JPS59223433A - 光導電性組成物及びそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents
光導電性組成物及びそれを用いた電子写真感光体Info
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- JPS59223433A JPS59223433A JP58099042A JP9904283A JPS59223433A JP S59223433 A JPS59223433 A JP S59223433A JP 58099042 A JP58099042 A JP 58099042A JP 9904283 A JP9904283 A JP 9904283A JP S59223433 A JPS59223433 A JP S59223433A
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0679—Disazo dyes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、新規なジスアゾ化合物を含有する事2特徴と
する光導電性組成物、およびこのジスアゾ化合物を含有
する電子写真感光層を有することを特徴とする電子写真
感光体に関するものである。 電子写真感光体の光導電過程は (1)露光により電荷を発生する過程、(2)電荷を輸
送する過程、 h)ら成る。 (1)と(コ)を同一物質マ行う例としてセレン感光板
が挙げられる。−万(1)と(,2)を別々の物質で行
う例として無定形セレンとポリ−N−ビニルカルバゾー
ルの組合せが良く知られている。(1)とく2)を別々
の物質で行なう方法は電子写真感光体に用いる材料の選
択範囲を拡げ、それに伴い、電子写真感光体の感度、受
容電位等の電子写真特性が向上し、また電子写真感光体
塗膜作製上好都合な物質を広い範囲から選び得るという
長所を有している。 従来、電子写真方式において使用される電子写真感光体
の光導電性素材として用いらnているものに、セレン、
硫化カドミウム・酸化亜鉛など;ンノ無機物質がある〇 電子写真法はすでにカールソンが米国特FIP第コ2り
7tり7号明細書に明らかにしたように、画像露光のi
J]K受けた照射量に応じその゛電気抵抗が変化する暗
所で絶縁性の物質ごコーティング
する光導電性組成物、およびこのジスアゾ化合物を含有
する電子写真感光層を有することを特徴とする電子写真
感光体に関するものである。 電子写真感光体の光導電過程は (1)露光により電荷を発生する過程、(2)電荷を輸
送する過程、 h)ら成る。 (1)と(コ)を同一物質マ行う例としてセレン感光板
が挙げられる。−万(1)と(,2)を別々の物質で行
う例として無定形セレンとポリ−N−ビニルカルバゾー
ルの組合せが良く知られている。(1)とく2)を別々
の物質で行なう方法は電子写真感光体に用いる材料の選
択範囲を拡げ、それに伴い、電子写真感光体の感度、受
容電位等の電子写真特性が向上し、また電子写真感光体
塗膜作製上好都合な物質を広い範囲から選び得るという
長所を有している。 従来、電子写真方式において使用される電子写真感光体
の光導電性素材として用いらnているものに、セレン、
硫化カドミウム・酸化亜鉛など;ンノ無機物質がある〇 電子写真法はすでにカールソンが米国特FIP第コ2り
7tり7号明細書に明らかにしたように、画像露光のi
J]K受けた照射量に応じその゛電気抵抗が変化する暗
所で絶縁性の物質ごコーティング
【、、た支持体よりな
る光導電性材料を用いる。この光導電性材料は一般に適
当な間の暗順応の後、暗所て・、まず一様な表面電荷が
与えらγする。次に、この材料は照射7gターンの種々
の部分に含まれる相刈;−不ルギーに応じて表面電荷を
減らす効果を有する照射の7!ターンにより画像露光さ
れる。このようにして光導電性物質層(m子写真感光層
]表面に残った表面′電信又は静電ン佇像は次にその表
面が適当な検電表示物質、すなわちトナーで接触ざnて
司視像となる。 トナーは絶縁液中あるいは乾燥担体中に含まれるがどち
らの場合にも電荷パターンに応じて電子写真感光層表面
上に付着ぎせることがでさる・付着した表示物質は、熱
、圧力、溶媒蒸気のような公知の手段により定着するこ
とができる。又静m潜像は第2の支持体(例えば紙、フ
ィルムなど)に転写することができる。同様に静電潜像
を第2の支持体に転写し、そこで現像することも可能f
ある。電子写真法はこの様にして画像を形成するように
した画像形成法の一つである□ このよう72電子写真法において電子写真感光体に要求
