JP2829471B2 - ワイヤボンダ - Google Patents
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップの電極と
リードフレームのリード端子との間をボンディングワイ
ヤで接続するワイヤボンダに関する。
リードフレームのリード端子との間をボンディングワイ
ヤで接続するワイヤボンダに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハから切り離された半導体チ
ップ上に形成された電極(ボンディングパッド)と、こ
の半導体チップを搭載するリードフレームのリード端子
との間を、金線やアルミニウム線等のボンディングワイ
ヤで接続する各種のワイヤボンダが汎用されている。こ
のワイヤボンダの典型的な一例であるボールボンディン
グ型は、図4に示すように、X−Yステージによって水
平面内を前後左右に移動されると共に水平な軸を支点と
して先端が上下動される超音波ホーン11と、その先端
に装着され下端12aからボンディングワイヤ3が繰り
出される漏斗状のキャピラリ12と、リードフレーム1
及びこれにダイボンディングされた半導体チップ2を加
熱するヒータプレート13と、ボンディングワイヤ3を
切断すると同時に先端に球状体を形成するための電気ト
ーチ14とを備えている。
ップ上に形成された電極(ボンディングパッド)と、こ
の半導体チップを搭載するリードフレームのリード端子
との間を、金線やアルミニウム線等のボンディングワイ
ヤで接続する各種のワイヤボンダが汎用されている。こ
のワイヤボンダの典型的な一例であるボールボンディン
グ型は、図4に示すように、X−Yステージによって水
平面内を前後左右に移動されると共に水平な軸を支点と
して先端が上下動される超音波ホーン11と、その先端
に装着され下端12aからボンディングワイヤ3が繰り
出される漏斗状のキャピラリ12と、リードフレーム1
及びこれにダイボンディングされた半導体チップ2を加
熱するヒータプレート13と、ボンディングワイヤ3を
切断すると同時に先端に球状体を形成するための電気ト
ーチ14とを備えている。
【0003】ヒータプレート13上に搬送された半導体
チップ2は、図5に示すように、リードフレーム1の多
数のリード端子1aで囲まれたアイランドと呼ばれる部
分1bに接着(ダイボンディング)されている。半導体
チップ2に形成されている回路パターン中の所定の基準
位置が図示しない光学系の位置センサ認識され、この基
準位置から算定される最初のボンド点上に超音波ホーン
11の先端のキャピラリ12が位置決めされ、半導体チ
ップ2上に形成されている電極群2aと、リードフレー
ム1側の対応リード端子群1aとの間に、ボンディング
ワイヤ3が順次配線されて行く。
チップ2は、図5に示すように、リードフレーム1の多
数のリード端子1aで囲まれたアイランドと呼ばれる部
分1bに接着(ダイボンディング)されている。半導体
チップ2に形成されている回路パターン中の所定の基準
位置が図示しない光学系の位置センサ認識され、この基
準位置から算定される最初のボンド点上に超音波ホーン
11の先端のキャピラリ12が位置決めされ、半導体チ
ップ2上に形成されている電極群2aと、リードフレー
ム1側の対応リード端子群1aとの間に、ボンディング
ワイヤ3が順次配線されて行く。
【0004】すなわち、漏斗状のキャピラリ12の下端
12aに形成されたボンディングワイヤ3の球状の切断
端部3aが電極2aの表面に押圧される。このキャピラ
リ12には図示しない超音波振動子で発生した水平方向
の超音波振動の振幅が超音波ホーン11によって拡大さ
れて伝達されるため、ボンディングワイヤ3のボール状
端部3aが押圧力と振動による摩擦によって押しつぶさ
れ、ヒータプレート13で加熱された半導体チップ2の
電極2a表面に圧着される。押圧力と加熱による単純な
熱圧着の場合は、リードフレーム1と半導体チップ2を
350℃程度まで加熱する必要があるが、超音波の併用
によって200℃程度の温度で圧着することができ、し
かもその過程で電極表面の酸化膜が摩擦により除去され
るので、良好な接合が行われる。
12aに形成されたボンディングワイヤ3の球状の切断
端部3aが電極2aの表面に押圧される。このキャピラ
リ12には図示しない超音波振動子で発生した水平方向
の超音波振動の振幅が超音波ホーン11によって拡大さ
れて伝達されるため、ボンディングワイヤ3のボール状
端部3aが押圧力と振動による摩擦によって押しつぶさ
れ、ヒータプレート13で加熱された半導体チップ2の
電極2a表面に圧着される。押圧力と加熱による単純な
熱圧着の場合は、リードフレーム1と半導体チップ2を
