JPS5928073B2 - 半導体装置用電極の形成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体基板表面上の選択された部分に金シリ
コン（Ａｕ／Ｓｉ）合金あるいは金ゲルマニウム（Ａｕ
１０ｅ）合金よりなる電極を形成する方法に関する。

Ａｕ／５１合金あるいはＡｕ１０ｅ合金は周知のよ ３
５うに皿−Ｖ化合物半導体装置のｎ型領域に形成される
電極の材料として広く使用されている。

■一Ｖ化合物半導体装置が発光ダイオードである場合、
発光ダイオードの裏面側を形成するｎ型領域への電極形
成は裏面側における光の反射効率を高めるためその全面
に対してはなされず、部分的に形成される。第１図は、
このような関係で裏面側に電極が形成された発光ダイオ
ード基板の状態を示す図であり、図示するように発光ダ
イオード基板の裏面側を形成するｎ型領域１に対してＡ
ｕ／５１合金あるいはＡｕ／Ｇｅ合金よりなる電極２が
形成されている。

このような部分電極２は、先ずｎ型領域１の裏面全域に
Ａｕ／Ｓｉ合金あるいはＡｕ１０ｅ合金の蒸着によつて
電極層を形成したのち、この電極層をヨードエッチ液等
を用いて選択的に除去することによつて形成される。

ところで、ｎ型領域上にＡｕ／５１あるいはＡｕ／Ｇｅ
合金を蒸着した場合、この蒸着工程で両者の境界面に変
成層が形成されるが、上記のエッチング処理では境界面
の変成層まで除去することができず、実際に形成された
発光ダイオード基板の断面構造は第２図で示すように、
ｎ型領域１の表面全域に変成層３が存在し、この変成層
の上に電極２の形成された構造となる。なお、図中４は
ｐ型領域、５は同領域に形成された通常の電極である。
すなわち、従来の電極の形成方法によつてＡｕ／Ｓｉあ
るいはＡｕ／Ｇｅ合金の部分電極を形成した場合には上
記のように変成層が残るところとなり、所定の裏面反射
効率を得ることができなくなるおそれがあつた。本発明
は、Ａｕ／５１あるいはＡｕ／Ｇｅ合金を蒸着して電極
金属層を形成した場合にこの電極金属層と半導体基板と
の境界面に形成される変成層を、最終的に形成される部
分電極直下を除く他の部分上から除去することのできる
半導体装置用電極の形成方法を提供するものであつて、
本発明の方法の特徴は、燐酸、硝酸および弗酸を含む特
有の第１のエッチング液とヨウ素およびヨウ化カリを含
む第２のエツチング液とを準備し、部分電極を形成する
ためにＡｕ／Ｓｉ合金あるいはＡｕ／０ｅ合金の電極層
を選択的に除去するにあたり、第１のエツチング液によ
るエツチング処理と第２のエツチング処理とそれぞれを
少くとも１回づつ柚し、このエツチング処理ののち、残
存する電極層をマスクとして第１のエツチング液による
エツチング処理を施すことにより電極層に覆われること
なく露呈する変成層を除去し、所定の形状をもつ部分電
極を形成するところにある。

以下に実施例を示して本発明の半導体装置用電極の形成
方法について説明する。

エツチング処理に用いる第１のエツチングとして燐酸、
硝酸、弗酸および水を容量比で５：３：１：１の割合で
混合したものを、また、第２のエツチング液として周知
のヨードエツチング液（ヨウ素：ヨウ化カリ：水＝２５
９：５０９： ５００ｃｃ）を準備する。

