JPS59213439A - 容量結合型グロ−放電分解装置 - Google Patents
容量結合型グロ−放電分解装置Info
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- JPS59213439A JPS59213439A JP8823583A JP8823583A JPS59213439A JP S59213439 A JPS59213439 A JP S59213439A JP 8823583 A JP8823583 A JP 8823583A JP 8823583 A JP8823583 A JP 8823583A JP S59213439 A JPS59213439 A JP S59213439A
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- gas
- drum
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は容量結合型グロー放電分解装置の改良に関する
ものである。
ものである。
近年、電子写真感光体の導電性ドラムとして局面にアモ
／Ｉ／７アスシリコン（以下、ａ−８ｉ、と略す）感光
層を生成したものが開発されており、このような感光体
はグロー放電分解装置を用いて製造されている。
／Ｉ／７アスシリコン（以下、ａ−８ｉ、と略す）感光
層を生成したものが開発されており、このような感光体
はグロー放電分解装置を用いて製造されている。
例えば、容量結合型グロー放電分解装置を用いてａ −
Ｓ’ｉ感光体を製造するには感光体ドラムにグロー放電
用電極板を対向させ、両者の間にプラズマ放電を発生さ
せる。そして、このドラムを回転させつつ局面に感光層
生成ガスを吹きつけるとドラム局面にａ −Ｓｉ感光層
が生成される。
Ｓ’ｉ感光体を製造するには感光体ドラムにグロー放電
用電極板を対向させ、両者の間にプラズマ放電を発生さ
せる。そして、このドラムを回転させつつ局面に感光層
生成ガスを吹きつけるとドラム局面にａ −Ｓｉ感光層
が生成される。
しかしながら、感光体ドラムの局面に亘って均一な膜厚
ｅ膜質のａ−Ｓｔ感光層を生成するのは非常に難しく、
そのためにドラム局面での表面電位及び光感度にムラが
生じ、コピー画像に濃淡のムラが現われていた。
ｅ膜質のａ−Ｓｔ感光層を生成するのは非常に難しく、
そのためにドラム局面での表面電位及び光感度にムラが
生じ、コピー画像に濃淡のムラが現われていた。
これの主な原因として反応室の内部に一定の形状でグロ
ー放電用電極板が付設されるとともにガス噴出部が局在
するため、反応室内での感光層生成ガスの流通状態が感
光体ドラムの周囲で不均一になるためである。更に、も
う一つの原因としてドラムΦ電極板間の放電の他にドラ
ム以外、主に反応室の周壁と電極板の間にも弱い放電が
発生し、これによりドラム周囲の放電状態が不均一にな
り、ａ −Ｓｉ、感光層を劣化させる一因となっている
ことが判明した。
ー放電用電極板が付設されるとともにガス噴出部が局在
するため、反応室内での感光層生成ガスの流通状態が感
光体ドラムの周囲で不均一になるためである。更に、も
う一つの原因としてドラムΦ電極板間の放電の他にドラ
ム以外、主に反応室の周壁と電極板の間にも弱い放電が
発生し、これによりドラム周囲の放電状態が不均一にな
り、ａ −Ｓｉ、感光層を劣化させる一因となっている
ことが判明した。
本発明は上述の難点をすべて解決すべく完成されたもの
で、感光層生成ガスがドラム周囲で均一に流通し、且つ
無駄のない放電をドラム周囲で効率よく発生させ、均一
な膜厚・膜質のａ−ａ感光層を生成するだめの容量結合
型グロー放電分解装置を提供することを目的とする。
で、感光層生成ガスがドラム周囲で均一に流通し、且つ
無駄のない放電をドラム周囲で効率よく発生させ、均一
な膜厚・膜質のａ−ａ感光層を生成するだめの容量結合
型グロー放電分解装置を提供することを目的とする。
本発明の要旨は、減圧可能な反応室内で導電性の筒状体
とグロー放電用電極板とを対向させ、該筒状体の隅面に
非晶質（アモルファス）層生成ガスを吹き付けて、その
周面上に非晶質層を生成するようにした容量結合型グロ
