アモルファス・シリコン膜を成膜するＯ 上記のようなプラズマＣＶＤ装置において、堆積した膜
の膜厚分布は装置の排気口の位置や、原料ガス流量、放
電時の高周波電力の大きさによる膜の堆積速度、さらに
は真空度や、原料ガス放出口の位置によって変化する。
モーター６によって回転し、基体の製産分布を均一にす
る。ξの時、ヒーターは固定されている。基体温度が一
定になったら、ガス供給・母イブ８から原料ガスを真空
チャンバー３内に供給する。ガスは放出穴１１から基体
に向って放出され、真空チャンバー３内に原料ガスが供
給されている状態で１３．５６ Ｍｌｌｚの高周波゛電
源９によりカソード電極１に高周波電圧を印加し、アー
ス接地ｌＯされた基体２の間でグロー放′ｉＦＬを発生
させ、カソードｉＢ４から飛び出した電子のガス分子へ
の衝突により・ガス分子をラジカル反応させて基体上に
堆積させ、アモルファス・シリコン膜を成膜するＯ 上記のようなプラズマＣＶＤ装置において、堆積した膜
の膜厚分布は装置の排気口の位置や、原料ガス流量、放
電時の高周波電力の大きさによる膜の堆積速度、さらに
は真空度や、原料ガス放出口の位置によって変化する。
アモルファス・シリコン感光体膜の利用目的からすれば
、大面積の基板上に広範囲な膜厚分布の均一性が要求さ
れる。
、大面積の基板上に広範囲な膜厚分布の均一性が要求さ
れる。
プラズマＣＶＤ装置では、ガス流量や、高周波電力の大
きさ、真空度等は、膜特性に影響をおよぼすため膜厚分
布を調整する手段として用いることはできない。排気口
の位置も、装置構成上自由に変更することは難しい。す
なわち、膜厚分布を調整する手段としては、ガス放出口
の穴径や位置を調整することが、最も容易な手段と考え
られる。
きさ、真空度等は、膜特性に影響をおよぼすため膜厚分
布を調整する手段として用いることはできない。排気口
の位置も、装置構成上自由に変更することは難しい。す
なわち、膜厚分布を調整する手段としては、ガス放出口
の穴径や位置を調整することが、最も容易な手段と考え
られる。
一方、プラズマＣＶＤ装置では特定の膜特性を得る為に
ガス流量や流速を選定する必要があり膜厚分布もそのつ
ど変動するために、ガス放出口の穴径や位置は選択の自
由度が高いものであることが要求される◎従来の平行平
板壁面放出型プラズマＣＶＤ装置には、原料ガス放出穴
を不規則に多数個開口したものや、円周上に多数個開口
したものがほとんどで、穴数が多過ぎるだめ、膜厚分布
の均一化のために最適な穴位置を選択するのが難しかっ
た。また、穴径の自由度に対してほとんど考慮されてい
なかったため、膜厚分布の調整は穴位置の選定のみにた
よっていた。このため、従来装置では有効堆積範囲が広
くなるのに比例して、その膜厚分布調整が難しくなると
いう欠点が有った〇本発明は、上述の従来のプラズマＣ
ＶＤ装置における膜厚分布調整を大幅に改善しようとす
るもので、カソード電極壁面に開口したガス放出穴を、
電極側面の中心から放出状の列をなして開口せしめ、こ
のガス放出穴の列を基体の界面積に比例して１〜１０列
となし、円盤状二重壁構造の電極内にガス室を形成し、
膜厚分布上問題の無い程度にまで開口数を限定すること
によって、膜厚分布とガス放出口の開口位置との相関関
係を明確にし、膜厚分布調整を容易にすることを可能と
したものである。然して、上記の基体を中心軸のまわシ
に回転することで膜厚の均一化も保障される。さら１に
、ガス放出穴に取付けるネジに穴径の異なる放出口を設
けることによって膜厚分布の微調整が可能になシ、例え
ば大面積基体上へのアモルファス・シリコン感光体膜の
均一堆積を可能にするものである。
ガス流量や流速を選定する必要があり膜厚分布もそのつ
ど変動するために、ガス放出口の穴径や位置は選択の自
由度が高いものであることが要求される◎従来の平行平
板壁面放出型プラズマＣＶＤ装置には、原料ガス放出穴
を不規則に多数個開口したものや、円周上に多数個開口
したものがほとんどで、穴数が多過ぎるだめ、膜厚分布
の均一化のために最適な穴位置を選択するのが難しかっ
た。また、穴径の自由度に対してほとんど考慮されてい
なかったため、膜厚分布の調整は穴位置の選定のみにた
よっていた。このため、従来装置では有効堆積範囲が広
くなるのに比例して、その膜厚分布調整が難しくなると
いう欠点が有った〇本発明は、上述の従来のプラズマＣ
ＶＤ装置における膜厚分布調整を大幅に改善しようとす
るもので、カソード電極壁面に開口したガス放出穴を、
電極側面の中心から放出状の列をなして開口せしめ、こ
のガス放出穴の列を基体の界面積に比例して１〜１０列
となし、円盤状二重壁構造の電極内にガス室を形成し、
膜厚分布上問題の無い程度にまで開口数を限定すること
によって、膜厚分布とガス放出口の開口位置との相関関
係を明確にし、膜厚分布調整を容易にすることを可能と
したものである。然して、上記の基体を中心軸のまわシ
