JPS59185053A - 光磁気デイスク - Google Patents
光磁気デイスクInfo
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- JPS59185053A JPS59185053A JP5901783A JP5901783A JPS59185053A JP S59185053 A JPS59185053 A JP S59185053A JP 5901783 A JP5901783 A JP 5901783A JP 5901783 A JP5901783 A JP 5901783A JP S59185053 A JPS59185053 A JP S59185053A
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- Japan
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- film
- light
- track
- photoresist
- optical
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（は、希土類元素（Ｒと称す）と秩族元素（Ｃｏ
、Ｆｅ、Ｎｉ’等）を主成分とする非晶質磁性薄膜、Ｍ
ｎ Ｏｕ Ｂ ｉ ｆ：中心先する多結晶磁性薄膜、
ガーネットやオルソフェライトτ中毛・と°する単結晶
磁性１摸を肩踵膜面と垂直方間に（鏝化容易軸金有する
元ｆ社気メモリディスクに関するものである。
、Ｆｅ、Ｎｉ’等）を主成分とする非晶質磁性薄膜、Ｍ
ｎ Ｏｕ Ｂ ｉ ｆ：中心先する多結晶磁性薄膜、
ガーネットやオルソフェライトτ中毛・と°する単結晶
磁性１摸を肩踵膜面と垂直方間に（鏝化容易軸金有する
元ｆ社気メモリディスクに関するものである。
従来技術
従来から、膜面に垂直な方向Ｖこ磁化谷易軸全有する光
磁気メモリディスクにおいては、その薄膜出気メモリを
一方向にＳ極あるい１ｌｉＮ極に全面磁化をしておき、
この膜面に逆回さの小さな（例えばレザースポット光で
約＠径１μ？ル）スポット（記憶のビットとなる）状の
反転磁化をレザー元。
磁気メモリディスクにおいては、その薄膜出気メモリを
一方向にＳ極あるい１ｌｉＮ極に全面磁化をしておき、
この膜面に逆回さの小さな（例えばレザースポット光で
約＠径１μ？ル）スポット（記憶のビットとなる）状の
反転磁化をレザー元。
単色光、磁気針ペン、電流線、磁気ヘッド、磁気転写等
により作ることが出来る。この反転１社区の有無を「Ｊ
、ｌ’−ＤＪに対応することによってデジタル信号と
した磁気メモリ媒体として用いることができる。このよ
うか磁性薄膜のうち、室温に近いキューリ一点（ＴＣ）
あるいは補償温度（Ｔ ｃｏｍｐｔ ） ’ｘもつ化合
物・合金に、レーザー光等の光又は熱的効果によって任
意の位置に任意の大きさ・形状の反転磁区を作ることが
出来る。これを利用することにより情報を記録すること
が可能であり、ディスク、テープ、シート、ドラム状の
光８気メモリー媒体として利用することが可能となりつ
つある。そして、読み出す方法として、磁気カー効果、
ファラデー効果あるいは磁気転写等の方式が用いられて
いる、 従来、この光磁気メモリー媒体は、現在ディスクとして
用いら１１つつあり、しかもレーザー光によって情報を
書き込みし、又、読み出（７、そして消去する方法が用
いられつつある。そしてディスクにスパイラル状、同心
円状に情報全書き込んで行くわけであるが、そのために
トラックとしての案内用溝が必要となる。このトラック
用溝が無い場合ハ、レーザー光ピツクマツプ（ヘッド）
ヲ１つのトラック毎に移動させるサーボ機構が必要とな
９複雑となるし、又、トラック幅（トラック間の距離）
全１μ祭程の短い間隔に制御することは大変難かしくな
る。そのためにトラ・ツク用溝をディスク基板上に作製
する方法か１１Ｖ、らすしている。この方法として、従
来法として力→ス基叛に工゛ンチングや機械加工によっ
てスパイラル状気作るとか、透明下クリルｆｔＴ ｌｉ
Ｗ （Ｐ Ｍ １１６ Ａ ） ＋ ：’ｈ明ポリカー
ボネイト（ｐｃ）等の樹８行に、ブレス法。