350℃程度まで加熱する必要があるが、超音波の併用
によって200℃程度の温度で圧着することができ、し
かもその過程で電極表面の酸化膜が摩擦により除去され
るので、良好な接合が行われる。
【0005】次に、キャピラリ12は半導体チップ2の
電極2a上からリードフレーム1のリード端子1a上に
移動され位置決めされる。一端部3aが電極2aに接続
されたボンディングワイヤ3は、キャピラリ12の移動
に伴ってその下端12aから繰り出され、上述と同様に
してリード端子1aに接続される。その後、キャピラリ
12がリード端子1aの表面から僅かに引き上げられた
ところで、これに伴って繰り出されたボンディングワイ
ヤ3が、接近した電気トーチ14の放電によって溶融切
断される。このとき、切断部に瞬間的な溶融によって球
状端部3aが形成され、これが、ボンディングワイヤ3
に加えられた張力によってキャピラリ12の下端12a
に保持される。
電極2a上からリードフレーム1のリード端子1a上に
移動され位置決めされる。一端部3aが電極2aに接続
されたボンディングワイヤ3は、キャピラリ12の移動
に伴ってその下端12aから繰り出され、上述と同様に
してリード端子1aに接続される。その後、キャピラリ
12がリード端子1aの表面から僅かに引き上げられた
ところで、これに伴って繰り出されたボンディングワイ
ヤ3が、接近した電気トーチ14の放電によって溶融切
断される。このとき、切断部に瞬間的な溶融によって球
状端部3aが形成され、これが、ボンディングワイヤ3
に加えられた張力によってキャピラリ12の下端12a
に保持される。
【0006】キャピラリ12を保持すると共にこれに超
音波振動を伝達する超音波ホーン11は、リードフレー
ム1と半導体チップ2を加熱しているヒータプレート1
3から熱を受けて高温となり膨張する。超音波ホーン1
1がヒータプレート13から受ける熱量は、ボンディン
グの過程でヒータプレート13の上を前後左右に移動す
る超音波ホーン11の位置に応じて変化し、これに伴う
伸縮量も変化する。すなわち、ボンディングの際に、超
音波ホーン11が図4に実線で示すようにヒータプレー
ト13上に深く進入するとヒータプレート13から多量
の熱を受けて温度が上昇し膨張する。また、一点鎖線で
示すような待機位置では、空気中に熱を放出して温度が
下降し、収縮する。
音波振動を伝達する超音波ホーン11は、リードフレー
ム1と半導体チップ2を加熱しているヒータプレート1
3から熱を受けて高温となり膨張する。超音波ホーン1
1がヒータプレート13から受ける熱量は、ボンディン
グの過程でヒータプレート13の上を前後左右に移動す
る超音波ホーン11の位置に応じて変化し、これに伴う
伸縮量も変化する。すなわち、ボンディングの際に、超
音波ホーン11が図4に実線で示すようにヒータプレー
ト13上に深く進入するとヒータプレート13から多量
の熱を受けて温度が上昇し膨張する。また、一点鎖線で
示すような待機位置では、空気中に熱を放出して温度が
下降し、収縮する。
【0007】このような超音波ホーン11の温度変化に
よる伸縮に伴い、ボンディング位置ずれの問題が生ず
る。すなわち、半導体チップ2の表面に形成された電極
2aは寸法が小さいため、ボンディング位置の公差は±
5μm程度であるのに対し、上述のような超音波ホーン
11の伸縮は、場合によっては40〜50μmものキャ
ピラリ位置のずれが発生し、ボンディングが不能になる
おそれがある。これを防止するため、従来は室温の空気
を噴射して超音波ホーン11を冷却するという対策が講
じられている。
よる伸縮に伴い、ボンディング位置ずれの問題が生ず
る。すなわち、半導体チップ2の表面に形成された電極
2aは寸法が小さいため、ボンディング位置の公差は±
5μm程度であるのに対し、上述のような超音波ホーン
11の伸縮は、場合によっては40〜50μmものキャ
ピラリ位置のずれが発生し、ボンディングが不能になる
おそれがある。これを防止するため、従来は室温の空気
を噴射して超音波ホーン11を冷却するという対策が講
じられている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上述した冷却用の空気
を噴射して超音波ホーンの伸縮を抑圧するという従来方
法は、今後の半導体チップの大型化に伴いヒータプレー
トが一層大型になり、これから超音波ホーンが受ける熱
量が増大するにつれて一層困難になるという問題があ
る。また、超音波ホーンの冷却に伴い、キャピラリとボ
ンディングワイヤも冷却されてしまい、熱圧着による接
合性が低下するという問題もある。従って、本発明の目
的は、ヒータプレートの加熱による超音波ホーンの伸縮
を防止し、ボンディング位置精度を向上させることにあ
