JPS59223966A - 光磁気デイスク - Google Patents
光磁気デイスクInfo
- Publication number
- JPS59223966A JPS59223966A JP9718483A JP9718483A JPS59223966A JP S59223966 A JPS59223966 A JP S59223966A JP 9718483 A JP9718483 A JP 9718483A JP 9718483 A JP9718483 A JP 9718483A JP S59223966 A JPS59223966 A JP S59223966A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- error rate
- bit error
- crystal
- magneto
- base plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は希土類元素（Ｒと称す。）と鉄族元素（Ｃｏ、
ｒｅ、Ｎｉ等）を主成分とする非晶質磁性合金薄膜で膜
面と垂直方向に磁化容易軸を有す１− る光磁気ディスクに関するものである。
ｒｅ、Ｎｉ等）を主成分とする非晶質磁性合金薄膜で膜
面と垂直方向に磁化容易軸を有す１− る光磁気ディスクに関するものである。
従来から本光磁気メモリーは、レザー光の微少スポット
（］μｍ径程度）Ｋよるビット形成ニより情報を録再で
きるので大容量メモリーとして広く用いられつつあ一す
ディスク、シート、カード、テープへの応用が考えられ
ている。
（］μｍ径程度）Ｋよるビット形成ニより情報を録再で
きるので大容量メモリーとして広く用いられつつあ一す
ディスク、シート、カード、テープへの応用が考えられ
ている。
従来公知である光磁気メモリーとして多結晶体としてＭ
ｎＢ１ 、ＭｎＢｉＣ，ｒｂ、Ｐｔ 、Ｃｏ 、Ｃ０Ｃ
ｆや単結晶としてＧｄ工Ｇ、ＴｂＦｌｌｏ、ＹＧａ工Ｇ
、ＢｊＳｍＥｒＧα工Ｇ、そして本発明の非晶質として
Ｇ ｄ Ｃｏ 、 Ｔ ｂ Ｆ ｅ 、 Ｄ ′！ＩＦ
ｅ ｅＧｄ’ＦｅＢ１ ＧｄＴｂＦ′ｅ ＧｄＦ
ｅ ＴｂＤｙ Ｆ ｅ 、 Ｇｔｉ Ｔ ｂ ＤＶ
” ＃等Ｒと鉄族元素それに遷移金属元素等の添加を加
えた多くの磁性膜合金が知られている。しかしこれらの
材料の中で現在カー回転角（θｋ）の大きさ、Ｓ／Ｎ比
の大きさ、作製上の容易性等から非晶質が一番優れてお
シ実用化が研究されている状況である。
ｎＢ１ 、ＭｎＢｉＣ，ｒｂ、Ｐｔ 、Ｃｏ 、Ｃ０Ｃ
ｆや単結晶としてＧｄ工Ｇ、ＴｂＦｌｌｏ、ＹＧａ工Ｇ
、ＢｊＳｍＥｒＧα工Ｇ、そして本発明の非晶質として
Ｇ ｄ Ｃｏ 、 Ｔ ｂ Ｆ ｅ 、 Ｄ ′！ＩＦ
ｅ ｅＧｄ’ＦｅＢ１ ＧｄＴｂＦ′ｅ ＧｄＦ
ｅ ＴｂＤｙ Ｆ ｅ 、 Ｇｔｉ Ｔ ｂ ＤＶ
” ＃等Ｒと鉄族元素それに遷移金属元素等の添加を加
えた多くの磁性膜合金が知られている。しかしこれらの
材料の中で現在カー回転角（θｋ）の大きさ、Ｓ／Ｎ比
の大きさ、作製上の容易性等から非晶質が一番優れてお
シ実用化が研究されている状況である。
この非晶質光磁気メモリーは記録密度が大きくｌｒｌ
ｑ〜１０８ビット／ｍ２ もあシ大容景メモリーとじ２
− て用いることが可能である。しかしコンピューターメモ
リーとして用いる場合ビット誤率が非常に小さくする必
要があるが現在ではビット誤率は太きくｍ−６〜１Ｏ−
６Ｃビツト１（１６〜１０６ケＶｌケのビットが不能で
ある。）である。このように非晶質磁気メモリーはビッ
ト誤率が太きいとゆう欠点を有している。
ｑ〜１０８ビット／ｍ２ もあシ大容景メモリーとじ２
− て用いることが可能である。しかしコンピューターメモ
リーとして用いる場合ビット誤率が非常に小さくする必
要があるが現在ではビット誤率は太きくｍ−６〜１Ｏ−
６Ｃビツト１（１６〜１０６ケＶｌケのビットが不能で
ある。）である。このように非晶質磁気メモリーはビッ
ト誤率が太きいとゆう欠点を有している。
本発明は上記欠点を改良しビット誤率を小さくした非晶
質垂直磁性メモリーディスクを提供することＫある。
質垂直磁性メモリーディスクを提供することＫある。
本発明の光磁気記録媒体は膜面に垂直な大部分の方向が
磁化容易軸を有しておりキューリ一点（ＴＣ）や補償温
度（Ｔｃｏｍｐｔ）が室温に近く５０℃〜２００１：に
ある大部分が非晶質状態の薄膜（１μｍ以下）である。
