JPS58215028A - X線マスクとその製造方法 - Google Patents
X線マスクとその製造方法Info
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- JPS58215028A JPS58215028A JP57097984A JP9798482A JPS58215028A JP S58215028 A JPS58215028 A JP S58215028A JP 57097984 A JP57097984 A JP 57097984A JP 9798482 A JP9798482 A JP 9798482A JP S58215028 A JPS58215028 A JP S58215028A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はxffMマスク構造と、その製造方法に関する
。
。
従来、X線マスクは第1図に示すごとき0,4謔厚程度
のシリコン枠1内に1〜2μ濯程度のシリコン・メンプ
ラン膜2が形成され、該シリコン・メンプラン膜表面に
は金等のX線阻止能を有する図形状膜3が形成されてい
るのが通例である。
のシリコン枠1内に1〜2μ濯程度のシリコン・メンプ
ラン膜2が形成され、該シリコン・メンプラン膜表面に
は金等のX線阻止能を有する図形状膜3が形成されてい
るのが通例である。
上記従来技術によるX線マスクは第2図に示す如き工程
によって製造される。すなわち、(a) 0.4問厚程
度のシリコン・ウェーハ基板11の表面から、(h)後
程シリコン・メンプラン膜となるボロン拡散膜を1〜2
μ情熱拡散により形成し、(c)白金を100大程度全
面に蒸着後、通常のホトレジスト技術によりレジストを
図形状に形成し、該図形の溝部に、下地白金膜を電極と
して、金メッキを行ない、レジスト除去と、白金膜を一
部図形状金膜の下を残して、スパッタ・エッチにより除
去し、X線阻止能を有する図形状膜13を形成し、(d
)前記基板表面及び裏面のシリコン枠とすべき部分の上
にアビシン・ワックス等を塗布した後、KOH水溶液に
よりエツチング膜として残り、シリコン枠内にシリコン
・メンプラン膜が形成され、該シリコン・メンプラン膜
上に金パターンが形成されたX線マスクが製造される。
によって製造される。すなわち、(a) 0.4問厚程
度のシリコン・ウェーハ基板11の表面から、(h)後
程シリコン・メンプラン膜となるボロン拡散膜を1〜2
μ情熱拡散により形成し、(c)白金を100大程度全
面に蒸着後、通常のホトレジスト技術によりレジストを
図形状に形成し、該図形の溝部に、下地白金膜を電極と
して、金メッキを行ない、レジスト除去と、白金膜を一
部図形状金膜の下を残して、スパッタ・エッチにより除
去し、X線阻止能を有する図形状膜13を形成し、(d
)前記基板表面及び裏面のシリコン枠とすべき部分の上
にアビシン・ワックス等を塗布した後、KOH水溶液に
よりエツチング膜として残り、シリコン枠内にシリコン
・メンプラン膜が形成され、該シリコン・メンプラン膜
上に金パターンが形成されたX線マスクが製造される。
前記、従来技術によるX線マスクとその製造方法におい
ては、例えば100聴径のマスクを製造した場合にシリ
コンの熱膨張率が大なるため、1℃の温度変化により、
マスクの両端で05μ毒ののパターンずれをおこすとい
う欠点があった。
ては、例えば100聴径のマスクを製造した場合にシリ
コンの熱膨張率が大なるため、1℃の温度変化により、
マスクの両端で05μ毒ののパターンずれをおこすとい
う欠点があった。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、熱膨張による
パターンずれのないマスクの提供と、その製造方法とを
提供することを目的とする。
パターンずれのないマスクの提供と、その製造方法とを
提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、X
線マスクに於て、石英枠内には弗酸等の石英材料のエツ
チング剤に対するエツチング阻止能を有する利料膜と、
酸化硅素膜が2Rに形成されたメンプラン膜が貼付けら
れ、該メンプラン膜にはX線透過阻止能を有する金等の
材料膜が図形状に形成されて成る事を特徴とする事であ
る。
線マスクに於て、石英枠内には弗酸等の石英材料のエツ
チング剤に対するエツチング阻止能を有する利料膜と、
酸化硅素膜が2Rに形成されたメンプラン膜が貼付けら