る。
を噴射して超音波ホーンの伸縮を抑圧するという従来方
法は、今後の半導体チップの大型化に伴いヒータプレー
トが一層大型になり、これから超音波ホーンが受ける熱
量が増大するにつれて一層困難になるという問題があ
る。また、超音波ホーンの冷却に伴い、キャピラリとボ
ンディングワイヤも冷却されてしまい、熱圧着による接
合性が低下するという問題もある。従って、本発明の目
的は、ヒータプレートの加熱による超音波ホーンの伸縮
を防止し、ボンディング位置精度を向上させることにあ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明のワイヤボンダは、超音波ホーンを加熱する加熱手段
を備えている。本発明の好適な実施例においては、上記
加熱手段が超音波ホーンへの熱風噴射器や、超音波ホー
ンに巻き付けられた電熱線や、超音波ホーンに埋設され
たヒータなどからなっている。
明のワイヤボンダは、超音波ホーンを加熱する加熱手段
を備えている。本発明の好適な実施例においては、上記
加熱手段が超音波ホーンへの熱風噴射器や、超音波ホー
ンに巻き付けられた電熱線や、超音波ホーンに埋設され
たヒータなどからなっている。
【0010】
【作用】超音波ホーンの温度は、ヒータプレートや加熱
手段から受ける熱量の増大につれて上昇する。超音波ホ
ーンの温度が上昇するにつれて、この超音波ホーンから
輻射や自然対流によって逃げだす熱量も急激に増加す
る。例えば、輻射によって超音波ホーンから逃げだす熱
量は、黒体輻射で近似するとその絶対温度の4乗に比例
して増加する。すなわち、超音波ホーンの温度が上昇す
ればするほど、ヒータプレートや加熱手段から受けた熱
量によって生じる温度上昇幅が小さくなり、従ってヒー
タプレートとの位置関係の変化に起因する伝熱量の変動
に伴う温度変動幅も小さくる。このことは、加熱量と上
昇温度との非直線の関係として良く知られている。従っ
て、制御目標温度を従来例とは全く逆の高温領域に移す
ことにより、ヒータプレートからの伝熱量の変動を抑圧
するための温度制御が一層容易になる。
手段から受ける熱量の増大につれて上昇する。超音波ホ
ーンの温度が上昇するにつれて、この超音波ホーンから
輻射や自然対流によって逃げだす熱量も急激に増加す
る。例えば、輻射によって超音波ホーンから逃げだす熱
量は、黒体輻射で近似するとその絶対温度の4乗に比例
して増加する。すなわち、超音波ホーンの温度が上昇す
ればするほど、ヒータプレートや加熱手段から受けた熱
量によって生じる温度上昇幅が小さくなり、従ってヒー
タプレートとの位置関係の変化に起因する伝熱量の変動
に伴う温度変動幅も小さくる。このことは、加熱量と上
昇温度との非直線の関係として良く知られている。従っ
て、制御目標温度を従来例とは全く逆の高温領域に移す
ことにより、ヒータプレートからの伝熱量の変動を抑圧
するための温度制御が一層容易になる。
【0011】上記加熱量と上昇温度との非直線の関係に
基づく温度変動幅の抑圧に加えて、超音波ホーンへの加
熱手段による伝熱量Qbが付加されることにより、ヒー
タプレートからの伝熱量Qaの変動幅δQaの全伝熱量
の変動幅に及ぼす影響が、(1+Qb/Qa)-1倍に低
減されるという効果も奏される。従って、Qb/Qaが
大きいほど恒温化には好適であるが、上記加熱量と上昇
温度との非直線の関係をも考慮すれば、QbをQaを同
程度とすれば恒温化の点で相当程度の効果が奏されると
考えられる。
基づく温度変動幅の抑圧に加えて、超音波ホーンへの加
熱手段による伝熱量Qbが付加されることにより、ヒー
タプレートからの伝熱量Qaの変動幅δQaの全伝熱量
の変動幅に及ぼす影響が、(1+Qb/Qa)-1倍に低
減されるという効果も奏される。従って、Qb/Qaが
大きいほど恒温化には好適であるが、上記加熱量と上昇
温度との非直線の関係をも考慮すれば、QbをQaを同
程度とすれば恒温化の点で相当程度の効果が奏されると
考えられる。
【0012】
【実施例】図1は、本発明の一実施例のワイヤボンダを
示すもので、超音波ホーン11と、その先端部に保持さ
れたキャピラリ12と、ヒータプレート13と、図示し
ないX−Yステージ及びワイヤ切断用の電気トーチを含
む従来と同様の基本構成を備えている。
示すもので、超音波ホーン11と、その先端部に保持さ
れたキャピラリ12と、ヒータプレート13と、図示し
ないX−Yステージ及びワイヤ切断用の電気トーチを含
む従来と同様の基本構成を備えている。
【0013】超音波ホーン11には、その長手方向に平
行に延びる熱風噴射ノズル20が一体的に取り付けられ
ている。この熱風噴射ノズル20には、超音波ホーン1
1の側面へ向けて多数の噴射孔20aが開設されてお
