JPS592333A - ワイヤボンデイング装置 - Google Patents
ワイヤボンデイング装置Info
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- JPS592333A JPS592333A JP57111225A JP11122582A JPS592333A JP S592333 A JPS592333 A JP S592333A JP 57111225 A JP57111225 A JP 57111225A JP 11122582 A JP11122582 A JP 11122582A JP S592333 A JPS592333 A JP S592333A
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- Japan
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- bonding
- laser
- wire
- point
- semiconductor pellet
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- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ワイヤ?ンf1ング妓置に関する。
従来、被ポンディング体である半導体ペレットの電極部
とリード間等に、第1図に示す如き、ワイヤデンディン
グ装置土工を用いてポンディング線2の架設が行われて
いる。このポンディング装置t±1は、がンディング部
に設けられたヒータブロックIJ上に、半導体ペレット
3を装着したリードフレーム4を載置し、がンディング
部の上方に設けられたキャピラリーツール5からがンデ
ィング線2を導出して1hL極部とリード間等に架設す
るようになっている。而して、ヒータブロックJ1の加
熱領域は、ヒータブロック1ノ上を移行するリードフレ
ーム4か所定位置に達したときに、ポンディングされる
千尋体ペレット3が十分に加熱されているように、その
彼方の半導体ペレット3′の下方に及ぶ予熱領域を有し
ている。このようにポンディングを施す半導体ペレット
3の全体が、ポンディング線6の熱圧着温度まで昇温し
たところでdi?ンディング処理を行うため、第2図に
示す如く、半導体ペレット3が半田層や金シリコン層7
尋を介して熱融着によシリードフレーム4に固着されて
いると、ポンディング処理の際に半導体ペレ、ト3の位
置がリードフレーム4からずれる。
とリード間等に、第1図に示す如き、ワイヤデンディン
グ装置土工を用いてポンディング線2の架設が行われて
いる。このポンディング装置t±1は、がンディング部
に設けられたヒータブロックIJ上に、半導体ペレット
3を装着したリードフレーム4を載置し、がンディング
部の上方に設けられたキャピラリーツール5からがンデ
ィング線2を導出して1hL極部とリード間等に架設す
るようになっている。而して、ヒータブロックJ1の加
熱領域は、ヒータブロック1ノ上を移行するリードフレ
ーム4か所定位置に達したときに、ポンディングされる
千尋体ペレット3が十分に加熱されているように、その
彼方の半導体ペレット3′の下方に及ぶ予熱領域を有し
ている。このようにポンディングを施す半導体ペレット
3の全体が、ポンディング線6の熱圧着温度まで昇温し
たところでdi?ンディング処理を行うため、第2図に
示す如く、半導体ペレット3が半田層や金シリコン層7
尋を介して熱融着によシリードフレーム4に固着されて
いると、ポンディング処理の際に半導体ペレ、ト3の位
置がリードフレーム4からずれる。
その結果、所定位置に正しくがンディングIi!i16
を架設できないと共に、熱によって牛導体ペレット3の
特性を劣化させる問題があった。
を架設できないと共に、熱によって牛導体ペレット3の
特性を劣化させる問題があった。
また、メンディング処理は、第3図fA)に示す如<
MK 1 ylrlアンング地点にポンディングl1I
6の一端部を同着した後、キャピラリーツール5を79
1定高さ壕で引き上げてdζンディング線6を所定量導
出した状態で、キャピラリーツール5を同図(B’)に
示す如く、リード8等の第2はンディング地点まで移送
することにより行っている。
MK 1 ylrlアンング地点にポンディングl1I
6の一端部を同着した後、キャピラリーツール5を79
1定高さ壕で引き上げてdζンディング線6を所定量導
出した状態で、キャピラリーツール5を同図(B’)に
示す如く、リード8等の第2はンディング地点まで移送
することにより行っている。
然るに、半導体ペレット3やリードフレーム4の熱容量
がポンディングll116の熱容量よシも極端に大きい
。このため、キャピラリーツール5を引き上げた直下の
?/ディング線6のほぼ全域が高温状態になる。その結
果、導出されたポンディング線6が、同図(C’)に示
す如く熱変形し、着しい場合には、第2がンディング地
点以外のところにンドンディング&!6が接触し、短絡