される基本的な特性としては、(1)暗所f適当72電
位に帯電できること、(コン暗所において電荷の逸散が
少ないこと、(3)光照射によって速やかに電荷を逸散
せしめうることなどがあげられる。 従来用いられている前記無機物質は、多くの長所を持っ
ていると同時にさまざまな欠点を有していることは事実
1ある。例えば、現在広く用いられているセレンは前記
(1)、(現条件は十分[i ’足する
が・製造する条件がむずかしく、製造コストが高くなり
、可撓性がなく、ベルト状に加工することかむずかしく
、熱や機械的の衝撃に鋭Viなため取扱いに注意を要す
るなどの欠点もある。硫化カドミウムや酸化亜鉛は1結
合剤としてのl、d脂に分散させて電子写真感光体とし
て用いられでいるが・平滑性、硬度、引張り強度、耐摩
擦性な・どの機械的な欠点があるためにそのままでは反
信して使用することができない・ 近年、これら無機物質の欠点を排除するためにいろいろ
の有機物質を用いた電子写真感光体が提案され、実用に
供されているものもある。例えば、ポリ−N−ビニルカ
ルバゾールとλ、μ、7−ドリニトロフルオレンーター
オンとからなるiE 子’?真真先光体米国特許3.弘
r4A、−2373・ポリ−N−ビニルカルバゾールを
ピリリウム塩系色層で増感したもの(特公昭弘t−コH
,sr)、有機顔料を主成分とする電子写真感光体(特
開町17−37141−J )、染料と樹脂とからなる
共晶錯体を主成分とTる電子写真感光体(特開昭≠2−
107Jj)などである。 これらの有機電子写真感光体は、前、記無機電子写真感
光体の機械的特性及びoJ撓性もある程度ま1・改善し
たものの概して光感度が低くまた繰り返し使用に適ざず
電子写真感光体としての要求を充分に満足するものfは
なかった@ 本発明者らは、前記従来の電子写真感光体のもつ欠点を
改良すべく鋭意研究の結果、新規なジスアゾ化合物を含
有Tる電子写真感光体が十分に実用に供しつる程の高感
度・高耐久性を有する事を見出し、本発明に到達したも
のfある・本発明は、下記一般式〔/〕で表わされる、
新規なジスアゾ化合物(ジスアゾ顔料)′f:含有する
事を特徴とする光導電性組成物、およびそのジスアゾ化
合物を含有する電子写真感光層を有することを特徴とす
る電子写真感光体に関するものfあるO 本発明は (/)下記の一般式(1)で表わされるジスアゾ化合物
ご含有することを特徴と\Iる光導電性組成物である0 上記一般式において 1 6 ただしRは水累原子−低級アル牛ル基、アリール、I基
またはこれらの置換体を表わす・ を表わし、 B 、B は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基、低級アルフキジカルボニル基
、アリール基、アリールオキシ基、アリールオキシカル
ボニル基、またはこれらのW換体を表わし、B’、B2
は同種または異種の基であってもよい。 Xは、ヒドロキシ基とYとが結合している上記式中のベ
ンゼン環と縮合して芳香族環または複素環(これらの環
は置換または無置換でもよい□ )を形成するのに必要
な原子団を表わし、を表わし、 R1はアルキル基、フェニル基またはこれらのR換体ご
表わし、 R2は水素原子、低級アルキル基、カルバモイル基、カ
ルボキシル基、アルフキジカルボニル基、アリールオキ
シカルボニル基、または置換または無置換のアミノ基を
表わし、 R3及びR5はアルキル基、芳香族環基、・〆素芳香族
環基またはそれらの置換体を表わし・R4は水素原子、
アルキル基、フェニル基またはこれらの置換体を表わす
□ <、2)1m期の一般式[/]−t’表わされるジスア
ゾ化合物を含有する電子写真感光層を有することを特徴
とする電子写真感光体である。 一般式(1)−t%表わされるジスアゾ化合物について
さらに詳しく説明する〇 6 R6としてはアルキル基、好ましくは炭素数ノ〜tのア
ルキル基またはアリール基がある。 R6が無置換アルキル基の場合、その具体例としてメチ
ル基、エチル基、プ四ビル基、ブチル基、ペンチル基、
ヘキシル基、イソプロピル基)イ゛′ブチル基、イソヘ
キシル基、ネオベン千ル基、tert−ブチル基等をあ
げることがでざる。 R6が置換アルキル基の場合、置換基としては・ヒF’
l’シi、炭素%/ N4のアルコキシ基、シアノ基、
炭素数lN乙のアルキルアミノ基、炭素数ノル乙のアル
キル基を2個有するジアルキルアミ7基、ハロゲン原子
、炭素数4./J−Qアリール基などがある。その例と
して、ヒドロキシアルキル基(例えばヒドロキシメチル
基、コーヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシプロピル
ミ1.2−ヒドロキシプロピル基等)、アルコキシアル
キル基(例えけ、メトキシメチル基、コーメトキシェ千
ル基13−メトキシプロピル基、エトキシメチル基、λ
−エトキシエチル基等)、シアノアルキル基(fRlえ
はシアノメチル基、λ−シアンエチル基等)−(アルキ
ルアミノ)アルキル基(例えば、(メチルアミノ)メチ
ル基、コー(メチルアミ/)エチル基、(エチルアミノ
)メチル基等)、(−jアルキルアミノ)アルキル基(
例えば、(ジメチルアミノ)メチル基、コー(ジメチル
アミノ)エチル基等)・ハロゲノアルキル基(例えば、
フルオロメチル基、クロロメチル基、フロモメチル基等
)、アラルキル基(例えば、ベンジル基、フェネ千ル基
等)?あげることが1きる。 R6が無置換アリール基、非置換アリールオキシ基、非
誼換アリールオキシカルボ゛ニル基のH’%t+・その
具体例としてフェニル基、ナフチル基、フェノキシ基、
ナフトキシ基、フェノキシカルボニル基1す7トキシカ
ルボ゛ニル基等をあげることができるO R6が置換アリール基・置換アリーノーオキシV及び置
換了り一ルオキシ力ルボニル基の場合、置換基としては
前述のRにおける置換アルキル令の置換基と同じ基をあ
げることができ、置換基の個数は1個ないし3個フあり
、複数の置換基が結合している場合にはそnらは互いに
同じでも異l「つてもよく任意の組合せをとってよ<
、’f 7.:&、’l基の結合位置は任意である。 Xはヒドロキシル基とYとが結合しているベンノン環と
縮合してナフタレン環アントラセン環なと゛の芳香族環
またはインドール環、カルバゾール環、ベンゾカルバゾ
ール環、ジベンゾフラン環なとυ複紫環を形成し得る基
である。 Xが置換基を有する芳香族環または複素ヤ糸の場合、置
換基として&′i/10ゲン原子(例えば、弗素原子、
塩素原子、臭素原子等)、低級ア/レキル基好ましくは
炭素数/〜gの低級アルキル基(例えば、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソ
ブチル基等)があげられ、置換基の数は1個または2個
であり、置換基がコ個の場合にはそnらは同じでも異な
っていてもよい。 R1としてはア、ルキル基、好ましくは炭素数/〜/λ
のアルキル基またはフェニル基があるOR1が無置換の
アルキル基の場合、その具体例としてメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペン千ル基、ヘキシル基、
イソプロピル基1イソブチル基、イソアミル基、イソヘ
キシル基・ネオベン千ル基、tert−ブチル基等をあ
げる°“″“−t’!6°。 R1が置換アルキル基の場合、置換基としてはヒドロキ
シ基、炭素数7〜ノコのアルコキシ基、シアノ基−アミ
ノ基、炭素数/−/2のアルキルアミノ基、炭素数/〜
lコのアルキル基を2個々するジアルキルアミノ基、ハ
ロゲン原子、炭素欠t〜/jのアリール基などがある。 その例として、ヒドロキシアルキル基(例えば、ヒドロ
キシメチル基、コーヒドロキシエチル基、3−ヒドロキ
シプロピル基、コーヒドロキシプロビル基等)、フル:
+ キシ7 /l/キル基(例えば、メトキシメチル基
、コーメトキシエチル基、3−メトキシプロピルi71
、エトキシメチル基、λ−エトキシエチル基等)、シフ
/フル*h基(例えば、シアノメチル基、;−シフ/x
千ル基等)、アミノアルキル基(例工ば、アミ/メチル
基、コーアミノエチル基、J −アミノプロピル基等)
、(アルキルアミノ)アルキル基(例えば、(メチルア
ミノ)メチル基、;−(メ千ルアミノ]二手ル基、(二
手ルアミノ)メチ/L’基等)、(ジアルキルアミノ)
アルキル基C例、(Jエチルアミノ)メチル基、j−(
ジアルキルアミノ)エチル基等)−ハロゲノアルキル基
(例えば、フルオロメチル基、クロロメチル基。 ブロモメチル基等)〜アラルキル基(例えば、ベンジル
基、フェネチル基等)をあげることが1きる。 R1が置換フェニル基の場合、置換基としてはヒドロキ
シ基、炭素数ノルノコのアルコキシ基、シアノ基、アミ
ノ基、炭素数/〜/λのアルキルアミノ基、炭素数7〜
ノ2のアルキル基をλ個有するジアルキルアミ7基、ハ
ロゲン原子、炭素数7〜ノのアルキル基、二十ロ基など
がある□その例として、ヒドロキシフェニル基、アルコ
キシフェニルMllえば、メトキシフェニル基、エトキ
シフェニル基等)、シアノフェニル基、アミノフェニル
基、(アルキルアミノ)フェニルM<Hえば、(メチル
アミノ)フェニル基、(エチルアミノ)フェニル5等)
、(ジアルキルアミノ)フェニル!(例えば、ジメチル