れ、該メンプラン膜にはX線透過阻止能を有する金等の
材料膜が図形状に形成されて成る事を特徴とする事であ
る。
更に、本発明による前記目的を達成するための本発明の
その他の基本的な構成は、X線マスクの製造方法に於て
、石英基板表面には弗酸等の石英利料のエツチング剤に
対するエツチング阻止能を有する材料膜を少なくともM
X線露光面積と同等かあるいはそれより少し大きな面積
に形成し、該石英基板上とエツチングに対する阻止能を
有する材料膜上には、酸化硅素膜を形成し、X線阻止能
を有する金等の図形状膜は前記石英基板表面か、あるい
は前記エツチングに対する阻止能を有する材料膜表面か
、あるいは前記酸化硅素膜表面に形成され、前記石英基
板裏面から被X線露光基板と類似形状に研削およびエツ
チング加工処理を施し、石英基板表面のエツチング阻止
能を有する利料膜でエツチングを阻止させて、2層メン
プラン膜を石英枠に貼付けした形状となす事を特徴とす
る以下、実施例により本発明を詳述する。
その他の基本的な構成は、X線マスクの製造方法に於て
、石英基板表面には弗酸等の石英利料のエツチング剤に
対するエツチング阻止能を有する材料膜を少なくともM
X線露光面積と同等かあるいはそれより少し大きな面積
に形成し、該石英基板上とエツチングに対する阻止能を
有する材料膜上には、酸化硅素膜を形成し、X線阻止能
を有する金等の図形状膜は前記石英基板表面か、あるい
は前記エツチングに対する阻止能を有する材料膜表面か
、あるいは前記酸化硅素膜表面に形成され、前記石英基
板裏面から被X線露光基板と類似形状に研削およびエツ
チング加工処理を施し、石英基板表面のエツチング阻止
能を有する利料膜でエツチングを阻止させて、2層メン
プラン膜を石英枠に貼付けした形状となす事を特徴とす
る以下、実施例により本発明を詳述する。
第3図は本発明によるX線マスク構造の一例であり、2
調厚f)′125叫角の石英枠21内には1、て− 石英エツチングに対するエツチング阻止能を有するポリ
イミド膜22が1μ濯厚で形成され、更にその上に酸化
硅素膜23がスパッタリングあるいは光OVD法、ある
いは5i(OH)との塗布ガラス法により1μ濯厚に低
温で形成させ、その上にはX線阻止能を有する金膜24
が図形状に0.5μ濯厚で形成されて成る。
調厚f)′125叫角の石英枠21内には1、て− 石英エツチングに対するエツチング阻止能を有するポリ
イミド膜22が1μ濯厚で形成され、更にその上に酸化
硅素膜23がスパッタリングあるいは光OVD法、ある
いは5i(OH)との塗布ガラス法により1μ濯厚に低
温で形成させ、その上にはX線阻止能を有する金膜24
が図形状に0.5μ濯厚で形成されて成る。
本実施例の中で、エツチング阻止能を有する膜24はポ
リイミド等の合成樹脂膜の他、窒化硅素膜、窒化硼素膜
、炭化硅素膜、シリコン膜、酸化アルミニウム膜等でも
良い。
リイミド等の合成樹脂膜の他、窒化硅素膜、窒化硼素膜
、炭化硅素膜、シリコン膜、酸化アルミニウム膜等でも
良い。
第4図は本発明によるX線マスクの製造方法を示ず一実
施例であり、(α)2.厚で125咽角の石英基板31
の表面に、(b)ポリイミド膜32をスピン塗布で形成
後、周辺ポリイミド膜をホト・エツチング法等で除去し
、(C)光OVD法によg100″°C程度の低温で酸
化硅素膜33を基板全面に形成後、(d)金パターン3
4を通常のホト・エツチング法とメッキ技術を用いて形
成し、(e)基板裏面より基板中央部のみを枠を残して
、基板厚が10/1mから50μm厚程度残る様、表面
にはアビシンワックス等の保護膜を付けてダイヤモンド
砥粒研摩により10100r径に研摩、研削した後、(
1)石英枠35が残る様に基板表面及び石英枠となる外
周側面及び裏面にアビシンワックスを塗布し、基板裏面
を弗酸でエツチングすると、エツチング阻止能を有する
膜32でエツチングを終了し、水洗、アビシンワックス
(7)−ドーリ−カー−2乙による除去処理等を施して
、X線マスクと成る。
施例であり、(α)2.厚で125咽角の石英基板31
の表面に、(b)ポリイミド膜32をスピン塗布で形成
後、周辺ポリイミド膜をホト・エツチング法等で除去し
、(C)光OVD法によg100″°C程度の低温で酸
化硅素膜33を基板全面に形成後、(d)金パターン3
4を通常のホト・エツチング法とメッキ技術を用いて形
成し、(e)基板裏面より基板中央部のみを枠を残して
、基板厚が10/1mから50μm厚程度残る様、表面