に回転することで膜厚の均一化も保障される。さら１に
、ガス放出穴に取付けるネジに穴径の異なる放出口を設
けることによって膜厚分布の微調整が可能になシ、例え
ば大面積基体上へのアモルファス・シリコン感光体膜の
均一堆積を可能にするものである。
以下に、実施例装置に基いて本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の一実例を示
す。図中、第１図に示す装置における部分と同様の部分
は同じ参照数字によって指示し′″Ｃある。図中、１は
カソード電極、２はアノード電極を構成している円盤状
の基体てあり、回転用モーターによって堆積工程中回転
するようになっている。３は真空チャンバー、４はカソ
ード電極と真空チャンバーおよびアノード電極を電気的
に絶縁するだめの絶縁ガイシ、５はアノード電極に取付
けられた基体を加熱するだめのヒーター・６は内盛状基
体を回転するだめのモーター、７はチャンバーを真空に
保つための排気系、８は原料ガス供給パイプ、９はカソ
ード電極とアノード電極の間でグロー放電を発生させる
ための高周波電源、１０はアノード電極と真空チャンバ
ーをアース接地するためのアースであり、１１は原料ガ
スをグロー放電中に供給する原料ガス放出用の穴を示す
。
す。図中、第１図に示す装置における部分と同様の部分
は同じ参照数字によって指示し′″Ｃある。図中、１は
カソード電極、２はアノード電極を構成している円盤状
の基体てあり、回転用モーターによって堆積工程中回転
するようになっている。３は真空チャンバー、４はカソ
ード電極と真空チャンバーおよびアノード電極を電気的
に絶縁するだめの絶縁ガイシ、５はアノード電極に取付
けられた基体を加熱するだめのヒーター・６は内盛状基
体を回転するだめのモーター、７はチャンバーを真空に
保つための排気系、８は原料ガス供給パイプ、９はカソ
ード電極とアノード電極の間でグロー放電を発生させる
ための高周波電源、１０はアノード電極と真空チャンバ
ーをアース接地するためのアースであり、１１は原料ガ
スをグロー放電中に供給する原料ガス放出用の穴を示す
。
アノード電極を構成している円盤状の基体２は真空チャ
ンバー３内に配置され、カソード電極ｌは該基体に対向
して平行に配置された円盤状二重壁構造の電極として構
成され、その中にガス室を形成している。この円盤状電
極１の側面に、原料を放出するための穴１１が、該電極
側面の中心から放射状の列（図示の例では６列）をなし
て開口している。原料ガスを放出する穴１１にはネジ加
工が施こされていて、基体の表面に堆積する膜の膜厚分
布調整を行う場合に不用な穴をネジにより基ぐことがで
きるようになっている。また、上記のネジ加工を施こし
た穴１１には、中心にガス放出口を設けたネジをとりつ
け、該放出口の穴径を震えたネジをとりつけることによ
ってガス放出量ｔ！えてＪ膜厚分布を調整できるように
なっている。
ンバー３内に配置され、カソード電極ｌは該基体に対向
して平行に配置された円盤状二重壁構造の電極として構
成され、その中にガス室を形成している。この円盤状電
極１の側面に、原料を放出するための穴１１が、該電極
側面の中心から放射状の列（図示の例では６列）をなし
て開口している。原料ガスを放出する穴１１にはネジ加
工が施こされていて、基体の表面に堆積する膜の膜厚分
布調整を行う場合に不用な穴をネジにより基ぐことがで
きるようになっている。また、上記のネジ加工を施こし
た穴１１には、中心にガス放出口を設けたネジをとりつ
け、該放出口の穴径を震えたネジをとりつけることによ
ってガス放出量ｔ！えてＪ膜厚分布を調整できるように
なっている。
かくして、ガス放出穴の各列のガス放出量をそれぞれ単
独に調整できる・ 第３図は、上記の装置の円盤状二重壁構造のカソード電
極をアノード電極側から見た図を示し、図中、１はカソ
ード電極、１１は二重壁構造カソード電極のアノード側
壁に中心から放射状に６列開口され、ネジ加工されたガ
ス放出穴である。
独に調整できる・ 第３図は、上記の装置の円盤状二重壁構造のカソード電
極をアノード電極側から見た図を示し、図中、１はカソ
ード電極、１１は二重壁構造カソード電極のアノード側
壁に中心から放射状に６列開口され、ネジ加工されたガ
ス放出穴である。
第４図は、上記の装置のカソード電極の断］■を示し、
図中、１ａは真空チャン・ぐ−側力ソード電極壁であり
、１ｂはアノード側カソード電極壁であり、１１はネジ
加工されたガス放出穴である。
図中、１ａは真空チャン・ぐ−側力ソード電極壁であり
、１ｂはアノード側カソード電極壁であり、１１はネジ
加工されたガス放出穴である。
真空チャンバー側とブノード側の壁によってカソード電
極内にガス室が構成されている。
極内にガス室が構成されている。
第５図（イ）（ロ）は、上記の装置のガス放出穴に取付
けるための六角穴付ネジを示す。第５図０）において、
