JPS5815254A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPS5815254A JPS5815254A JP56114140A JP11414081A JPS5815254A JP S5815254 A JPS5815254 A JP S5815254A JP 56114140 A JP56114140 A JP 56114140A JP 11414081 A JP11414081 A JP 11414081A JP S5815254 A JPS5815254 A JP S5815254A
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- metal layer
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- bump electrode
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- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
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Landscapes
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、高密度実装基板に半導体素子を7リツプチ
ツプ方式でポンディングするために、半導体基板上に半
田バンプ電極を形成する方法の改良に関するものである
。
ツプ方式でポンディングするために、半導体基板上に半
田バンプ電極を形成する方法の改良に関するものである
。
従来のバンプ電極構造を第1図に示す。この半導体素子
は、半導体基板(1)上にデバイス配線用の金属層(3
)を所定パターンに形成した後、金属層(3)が部分的
に露出する窓を有する絶縁保護膜(2)を形成し、次い
で金属層(3)との密着強度が良好な金属層(5)及び
半田とのぬれ性の良い金属層(6)を順次全面に蒸着し
、その後半田バンプ電極(4)を形成してこの半田バン
プ電極(4)をマスクに各金属層(5)、(6)をエツ
チングにより除去することにより作製してきた。
は、半導体基板(1)上にデバイス配線用の金属層(3
)を所定パターンに形成した後、金属層(3)が部分的
に露出する窓を有する絶縁保護膜(2)を形成し、次い
で金属層(3)との密着強度が良好な金属層(5)及び
半田とのぬれ性の良い金属層(6)を順次全面に蒸着し
、その後半田バンプ電極(4)を形成してこの半田バン
プ電極(4)をマスクに各金属層(5)、(6)をエツ
チングにより除去することにより作製してきた。
ところが、この従来方法によると、半田バンプ電極(4
)をエツチング液にさらす回数が多くなるため、半田バ
ンプ電極(4)を侵食する危険度が高くなりひいてはポ
ンディング強度へも影響するという欠点がある。
)をエツチング液にさらす回数が多くなるため、半田バ
ンプ電極(4)を侵食する危険度が高くなりひいてはポ
ンディング強度へも影響するという欠点がある。
この発明は、上記の様な従来の方法のもつ欠点を除去す
るためになされたもので、絶縁保護膜を形成する前に配
線用金属層との密着強度の良い金属層を所定形状に形成
することにより、半田バンプ電極をエツチング液中に浸
漬する回数を減じることを目的としている。
るためになされたもので、絶縁保護膜を形成する前に配
線用金属層との密着強度の良い金属層を所定形状に形成
することにより、半田バンプ電極をエツチング液中に浸
漬する回数を減じることを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図を用いて説明する。
第2図において、素子領域が形成された半導体基板(1
)上に、A/からなる配線用の%lの金属層(3)と、
Cr(或いはTi 、 Ti/Cu 混合層、Cr/C
u混合層)からなり、第1の金属層(3)との密着強度
の良好な第2の金属層(5)を全面蒸着し、フォトレジ
ストを用いて必要な配線パターンを描き、ドライエッチ
又はクエットエッチにより第2の金属層(5)をエツチ
ングした後、この第2の金属層(5)をマスクに@1の
金稠層(3)をエツチングし、所望の配線パターンを形
喫する。その後、絶縁法n膜(2)を全面に形成し、電
極部に窓をあける。次いで、半田とのぬれ性の良い鋼か
らなる第3の金属層(6)を全面に蒸着し、フォトレジ
ストを用いて第3の金属層(6)の上tiにパターニン
グを行い、メッキによって半田バンプ電極(4)を形成
する。その後、フォトレジストを除去し、第30金鵡層
(6)を、半田バンプ電以上のようにこの発明によれば
、従来は半田バンプ電極(4)をマスクにして第2及び
第3の金属層(5)、(6)ヲエッチングをしてきたの
が、第3の金属轟けて良いことになるので、半田バンプ
電極(4)をエツチング液に浸漬する回数が減少し、半
田ノ(ンプ電極(4)の腐食を軽減することが可能とな
る。
)上に、A/からなる配線用の%lの金属層(3)と、
Cr(或いはTi 、 Ti/Cu 混合層、Cr/C
u混合層)からなり、第1の金属層(3)との密着強度
の良好な第2の金属層(5)を全面蒸着し、フォトレジ
ストを用いて必要な配線パターンを描き、ドライエッチ
又はクエットエッチにより第2の金属層(5)をエツチ
ングした後、この第2の金属層(5)をマスクに@1の
金稠層(3)をエツチングし、所望の配線パターンを形
喫する。その後、絶縁法n膜(2)を全面に形成し、電
極部に窓をあける。次いで、半田とのぬれ性の良い鋼か
らなる第3の金属層(6)を全面に蒸着し、フォトレジ
ストを用いて第3の金属層(6)の上tiにパターニン
グを行い、メッキによって半田バンプ電極(4)を形成