にはアビシンワックス等の保護膜を付けてダイヤモンド
砥粒研摩により10100r径に研摩、研削した後、(
1)石英枠35が残る様に基板表面及び石英枠となる外
周側面及び裏面にアビシンワックスを塗布し、基板裏面
を弗酸でエツチングすると、エツチング阻止能を有する
膜32でエツチングを終了し、水洗、アビシンワックス
(7)−ドーリ−カー−2乙による除去処理等を施して
、X線マスクと成る。
尚、本発明によるエツチング阻止能を有する膜としては
、ポリイミド膜等の合成樹脂膜の他、シリコン膜、窒化
硅素膜、窒化硼素膜、酸化アルミニウム膜等も弗酸等の
石英エツチングに対する阻止能が犬であり、これらの膜
を用いることも有効である。
、ポリイミド膜等の合成樹脂膜の他、シリコン膜、窒化
硅素膜、窒化硼素膜、酸化アルミニウム膜等も弗酸等の
石英エツチングに対する阻止能が犬であり、これらの膜
を用いることも有効である。
更にX線阻止能を有する金等のパターン形成は、第4図
の(d)工程の他、(σ)工程または(A)工程に於て
形成しても良い。
の(d)工程の他、(σ)工程または(A)工程に於て
形成しても良い。
この様に石英枠内に酸化硅素膜と石英エツチングに対す
るエツチング阻止能を有する膜の2層のメンプラン膜を
形成することにより、熱膨張率の小さな、パターンずれ
のないX線マスクが容易に製作できる効果がある。
るエツチング阻止能を有する膜の2層のメンプラン膜を
形成することにより、熱膨張率の小さな、パターンずれ
のないX線マスクが容易に製作できる効果がある。
第1図は従来技術によるX線マスクの断面図、第2は従
来技術によるX線マスクの製造工程を示す工程毎の断面
図、第3図は本発明によるX線マスクの一実施例を示す
断面図、第4図は本発明によるX線マスクの製造方法の
一実施例を示す工程毎:の断面図である。 1・・・・・・シリコン枠 2・・・・・・シリコンeメンプラン 3・・・・・・金パターン 11・・・シリコン基板 12・・・ボロン拡散層 13・・・金パターン膜 21・・・石英枠 22・・・石英エツチングに対する阻止能を有する膜 23・・・酸化硅素膜 24・・・X線阻止能を有するパターン状膜31・・・
石英基板 32・・・石英エツチングに対する阻止能を有する膜 33・・・酸化硅素膜 34・・・X線阻止能を有するパターン状膜35・・・
石英枠 第2図 (7S3図
来技術によるX線マスクの製造工程を示す工程毎の断面
図、第3図は本発明によるX線マスクの一実施例を示す
断面図、第4図は本発明によるX線マスクの製造方法の
一実施例を示す工程毎:の断面図である。 1・・・・・・シリコン枠 2・・・・・・シリコンeメンプラン 3・・・・・・金パターン 11・・・シリコン基板 12・・・ボロン拡散層 13・・・金パターン膜 21・・・石英枠 22・・・石英エツチングに対する阻止能を有する膜 23・・・酸化硅素膜 24・・・X線阻止能を有するパターン状膜31・・・
石英基板 32・・・石英エツチングに対する阻止能を有する膜 33・・・酸化硅素膜 34・・・X線阻止能を有するパターン状膜35・・・
石英枠 第2図 (7S3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 石英枠内には弗酸等の石英材料のエツチング剤に
対するエツチング阻止能を有する材料膜と酸化硅素膜が
2層に形成されたメンプラン膜が貼付けられ、該メンプ
ラン膜にはX線透過阻止能を有する金等の材料膜が図形
状に形成されて成る事を特徴とするX線マスク。 Z メンプラン膜をポリイミド膜等の合成樹脂膜と酸化
硅素膜の2層構造膜となすことを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載のX線マスク。 五 メンプラン膜を窒化硅素膜と酸化硅素膜の2層構造
膜となすことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
X線マスク。 4、 メンプラン膜をシリコン膜あるいは窒化硼素膜あ
るいは炭化硅素膜あるいは酸化アルミニウム膜と酸化硅
素膜の2層構造膜となすことを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載のX線マスク。 5、 石英基板表面には弗酸等の石英拐料のエツチング
剤に対するエツチング阻止能を有する材料膜を少なくと
も被X線露光基板面積と同等かあるいはそれより少し大
きな面積に形成し、該石英基板上とエツチングに対する