１２はガス放出口を設けた六角穴付ネジ、１３はガス放
出口てあり、穴径を変えたネジを取り換えることによっ
てガス放出量を変え、膜厚制御を行なうことができる。
けるための六角穴付ネジを示す。第５図０）において、
１２はガス放出口を設けた六角穴付ネジ、１３はガス放
出口てあり、穴径を変えたネジを取り換えることによっ
てガス放出量を変え、膜厚制御を行なうことができる。
第５図（ロ）において、１４はガス放出口の無い六角穴
付ネジであり、膜厚分布調整の際不用となったガス放出
口を塞ぐ目的に使用する。
付ネジであり、膜厚分布調整の際不用となったガス放出
口を塞ぐ目的に使用する。
次に、上記の装置の各部の動作を順を追って説明する。
まず、チャンバー内に円盤状の基体２をセットし、排気
系７によってチャンバー内を真空にする。
系７によってチャンバー内を真空にする。
同時に基体２をヒーター５によって加熱し、基体２をモ
ーター６によって回転し、基体の温度分布を均一にする
。この時、ヒーターは固定されている。基体温度が一定
になったら、ガス供給パイプ８から原料ガスをＡ窒チャ
ンバー内に供給する。
ーター６によって回転し、基体の温度分布を均一にする
。この時、ヒーターは固定されている。基体温度が一定
になったら、ガス供給パイプ８から原料ガスをＡ窒チャ
ンバー内に供給する。
掠料ガスは円盤状二重壁によって囲まれたカソード−１
臣ｌ内のガス室に送られる。ここで、ガス供給・Ｐイノ
８は、カソード電極の中央部に取付けられているため、
ガス室に送られた原料ガスは直接ガス放出穴から放出さ
れず、一度ガス室内に充満し谷ガス放出穴から基体に向
って放出される。各放出穴から放出されるガス量は、放
出穴に取付けられたネジに開けられた穴の穴径によって
制御される。真空チャンバー内にガスが安定して供給さ
れている状態で１３．５６ ＭＨｙ、の篩周波電源９に
よシカソード電極１に高周波電圧を印加し、アース接地
された基体２の間でグロー放電を発生させ、カソード電
（へから飛び出した電子のガス分子への衝突により、力
゛ス分子をラジカル反応させて基体上に堆積させ、アモ
ルファス・シリコン膜を成膜する。
臣ｌ内のガス室に送られる。ここで、ガス供給・Ｐイノ
８は、カソード電極の中央部に取付けられているため、
ガス室に送られた原料ガスは直接ガス放出穴から放出さ
れず、一度ガス室内に充満し谷ガス放出穴から基体に向
って放出される。各放出穴から放出されるガス量は、放
出穴に取付けられたネジに開けられた穴の穴径によって
制御される。真空チャンバー内にガスが安定して供給さ
れている状態で１３．５６ ＭＨｙ、の篩周波電源９に
よシカソード電極１に高周波電圧を印加し、アース接地
された基体２の間でグロー放電を発生させ、カソード電
（へから飛び出した電子のガス分子への衝突により、力
゛ス分子をラジカル反応させて基体上に堆積させ、アモ
ルファス・シリコン膜を成膜する。
以上説明したように、本発明による）０ラズマＣＶＤ装
置は、カソード電極に開口した原料がス放出穴の穴数を
少なくシ、円盤状の基体の回転方向に対して法線方向に
直線配置することによって、法線方向の膜厚分布調整を
容易にする効果がある。
置は、カソード電極に開口した原料がス放出穴の穴数を
少なくシ、円盤状の基体の回転方向に対して法線方向に
直線配置することによって、法線方向の膜厚分布調整を
容易にする効果がある。
さらに、力゛ス放出口に取付ける六角穴付ネジに穴径の
異なる】Ｊ゛ス放出口を開けることによって、ガス放出
量を法祿方向に沿って調材することができ、膜厚分布の
倣潤整を可能とする効果があるう１だ、従来りか置でＱ
よ膜厚分布調整が複雑になる大面Ａｌ（基体への蒸着も
、本発明を使用することによって膜厚分布、ｉ＋、、ｌ
整が容易となるばかりでなく、蒸着膜厚の均一性、蒸着
膜特性の再現性も良好となるという効果があり、本装置
の使用目的の一つでおる受光素子の生産を７５定して行
ない得る効果がある。
異なる】Ｊ゛ス放出口を開けることによって、ガス放出
量を法祿方向に沿って調材することができ、膜厚分布の
倣潤整を可能とする効果があるう１だ、従来りか置でＱ
よ膜厚分布調整が複雑になる大面Ａｌ（基体への蒸着も
、本発明を使用することによって膜厚分布、ｉ＋、、ｌ
整が容易となるばかりでなく、蒸着膜厚の均一性、蒸着
膜特性の再現性も良好となるという効果があり、本装置
の使用目的の一つでおる受光素子の生産を７５定して行
ない得る効果がある。
第１図は従来のプラズマＣＶＤ装置を示す一部欠切斜視
図、第２図は、本発明プラズマＣＶＤ装置の一実施例を
示す一部欠切斜視図、第３図は第２図に示すカソード電
極をアノード電極側から見た図、第４図は上記のカソー
ド電極の断面図、第５図（イ）（ロ）は、それぞれガス
放出穴に取付ける六角穴付ネジの側面図である。 １は円盤状二重壁構造のカソード電極、２は円盤状の基
体、３は真空チャンバー、４は電気絶縁ガイシ、５は基