により作ることが出来る。この反転１社区の有無を「Ｊ
、ｌ’−ＤＪに対応することによってデジタル信号と
した磁気メモリ媒体として用いることができる。このよ
うか磁性薄膜のうち、室温に近いキューリ一点（ＴＣ）
あるいは補償温度（Ｔ ｃｏｍｐｔ ） ’ｘもつ化合
物・合金に、レーザー光等の光又は熱的効果によって任
意の位置に任意の大きさ・形状の反転磁区を作ることが
出来る。これを利用することにより情報を記録すること
が可能であり、ディスク、テープ、シート、ドラム状の
光８気メモリー媒体として利用することが可能となりつ
つある。そして、読み出す方法として、磁気カー効果、
ファラデー効果あるいは磁気転写等の方式が用いられて
いる、 従来、この光磁気メモリー媒体は、現在ディスクとして
用いら１１つつあり、しかもレーザー光によって情報を
書き込みし、又、読み出（７、そして消去する方法が用
いられつつある。そしてディスクにスパイラル状、同心
円状に情報全書き込んで行くわけであるが、そのために
トラックとしての案内用溝が必要となる。このトラック
用溝が無い場合ハ、レーザー光ピツクマツプ（ヘッド）
ヲ１つのトラック毎に移動させるサーボ機構が必要とな
９複雑となるし、又、トラック幅（トラック間の距離）
全１μ祭程の短い間隔に制御することは大変難かしくな
る。そのためにトラ・ツク用溝をディスク基板上に作製
する方法か１１Ｖ、らすしている。この方法として、従
来法として力→ス基叛に工゛ンチングや機械加工によっ
てスパイラル状気作るとか、透明下クリルｆｔＴ ｌｉ
Ｗ （Ｐ Ｍ １１６ Ａ ） ＋ ：’ｈ明ポリカー
ボネイト（ｐｃ）等の樹８行に、ブレス法。
機械加工法、射出成形法 ２ Ｐ ｍ １等によってス
パイラルあるいは同心円状に凹凸ｊ？♀に作製している
。
パイラルあるいは同心円状に凹凸ｊ？♀に作製している
。
しかし上述した従来の方法は、形状的な凹凸鑓であり、
精度が十分艮く出ない１ζめｒ’Ｆｊ（、み出し時（１
７）Ｓ／Ｎ比が悪い。又、ビットの誤す率が大さくなる
。更に基緻全加工するために、加工コストがアップする
などの多くの欠点’ｔｃ ’ｆＴ して７４る。
精度が十分艮く出ない１ζめｒ’Ｆｊ（、み出し時（１
７）Ｓ／Ｎ比が悪い。又、ビットの誤す率が大さくなる
。更に基緻全加工するために、加工コストがアップする
などの多くの欠点’ｔｃ ’ｆＴ して７４る。
発明の目的
本発明は、上記欠点を改良し、形状的な凹凸溝全機械加
工することなしに元によりトラック樹を形製することに
より精度がｒく、しかもトランク幅を小さくできるため
、メモリー密度をアップすることが可能となる。そして
連作製コストを減少することが出来ることを確認した。
工することなしに元によりトラック樹を形製することに
より精度がｒく、しかもトランク幅を小さくできるため
、メモリー密度をアップすることが可能となる。そして
連作製コストを減少することが出来ることを確認した。
以下、本発明の詳細な説明する。
従来公知である膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有し、
かつ元ビームにより情報（！−書込み、読出し、消去で
きる磁性膜合金としては、多結晶としてＭｎＢ１．Ｍｎ
０ｕＢｉ、Ｐｔ０ｏ、０ｏＯｒ。
かつ元ビームにより情報（！−書込み、読出し、消去で
きる磁性膜合金としては、多結晶としてＭｎＢ１．Ｍｎ
０ｕＢｉ、Ｐｔ０ｏ、０ｏＯｒ。
Ｓｍ−Ｃ！Ｏ，単結晶としてＧｄ工Ｇ、ＴｂＦｆｌｌＯ
。
。
ＹＧａ工（）、Ｂｉ ＳｍＥｒＧａ工Ｇ、そして非晶質
としてＧｄＣｏ 、ＴｂＦｅ 、ＤｙＦｅ 、ＧｄＦｅ
Ｂ１ 。
としてＧｄＣｏ 、ＴｂＦｅ 、ＤｙＦｅ 、ＧｄＦｅ
Ｂ１ 。
ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ あるいは各種添加元素
を入れたメモリーが多くあるが、この中でも非晶質材料
が良く実用化が進みつつある。
を入れたメモリーが多くあるが、この中でも非晶質材料
が良く実用化が進みつつある。
そして光磁気メモリーディスクとして実用化するために
は、情報全レザー光によって書込む場合、トラック上に