する。その後、フォトレジストを除去し、第30金鵡層
(6)を、半田バンプ電以上のようにこの発明によれば
、従来は半田バンプ電極(4)をマスクにして第2及び
第3の金属層(5)、(6)ヲエッチングをしてきたの
が、第3の金属轟けて良いことになるので、半田バンプ
電極(4)をエツチング液に浸漬する回数が減少し、半
田ノ(ンプ電極(4)の腐食を軽減することが可能とな
る。
又、第2゛の金属層のサイドエッチ量の制御が容易にで
きる。その上、アルミニツム配線上を全てクロムあるい
はチタンがおおっているため、アルミヒロックによるパ
ッシベーション膜の破壊を抑制する効果も太きい。
きる。その上、アルミニツム配線上を全てクロムあるい
はチタンがおおっているため、アルミヒロックによるパ
ッシベーション膜の破壊を抑制する効果も太きい。
法
第1図は従来の製造方舅を説明するための断面図、第2
図はこの発明の一実施例を示す断面図である。 (1)・・・半導体基板、(2)・・・絶縁保鏝膜、(
3)・・第1の金属層、(4)・・・半田バンプ電極、
(5)・・・第2の金属層、(6)・・・第3の金属層
、 なお、図中同一符号は同一または相当部分を7廖す。
図はこの発明の一実施例を示す断面図である。 (1)・・・半導体基板、(2)・・・絶縁保鏝膜、(
3)・・第1の金属層、(4)・・・半田バンプ電極、
(5)・・・第2の金属層、(6)・・・第3の金属層
、 なお、図中同一符号は同一または相当部分を7廖す。
Claims (1)
- (1)半導体基板上に配線用の第1の金属層と、この第
1の金属層との密着強度が良好な第2の金属層を所定形
状に形成する工程、上記第1及び第2の金属層を有する
半導体基板上に上記第2の金属層が露出する窓を有する
絶縁膜を形成する工程、上記窓部を含んで上記絶縁膜上
に半田とのぬれ性の良い第3の金属層を形成する工程、
上記第3の金属層上に半田バンプ電極を形成する工程を
含む半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56114140A JPS5815254A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56114140A JPS5815254A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5815254A true JPS5815254A (ja) | 1983-01-28 |
Family
ID=14630137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56114140A Pending JPS5815254A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5815254A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59172252A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-28 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
JPS6357036U (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | ||
US5457345A (en) * | 1992-05-11 | 1995-10-10 | International Business Machines Corporation | Metallization composite having nickle intermediate/interface |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS461973A (ja) * | 1970-02-06 | 1971-10-07 |
-
1981
- 1981-07-20 JP JP56114140A patent/JPS5815254A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS461973A (ja) * | 1970-02-06 | 1971-10-07 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59172252A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-28 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
JPS6357036U (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | ||
JPH0410990Y2 (ja) * | 1986-09-30 | 1992-03-18 | ||
US5457345A (en) * | 1992-05-11 | 1995-10-10 | International Business Machines Corporation | Metallization composite having nickle intermediate/interface |
US5719070A (en) * | 1992-05-11 | 1998-02-17 | International Business Machines Corporaton | Metallization composite having nickel intermediate/interface |
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