体加熱ヒーター、６は基体回転用モーター、７は排気系
、８は原料ガス供給パイプ、９は高周波電源、ｌＯはア
ース％１１はガス放出穴。１２はガス放出口を有する六
角穴付ネジ、１３はガス放出口、１４はガス放出口を塞
ぐだめの六角穴付ネジである。 馬２図
図、第２図は、本発明プラズマＣＶＤ装置の一実施例を
示す一部欠切斜視図、第３図は第２図に示すカソード電
極をアノード電極側から見た図、第４図は上記のカソー
ド電極の断面図、第５図（イ）（ロ）は、それぞれガス
放出穴に取付ける六角穴付ネジの側面図である。 １は円盤状二重壁構造のカソード電極、２は円盤状の基
体、３は真空チャンバー、４は電気絶縁ガイシ、５は基
体加熱ヒーター、６は基体回転用モーター、７は排気系
、８は原料ガス供給パイプ、９は高周波電源、ｌＯはア
ース％１１はガス放出穴。１２はガス放出口を有する六
角穴付ネジ、１３はガス放出口、１４はガス放出口を塞
ぐだめの六角穴付ネジである。 馬２図
Claims (3)
- （１）真空チャンバー内に円盤状の基体を配置し、該基
体に対向して平行に配置された円盤状二重壁構造の電極
の基体側壁面に、原料ガスを放出するだめの穴を、該電
画の中心から放射状の列をなして多数個開口せしめ、上
記の円盤状二重壁構造の屯極内にガス室を形成したこと
を特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - （２） 原料ガスを放出する穴にネジ穴加工を施こし
、上記の一円盤状の基体表面に堆積する膜の膜厚分布調
整を行なう場合、不用な穴をネジにより塞ぐことができ
るようにした特許請求の範囲第（１）項記載のプラズマ
ＣＶＤ装置。 - （３） 原料ガスを放出する穴にネジ穴加工を施こし、
このネジ穴に、中心にガス放出口を設けたネジをと９つ
け、該放出口の穴径を変えたネジを該ネジ穴に取り付け
ることにより、ガス放出液を変えて膜厚分布を調整でき
るようにした特許請求の範囲第（１）項記載のプラズマ
ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57147931A JPS5938374A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57147931A JPS5938374A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5938374A true JPS5938374A (ja) | 1984-03-02 |
Family
ID=15441305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57147931A Pending JPS5938374A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5938374A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100587629B1 (ko) * | 2000-04-26 | 2006-06-08 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 기판 표면에 걸쳐서 층류의 가스 흐름을 제공하는 가스분배판 조립체 |
| JP2015181152A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-10-15 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | ウエハ均一性を改善するための装置および方法 |
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1982
- 1982-08-26 JP JP57147931A patent/JPS5938374A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100587629B1 (ko) * | 2000-04-26 | 2006-06-08 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | 기판 표면에 걸쳐서 층류의 가스 흐름을 제공하는 가스분배판 조립체 |
| JP2015181152A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-10-15 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | ウエハ均一性を改善するための装置および方法 |
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