ー放電分解装置番こおいて、前記グロー放電用電極板を
、ガス噴出部を有した内部電極板と、反応室を形成する
外部電極板との二重構造とし、且つ両電極板を導通した
ことを特徴とする容量結合型グロー放電分解装置を提供
することにある。
とグロー放電用電極板とを対向させ、該筒状体の隅面に
非晶質（アモルファス）層生成ガスを吹き付けて、その
周面上に非晶質層を生成するようにした容量結合型グロ
ー放電分解装置番こおいて、前記グロー放電用電極板を
、ガス噴出部を有した内部電極板と、反応室を形成する
外部電極板との二重構造とし、且つ両電極板を導通した
ことを特徴とする容量結合型グロー放電分解装置を提供
することにある。
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
この説明では導電性ドラムの周面上にａ −８１感光層
を生成してなる感光体ドラムを製造するものとして示さ
れているが、本発明に係る容量結合型グロー放電分解装
置は他の種類の感光層を生成してなる感光体ドラムを製
造するのにも使用され得るばかりか、容量結合型グロー
放電分解法に基づき、成膜される太陽電池、光センサ、
薄膜トランジスタ等にも適用できるものである。
を生成してなる感光体ドラムを製造するものとして示さ
れているが、本発明に係る容量結合型グロー放電分解装
置は他の種類の感光層を生成してなる感光体ドラムを製
造するのにも使用され得るばかりか、容量結合型グロー
放電分解法に基づき、成膜される太陽電池、光センサ、
薄膜トランジスタ等にも適用できるものである。
第１図は本発明に係る容量結合型グロー放電分解装置の
概略構成図であり、図中、第１〜４タンク（１１＋２１
＋３１ （４１の各々には、Ｈ＋ 、 Ｓｉ、Ｈ４，
Ｂ＋Ｈｅ 、 Ｎ＋０ガスが封入されている。尚、Ｈ２
ガスはＳｉ、Ｈ４ガス及ヒＢ１１Ｈｏガスのキャリアと
して機能する。これらのガスは、その各々に対応して設
けられている第１〜４調整弁＋５１ （６１（７１＋８
１を開放することによって放出され、その流量がマスフ
ローコントローラ０３＜１４１ （１５１ｔｔｅによっ
て規制されつつ、第１〜３タンク（１）＋２１ ＋３１
からのガスは混合されつつ第１主管＋１７１へと、一方
、第４タンク（４）からのガスは第２主管０＆へと送ら
れる。尚、図中、＋９） Ｑｌ （１１）＋１２１ （
ｔＬＪ（２１は止め弁テロる。
概略構成図であり、図中、第１〜４タンク（１１＋２１
＋３１ （４１の各々には、Ｈ＋ 、 Ｓｉ、Ｈ４，
Ｂ＋Ｈｅ 、 Ｎ＋０ガスが封入されている。尚、Ｈ２
ガスはＳｉ、Ｈ４ガス及ヒＢ１１Ｈｏガスのキャリアと
して機能する。これらのガスは、その各々に対応して設
けられている第１〜４調整弁＋５１ （６１（７１＋８
１を開放することによって放出され、その流量がマスフ
ローコントローラ０３＜１４１ （１５１ｔｔｅによっ
て規制されつつ、第１〜３タンク（１）＋２１ ＋３１
からのガスは混合されつつ第１主管＋１７１へと、一方
、第４タンク（４）からのガスは第２主管０＆へと送ら
れる。尚、図中、＋９） Ｑｌ （１１）＋１２１ （
ｔＬＪ（２１は止め弁テロる。
円筒形の反応室ρＤは容量結合型グロー放電分解法に基
づき、減圧可能であるとともに、その内部において導電
性のドラムＣ２の周囲に対して感光層生成ガスを吹き付
けることにより、その周面上に感光層を生成するだめの
ものであ抄、このドラム（ツバアルミニウム、ステンレ
ス、ＮＦＳＡガラス等の導電材を円筒状に形成したもの
である。（ハ）はドラム支持台であり、その台上にドラ
ムのが嵌装載置され、電気的に接地されている。このた
めドラム支持台（至）上にドラムＯ２を載置した場合、
ドラム（２ｚはドラム支持台−を介して接地される。
づき、減圧可能であるとともに、その内部において導電
性のドラムＣ２の周囲に対して感光層生成ガスを吹き付
けることにより、その周面上に感光層を生成するだめの
ものであ抄、このドラム（ツバアルミニウム、ステンレ
ス、ＮＦＳＡガラス等の導電材を円筒状に形成したもの
である。（ハ）はドラム支持台であり、その台上にドラ
ムのが嵌装載置され、電気的に接地されている。このた
めドラム支持台（至）上にドラムＯ２を載置した場合、
ドラム（２ｚはドラム支持台−を介して接地される。
