JPS5929420A - X線マスクの製造方法 - Google Patents

X線マスクの製造方法

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Publication number
JPS5929420A
JPS5929420A JP57139384A JP13938482A JPS5929420A JP S5929420 A JPS5929420 A JP S5929420A JP 57139384 A JP57139384 A JP 57139384A JP 13938482 A JP13938482 A JP 13938482A JP S5929420 A JPS5929420 A JP S5929420A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
silicon oxide
oxide film
ray mask
manufacture
Prior art date
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Pending
Application number
JP57139384A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS5929420A publication Critical patent/JPS5929420A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はX線露光用マスクの製造方法に関する。
従来、X線露光用のマスクの製造方法としては、第1図
に断面図で示した方法で製造されるのが通例であった。
すなわち、(a)シリコン基板1の表面にシリコン基板
を熱酸化して酸化シリコン膜2を形成し、該酸化シリコ
ン膜2の表面に化学蒸着法により窒化シリコン膜3を形
成し、該窒化シリコン膜3の表面に、図形状のX線阻止
能を有する金等の膜4を形成する。次で、(b)シリコ
ン基板の裏面をシリコン枠5を残してエツチング除去し
てX線マスクとなす。
上記従来技術によるX線マスクは、温度変化による図形
歪がある事、及び製法が複雑であるという欠点があった
〇 本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、湿度変化によ
る図形歪のないX線マスクを簡便に製作する方法を提供
する事を目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、X
線マスクの製造方法において、ポリイミド膜等の合成樹
脂膜またはガラス膜表面には酸化シリコン膜が形成され
、該酸化シリコン膜表面にはX線阻止能を有する図形状
の金等の膜が形成された基板膜を製作し、該基板膜の酸
化シリコン膜表面と別途製作された石英製の枠とを接着
剤により接着してX線マスクとなすことを特徴とする特
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
第2図は本発明によるX線マスクの製造方法を工程毎の
断面図で示したものである。(σ)ポリイミド膜11の
一平面に、(b)スパッタ蒸着により酸化シリコン膜1
2を形成し、(c)該酸化シリコン膜12上に蒸着技術
およびホト・リゾグラフィー技術を用いて図形状の金膜
15を形成後、(d)酸化シリコン膜12の表面と石英
製の枠14とを51(OH)7からなる液状接着剤15
により接着・固化してX線マスクを製作する。
本発明によ・り製作されたX線マスクは枠およびメンプ
ラン膜が主として酸化シリコンで形成されていたため、
温度変化による図形歪が発生せず、且つ、製法が簡単で
あるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(α) l (b)は従来技術によるX線マスク
の製造方法を示す断面図、第2図(a) + (b) 
+ ((’) + (d)は本発明によるX線マスクの
製造方法を示す工程毎の断面図を示す。 1・゛シリコン基板  2・・・・・酸イヒシリコン膜
3・・・窒化シリコン膜 4・・・・・・全図形状膜5
・・・・・・シリコン枠 11・・・・・合成樹脂膜またはガラス膜12・・・・
酸化シリコン膜 13・・・・・・全図形状膜 14・・・・・石英枠 15・・・・・・接着剤 以  上 出願人  株式会社諏訪精工舎 代理人  弁理士 最上  務JA′ 1.−1 S

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ポリイミド等の合成樹脂膜、またはガラス膜表面には酸
    化シリコン膜が形成され、該酸化シリコン膜表面にはX
    線阻止能を有する図形状の金等の膜が形成された基板膜
    を製作し、該基板膜の酸化シリコン膜表面と別途製作さ
    れた石英製の枠とを接着剤により接着してX線マスクと
    なす事を特徴とするX線マスクの製造方法。
JP57139384A 1982-08-11 1982-08-11 X線マスクの製造方法 Pending JPS5929420A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6135449A (ja) * 1984-07-07 1986-02-19 テレフンケン・エレクトロニク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング レントゲンリトグラフイ用マスク
US6042272A (en) * 1996-01-22 2000-03-28 Nsk Ltd. Rolling bearing with a sealing device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6135449A (ja) * 1984-07-07 1986-02-19 テレフンケン・エレクトロニク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング レントゲンリトグラフイ用マスク
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