そして、ＡＵ／／Ｓ１合金あるいはＡｕ／Ｇｅ合金より
なる電極層がｎ型領域上の表面全域に形成され、さらに
この電極層上が所定のパターン形状のマスクにより覆わ
れた発光ダイオード基板を先ず第１のエツチング液中へ
浸漬しマスクにより覆われることなく露呈する電極層を
所定の時間にわたりエツチングする。この処理により、
酸化物、合金物層等の不要な層がほぼ完全に除去される
。次いで、第２のエツチング液中へ発光ダイオード基板
へ浸漬し電極層を完全に除去する。以上の過程を経るこ
とにより、第２図で示したのと同様の状態が得られる。
ところで、第１のエツチング液による処理を先行させる
理由は、電極層の蒸着時に電極層表面にシリコンもしく
はゲルマニウムの酸化物、基板物質およびこれらの酸化
物ならびに電極形成用合金を含む合金物層が形成され、
これの除去が第２のエツチング液によつては比較的困難
であるところにある。

このようにして電極層を選択的にエツチングしたのち、
さらに発光ダイオード基板を第１のエツチング液中へ浸
漬し電極層の除去された部分に露呈する変成層を除去す
る。変成層の組成は上記の合金物層の組成と殆んど同じ
であり、第２のエツチング液によつてはこれを除去する
ことは困難である。なお、第１のエツチング液のＡｕ／
Ｓｉ合金あるいはＡｕ／Ｇｅ合金に対するエツチング作
用は極めて弱く、したがつて、変成層のエツチング時に
は残存するＡＵ／／Ｓ１合金あるいはＡｕ／Ｇｅ合金の
電極がエツチングのマスクとして作用する。第３図は以
上の処理を経て部分電極の形成された発光ダイオード基
板を示す図であり、図示するように部分電極２の直下に
は変成層３が残るものの他部分からは変成層が完全に除
去され、部分電極２の形成部を除いてｎ型領域１の表面
が露呈する。

また、第１のエツチング液は発光ダイオード基板そのも
のには殆んど作用しないため、露展するｎ型領域の表面
は阻面化されず、光の反射効率のすこぶる良好な面状態
を呈する。以上説明してきたところから明らかなように
、本発明によれば、ＡＵ／Ｓｌ合金あるいはＡｕ／Ｃ３
ｅ合金よりなる電極層を選択エツチして部分電極を形成
するにあたり、電極層と半導体基板との境界面に形成さ
れた変成層の部分電極となる電極層部分の下に位置する
変成層部分を除く他の全てを確実に除去することができ
、この変成層の存在によつてもたらされる不都合が排除
される。

なお、以上の説明では電極層のエツチングが第１および
第２のエツチング液を各１回作用させることによりなさ
れる場合を示したが、この処理を経てなおエツチングが
不十分であるときには上記のエツチング処理をさらにく
り返して帷せばよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は裏面側に部分電極が形成された発光ダイオード
基板を示す図、第２図はＡＵ／Ｓｌ合金あるいはＡｕ／
Ｇｅ合金部分電極を従来の方法で形成した発光ダイオー
ド基板の断面構造を示す図、第３図は本発明の方法によ
りＡＵ／Ｓｌ合金あるいはＡｕ／Ｇｅ合金の部分電極が
形成された発光ダイオードの断面構造を示す図である。 １・・・・・・ｎ型領域、２・・・・・・電極、３・・
・・・・変成層、４・・・・・・Ｐ型領域、５・・・・
・・電極。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 少くとも一方の面上に金シリコン合金もしくは金ゲ
   ルマニウム合金よりなる電極層が形成された半導体基板
   の電極層を選択エッチングして所定の電極パターンを有
   する電極を形成するにあたり、燐酸、硝酸および弗酸を
   含む第１のエッチング液による第１次のエッチング処理
   と、ヨウ素およびヨウ化カリウムを含む第２のエッチン
   グ液による第２次のエッチング処理を順次施し電極層を
   選択的にエッチングしたのち、さらに前記第１のエッチ
   ング液によるエッチング処理を施し前記電極層の除去さ
   れた部分に残存する変成層を除去することを特徴とする
   半導体装置用電極の形成方法。