前記反応室Ｑυの周壁の少なくとも一部には金属製のグ
ロー放電用電極板ｒ２４）が二重構造を成している。例
えば、反応室ＱＤの周壁全体を円筒状のグロー放電用′
ｆ！Ｌ極板＠に置換した場合について、第２図に示した
破断面図により説明すれば、ドラム（２）の局面へ感光
層生成ガスを吹き出すだめのガス噴出部（至）をもった
円筒状の内部電極板（イ）、及び反応室ＱＢを形成し、
ガス導入部（２力をもった円筒状の外部電極板（２）か
ら成る二重の筒状体が適当な環状のスペーサ（２１を上
端部及び下端部に介在させて形成し、且つ両方の電極板
（イ）（ハ）は適当な導電路を設けて導通され、更に、
このグロー放電用電極板（２４のほぼ中央部に同心円状
に位置してドラム［７２が載置される。
ロー放電用電極板ｒ２４）が二重構造を成している。例
えば、反応室ＱＤの周壁全体を円筒状のグロー放電用′
ｆ！Ｌ極板＠に置換した場合について、第２図に示した
破断面図により説明すれば、ドラム（２）の局面へ感光
層生成ガスを吹き出すだめのガス噴出部（至）をもった
円筒状の内部電極板（イ）、及び反応室ＱＢを形成し、
ガス導入部（２力をもった円筒状の外部電極板（２）か
ら成る二重の筒状体が適当な環状のスペーサ（２１を上
端部及び下端部に介在させて形成し、且つ両方の電極板
（イ）（ハ）は適当な導電路を設けて導通され、更に、
このグロー放電用電極板（２４のほぼ中央部に同心円状
に位置してドラム［７２が載置される。
ここで前記ガス噴出部（至）は第２図に示すような内部
電極板（至）の周壁全体に均等に設けられた多孔状の他
、ドラムＣ２の全周面にほぼ均等にガスが噴出されるの
であれば、平行に並んだ複数のスリット状など種々の形
状が設けられる。
電極板（至）の周壁全体に均等に設けられた多孔状の他
、ドラムＣ２の全周面にほぼ均等にガスが噴出されるの
であれば、平行に並んだ複数のスリット状など種々の形
状が設けられる。
そして前記ガス導入部（２７１はドラム（２ｚの中心軸
に平行し、且つドラム（２２の中心からほぼ等距離に位
置して外部電極板（至）にガス導入口（２７ａ）が２ケ
所貫設され更にこれらのガス導入口（ｚ７ａ）に対しド
ラムのの中心軸を介して線対称の位置にも同様なガス導
入口（２，７１））が２ケ所貫設されている。そして、
対称の位置関係にあるそれぞれのガス導入口（２７ａ）
（２７ｂ） ＋ｃ相応して、第１．２主管ａｎａ＆が
それぞれ分岐し、これら分岐された第１．２主管αＢ（
１８１が合流され、然る後、グロー放電用電極板（財）
と電気的に絶縁するため配管の一部にテフロン等の高分
子樹脂、ガラス、セラミックなどから成る絶縁リング圓
を介して外部電極板（２）に接続される。
に平行し、且つドラム（２２の中心からほぼ等距離に位
置して外部電極板（至）にガス導入口（２７ａ）が２ケ
所貫設され更にこれらのガス導入口（ｚ７ａ）に対しド
ラムのの中心軸を介して線対称の位置にも同様なガス導
入口（２，７１））が２ケ所貫設されている。そして、
対称の位置関係にあるそれぞれのガス導入口（２７ａ）
（２７ｂ） ＋ｃ相応して、第１．２主管ａｎａ＆が
それぞれ分岐し、これら分岐された第１．２主管αＢ（
１８１が合流され、然る後、グロー放電用電極板（財）
と電気的に絶縁するため配管の一部にテフロン等の高分
子樹脂、ガラス、セラミックなどから成る絶縁リング圓
を介して外部電極板（２）に接続される。
ここで、前記ガス導入部（５）は上記のように４ケ所の
ガス導入口（２７ａ） （２７ｂ）を設けるだけで、ド
ラムのを従来のように回転駆動しなくても好適な膜厚・
膜質が得られるが、ドラムＣ２の形状やサイズ、導入ガ
スの流量等々、種々の条件によっては更に増やす必要が
あり、例えば軸方向に大きしドラムの場合、ガス導入口
（２７ａ） （２７１））のそれぞれを増やす必要があ
り、径の大きいドラムでは線対称となるべくガス導入口
を増やすとよく、そしてガス流量を多くした場合でも上
記の如きにガス導入口を増やすのが望まし一部 前記グロー放電用電極板（至）は高周波電源Ｃ１１ｌｌ
によって０．０５〜１．５ ｋｖｌｒの高周波電力が印
加され、その周波数は１〜５９ ＭＨ２ｉが好まし９゜
このため感光層生成時におムてドラム（２３が接地され