り、配管21を介して加熱空気供給源22から供給され
た加熱空気を前記噴射孔20aからシャワー状に噴射す
ることによって、超音波ホーン11を加熱する。23は
超音波ホーン11の温度を検出する温度センサ、24は
予め設定された基準温度データと温度センサ23で検出
された検出温度とを比較して、その偏差が零となるよう
に加熱空気供給源22の出力(加熱温度及び風量)を制
御する温度コントローラである。
行に延びる熱風噴射ノズル20が一体的に取り付けられ
ている。この熱風噴射ノズル20には、超音波ホーン1
1の側面へ向けて多数の噴射孔20aが開設されてお
り、配管21を介して加熱空気供給源22から供給され
た加熱空気を前記噴射孔20aからシャワー状に噴射す
ることによって、超音波ホーン11を加熱する。23は
超音波ホーン11の温度を検出する温度センサ、24は
予め設定された基準温度データと温度センサ23で検出
された検出温度とを比較して、その偏差が零となるよう
に加熱空気供給源22の出力(加熱温度及び風量)を制
御する温度コントローラである。
【0014】超音波圧着を利用したワイヤボンディング
においては、リードフレーム1と半導体チップ2に対す
るヒータプレート13の加熱温度は200℃程度に設定
されており、その放射熱の影響を受ける超音波ホーン1
1は、発明者らの測定結果によれば、熱風噴射ノズル2
0からの熱風の噴射による加熱を行わない場合、100
℃程度を上限とする温度変動が生じた。そこで、一例と
して温度コントローラ24に設定する基準温度を例えば
110℃とし、熱風噴射ノズル20から噴射される加熱
空気によって、超音波ホーン11を常に110℃近傍に
加熱しておく。この高温領域における温度制御は、室温
程度の低温領域における温度制御よりも容易かつ高精度
で行える。
においては、リードフレーム1と半導体チップ2に対す
るヒータプレート13の加熱温度は200℃程度に設定
されており、その放射熱の影響を受ける超音波ホーン1
1は、発明者らの測定結果によれば、熱風噴射ノズル2
0からの熱風の噴射による加熱を行わない場合、100
℃程度を上限とする温度変動が生じた。そこで、一例と
して温度コントローラ24に設定する基準温度を例えば
110℃とし、熱風噴射ノズル20から噴射される加熱
空気によって、超音波ホーン11を常に110℃近傍に
加熱しておく。この高温領域における温度制御は、室温
程度の低温領域における温度制御よりも容易かつ高精度
で行える。
【0015】図示しない光学系の位置センサによって認
識された基準位置から求められる各ボンド点を、超音波
ホーン11の基準温度の熱膨張量により補正しておけ
ば、リードフレーム1のリード端子は半導体チップ2の
電極上でのキャピラリ12の位置ずれを低減され、ボン
ディングワイヤの接合をより高い位置決め精度のもとに
行うことができる。また、熱風噴射ノズル20からの熱
風噴射によって、超音波ホーン11と共にキャピラリ1
2及びこれに保持されたボンディングワイヤも、ヒータ
プレート13の放射熱による加熱温度以上の高温に加熱
されることから、熱圧着による接合性の向上を同時に実
現することができる。
識された基準位置から求められる各ボンド点を、超音波
ホーン11の基準温度の熱膨張量により補正しておけ
ば、リードフレーム1のリード端子は半導体チップ2の
電極上でのキャピラリ12の位置ずれを低減され、ボン
ディングワイヤの接合をより高い位置決め精度のもとに
行うことができる。また、熱風噴射ノズル20からの熱
風噴射によって、超音波ホーン11と共にキャピラリ1
2及びこれに保持されたボンディングワイヤも、ヒータ
プレート13の放射熱による加熱温度以上の高温に加熱
されることから、熱圧着による接合性の向上を同時に実
現することができる。
【0016】図2は、本発明の第二実施例に係るワイヤ
ボンダを示すもので、上述の熱風噴射による加熱手段に
代えて、超音波ホーン11の周囲に熱線コイル30を巻
き付け、このコイル30へ供給する電流をコントローラ
31を介して制御することによって、超音波ホーン11
を、ヒータプレート13からの放射熱による温度変化の
上限以上の一定の温度に加熱することができる。
ボンダを示すもので、上述の熱風噴射による加熱手段に
代えて、超音波ホーン11の周囲に熱線コイル30を巻
き付け、このコイル30へ供給する電流をコントローラ
31を介して制御することによって、超音波ホーン11
を、ヒータプレート13からの放射熱による温度変化の
上限以上の一定の温度に加熱することができる。
【0017】図3は、本発明の第三実施例に係るワイヤ
ボンダを示すもので、加熱手段として超音波ホーン11
の内部に、セラミックヒータ40を挿入し、このセラミ