磁化容易軸を有しておりキューリ一点（ＴＣ）や補償温
度（Ｔｃｏｍｐｔ）が室温に近く５０℃〜２００１：に
ある大部分が非晶質状態の薄膜（１μｍ以下）である。
これらはスパッター、蒸着、イオンブレーティング等の
真空機器中で乾式メッキ法で作製されている。
真空機器中で乾式メッキ法で作製されている。
そして基板ＫＦｉ従来から透明なアモルファス材が用い
られ例えばＰＭＭＡ （透明アクリル樹脂）、ｐｃ（ポ
リカーボネイト）、各種ガラス材料が３− 用いられている。そしてこの基板上に光磁気メモリー、
保簡ＢＣｖが積層された９又多層ＢＣ′Ｃとして基板上
に保腹Ｂ・′３γ、磁気メモリー、熱バッファー材（Ｓ
７０．５ｈｏ２）、反射ＥＸ（ｋＪｌ＝ 、 Ｃｕ 、
Ａｌ１ 。
られ例えばＰＭＭＡ （透明アクリル樹脂）、ｐｃ（ポ
リカーボネイト）、各種ガラス材料が３− 用いられている。そしてこの基板上に光磁気メモリー、
保簡ＢＣｖが積層された９又多層ＢＣ′Ｃとして基板上
に保腹Ｂ・′３γ、磁気メモリー、熱バッファー材（Ｓ
７０．５ｈｏ２）、反射ＥＸ（ｋＪｌ＝ 、 Ｃｕ 、
Ａｌ１ 。
Ａｕ等金属月蔚）、保ｎ１ちｆ （Ｓ ＠ ０２ １
ｂ ｉ（〕＊ Ｓｉ３Ｎや有機コーティング拐等）が積
層されたりしている。
ｂ ｉ（〕＊ Ｓｉ３Ｎや有機コーティング拐等）が積
層されたりしている。
しかしレザースポットにより形成されるビットは１μｍ
径と小さいため光磁気メモリーに同程度以下の欠陥や不
均一部分があればこれは直ちにビットエラーとなりビッ
ト誤率Ｃ１コ犬きぐなってし７甘う。そして従来から使
用されているＰＭＭＡ、ＰＣ，ガラス等の基板はその物
に多くの欠陥がある、例えば気泡、凹部、介在物、材質
の不均一、光学的屈折率、透過率の不均一、線欠陥、脈
理等多くの欠陥があシこれを無くすことも困創である。
径と小さいため光磁気メモリーに同程度以下の欠陥や不
均一部分があればこれは直ちにビットエラーとなりビッ
ト誤率Ｃ１コ犬きぐなってし７甘う。そして従来から使
用されているＰＭＭＡ、ＰＣ，ガラス等の基板はその物
に多くの欠陥がある、例えば気泡、凹部、介在物、材質
の不均一、光学的屈折率、透過率の不均一、線欠陥、脈
理等多くの欠陥があシこれを無くすことも困創である。
このような欠陥の多い基板を使用しその上に光磁１
気メモリー膜を形成すれぼやはｐメモリー肱「にも多く
の欠陥が生じてしまいこれがビット誤率を大きくしてい
る原因であることがわかった。
の欠陥が生じてしまいこれがビット誤率を大きくしてい
る原因であることがわかった。
４一
本発明は同じ透明体で従来から使われたことが無い欠陥
の少ない基板材料を調べた結果酸化物の単結晶材料がビ
ット誤率を小さくすることを発明した、多くの酸化物単
結晶はあるが、工業的にも大きな増結晶が容易にできし
かも欠陥が少ない材料として、水晶（ＳｉＯｌ）？サフ
ァイヤ（ＡＡ２０３ ）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ
Ｏｓ ）ｒタンタル酸リチウム（ＬｚＴａＯ，）、Ｇ
ＧＯ（ＧｄＧαカーネット系）、ケルマン酸ビスマス（
Ｂ１０ｇ０３ ）が優れている。これらの材料を基板に
したディスクの膜構成の断面図の一例を図１゜図２に示
しである。
の少ない基板材料を調べた結果酸化物の単結晶材料がビ
ット誤率を小さくすることを発明した、多くの酸化物単
結晶はあるが、工業的にも大きな増結晶が容易にできし
かも欠陥が少ない材料として、水晶（ＳｉＯｌ）？サフ
ァイヤ（ＡＡ２０３ ）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ
Ｏｓ ）ｒタンタル酸リチウム（ＬｚＴａＯ，）、Ｇ
ＧＯ（ＧｄＧαカーネット系）、ケルマン酸ビスマス（
Ｂ１０ｇ０３ ）が優れている。これらの材料を基板に
したディスクの膜構成の断面図の一例を図１゜図２に示
しである。
本発明の単結晶で欠陥の少ない基板はほとんど結晶に欠
陥が無いものである。このように単結晶は本来欠陥の少
ない完全結晶に育成することが可能であシこれに注目し
て基板としたものである。
陥が無いものである。このように単結晶は本来欠陥の少
ない完全結晶に育成することが可能であシこれに注目し
て基板としたものである。
これらの無欠陥透明酸化物単結晶は水熱合成法、チョク
ラルスキー法、フローティングゾーン法、ベルヌーイ法
によって数インチ直径のインゴットとして製造される。
ラルスキー法、フローティングゾーン法、ベルヌーイ法