ているため、ドラムのの局面とグロー放電用電極板□□
□との間に高周波電界が形成される。こむでグロー放電
用電極板＠、とりわけ内部電極板（イ）がドラム■の局
面に対して同心円状に形成されているため、ドラム酷の
局面と内部電極板（至）との間隔は一定となシ、前記の
如く形成される高周波電界の強度は全体的に等しくなる
。尚且つ、内部電極板（イ）と外部電極板（２）が導通
しているため、同電位となり、両者間に何ら放電が発生
せず、その結果、ドラム〇２・内部電極板（イ）間の放
電を乱すこともなく、ドラムのの周囲で均一な放電状態
が効率よく維持できることになる。
ガス導入口（２７ａ） （２７ｂ）を設けるだけで、ド
ラムのを従来のように回転駆動しなくても好適な膜厚・
膜質が得られるが、ドラムＣ２の形状やサイズ、導入ガ
スの流量等々、種々の条件によっては更に増やす必要が
あり、例えば軸方向に大きしドラムの場合、ガス導入口
（２７ａ） （２７１））のそれぞれを増やす必要があ
り、径の大きいドラムでは線対称となるべくガス導入口
を増やすとよく、そしてガス流量を多くした場合でも上
記の如きにガス導入口を増やすのが望まし一部 前記グロー放電用電極板（至）は高周波電源Ｃ１１ｌｌ
によって０．０５〜１．５ ｋｖｌｒの高周波電力が印
加され、その周波数は１〜５９ ＭＨ２ｉが好まし９゜
このため感光層生成時におムてドラム（２３が接地され
ているため、ドラムのの局面とグロー放電用電極板□□
□との間に高周波電界が形成される。こむでグロー放電
用電極板＠、とりわけ内部電極板（イ）がドラム■の局
面に対して同心円状に形成されているため、ドラム酷の
局面と内部電極板（至）との間隔は一定となシ、前記の
如く形成される高周波電界の強度は全体的に等しくなる
。尚且つ、内部電極板（イ）と外部電極板（２）が導通
しているため、同電位となり、両者間に何ら放電が発生
せず、その結果、ドラム〇２・内部電極板（イ）間の放
電を乱すこともなく、ドラムのの周囲で均一な放電状態
が効率よく維持できることになる。
ところで、外部電極板（ハ）は前記の如く反応室（２１
）の周壁のほぼすべてを置換する必要性はなく、余分な
グロー放電の発生により受ける影響が無視できる範囲内
で置換してもより。
）の周壁のほぼすべてを置換する必要性はなく、余分な
グロー放電の発生により受ける影響が無視できる範囲内
で置換してもより。
上記に加えて、ガス噴出部（ハ）がドラム（イ）の全周
面に対し均等に配設されているため、ガス流量など種々
の条件にもよるが、このドラム（イ）を回転駆動しなく
てもその局面付近でガス状態が均一な密度及び組成とな
り、その結果、均一電界下で良好にグロー放電分解され
、ドラム１２２の周面上に均一な膜厚・膜質の感光層を
生成する。
面に対し均等に配設されているため、ガス流量など種々
の条件にもよるが、このドラム（イ）を回転駆動しなく
てもその局面付近でガス状態が均一な密度及び組成とな
り、その結果、均一電界下で良好にグロー放電分解され
、ドラム１２２の周面上に均一な膜厚・膜質の感光層を
生成する。
ここで、ドラムＱ２と内部電極板（ハ）の間隔がｌ。
ｎ以下になると均一な放電が困難となり局所的に放電の
ムフが発生し、更に、成膜中、内部電極板■の表面に付
着したシリコン粉末などがガス流に乗って飛散し、ドラ
ムＣ２の表面に付着し、膜質を劣化させることが判った
。他方、７Ｏｆｆ以上になると安定な放電を保つためガ
ス圧を設定してもドラム０２周面の膜厚分布が不均一と
なり、これは内部［１ｉ板（イ）から噴出したガスが放
電後の排気に伴って影響を受けるためガス流通状態が不
均一となり、発生したプラズマの相成分布が均一になら
ないためだと考えられる。以上の通り、ドラムｔａ・内
部電極板翰の間隔は１０〜７０ｍ１がよく、好適には２
５〜５０日が望ましい。
ムフが発生し、更に、成膜中、内部電極板■の表面に付
着したシリコン粉末などがガス流に乗って飛散し、ドラ
ムＣ２の表面に付着し、膜質を劣化させることが判った
。他方、７Ｏｆｆ以上になると安定な放電を保つためガ
ス圧を設定してもドラム０２周面の膜厚分布が不均一と
なり、これは内部［１ｉ板（イ）から噴出したガスが放
電後の排気に伴って影響を受けるためガス流通状態が不