ックヒータ40へ供給する電流をコントローラ41を介
して制御することによって、超音波ホーン11を、ヒー
タプレート13からの放射熱による温度変化の上限以上
の一定の温度に加熱することができる。なお、これら図
2及び図3の実施例においても、先の第一実施例と同様
に、超音波ホーン11の温度データをセンサによってフ
ィードバックさせる閉ループ制御を行う構成とすること
ができる。
ボンダを示すもので、加熱手段として超音波ホーン11
の内部に、セラミックヒータ40を挿入し、このセラミ
ックヒータ40へ供給する電流をコントローラ41を介
して制御することによって、超音波ホーン11を、ヒー
タプレート13からの放射熱による温度変化の上限以上
の一定の温度に加熱することができる。なお、これら図
2及び図3の実施例においても、先の第一実施例と同様
に、超音波ホーン11の温度データをセンサによってフ
ィードバックさせる閉ループ制御を行う構成とすること
ができる。
【0018】以上、加熱手段が温度センサを含む閉ルー
プ制御系によって構成される場合を例示した。しかしな
がら、超音波ホーンの温度をヒータプレートによる加熱
最高温度程度、更に好適にはこれよりも十分高い温度、
例えばヒータプレートの温度程度に保つような場合に
は、温度センサによる帰還路を省略した開ループ制御を
適用することもできる。
プ制御系によって構成される場合を例示した。しかしな
がら、超音波ホーンの温度をヒータプレートによる加熱
最高温度程度、更に好適にはこれよりも十分高い温度、
例えばヒータプレートの温度程度に保つような場合に
は、温度センサによる帰還路を省略した開ループ制御を
適用することもできる。
【0019】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明のワ
イヤボンダは、加熱手段の設置により制御目標温度を従
来例とは全く逆の高温領域に移す構成であるから、ヒー
タプレートとの位置関係の変化に伴う超音波ホーンの温
度と長さの変動が有効に抑圧され、キャピラリの位置決
め精度が向上する。また、加熱に伴いキャピラリとボン
ディングワイヤも予め加熱されるので熱圧着による接合
性も向上する。
イヤボンダは、加熱手段の設置により制御目標温度を従
来例とは全く逆の高温領域に移す構成であるから、ヒー
タプレートとの位置関係の変化に伴う超音波ホーンの温
度と長さの変動が有効に抑圧され、キャピラリの位置決
め精度が向上する。また、加熱に伴いキャピラリとボン
ディングワイヤも予め加熱されるので熱圧着による接合
性も向上する。
【図1】本発明の一実施例のワイヤボンダの構成を概略
的に示す要部平面図である。
的に示す要部平面図である。
【図2】本発明の他の実施例のワイヤボンダの構成を概
略的に示す要部平面図である。
略的に示す要部平面図である。
【図3】本発明の更に他の実施例のワイヤボンダの構成
を概略的に示す要部平面図である。
を概略的に示す要部平面図である。
【図4】従来例のワイヤボンダの構成を概略的に示す要
部側面図である。
部側面図である。
【図5】リードフレームとこれにダイボンディングされ
た半導体チップを概略的に示す平面図である。
た半導体チップを概略的に示す平面図である。
11 超音波ホーン 12 キャピラリ 13 ヒータプレート 20 熱風噴射ノズル(加熱手段) 30 熱線コイル(加熱手段) 40 セラミックヒータ(加熱手段)
Claims (5)
- 【請求項1】超音波ホーンと、この超音波ホーンの先端
に設けられボンディングワイヤを繰り出すキャピラリ
と、半導体チップがダイボンディングされたリードフレ
ームを加熱するヒータプレートとを備え、前記半導体チ
ッブの電極と前記リードフレームのリード端子との間を
前記ボンディングワイヤで接続するワイヤボンダにおい
て、前記ヒータプレートが前記超音波ホーンに供給する熱量
よりも大きな熱量を前記超音波ホーンに供給する 加熱手
段を備えたことを特徴とするワイヤボンダ。 - 【請求項2】前記加熱手段は、前記超音波ホーンの温度
をほぼ一定値に保つ閉ループ制御系から構成されること
を特徴とするワイヤボンダ。 - 【請求項3】超音波ホーンと、この超音波ホーンの先端
に設けられボンディングワイヤを繰り出すキャピラリ
と、半導体チップがダイボンディングされたリードフレ
ームを加熱するヒータプレートとを備え、前記半導体チ
ップの電極と前記リードフレームのリード端子との間を
前記ボンディングワイヤで接続するワイヤボンダにおい
て、 前記超音波ホーンの温度をほぼ一定値に保つ閉ループ制
御系から構成される超音波ホーンの加熱手段を備えたこ
とを特徴とするワイヤボンダ。 - 【請求項4】超音波ホーンと、この超音波ホーンの先端
に設けられボンディングワイヤを繰り出すキャピラリ