不良等を引き起こす間亀がおった。
がポンディングll116の熱容量よシも極端に大きい
。このため、キャピラリーツール5を引き上げた直下の
?/ディング線6のほぼ全域が高温状態になる。その結
果、導出されたポンディング線6が、同図(C’)に示
す如く熱変形し、着しい場合には、第2がンディング地
点以外のところにンドンディング&!6が接触し、短絡
不良等を引き起こす間亀がおった。
〔発明の目的〕
本発明は、ポンf(ング領域だけを局所的に加熱して、
ボンディング線の熱変形による短絡不良の発生を防止す
ると共に、被がンディング体の特性を向上させることが
できるワイヤポンディング装置を提供することをその目
的とするものである。
ボンディング線の熱変形による短絡不良の発生を防止す
ると共に、被がンディング体の特性を向上させることが
できるワイヤポンディング装置を提供することをその目
的とするものである。
本発明は、レーザ照射によシポンディング領域だけを局
所的に加熱するようにして、ボンディング線の熱変形に
よる短絡不良の発生を防止すると共に、被がンディング
体の特性の向上を達成したワイヤデンディング装置であ
る。
所的に加熱するようにして、ボンディング線の熱変形に
よる短絡不良の発生を防止すると共に、被がンディング
体の特性の向上を達成したワイヤデンディング装置であ
る。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第4図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である。図中20は、被ポンディング体でおる半導体ペ
レット21を装着したリードフレーム22が供給される
ビンディング部でおる。ビンディング部20の上方には
、キャピラリーツール23及びレーデ照射s24を有す
るポンディングヘッド25が昇降自在に設けられている
。レーデ照射部24は、グラスファイバー等からなるレ
ーデ供給管26を介してレーデ発生器27に接続式れて
いる。レーデ照射部24の照射口28は、第5図に示す
如く、キャピラリーツール23から導出されたポンディ
ング#29が供給されるVンディング地点30に対向し
て設置されている。
。第4図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明図
である。図中20は、被ポンディング体でおる半導体ペ
レット21を装着したリードフレーム22が供給される
ビンディング部でおる。ビンディング部20の上方には
、キャピラリーツール23及びレーデ照射s24を有す
るポンディングヘッド25が昇降自在に設けられている
。レーデ照射部24は、グラスファイバー等からなるレ
ーデ供給管26を介してレーデ発生器27に接続式れて
いる。レーデ照射部24の照射口28は、第5図に示す
如く、キャピラリーツール23から導出されたポンディ
ング#29が供給されるVンディング地点30に対向し
て設置されている。
而して、このように構成されたワイヤがンディング装f
■によれば、リードフレーム22がポンディング部20
0所定位置に供給されると、第空図に示す如く、レーデ
照射ロJII3#第1材ンディング地点30である例え
ばlンディングパッドに対向するようにポンディングヘ
ッド25を降下する。次いで、キャピラリーツール23
を第1ボンデイング地点30の上方の所定位置のところ
まで降下すると共に、レーデ発生器21からレーデ供給
1f26を介してレーデ照射部24にレーデを供給し、
照射口28から第1?ンf(ング地点30にレーデを照
射して加熱処理を施す。然る後、第6図に示す如く、所
定位置に設定されたキャピラリーツール235− から♂ンディング線29を導出し、レーデ照射によって
加熱された第1デンデイング地点3゜に熱圧着せしめる
。次いで、目ζンf(ングヘッド25を上昇して次の第
2がンディング地点31までの距離にはは等しい長延の
?ンディング線29が導出する。ようにキャピラリーツ
ール23の位置を設定する。次いで、キャピラリーツー
ル23を第2ポンデイング地点31である例えばリード
の上方に移行し、前述と同様にレーデ、照射により第2
ポンデイング地点31を加熱しながら、キャピラリーツ
ール23を降下してレーデ照射終了後ポンディング線2
9の熱圧着を行い、Iンディング#1129を第1がン
ディング地点30と第2ボンデ1ング地点31に架設せ
しめる。
■によれば、リードフレーム22がポンディング部20
0所定位置に供給されると、第空図に示す如く、レーデ
照射ロJII3#第1材ンディング地点30である例え
ばlンディングパッドに対向するようにポンディングヘ
ッド25を降下する。次いで、キャピラリーツール23
を第1ボンデイング地点30の上方の所定位置のところ
まで降下すると共に、レーデ発生器21からレーデ供給
1f26を介してレーデ照射部24にレーデを供給し、
照射口28から第1?ンf(ング地点30にレーデを照
射して加熱処理を施す。然る後、第6図に示す如く、所
定位置に設定されたキャピラリーツール235− から♂ンディング線29を導出し、レーデ照射によって