均一となり、発生したプラズマの相成分布が均一になら
ないためだと考えられる。以上の通り、ドラムｔａ・内
部電極板翰の間隔は１０〜７０ｍ１がよく、好適には２
５〜５０日が望ましい。
また、反応室Ｑυの内部は感光層生成時に高度の真空状
態、具体的には０．５〜２． Ｑ ＴＯｒｒ程度の真空
状態を必要とし、そのため回転ポンプｃＩｚ及び拡散ポ
ンプ嬢が反応室（２Ｄに連結されている。次いで、部眞
を介して回転ポンプムυにより排出される。即ち、この
ガス吸引部（財）は第３図のように、ドラム（２３の真
下にドラム（２）の中心軸を中心として円状に複数のガ
ス吸引口（３４ａ）が貫通されるのがよく、望ましくは
ドラム０３周面の真下に位置して等間隔にガス吸引口（
３４ａ）が貫設されるのがよい。
態、具体的には０．５〜２． Ｑ ＴＯｒｒ程度の真空
状態を必要とし、そのため回転ポンプｃＩｚ及び拡散ポ
ンプ嬢が反応室（２Ｄに連結されている。次いで、部眞
を介して回転ポンプムυにより排出される。即ち、この
ガス吸引部（財）は第３図のように、ドラム（２３の真
下にドラム（２）の中心軸を中心として円状に複数のガ
ス吸引口（３４ａ）が貫通されるのがよく、望ましくは
ドラム０３周面の真下に位置して等間隔にガス吸引口（
３４ａ）が貫設されるのがよい。
これによればガス排出に伴うガス流通状態に乱れがほと
んどなく、ドラムｃ２１の周面で均一なガス組成及び密
度が得られる。更に、成膜中、ガス吸引口（ａ４ａ）周
辺に堆積した粉末状シリコンがガスの流れに乗ってドラ
ムの表面１こ付着せず、ドラム（２６を汚染することも
なめ。
んどなく、ドラムｃ２１の周面で均一なガス組成及び密
度が得られる。更に、成膜中、ガス吸引口（ａ４ａ）周
辺に堆積した粉末状シリコンがガスの流れに乗ってドラ
ムの表面１こ付着せず、ドラム（２６を汚染することも
なめ。
以上の構成の容量結合型グロー放電分解装置において、
ａ −６１ｇ光層をドラム０２の周面上に生成するに
際し、第１．２調整弁＋５１ ＋６）を開放して適当な
流量比で第１．２タンクｆｉｌ （２１よりＨ＋ 、
ＳｉＨ４ガスを、また必要に応じて第４調整弁（８）を
開放して第４タンク（４）よりＮｇｏガスを、更に硼素
を含有するときは第３調整弁（７）を開放して第３タン
ク（３）よりＢ！１Ｈａガスを放出する。放出量はマス
フローコントローラＱ：ｌ（＋４１０（ト）任ｅにより
規制され、Ｎ９をキャリアーガスとするＳｉＨ＋ガス、
あるいはそれにＢ２Ｈａガスが混合されたガスが第１主
管（１７１を介して、一方、Ｓ’１−ｉ（＋に対し一定
のモル比にあるＮ２０ガフが第２主管α＆を介して送ら
れ、感光層生成ガスが構成される。このような感光層生
成ガスは混合後、外部電極板（２）のガス導入部罰を介
してガス噴出部ＱりよりドラムＣ２の周囲に対して吹き
付けられる。
ａ −６１ｇ光層をドラム０２の周面上に生成するに
際し、第１．２調整弁＋５１ ＋６）を開放して適当な
流量比で第１．２タンクｆｉｌ （２１よりＨ＋ 、
ＳｉＨ４ガスを、また必要に応じて第４調整弁（８）を
開放して第４タンク（４）よりＮｇｏガスを、更に硼素
を含有するときは第３調整弁（７）を開放して第３タン
ク（３）よりＢ！１Ｈａガスを放出する。放出量はマス
フローコントローラＱ：ｌ（＋４１０（ト）任ｅにより
規制され、Ｎ９をキャリアーガスとするＳｉＨ＋ガス、
あるいはそれにＢ２Ｈａガスが混合されたガスが第１主
管（１７１を介して、一方、Ｓ’１−ｉ（＋に対し一定
のモル比にあるＮ２０ガフが第２主管α＆を介して送ら
れ、感光層生成ガスが構成される。このような感光層生
成ガスは混合後、外部電極板（２）のガス導入部罰を介
してガス噴出部ＱりよりドラムＣ２の周囲に対して吹き
付けられる。
また反応室（２１１の内部が０．５〜２． Ｑ Ｔｏｒ
ｒ程度の真空状部に、ドラムＯ２の表面温度が１００〜
４００℃、好ましくは１５０〜３００℃に、グロー放電
用電極板ｅ４に印加されている高周波電力が０．０５〜
１．５ ｋＷに、そして周波数が１〜５ Ｑ ＭＨｚに
設定されるとともに、ドラムＣ２の周面と内部ＷＬ電極
板至）の間でグロー放電が発生し、感光層生成ガスが分
解されることになる。かくして、ドラム器の周面上に、
ａ−８ｊ−感光層が約０．５〜２０μｍ ／ ｈｏｕｒ