によって数インチ直径のインゴットとして製造される。
これを切断、研摩し十分表面５−
のゴミ、油脂を落す。このためクリーン度の良いチャン
バー内で洗浄、脱脂をし、真空機器内にてこの基板上に
各層を積層する方法がとられる。
バー内で洗浄、脱脂をし、真空機器内にてこの基板上に
各層を積層する方法がとられる。
これらによって得た光磁気メモリーのビット誤率は小さ
くなり従来のＩｎ−５〜Ｉｒ１− ’が１０−６〜１０
−８に小さくなることがわかった。これは基板の欠陥が
少ない単結晶程良い結果が得られている。
くなり従来のＩｎ−５〜Ｉｒ１− ’が１０−６〜１０
−８に小さくなることがわかった。これは基板の欠陥が
少ない単結晶程良い結果が得られている。
更にピット誤率を小さくするため基板の改良が必要であ
るがこのために本発明の単結晶基板表面上に同一物質を
エピタキシャル成長させることによってバルク材にあっ
た欠陥がより少なくなったエピタキシャル薄膜層が得ら
れる。そしてこの一層欠陥の少なくなったエビ層上に光
磁気メモリ層を作製することにより更にビット誤来が減
少することがわかＨｌＨＶ”〜ｘｔ＋”−３０程に小さ
くなった。
るがこのために本発明の単結晶基板表面上に同一物質を
エピタキシャル成長させることによってバルク材にあっ
た欠陥がより少なくなったエピタキシャル薄膜層が得ら
れる。そしてこの一層欠陥の少なくなったエビ層上に光
磁気メモリ層を作製することにより更にビット誤来が減
少することがわかＨｌＨＶ”〜ｘｔ＋”−３０程に小さ
くなった。
この膜構成の断面図の一例を図３１図４に示すＡ７が基
板単結晶煮】上にエピタキシャル成長させた同一材料の
層である。
板単結晶煮】上にエピタキシャル成長させた同一材料の
層である。
このエビクキシャル層はスパッター、イオンブレーティ
ング法、あるいはＣＶ ｉ）の化イ的方法、６− 又液相中に浸漬し表面にエビさせる方法によって作製し
た、膜厚はやはり】μｍ以下である。
ング法、あるいはＣＶ ｉ）の化イ的方法、６− 又液相中に浸漬し表面にエビさせる方法によって作製し
た、膜厚はやはり】μｍ以下である。
このようにして作製したエビクキシャル層は下地の短結
晶の欠陥が１桁から２桁小さくなる傾向がある。このこ
とから欠陥の少ない蛍結晶基板が更にエビ層によって欠
陥が少なくなり優れた基板材料を作製することが可能と
なった。このように従来に比べ欠陥の少ない本発明の基
板を使用することによりこの上に積層される非晶質光磁
気薄膜の欠陥も少なく々る結果ビット誤率が小さくなる
ことが示された。
晶の欠陥が１桁から２桁小さくなる傾向がある。このこ
とから欠陥の少ない蛍結晶基板が更にエビ層によって欠
陥が少なくなり優れた基板材料を作製することが可能と
なった。このように従来に比べ欠陥の少ない本発明の基
板を使用することによりこの上に積層される非晶質光磁
気薄膜の欠陥も少なく々る結果ビット誤率が小さくなる
ことが示された。
又基板にはトラック用の何らかの溝を形成しておく場合
もある更に光磁気メモリー以外の光メモリー例えば金属
化合物薄膜ＴｇＣ，ＴｅＯｘ、Ｃ８２Ｔ ｅ 、Ａ ｇ
Ｓ Ｃ，ＢｍＳ、カルコゲナイド化合物Ａ ８ Ｔ
ｅ 、 Ａ ｓ Ｓ ｅ Ｅ３Ｇ ｅ 、 Ｓ ｂ Ｂ
ｅ 、 Ｔ ｅ Ｓｅ 、ＧｅＥ３ｅ 、ａＢｉＨ，
ａＧｅＨ，更に色素入り、金属粉含有ポリマーとしてス
チレンオリゴ・マー、色素ポリマー、シアニン色素、
Ａ ｇ ｙｆ！ ＩＪ −ｑ −、ハロゲン化銀、ＣＵ
コロイド、ＡｇＢＡｓポリ７− マー等についても本発明は有効である。
もある更に光磁気メモリー以外の光メモリー例えば金属
化合物薄膜ＴｇＣ，ＴｅＯｘ、Ｃ８２Ｔ ｅ 、Ａ ｇ
Ｓ Ｃ，ＢｍＳ、カルコゲナイド化合物Ａ ８ Ｔ
ｅ 、 Ａ ｓ Ｓ ｅ Ｅ３Ｇ ｅ 、 Ｓ ｂ Ｂ
ｅ 、 Ｔ ｅ Ｓｅ 、ＧｅＥ３ｅ 、ａＢｉＨ，
ａＧｅＨ，更に色素入り、金属粉含有ポリマーとしてス
チレンオリゴ・マー、色素ポリマー、シアニン色素、
Ａ ｇ ｙｆ！ ＩＪ −ｑ −、ハロゲン化銀、ＣＵ
コロイド、ＡｇＢＡｓポリ７− マー等についても本発明は有効である。
第１図、第２図は本発明の透明酸化物単結晶である水晶
、サファイヤ、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａｏ３ 、ＧＧＧ
、ＢｚＧｅＯ３の基板１上に光磁気メモリー膜３．保護
膜２，６熱バッファ一層４２反射［５等を積１−シた断