加熱された第1デンデイング地点3゜に熱圧着せしめる
。次いで、目ζンf(ングヘッド25を上昇して次の第
2がンディング地点31までの距離にはは等しい長延の
?ンディング線29が導出する。ようにキャピラリーツ
ール23の位置を設定する。次いで、キャピラリーツー
ル23を第2ポンデイング地点31である例えばリード
の上方に移行し、前述と同様にレーデ、照射により第2
ポンデイング地点31を加熱しながら、キャピラリーツ
ール23を降下してレーデ照射終了後ポンディング線2
9の熱圧着を行い、Iンディング#1129を第1がン
ディング地点30と第2ボンデ1ング地点31に架設せ
しめる。
このようにこのワ3イヤがンディング装置4゜によれば
、レーザ照射によってdeンディング地点30.31の
みを直接加熱し、所定温度に達したところでメンディン
グ線29を圧着するので、半導体ペレット21全体は加
熱されず、が6− ンデインク処理の際に半導体ペレット21が位置ずれす
るのを阻止できると共に、加熱による半導体ペレット2
1の%性劣化を防止できる。
、レーザ照射によってdeンディング地点30.31の
みを直接加熱し、所定温度に達したところでメンディン
グ線29を圧着するので、半導体ペレット21全体は加
熱されず、が6− ンデインク処理の際に半導体ペレット21が位置ずれす
るのを阻止できると共に、加熱による半導体ペレット2
1の%性劣化を防止できる。
千尋体ペレット21の位置ずれが起きないので、がンデ
ィング線29を所定位置に正確に取付けることができる
。また、加熱はポンディング地点go、slのみに施さ
れ、しかも、がンディング1fi129の熱伝導率は通
常ポンf”4ンダ地点30.31f形成するボンディン
グノヤッド勢の熱伝導率より遥かに小さいので、ボンデ
ィング地点30.8Jに加えられfc熱は、半導体ペレ
ット21ではなくがンディングl@;toを伝って外部
に放散される。その結果、Iンディンダ線29の先端部
とdrンディング地点go、sノとを所定時間十分に加
熱し、がンディングm49をポンf(ング地点JO,,
!17に強固に固着することができる。更に、ポンディ
ング処理の際に加えられた熱量は、がンディング地点3
o、31に加えられたものだけで極めて少ない。このた
め、第2ポンデイング地点3)にキャピラリーツール2
3を移行する際に導出されたポンディング線290部分
が、熱変形してボンディング地点30.31以外の部分
(C接触するのを防止できる。短絡不良等Q発生を阻止
できる。
ィング線29を所定位置に正確に取付けることができる
。また、加熱はポンディング地点go、slのみに施さ
れ、しかも、がンディング1fi129の熱伝導率は通
常ポンf”4ンダ地点30.31f形成するボンディン
グノヤッド勢の熱伝導率より遥かに小さいので、ボンデ
ィング地点30.8Jに加えられfc熱は、半導体ペレ
ット21ではなくがンディングl@;toを伝って外部
に放散される。その結果、Iンディンダ線29の先端部
とdrンディング地点go、sノとを所定時間十分に加
熱し、がンディングm49をポンf(ング地点JO,,
!17に強固に固着することができる。更に、ポンディ
ング処理の際に加えられた熱量は、がンディング地点3
o、31に加えられたものだけで極めて少ない。このた
め、第2ポンデイング地点3)にキャピラリーツール2
3を移行する際に導出されたポンディング線290部分
が、熱変形してボンディング地点30.31以外の部分
(C接触するのを防止できる。短絡不良等Q発生を阻止
できる。
以上説明した如く、本発明に係るワイヤポンディング装
置によれば、4オンデイング領域だけを局所的に加熱す
ることにより、ポンディング線の熱変形による短絡不良
の発生を防止すると共に、被ポンディング体の特性を向
上式せることができる等顕著な効果を秦するものである
。
置によれば、4オンデイング領域だけを局所的に加熱す
ることにより、ポンディング線の熱変形による短絡不良
の発生を防止すると共に、被ポンディング体の特性を向
上式せることができる等顕著な効果を秦するものである
。
第1図は、従来のワイヤがンディンダ装置の概略構成を
示す説明図、第2図は、同ワイヤポンディング装置にて
ポンディング処理を行っている状態を示す説明図、第3
図(A)乃至同図(C)は、同装置のキャピラリーツー
ルの動きを示す説明図、第4図は、本発明の一実施例の
概略構成を示す説明図、第5図は、第1がンディング地
点をレーデ照射にて加熱している状態を示す説明図、第
6図は、第1はンディング地点にポンディング線を圧着
した状態を示す説明図、第7図は、第2ポンデイング地
点にキャピラリーツールを移行している状態を示す説明
図である。 20・・・がンディング部、2ノ・・・半導体ペレ。 ト、22・・・リードフレーム、23・・・キャピラリ
ーツー#、J 4・・・1z−f照射部、25・・・ポ
ンディングヘッド、26・・・レーデ供給管、ii y
用v−デ発生器、28川照射口、29・・・ポンディ
ング線、30.33・・・ボンディング地点、40・・