の速さで生成され、この際、ドラムＣシｚの周囲で均一
な放電状態が効率よく維持でき、且つガス状態が均一な
密度及び組成となるため、ドラム器の周面上に均一な膜
厚・膜質のａ −Ｓｉ感光層が生成される。
ｒ程度の真空状部に、ドラムＯ２の表面温度が１００〜
４００℃、好ましくは１５０〜３００℃に、グロー放電
用電極板ｅ４に印加されている高周波電力が０．０５〜
１．５ ｋＷに、そして周波数が１〜５ Ｑ ＭＨｚに
設定されるとともに、ドラムＣ２の周面と内部ＷＬ電極
板至）の間でグロー放電が発生し、感光層生成ガスが分
解されることになる。かくして、ドラム器の周面上に、
ａ−８ｊ−感光層が約０．５〜２０μｍ ／ ｈｏｕｒ
の速さで生成され、この際、ドラムＣシｚの周囲で均一
な放電状態が効率よく維持でき、且つガス状態が均一な
密度及び組成となるため、ドラム器の周面上に均一な膜
厚・膜質のａ −Ｓｉ感光層が生成される。
次に、本発明の変形態様について第４図（こより説明す
る。
る。
本発明に係る導電性ドラムは円筒形に限らず、断面が多
角形状の種々の筒状体についても適用できる。例えば、
第４図（１）叩は断面が正八角形をしたドラム（２２ａ
）が中央に載置された反応室を上方から見た概略図であ
り、いずれも反応室の周壁をすべてグロー放電用電極板
に置換した場合において、ドラム（２２ａ）及びグロー
放電用Ｎ、極板（２４ａ）（２４１））のそれぞれの筒
状体の断面形状概略図を示す。図中、（１）叫はグロー
放電用電極板（２４ａ）（２４ｂ）がそれぞれ円筒形及
び断面が正八角形の筒状体の場合を示し、（２６ａ）
（２６１））は内部電極板、（２ｓａ）（２８ｂ）は外
部！［板であり、そして内部ｗ１極板（２６ａ） （２
６ｂ）はいずれも多孔のガス噴出部（２５ａＸ２５ｂ）
をもっており、ガス吸引部（図示せず）は勿論ドラム（
２２ａ）の下方部に設けられ、望ましくはドラム（２２
ａ）周面の真下に貫設されたガス吸引口（図示せず）か
ら成る。
角形状の種々の筒状体についても適用できる。例えば、
第４図（１）叩は断面が正八角形をしたドラム（２２ａ
）が中央に載置された反応室を上方から見た概略図であ
り、いずれも反応室の周壁をすべてグロー放電用電極板
に置換した場合において、ドラム（２２ａ）及びグロー
放電用Ｎ、極板（２４ａ）（２４１））のそれぞれの筒
状体の断面形状概略図を示す。図中、（１）叫はグロー
放電用電極板（２４ａ）（２４ｂ）がそれぞれ円筒形及
び断面が正八角形の筒状体の場合を示し、（２６ａ）
（２６１））は内部電極板、（２ｓａ）（２８ｂ）は外
部！［板であり、そして内部ｗ１極板（２６ａ） （２
６ｂ）はいずれも多孔のガス噴出部（２５ａＸ２５ｂ）
をもっており、ガス吸引部（図示せず）は勿論ドラム（
２２ａ）の下方部に設けられ、望ましくはドラム（２２
ａ）周面の真下に貫設されたガス吸引口（図示せず）か
ら成る。
これによりドラム（２２ａ）の局面でガス状態が均一な
密度及び組成となり、尚且つドラム（２２ａ）の周囲で
比較的均一な放電状態が効率よく維持できるため、その
周面上に均一な膜厚・膜質の感光層が生成される。
密度及び組成となり、尚且つドラム（２２ａ）の周囲で
比較的均一な放電状態が効率よく維持できるため、その
周面上に均一な膜厚・膜質の感光層が生成される。
以上の実施例から明らかなように、グロー放電用Ｎ極板
がガス噴出部を有した内部！極板と、反応室を形成する
外部電極板の二重構造を成し、且つ両電極板を導通する
ことにより、ドラムの周囲に均一なグロー放電状態が無
駄なく効率的に維持でき、加えて、ガス噴出部がドラム
周囲に均等に配設され、且つガス吸引部がドラムの下方
部に設けられているため、ガス排出に伴うガス流通状態
に乱れがなく、且つドラムの汚染もなくなった。
がガス噴出部を有した内部！極板と、反応室を形成する
外部電極板の二重構造を成し、且つ両電極板を導通する
ことにより、ドラムの周囲に均一なグロー放電状態が無
駄なく効率的に維持でき、加えて、ガス噴出部がドラム
周囲に均等に配設され、且つガス吸引部がドラムの下方
部に設けられているため、ガス排出に伴うガス流通状態
に乱れがなく、且つドラムの汚染もなくなった。
かくしてドラムに回転駆動を必要としなくてもドラム周