アミノ)フェニル基等)、ハロゲノフェニルMC例えば
、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェ
ニル基等)、アルキルフェニル1&C例えば、トリル基
、エチルフェニル基、クメニル基、キシリル基、メシチ
ル基等〕、ニトロフェニル基、およびこれらの置換基(
互いに同じでも異なってもよい0)を2個または3個を
有する置換基(置換基の位置または複数個の1a換基相
互の位置関係は任意である)を、1・1げることができ
る□ R2としては水素原子・炭素数/ M+r Aの低級ア
ルキル基、カルバモイル基、カルボキシル基、炭素数/
〜/、2のアルコキシ基を有するアルコキシカルボニル
基、炭素数6〜20のアリールオキシ基を有するアリー
ルオキシカルボニル基及び置換または無置換のアミノ基
が好ましい。 R2が置換アミノ基の場合、その具体例とし7メチルア
ミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、フェニル
アミノ基、トリルアミノ基、へ、。 シルアミノ基、7エネチルアミノ基、ジメチルアミノ基
、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ峡等2あげるこ
とができる□ R2が低級アルキル基の場合・その具体例と1゜てメチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基。 イソプロピル基、イソブチル基等があげらnる0、R2
がアルコキシカルボニル基の場合、その4体例としてメ
トキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキ
シカルボ三ル基、ブトキシ力/l/ f、ニル基、イソ
プロポキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基
等があげられる。 R2がアリールオキシカルボニル基の場合、その具体例
として、フェノキシカルボニル基、ドルオキシカルボニ
ル基等があげられる。 R3及びRとしては、炭素数/〜、20のアルキル基、
フェニル基、ナフチル基などの芳香族m基、ジベンゾフ
ラニル基、カルバゾリル基、ベンゾカルバゾリル基など
の酸素原子、窒素原子、硫黄原子などを含んだ複素芳香
族環基またはそれらの置換体が好ましいO R3またはR5が、置換または無置換のアルキル基の場
合、その例はそれぞれ前述のRにおける置換または無置
換のアルキル基の具体例と同じ基をあげることができる
□ R3またはRが置換フェニル基、置換す7千ル基等の置
換芳香族基、置換ジベンゾフラニル基または置換カルバ
ゾリル基等のへテロ原子ご含む脂換複素芳香族基の場合
、置換基の例としてヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ
基、ハjログン原子(例えば、弗素原子、塩素原子、臭
素原子等)。 炭素数/〜/、2のアルキル基(例えば・メチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基等)、炭素数l〜
/コのアルコキシ基(例えば、エトキシ基、エトキシ基
、プロポキシ基、ブトキシ基、ペン千ルオキシ基、イソ
プロポキシ基、イソブトキシ基、イソアミルオキシ基、
tert−ブトキシ基・ネオペンチルオキシ基等)・ア
ミノ基・炭素数ノ〜/Jのアルキルアミノ基(例えば、
メチノ/アミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基
等)、炭素数IN7.2のジアルキルアミノ基(例えば
、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メ千ルー
N−エチルアミノ基等)、炭素数6〜/2(7,−アリ
ールアミノ基、(例えば、フェニルアミ7基、トリルア
ミノ基等]、炭素数A N/ j(7) 7 リ−:p
基をλ個有するジアリールアミノ基(例えば、ジフェニ
ルアミノ基等)、カルボキシル基、アルカリ金属カルボ
キシラド基(アルカリ金属(陽イオン)の例、N ae
、KΦ、i、 i e等)、 フル:13’)金属スル
ホナト基(アルカリ金属(@イオン)の例、Nae、に
Φ、I、iΦ等)、アルキルカルボニルs<例えば、ア
セチル基、プロピオニル基、ベンジルカルボニル基等)
、炭素数6〜12のアリール基を有するアリールカルボ
ニル基(例えば、ベンゾイル基、トルオイル基、70イ
ル基等)、炭素fi/−/、2のアルキルチオ基(例え