・ワイヤポンディング装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦9− 第11 n 第3図 (A)(B)(c)
示す説明図、第2図は、同ワイヤポンディング装置にて
ポンディング処理を行っている状態を示す説明図、第3
図(A)乃至同図(C)は、同装置のキャピラリーツー
ルの動きを示す説明図、第4図は、本発明の一実施例の
概略構成を示す説明図、第5図は、第1がンディング地
点をレーデ照射にて加熱している状態を示す説明図、第
6図は、第1はンディング地点にポンディング線を圧着
した状態を示す説明図、第7図は、第2ポンデイング地
点にキャピラリーツールを移行している状態を示す説明
図である。 20・・・がンディング部、2ノ・・・半導体ペレ。 ト、22・・・リードフレーム、23・・・キャピラリ
ーツー#、J 4・・・1z−f照射部、25・・・ポ
ンディングヘッド、26・・・レーデ供給管、ii y
用v−デ発生器、28川照射口、29・・・ポンディ
ング線、30.33・・・ボンディング地点、40・・
・ワイヤポンディング装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦9− 第11 n 第3図 (A)(B)(c)
Claims (1)
- 被がンディンダ体が供給されるポンディング部と、該が
ンディング部の上方に昇降自在に設けられ、所望長のが
ンディング線を導出するキャピラリーツールと、前記が
ンディング線の被ポンディング体との接続部に照射口を
向けて設けられたレーデ照射部とを具備することを特徴
とするワイヤポンディング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57111225A JPS592333A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | ワイヤボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57111225A JPS592333A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | ワイヤボンデイング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS592333A true JPS592333A (ja) | 1984-01-07 |
Family
ID=14555709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57111225A Pending JPS592333A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | ワイヤボンデイング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS592333A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4893742A (en) * | 1988-12-21 | 1990-01-16 | Hughes Aircraft Company | Ultrasonic laser soldering |
US5614113A (en) * | 1995-05-05 | 1997-03-25 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for performing microelectronic bonding using a laser |
KR970053199A (ko) * | 1995-12-30 | 1997-07-29 | 황인길 | 반도체 제조공정의 와이어본딩시 패키지의 열 가열방법 |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP57111225A patent/JPS592333A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4893742A (en) * | 1988-12-21 | 1990-01-16 | Hughes Aircraft Company | Ultrasonic laser soldering |
US5614113A (en) * | 1995-05-05 | 1997-03-25 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for performing microelectronic bonding using a laser |
KR970053199A (ko) * | 1995-12-30 | 1997-07-29 | 황인길 | 반도체 제조공정의 와이어본딩시 패키지의 열 가열방법 |
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