囲で均一な密度及び組成のガス状態となり、その結果、
均一な膜厚・膜質の感光層を生成することが出来るよう
になった。
囲で均一な密度及び組成のガス状態となり、その結果、
均一な膜厚・膜質の感光層を生成することが出来るよう
になった。
第１図は本発明に係る容量結合型グロー放電分解装置の
概略構成図、第２図はグロー放電用！極板の実施例を示
す破断面図、第３図はガス吸引部の実施例を示す破断面
図、第４図は他の実施例を示す概略図である。 ｅｌ （２２ａ）−、ドラム、（２４） （２４ａ）（
２４ｂ） ・・・グロー放ｔｚ用ｍｉ板、Ｕ （２５ａ
Ｘ２５ｂ）−、Ｉｆ ス噴出１、（２（ｉ） （２６ａ
Ｘ２６ｂ） 、、、内部ｉｗ板、（２７１−・・ガス導
入部、（２８） （２８ａ） （２８１））・・・外部
電極板、■・・・ガス吸引部出願人京セラ株式会社 同 河 村 孝 夫
概略構成図、第２図はグロー放電用！極板の実施例を示
す破断面図、第３図はガス吸引部の実施例を示す破断面
図、第４図は他の実施例を示す概略図である。 ｅｌ （２２ａ）−、ドラム、（２４） （２４ａ）（
２４ｂ） ・・・グロー放ｔｚ用ｍｉ板、Ｕ （２５ａ
Ｘ２５ｂ）−、Ｉｆ ス噴出１、（２（ｉ） （２６ａ
Ｘ２６ｂ） 、、、内部ｉｗ板、（２７１−・・ガス導
入部、（２８） （２８ａ） （２８１））・・・外部
電極板、■・・・ガス吸引部出願人京セラ株式会社 同 河 村 孝 夫
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１減圧可能な反応室内で導電性の筒状体とグロー放
電用電極板とを対向させ、該筒状体の局面に非晶質層生
成ガスを吹き付けて、その周面上に非晶質層を生成する
ようにした容量結合型グロー放電分解装置において、前
記グロー放電用電極板を、ガス噴出部を有した内部電極
板と、反応室を形成する外部電極板との二重構造とし、
且つ両電極板を導通したことを特徴とする容量結合型グ
ロー放電分解装置。 （２） 前記筒状体の下方部にガス吸引部を有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の容量結合型
グロー放電分解装置。 （３） 前記筒状体と前記グロー放電用電極板の間隔
が１０〜７（１１であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の容量結合型グロー放電分解装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8823583A JPS59213439A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 容量結合型グロ−放電分解装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8823583A JPS59213439A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 容量結合型グロ−放電分解装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59213439A true JPS59213439A (ja) | 1984-12-03 |
| JPH0438449B2 JPH0438449B2 (ja) | 1992-06-24 |
Family
ID=13937196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8823583A Granted JPS59213439A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 容量結合型グロ−放電分解装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59213439A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6158382A (en) * | 1996-12-12 | 2000-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming a deposited film by plasma chemical vapor deposition and apparatus for forming a deposited film by plasma chemical vapor deposition |