光のスポット（ビット）全照射して行く必要がある。こ
のためのガイドとして案内溝がどうしても必要になって
くる。このために、従来からガラス基板、ＰＭＭ’Ａ基
鈑、ｐｃ基叛、その他の基ｖｉミラ学エツチング、喋・
械加工、プレス法、溶融し型に流す方法、半溶融状態、
あるいは軟化させておいてプレスする方法等により、物
理的凹凸の１背形状を作製し、その上に光ＯＪ” 、７
ｉｌメモリ一膜全付着し、トラック用溝としてさた。こ
のために加工が碓かしく、コストアップｌ（なり、実用
化が難かしい欠点がある。更に伶度が悪いため、特に溝
の深さは精度が要求され、例えがレジ“−光の波長（λ
）の］７！波長に溝深き？精度よく加工する必要があり
、この、嘩＠はかなりｊｉｉｋかしくなる。
は、情報全レザー光によって書込む場合、トラック上に
光のスポット（ビット）全照射して行く必要がある。こ
のためのガイドとして案内溝がどうしても必要になって
くる。このために、従来からガラス基板、ＰＭＭ’Ａ基
鈑、ｐｃ基叛、その他の基ｖｉミラ学エツチング、喋・
械加工、プレス法、溶融し型に流す方法、半溶融状態、
あるいは軟化させておいてプレスする方法等により、物
理的凹凸の１背形状を作製し、その上に光ＯＪ” 、７
ｉｌメモリ一膜全付着し、トラック用溝としてさた。こ
のために加工が碓かしく、コストアップｌ（なり、実用
化が難かしい欠点がある。更に伶度が悪いため、特に溝
の深さは精度が要求され、例えがレジ“−光の波長（λ
）の］７！波長に溝深き？精度よく加工する必要があり
、この、嘩＠はかなりｊｉｉｋかしくなる。
又、出来ても、かなり歩留りが□バ、く、生産性が著し
く低下する。そしてＨｌ−ｇ Ｈ，ｒ（が悪いことから
、入射光と反射光が溝深さＶ４波長を往儂し、’ｈ波長
ずれて弱め合って暗くなるはずか、弱め合わないため読
出し時のＥｌ／Ｎ比が悪くなるし、更にビットの読出し
の誤り率が大きくなる欠点を有している。
く低下する。そしてＨｌ−ｇ Ｈ，ｒ（が悪いことから
、入射光と反射光が溝深さＶ４波長を往儂し、’ｈ波長
ずれて弱め合って暗くなるはずか、弱め合わないため読
出し時のＥｌ／Ｎ比が悪くなるし、更にビットの読出し
の誤り率が大きくなる欠点を有している。
第１図は、従来の方法を示したものである。４０基飯（
ガラス、ＰＭＭＡ、ＰＣＩ）の透明な非晶質材料）に凹
凸溝をつけ、６の光磁気薄膜、２の透明な熱バッファー
膜（ＳｉＯｘ、ＳｉＮ等の１ｇ、化物、窒化物５等の化
合物が主である）、１に反射膜（Ａ３０ｕ、Ａｇ、Ａｕ
−等の金属膜）構造である。ただし、１が無い場合とか
、６と４の間にも保護膜（地図でば５．透明な酸化膜、
窒化膜、ホウ化膜、炭化膜、ホー化物、フッカ物、硫化
物。
ガラス、ＰＭＭＡ、ＰＣＩ）の透明な非晶質材料）に凹
凸溝をつけ、６の光磁気薄膜、２の透明な熱バッファー
膜（ＳｉＯｘ、ＳｉＮ等の１ｇ、化物、窒化物５等の化
合物が主である）、１に反射膜（Ａ３０ｕ、Ａｇ、Ａｕ
−等の金属膜）構造である。ただし、１が無い場合とか
、６と４の間にも保護膜（地図でば５．透明な酸化膜、
窒化膜、ホウ化膜、炭化膜、ホー化物、フッカ物、硫化
物。
リン化物等が考えられる。）
６の光１ｎ気メモリ膜を透過するようにし、θｋ（カー
回転角）を太きく改良するには、６の膜厚（ｒｌ ３０
０ Ａ以下にコントロールす、る。
回転角）を太きく改良するには、６の膜厚（ｒｌ ３０
０ Ａ以下にコントロールす、る。
そして１，２，３．５等の膜は、通誰５００スから１ｏ
、ｏｏｏＸ（１μｍ）であり、スパッター。
、ｏｏｏＸ（１μｍ）であり、スパッター。
真空蓋−砦、 ｃ Ｖ Ｄ 、イオンブレーティング等
の無電解メッキ法で作製される。場合によっては、塗布
法、電解メッキ、イオン注入法等も応用することも可能
である。
の無電解メッキ法で作製される。場合によっては、塗布
法、電解メッキ、イオン注入法等も応用することも可能
である。
本発明は、第２〜５図に示し窯代表的な例である。第２
図と第５図は、ホトレジスト（図中６番）を利用した婢
作製例である。すなわちホトレジストにはポジ形、ネガ
形両方いずれでも良いが、均一に塗布あるいは無電解メ
ッキで均一に膜を形成し、それをトラック状マスクをか