面図を示す。 第３図、第４図は本発明の上記単結晶基板上に同一材料
のエピタキシャル成長層７を作製した基板上に各層を積
層した断面図を示す。 以 上 出願人 株式会社第二精工舎 代理人 弁理士最 上 務 ８−
、サファイヤ、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａｏ３ 、ＧＧＧ
、ＢｚＧｅＯ３の基板１上に光磁気メモリー膜３．保護
膜２，６熱バッファ一層４２反射［５等を積１−シた断
面図を示す。 第３図、第４図は本発明の上記単結晶基板上に同一材料
のエピタキシャル成長層７を作製した基板上に各層を積
層した断面図を示す。 以 上 出願人 株式会社第二精工舎 代理人 弁理士最 上 務 ８−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｉｌｌ 膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶
質薄膜光磁気メモリディスクにおいて基板用材料として
透り単結晶体である、水晶、サファイヤニオブ酸リチウ
ム、タンタル酸リチウム、ＧＧＧ、ゲルマン酸ビスマス
を用いたことを特徴とした光磁気ディスク。 （２＋ 透明単結晶体表面上に同一材料の薄膜をエピ
タキシャル成長した物を基板用材料とし用いたことを特
徴とする特許請求の齢囲第１項記載の光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9718483A JPS59223966A (ja) | 1983-06-01 | 1983-06-01 | 光磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9718483A JPS59223966A (ja) | 1983-06-01 | 1983-06-01 | 光磁気デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59223966A true JPS59223966A (ja) | 1984-12-15 |
Family
ID=14185491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9718483A Pending JPS59223966A (ja) | 1983-06-01 | 1983-06-01 | 光磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59223966A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5136965A (en) * | 1974-07-23 | 1976-03-29 | Siemens Ag | Jikikiokujohoo hikarishingoni chokusetsuhenkansuru sochi |
| JPS57177517A (en) * | 1981-04-24 | 1982-11-01 | Canon Inc | Manufacture of perpendicular magnetic thin film |
| JPS5841450A (ja) * | 1981-09-03 | 1983-03-10 | Nec Corp | 垂直磁気記録体 |
-
1983
- 1983-06-01 JP JP9718483A patent/JPS59223966A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5136965A (en) * | 1974-07-23 | 1976-03-29 | Siemens Ag | Jikikiokujohoo hikarishingoni chokusetsuhenkansuru sochi |
| JPS57177517A (en) * | 1981-04-24 | 1982-11-01 | Canon Inc | Manufacture of perpendicular magnetic thin film |
| JPS5841450A (ja) * | 1981-09-03 | 1983-03-10 | Nec Corp | 垂直磁気記録体 |
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