| JP2006219702A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ成膜装置 |
| US7684733B2 (en) | 2006-03-30 | 2010-03-23 | Kyocera Corporation | Electrophotographic photosensitive member rotatably supported in an image forming apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5618617B2 (ja) * | 2010-05-14 | 2014-11-05 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5925969A (ja) * | 1982-08-04 | 1984-02-10 | Minolta Camera Co Ltd | グロ−放電分解装置 |
| JPS5938375A (ja) * | 1982-08-26 | 1984-03-02 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS5950167A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-23 | Toshiba Corp | グロ−放電による薄膜形成装置 |
-
1983
- 1983-05-18 JP JP8823583A patent/JPS59213439A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5925969A (ja) * | 1982-08-04 | 1984-02-10 | Minolta Camera Co Ltd | グロ−放電分解装置 |
| JPS5938375A (ja) * | 1982-08-26 | 1984-03-02 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS5950167A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-23 | Toshiba Corp | グロ−放電による薄膜形成装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6158382A (en) * | 1996-12-12 | 2000-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming a deposited film by plasma chemical vapor deposition and apparatus for forming a deposited film by plasma chemical vapor deposition |
| JP2006219702A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Ulvac Japan Ltd | プラズマ成膜装置 |
| US7684733B2 (en) | 2006-03-30 | 2010-03-23 | Kyocera Corporation | Electrophotographic photosensitive member rotatably supported in an image forming apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0438449B2 (ja) | 1992-06-24 |
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