けて光で露光する。そして、酸、アルカリＲ７ｆｉ−処
理、エツチングし、凹凸の１蒋：と作製する、こオｔに
よってホトレジストの無い部分と残った９部分で光（レ
ザー光、単色光）の透過と不透過のメガのトラックが芳
イスク上に精度よく作製することができる。この方法で
すると情覚が良いため、トラック幅が１μｍ程度まで可
能となり、ディスクのビット芥；賃を太幅に増加するこ
とが可能となる。第２図に分いて、更に乙の上に保護膜
として、前、２１ｉした透明な各神化合物や透明な有機
高分子（ＰＣ，ＰＭＭＡ、ガラス、ポリマー）膜を形製
すると、適時変化でホトレジストの劣化を防げる。
図と第５図は、ホトレジスト（図中６番）を利用した婢
作製例である。すなわちホトレジストにはポジ形、ネガ
形両方いずれでも良いが、均一に塗布あるいは無電解メ
ッキで均一に膜を形成し、それをトラック状マスクをか
けて光で露光する。そして、酸、アルカリＲ７ｆｉ−処
理、エツチングし、凹凸の１蒋：と作製する、こオｔに
よってホトレジストの無い部分と残った９部分で光（レ
ザー光、単色光）の透過と不透過のメガのトラックが芳
イスク上に精度よく作製することができる。この方法で
すると情覚が良いため、トラック幅が１μｍ程度まで可
能となり、ディスクのビット芥；賃を太幅に増加するこ
とが可能となる。第２図に分いて、更に乙の上に保護膜
として、前、２１ｉした透明な各神化合物や透明な有機
高分子（ＰＣ，ＰＭＭＡ、ガラス、ポリマー）膜を形製
すると、適時変化でホトレジストの劣化を防げる。
また第１図と同様に、第２図Ｈノ３！ ３図においても
、反射膜１．透明な熱バツフア−）模２．保、展膜５を
省略しても可能であるが、りつｆｃ方が経時変化に対し
て６の光命気ｊ１莫の劣化ケ防ぐことが可能となる。第
２図と第６図の違いは、レザー光を基板側から入れるか
入ｆＬないかの方法であり、第２図では、基板が不透明
な物でも良いが、第６図の場合に透明な基鈑が必要とな
る。これらの基板は非晶質なガラス、有機高分子、（現
在でばＰＭＭＡ。
、反射膜１．透明な熱バツフア−）模２．保、展膜５を
省略しても可能であるが、りつｆｃ方が経時変化に対し
て６の光命気ｊ１莫の劣化ケ防ぐことが可能となる。第
２図と第６図の違いは、レザー光を基板側から入れるか
入ｆＬないかの方法であり、第２図では、基板が不透明
な物でも良いが、第６図の場合に透明な基鈑が必要とな
る。これらの基板は非晶質なガラス、有機高分子、（現
在でばＰＭＭＡ。
ＰＣ，ソーダガラス、光学ガラス、等）が使用できる。
第４図は、金属薄膜、金属化合物薄膜、刀ルコゲナイト
化合物２色素人り有機高分子、金属粒含有ポリマーを光
学的なトラック溝として使用した（図中の７番）例を示
したものである。文だし、この図の膜構成は代表的なも
のであり、第４図中の１．２，３，５．７の順番は、各
種組合せが可能である。
化合物２色素人り有機高分子、金属粒含有ポリマーを光
学的なトラック溝として使用した（図中の７番）例を示
したものである。文だし、この図の膜構成は代表的なも
のであり、第４図中の１．２，３，５．７の順番は、各
種組合せが可能である。
そし２て省略も可能であり、たとえば１（反射膜）。
２（熱バッファー膜）、５（保護膜）等は無くても、機
能のカー回転角（θｋ）やＳ／Ｎ比が低下する場合もあ
るが、低コストで膜構成を作製できるメリットもちる。
能のカー回転角（θｋ）やＳ／Ｎ比が低下する場合もあ
るが、低コストで膜構成を作製できるメリットもちる。
そして光（レザー元、早色光）も基鈑（４）０１１１か
らでなく、反対側から入れることも可能でちゃ、この時
の膜構成は、４と７の間に１と２が入り、６の上に５が
来ることになる。
らでなく、反対側から入れることも可能でちゃ、この時
の膜構成は、４と７の間に１と２が入り、６の上に５が
来ることになる。
そして製法や膜厚等については、第２〜５１Ａいずれも
共通である。４ （４基板でしり、透明な高分子を用い
るか（この場合、光を基板側から入れるため）不透明な
金属、高分子、づど機材料、いず−１′しでも用いるこ
とが可能でりる。
共通である。４ （４基板でしり、透明な高分子を用い
るか（この場合、光を基板側から入れるため）不透明な