と、半導体チップがダイボンディングされたリードフレ
ームを加熱するヒータプレートとを備え、前記半導体チ
ップの電極と前記リードフレームのリード端子との間を
前記ボンディングワイヤで接続するワイヤボンダにおい
て、 前記超音波ホーンの温度を前記ヒータプレートによる加
熱最高温度よりも高温に保つ超音波ホーンの加熱手段を
備えたことを特徴とするワイヤボンダ。 - 【請求項5】前記加熱手段が、前記超音波ホーンへの熱
風噴射器、前記超音波ホーンに巻回された電熱線若しく
は前記超音波ホーンに埋設されたヒータの一つ又はこれ
らの組合せによって構成されることを特徴とする請求項
1乃至4のそれぞれに記載のワイヤボンダ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33240392A JP2829471B2 (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | ワイヤボンダ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33240392A JP2829471B2 (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | ワイヤボンダ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06163647A JPH06163647A (ja) | 1994-06-10 |
JP2829471B2 true JP2829471B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=18254583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33240392A Expired - Fee Related JP2829471B2 (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | ワイヤボンダ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2829471B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10118246B2 (en) * | 2014-12-26 | 2018-11-06 | Shinikawa Ltd. | Mounting apparatus |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6341037A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | ワイヤボンデイング装置 |
JPH0334341A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-14 | Nec Corp | ボンディング装置及びボンディング方法 |
-
1992
- 1992-11-18 JP JP33240392A patent/JP2829471B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6341037A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | ワイヤボンデイング装置 |
JPH0334341A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-14 | Nec Corp | ボンディング装置及びボンディング方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10118246B2 (en) * | 2014-12-26 | 2018-11-06 | Shinikawa Ltd. | Mounting apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06163647A (ja) | 1994-06-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080925 Year of fee payment: 10 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090925 Year of fee payment: 11 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |