JPS592333A - ワイヤボンデイング装置 - Google Patents

ワイヤボンデイング装置

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JPS592333A
JPS592333A JP57111225A JP11122582A JPS592333A JP S592333 A JPS592333 A JP S592333A JP 57111225 A JP57111225 A JP 57111225A JP 11122582 A JP11122582 A JP 11122582A JP S592333 A JPS592333 A JP S592333A
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JP
Japan
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bonding
laser
wire
point
semiconductor pellet
Prior art date
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Pending
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JP57111225A
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English (en)
Inventor
Minoru Kagino
鍵野　実
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS592333A publication Critical patent/JPS592333A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、ワイヤ？ンｆ１ング妓置に関する。
〔発明の技術的背景及びその問題点〕
従来、被ポンディング体である半導体ペレットの電極部
とリード間等に、第１図に示す如き、ワイヤデンディン
グ装置土工を用いてポンディング線２の架設が行われて
いる。このポンディング装置ｔ±１は、がンディング部
に設けられたヒータブロックＩＪ上に、半導体ペレット
３を装着したリードフレーム４を載置し、がンディング
部の上方に設けられたキャピラリーツール５からがンデ
ィング線２を導出して１ｈＬ極部とリード間等に架設す
るようになっている。而して、ヒータブロックＪ１の加
熱領域は、ヒータブロック１ノ上を移行するリードフレ
ーム４か所定位置に達したときに、ポンディングされる
千尋体ペレット３が十分に加熱されているように、その
彼方の半導体ペレット３′の下方に及ぶ予熱領域を有し
ている。このようにポンディングを施す半導体ペレット
３の全体が、ポンディング線６の熱圧着温度まで昇温し
たところでｄｉ？ンディング処理を行うため、第２図に
示す如く、半導体ペレット３が半田層や金シリコン層７
尋を介して熱融着によシリードフレーム４に固着されて
いると、ポンディング処理の際に半導体ペレ、ト３の位
置がリードフレーム４からずれる。
その結果、所定位置に正しくがンディングＩｉ！ｉ１６
を架設できないと共に、熱によって牛導体ペレット３の
特性を劣化させる問題があった。
また、メンディング処理は、第３図ｆＡ）に示す如＜　
ＭＫ　１　ｙｌｒｌアンング地点にポンディングｌ１Ｉ
６の一端部を同着した後、キャピラリーツール５を７９
１定高さ壕で引き上げてｄζンディング線６を所定量導
出した状態で、キャピラリーツール５を同図（Ｂ’）に
示す如く、リード８等の第２はンディング地点まで移送
することにより行っている。
然るに、半導体ペレット３やリードフレーム４の熱容量
がポンディングｌｌ１１６の熱容量よシも極端に大きい
。このため、キャピラリーツール５を引き上げた直下の
？／ディング線６のほぼ全域が高温状態になる。その結
果、導出されたポンディング線６が、同図（Ｃ’）に示
す如く熱変形し、着しい場合には、第２がンディング地
点以外のところにンドンディング＆！６が接触し、短絡
不良等を引き起こす間亀がおった。
〔発明の目的〕 本発明は、ポンｆ（ング領域だけを局所的に加熱して、
ボンディング線の熱変形による短絡不良の発生を防止す
ると共に、被がンディング体の特性を向上させることが
できるワイヤポンディング装置を提供することをその目
的とするものである。
〔発明の概嶽〕
本発明は、レーザ照射によシポンディング領域だけを局
所的に加熱するようにして、ボンディング線の熱変形に
よる短絡不良の発生を防止すると共に、被がンディング
体の特性の向上を達成したワイヤデンディング装置であ
る。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第４図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である。図中２０は、被ポンディング体でおる半導体ペ
レット２１を装着したリードフレーム２２が供給される
ビンディング部でおる。ビンディング部２０の上方には
、キャピラリーツール２３及びレーデ照射ｓ２４を有す
るポンディングヘッド２５が昇降自在に設けられている
。レーデ照射部２４は、グラスファイバー等からなるレ
ーデ供給管２６を介してレーデ発生器２７に接続式れて
いる。レーデ照射部２４の照射口２８は、第５図に示す
如く、キャピラリーツール２３から導出されたポンディ
ング＃２９が供給されるＶンディング地点３０に対向し
て設置されている。
而して、このように構成されたワイヤがンディング装ｆ
■によれば、リードフレーム２２がポンディング部２０
０所定位置に供給されると、第空図に示す如く、レーデ
照射ロＪＩＩ３＃第１材ンディング地点３０である例え
ばｌンディングパッドに対向するようにポンディングヘ
ッド２５を降下する。次いで、キャピラリーツール２３
を第１ボンデイング地点３０の上方の所定位置のところ
まで降下すると共に、レーデ発生器２１からレーデ供給
１ｆ２６を介してレーデ照射部２４にレーデを供給し、
照射口２８から第１？ンｆ（ング地点３０にレーデを照
射して加熱処理を施す。然る後、第６図に示す如く、所
定位置に設定されたキャピラリーツール２３５− から♂ンディング線２９を導出し、レーデ照射によって
加熱された第１デンデイング地点３゜に熱圧着せしめる
。次いで、目ζンｆ（ングヘッド２５を上昇して次の第