金属、高分子、づど機材料、いず−１′しでも用いるこ
とが可能でりる。
第４図においては、従来の第１図２本発明の第２．３図
に比べ、機料的な凹凸をつける必我がなく、第４図中の
７のように光学的なトラック、すなわち透過率９反射率
、屈折率２色素の相異、光吸収係数２元分散至等のいず
れでもよいが、異なりさえすノｔばよい。
に比べ、機料的な凹凸をつける必我がなく、第４図中の
７のように光学的なトラック、すなわち透過率９反射率
、屈折率２色素の相異、光吸収係数２元分散至等のいず
れでもよいが、異なりさえすノｔばよい。
これによってトラックが光写、的にイ「製可能と授るわ
けである。トランクはやはり光学Ｈ・Ｊに−？スクをか
け１ζす、レザー光やパワーの大きい光、電子４５ｆ
ｒ Ｘ線、その他の波長によって光学的なトラック全作
製する必要がある。
けである。トランクはやはり光学Ｈ・Ｊに−？スクをか
け１ζす、レザー光やパワーの大きい光、電子４５ｆ
ｒ Ｘ線、その他の波長によって光学的なトラック全作
製する必要がある。
このように、光学的なトラックを作ることが可能な拐料
として、金属薄膜のＡ君、Ｏｒ、Ｐｂ、Ａｕ。
として、金属薄膜のＡ君、Ｏｒ、Ｐｂ、Ａｕ。
ｆ（ｈ 、 Ｚ ｎ 、 Ｃｕ 、 Ｓ ｂ、 Ｔ Ｆ
３ 、■ｎ、Ｂｉ、Ａｇ、Ｃｄ。
３ 、■ｎ、Ｂｉ、Ａｇ、Ｃｄ。
Ｓｎ、Ｇｅ、の単元素金属、非金属および金拠合金。
非金属合金であるＰｄ Ｓｉ、Ｐｔ−８ｉ、Ｒｈ−９ｉ
。
。
５ｌ−Ｃｏ 、Ｖ−８ｉ 、Ｍｏ−８ｉ 、Ｚｒ−８ｉ
、Ｎｂ−８゜Ａｕ−Ｇｅ２等があるが、その他の多元
合金はすべて用いることが可能である。これらの薄膜は
、光（主にレザー光が良い）を照射することによって、
変色、溶融、光沢変化２表面粗さ、変形２等が生ずるこ
とによって光学的なトラックが形成されることになる。
、Ｎｂ−８゜Ａｕ−Ｇｅ２等があるが、その他の多元
合金はすべて用いることが可能である。これらの薄膜は
、光（主にレザー光が良い）を照射することによって、
変色、溶融、光沢変化２表面粗さ、変形２等が生ずるこ
とによって光学的なトラックが形成されることになる。
これらの膜ｊ阜も数百久がらμオーダーまで可能である
。
。
また金属化合物として、Ｔｏ−０，ＴｅＯｘ。
Ｃ８２Ｔ ｅｒ Ａ ｇ−８Ｏｒ Ｓ Ｉｌｌ Ｓその
他いずオしのｆヒ合物でも使用できる。これも光によっ
てピット形成。
他いずオしのｆヒ合物でも使用できる。これも光によっ
てピット形成。
透過率等の光学的性質が変化すること金λ１（和したも
のである。又、ホトクロミックでも可能である。
のである。又、ホトクロミックでも可能である。
更に、カルコゲナイド化合物として、Δ５＝Ｔｅ。
Ａｓ−８ｅ−８−Ｇｅ 、 Ｅｌｂ−８ｅ 、 Ｔｅ−
８ｅ 、 Ｇｅ−Ｂｅやアモルファス化合物であるαＳ
ｉＨ，αＧｅ−Ｈ。
８ｅ 、 Ｇｅ−Ｂｅやアモルファス化合物であるαＳ
ｉＨ，αＧｅ−Ｈ。
Ｔ ６ Ａ Ｓ 、これらのカルコゲナイド系はアモル
ファスになる場合が多く、光の照射によってアモルファ
スから結晶化への相転位を利用し、これによって光学的
性質の反射率や透過率、屈折率の変化に更に、色素入り
有機高分子としてスチレンオリゴマー、色素ポリマー、
ンアニン色素等があるが、その他の物でも良く、光によ
って色素がｖ色したや光学的な性質が変る材料でΔ−）
ね、ば、いすねでも使用することが可能でちる。
ファスになる場合が多く、光の照射によってアモルファ
スから結晶化への相転位を利用し、これによって光学的
性質の反射率や透過率、屈折率の変化に更に、色素入り
有機高分子としてスチレンオリゴマー、色素ポリマー、
ンアニン色素等があるが、その他の物でも良く、光によ
って色素がｖ色したや光学的な性質が変る材料でΔ−）
ね、ば、いすねでも使用することが可能でちる。
金属粉含有ポリマーとし２てｏ：ｉ、Ａ ｔ＋ポリマー
。
。
ハロゲン化銀、Ｃｕコロイド祠、 Ａ ｇ −Ｓ −Ａ
ｅポリマー、その他金属や合金２化合物が含有込れる
ポリマーであれに、光にＪ二って反射率や、透過率など
の光学的性質が変化するので、これら（ｆゴ光学的トラ
ックとして利用でさる材料て゛あ、：：ｌ ｏ ’その
他に、例えばガス発生ポリマー等の光１ｔｔｌ （つて
ガス発生、溶融するポリマーであｒｔば、光学的性質が
変ｒヒするので、トラックを光学的に形成することがで
きる。
ｅポリマー、その他金属や合金２化合物が含有込れる
ポリマーであれに、光にＪ二って反射率や、透過率など
の光学的性質が変化するので、これら（ｆゴ光学的トラ
ックとして利用でさる材料て゛あ、：：ｌ ｏ ’その
他に、例えばガス発生ポリマー等の光１ｔｔｌ （つて
ガス発生、溶融するポリマーであｒｔば、光学的性質が
変ｒヒするので、トラックを光学的に形成することがで
きる。
以上のように、多くの光学的性’ｊ２（が変化する材料
は、いす力、でも使用することができることになる。
は、いす力、でも使用することができることになる。
第５図においては、本発明のζｉｉ ２〜４図とは更に
異なっておシ、図中の３（膜面に垂直な方向に磁化容易
軸を有する非晶質光磁気メモリ膜）のメモリー材料その
ものにＮ極Ｓ極を交互にもつトラックを作ったディスク
である。その他の１，２゜５．４についての物は、すで
に本発明の説明の中で述べた通りである。
異なっておシ、図中の３（膜面に垂直な方向に磁化容易
軸を有する非晶質光磁気メモリ膜）のメモリー材料その
ものにＮ極Ｓ極を交互にもつトラックを作ったディスク
である。その他の１，２゜５．４についての物は、すで
に本発明の説明の中で述べた通りである。
この光磁気メモリー材料としては、多結晶であるＭｎＢ
１．ＭｎＣ！ｕＢｉ、Ｐｔ−ｃｏ、Ｃｏ０ｒ、Ｓｍ（１
！ｏ。
１．ＭｎＣ！ｕＢｉ、Ｐｔ−ｃｏ、Ｃｏ０ｒ、Ｓｍ（１
！ｏ。
Ｆｅ２Ｏ２，Ｂａフェライト等の多くの材料がある。
又、単結晶として、ＧｃＬ工Ｇ、ＴｂＦｅ０．ＹＧａ工
Ｇ。
Ｇ。
Ｂ１ＳｍＥｒＧａ工Ｇ１等多くがある。又いずれも多く
の添加元素を入力、りものも知られている。
の添加元素を入力、りものも知られている。
しかし現在一番優ね、膜材料として、実用化が進められ
ている光磁気メモリー膜材料としては、非晶質（アモル
ファス）材料であり、希土類元素と鉄族元素等を主成分
としたアモルファス合金である。例えばＧａｚａ、Ｔｂ
Ｆｅ、ＤｙＦｅ、ＧｄＦｅＢ１゜ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤ
ｙＦｅ、Ｃ！ｏＰ、’ ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ０ｏ。
ている光磁気メモリー膜材料としては、非晶質（アモル
ファス）材料であり、希土類元素と鉄族元素等を主成分
としたアモルファス合金である。例えばＧａｚａ、Ｔｂ
Ｆｅ、ＤｙＦｅ、ＧｄＦｅＢ１゜ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＤ
ｙＦｅ、Ｃ！ｏＰ、’ ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ０ｏ。
ＴｂＦｅ０ｏｒ、ＧｃｌＦｅＳｎ、ＧｄＦｅ０ｏ、Ｇａ
０ｏＢｉ。
０ｏＢｉ。
ＧｄＤｙＦｅ９等が研究されつつおる。
これらのメモリー材お１の１漢ヲ一方向（ＮｏｒＳ極）
に着磁しておき、これにトラック状マスクあるいはホト
レジストのトラックわるいは光のビームを同心円やスパ
イラルにディスク上に照射することにより、磁化がその
部分は反転して、Ｎ極Ｓ極の交互なトラックが形成され
る。この場合、バイアス磁界を膜面に垂直にかけること
によって、より容易に反射することができる。一般に、
レザー光により光Ｈ気メモリー材料のキューリ一点もし
くは磁気補償温度以上必るいは近くの温度捷で上昇させ
ることにより、磁１ヒの反転が生ずる。
に着磁しておき、これにトラック状マスクあるいはホト
レジストのトラックわるいは光のビームを同心円やスパ
イラルにディスク上に照射することにより、磁化がその
部分は反転して、Ｎ極Ｓ極の交互なトラックが形成され
る。この場合、バイアス磁界を膜面に垂直にかけること
によって、より容易に反射することができる。一般に、
レザー光により光Ｈ気メモリー材料のキューリ一点もし
くは磁気補償温度以上必るいは近くの温度捷で上昇させ
ることにより、磁１ヒの反転が生ずる。
そしてＮ極Ｓ＠！のトラックをその極によって光学的カ