阻止能を有する材料膜上には酸化硅素膜を形成し、X線
阻止能を有する金等の図形状膜は前記石英基板表面か、
あるいは前記エツチングに対する阻止能を有する材料膜
表面か、あるいは前記酸化硅素膜表面に形成され、前記
石英基板裏面から被xi露光基板と類似形状に研削およ
びエツチング加工処理を施し、石英基板表面のエツチン
グ阻止能を有する材料膜でエツチング1を阻止させて、
2層メンプラン膜を石英枠に貼付けした形状となす事を
特徴とするX線マスクの製造方法。 & 石英材料のエツチング剤に対するエツチング阻止能
を有する材料をポリイミド膜等の有機合成樹脂膜となす
事を特徴とする特許請求の範囲第5項記載のX線マスク
の製造方法。 l 石英材料のエツチング剤に対するエツチング阻止能
を有する材料を窒化硅素膜となす事を特徴とする特許請
求の範囲第5項記載のX線マスクの製造方法。 a 石英材料のエツチング剤に対するエツチング阻止能
を有する材料をシリコン膜あるいは窒化硼素膜あるいは
炭化硅素膜、あるいは酸化アルミニウム膜となすことを
特徴とする特許請求の範囲第5項記載のX線マスクの製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57097984A JPS58215028A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | X線マスクとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57097984A JPS58215028A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | X線マスクとその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58215028A true JPS58215028A (ja) | 1983-12-14 |
JPH0365652B2 JPH0365652B2 (ja) | 1991-10-14 |
Family
ID=14206925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57097984A Granted JPS58215028A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | X線マスクとその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58215028A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4606803A (en) * | 1983-11-02 | 1986-08-19 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a mask for the production of patterns in lacquer layers by means of X-ray lithography |
JPS639932A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Hoya Corp | X線露光用マスク |
-
1982
- 1982-06-08 JP JP57097984A patent/JPS58215028A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4606803A (en) * | 1983-11-02 | 1986-08-19 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a mask for the production of patterns in lacquer layers by means of X-ray lithography |
JPS639932A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Hoya Corp | X線露光用マスク |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0365652B2 (ja) | 1991-10-14 |
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