２がンディング地点３１までの距離にはは等しい長延の
？ンディング線２９が導出する。ようにキャピラリーツ
ール２３の位置を設定する。次いで、キャピラリーツー
ル２３を第２ポンデイング地点３１である例えばリード
の上方に移行し、前述と同様にレーデ、照射により第２
ポンデイング地点３１を加熱しながら、キャピラリーツ
ール２３を降下してレーデ照射終了後ポンディング線２
９の熱圧着を行い、Ｉンディング＃１１２９を第１がン
ディング地点３０と第２ボンデ１ング地点３１に架設せ
しめる。
このようにこのワ３イヤがンディング装置４゜によれば
、レーザ照射によってｄｅンディング地点３０．３１の
みを直接加熱し、所定温度に達したところでメンディン
グ線２９を圧着するので、半導体ペレット２１全体は加
熱されず、が６− ンデインク処理の際に半導体ペレット２１が位置ずれす
るのを阻止できると共に、加熱による半導体ペレット２
１の％性劣化を防止できる。
千尋体ペレット２１の位置ずれが起きないので、がンデ
ィング線２９を所定位置に正確に取付けることができる
。また、加熱はポンディング地点ｇｏ、ｓｌのみに施さ
れ、しかも、がンディング１ｆｉ１２９の熱伝導率は通
常ポンｆ”４ンダ地点３０．３１ｆ形成するボンディン
グノヤッド勢の熱伝導率より遥かに小さいので、ボンデ
ィング地点３０．８Ｊに加えられｆｃ熱は、半導体ペレ
ット２１ではなくがンディングｌ＠；ｔｏを伝って外部
に放散される。その結果、Ｉンディンダ線２９の先端部
とｄｒンディング地点ｇｏ、ｓノとを所定時間十分に加
熱し、がンディングｍ４９をポンｆ（ング地点ＪＯ，，
！１７に強固に固着することができる。更に、ポンディ
ング処理の際に加えられた熱量は、がンディング地点３
ｏ、３１に加えられたものだけで極めて少ない。このた
め、第２ポンデイング地点３）にキャピラリーツール２
３を移行する際に導出されたポンディング線２９０部分
が、熱変形してボンディング地点３０．３１以外の部分
（Ｃ接触するのを防止できる。短絡不良等Ｑ発生を阻止
できる。
〔発明の効果〕
以上説明した如く、本発明に係るワイヤポンディング装
置によれば、４オンデイング領域だけを局所的に加熱す
ることにより、ポンディング線の熱変形による短絡不良
の発生を防止すると共に、被ポンディング体の特性を向
上式せることができる等顕著な効果を秦するものである
。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来のワイヤがンディンダ装置の概略構成を
示す説明図、第２図は、同ワイヤポンディング装置にて
ポンディング処理を行っている状態を示す説明図、第３
図（Ａ）乃至同図（Ｃ）は、同装置のキャピラリーツー
ルの動きを示す説明図、第４図は、本発明の一実施例の
概略構成を示す説明図、第５図は、第１がンディング地
点をレーデ照射にて加熱している状態を示す説明図、第
６図は、第１はンディング地点にポンディング線を圧着
した状態を示す説明図、第７図は、第２ポンデイング地
点にキャピラリーツールを移行している状態を示す説明
図である。 ２０・・・がンディング部、２ノ・・・半導体ペレ。 ト、２２・・・リードフレーム、２３・・・キャピラリ
ーツー＃、Ｊ　４・・・１ｚ−ｆ照射部、２５・・・ポ
ンディングヘッド、２６・・・レーデ供給管、ｉｉ　ｙ
　用ｖ−デ発生器、２８川照射口、２９・・・ポンディ
ング線、３０．３３・・・ボンディング地点、４０・・
・ワイヤポンディング装置。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦９− 第１１ ｎ 第３図 （Ａ）（Ｂ）（ｃ）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 被がンディンダ体が供給されるポンディング部と、該が
    ンディング部の上方に昇降自在に設けられ、所望長のが
    ンディング線を導出するキャピラリーツールと、前記が
    ンディング線の被ポンディング体との接続部に照射口を
    向けて設けられたレーデ照射部とを具備することを特徴
    とするワイヤポンディング装置。
JP57111225A 1982-06-28 1982-06-28 ワイヤボンデイング装置 Pending JPS592333A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57111225A JPS592333A (ja) 1982-06-28 1982-06-28 ワイヤボンデイング装置

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JP57111225A JPS592333A (ja) 1982-06-28 1982-06-28 ワイヤボンデイング装置

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Publication Number Publication Date
JPS592333A true JPS592333A (ja) 1984-01-07

Family

ID=14555709

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57111225A Pending JPS592333A (ja) 1982-06-28 1982-06-28 ワイヤボンデイング装置

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JP (1) JPS592333A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4893742A (en) * 1988-12-21 1990-01-16 Hughes Aircraft Company Ultrasonic laser soldering
US5614113A (en) * 1995-05-05 1997-03-25 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for performing microelectronic bonding using a laser
KR970053199A (ko) * 1995-12-30 1997-07-29 황인길 반도체 제조공정의 와이어본딩시 패키지의 열 가열방법

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