ー回転角（θｋ）やファラデー回転角（θｋ）の相異を
読みとって、トラッキングを可能とする。
ー回転角（θｋ）やファラデー回転角（θｋ）の相異を
読みとって、トラッキングを可能とする。
以上の本発明に、いずれも従来の形状的な凹凸がなく、
シかも光学的なトラックケ利用したもの第４図、第５図
か、又、光学的に凹凸を容易に精度よく安価にしかも高
密度でトラックを作製したもの第１図、第２図である。
シかも光学的なトラックケ利用したもの第４図、第５図
か、又、光学的に凹凸を容易に精度よく安価にしかも高
密度でトラックを作製したもの第１図、第２図である。
これら（−ｊ、磯楊的に作製するものでないため、従来
の曾１工述しｌこ機械的に作製した凹凸トラック（溝）
に比べ精度が良く、トラック幅を小さくできるためトラ
ック密度があがり、メモリー密度がアップでき、又、欠
陥も少ないため、ビット誤り率が向上する。そして工業
的に安価に大量に製造することが可能となった。
の曾１工述しｌこ機械的に作製した凹凸トラック（溝）
に比べ精度が良く、トラック幅を小さくできるためトラ
ック密度があがり、メモリー密度がアップでき、又、欠
陥も少ないため、ビット誤り率が向上する。そして工業
的に安価に大量に製造することが可能となった。
第１図０１、従来のトラック溝付きのディスクの断面図
であり、第２図、第６図、第４図、第５図は、本発明の
トラック付きのディスクの断面図である。 図中の１は反射膜、２は熱バッファー膜、３は垂直アモ
ルファス光磁気メモリー膜、４は基板、５は保護膜、６
はホトレジスト材、７は金属薄膜・金属化合物薄膜、カ
ルコゲナイド化合物２色素人り有機高分子、金属粒含有
ポリマーによって作製された光学的トラックである。 以上 出願人 株式会社 第二梢工合 代理人 弁理士 最上 と−ヘ ５１図 第５図 第２図 も へ４
であり、第２図、第６図、第４図、第５図は、本発明の
トラック付きのディスクの断面図である。 図中の１は反射膜、２は熱バッファー膜、３は垂直アモ
ルファス光磁気メモリー膜、４は基板、５は保護膜、６
はホトレジスト材、７は金属薄膜・金属化合物薄膜、カ
ルコゲナイド化合物２色素人り有機高分子、金属粒含有
ポリマーによって作製された光学的トラックである。 以上 出願人 株式会社 第二梢工合 代理人 弁理士 最上 と−ヘ ５１図 第５図 第２図 も へ４
Claims (3)
- （１）膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質薄
膜光磁気メモリディスクにおいて、ホトレジストをトラ
ック用溝としたことを特徴とした光磁気ディスク。 - （２）膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質薄
膜光磁気メモリディスクにおいて、金属薄膜、金属化合
物薄膜、カルコゲナイド化合物２色素人り有機高分子、
金属粒含有ポリマー全トラック用溝としたことを特徴と
した光磁気ディスク。 - （３）膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質薄
膜光磁気メモリディスクにおいて、光磁気メモリ薄膜の
Ｎ極、Ｓ極を交互にしてトラック用溝としたことを特徴
とした光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5901783A JPS59185053A (ja) | 1983-04-04 | 1983-04-04 | 光磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5901783A JPS59185053A (ja) | 1983-04-04 | 1983-04-04 | 光磁気デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59185053A true JPS59185053A (ja) | 1984-10-20 |
Family
ID=13101097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5901783A Pending JPS59185053A (ja) | 1983-04-04 | 1983-04-04 | 光磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59185053A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60212849A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-25 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH08272201A (ja) * | 1996-01-19 | 1996-10-18 | Ricoh Co Ltd | 現像装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5740768A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-06 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Photomagnetic layered recording medium |
| JPS57212640A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-27 | Ricoh Co Ltd | Optical information recording medium |
| JPS5836490A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-03-03 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JPS5958641A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-04 | Sharp Corp | 光メモリ装置 |
-
1983
- 1983-04-04 JP JP5901783A patent/JPS59185053A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5740768A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-06 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | Photomagnetic layered recording medium |
| JPS57212640A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-27 | Ricoh Co Ltd | Optical information recording medium |
| JPS5836490A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-03-03 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JPS5958641A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-04 | Sharp Corp | 光メモリ装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60212849A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-25 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH08272201A (ja) * | 1996-01-19 | 1996-10-18 | Ricoh Co Ltd | 現像装置 |
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