ば、エチルチオ基、エチルチオ基等)、または炭素数l
〜/2のアリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ト
リルチオ基等)をあげることができ、置換基の個数は1
個ないし3個〒あり、複数の置換基が結合している場合
にはそれらは互いに同じでも異なってもよく任意の組合
せをとってよく、また置換基の結合位置は任意であるO R4としては、水素原子、炭素数ノ〜20のアルキル基
、フェニル基またはそれらの@換体があるO R4が置換または無置換のアルキル基及び7エ二ル基の
場合前述のR及びRにおける置換または無置換のアルキ
ル基及びフェニル基の具体例と同じ基をあげることが1
きる。 B”#B2 としては、水素原子、ハロゲン原子(例え
ば、塩素原子、臭素原子、沃素原子〕、炭素数7〜乙の
アルキル基・炭素数7〜乙のアルコキシ基、炭素数lN
乙のアルコキシカルボニル基、炭素数6〜l!のアリー
ル基、炭素数6〜/Jのアリールオキシ基、炭素数tN
/jのアリールオキシカルボニル基がある。 B’、B が置換または非置換のアルキル基、アルコ
キシ基、アルコキシカルボニル基、アリール基、アリー
ルオキシ基、アリールオキシカルボニル基の場合、これ
らの構造のうちのアルキA・及びアリール部分は、前述
のR6における置換または無置換のアルキル基及びアリ
ール基の具体例と同じ基をあげることができる。 本発明の一般式(1)−1%表わされるジスアゾ化合物
の中f1光感度の高い光導電性組成物ご与;;ることか
できること・あるいは光感度の高い電f写真層を与える
ことができること、あるいは極層原料化合物を容易に入
手して低コストでジスアゾ化合物を製造することができ
ること力)ら下記一般式〔231表わされるジスアゾ化
合物dl好ましレー(1−1j) NO□ NO□ (m−jt ) (in−jり)c′ (lit−JO) 本発明の新規なジスアゾ化合物は、公知の方法によって
製造することが!きる。すなわち、各ジスアゾ化合物に
対応するジアミン〔3〕をジアゾ化してビスジアゾニウ
ム塩として単離した後1これを適当な有機溶媒例えばN
、N−ジメチルホルムアミド中で前述の各ジスアゾ化合
物&を対応する化合物(例えばナフトールAs系等の、
カプラー)とアルカリの存在下にカップリング反1・5
させることにより容易に製造することが1きる、例えば
前記ジスアゾ化合物(I−/ )は合成列(1)に従っ
て製造Tることができる。 合成例1 21j−ビス(≠−アミノスチリル)−チオフェン/、
21iを濃塩酸4Atd及び水lλ−から詐・還した希
塩印に加えて4o’Cの水浴上で約30分間よく攪拌し
た・次にこの混合物をO″Cに冷却し、それに亜硝酸ナ
トリウム0.3211を水J′Nに溶解した溶液をO@
Cで約20分間かけて滴下した@その後同温度′1%7
時間攪拌し、少量の未反応物をP別した後・P液KII
2%硼沸化水素酸弘IILlを加え析出した結晶をr取
した@この結晶を少量の冷水1洗った後、乾燥してビス
ジアゾニウムフルオシボレートの赤也結晶/、71(収
率r4%)を得た。 次にこうして得られたビスジアゾニウム塩2g及びカプ
ラーとしてコーヒドロキシー3−ナフトエ酸アニリドコ
、0fFFN、N−ジメチルホルムアミドtzomに溶
解し、これに酢酸ナトリウム3II及び水20m1から
なる溶液を0°Cの温度で約20分かけて滴下した後、
室温で約2時間攪拌した0その後生成した沈殿をr取し
、30.0tnlの水!洗浄後これをアセトンioom
l−r!洗浄し、乾燥して、ジスアゾ化合物(I−/)
2.8’Jll(収率ff4A% )t−得た。分解温
度2!1r−2tZ ’°C0 元素分析 C54H8804N6Sとして 計算値 C,7≠、ざ1% H,4’、≠、2%N、り
、tり% S、3.70% 実測値 C,74I−,4,2% H,+、xa%N、
タ、32% S、3.77% IR吸収スペクトル(KBr錠剤フ ァミド 1170cm” 可視吸収スペクトル 吸収極大波長 j7/nm(j%エチレンジ゛フミン含
有ジメチルホルムアミI: 中) 合成例2〜IA カプラーとして表記化合物を用いた他は、合−九例1と
同じ方法!ジスアゾ化合物(■−2)、(I−/j)、
CI−;ざ)をそれぞれ合成した〇それぞれのジスアゾ
化合物の分解温度、元素分析値、IR吸収スペクトル、
可視吸収スペクトルを第7表に示す。 合成例j〜76 出発原料のジアミンとして3.グージブロモ−2、j−
ビス(グーアミノスチリル)−チオフェンを用い、カプ
ラーとして表記化合物を用いた他は、合成例1と同じ方
法受ジスアゾ化合物(III−7)、(III−−2)
、(■−j)、(■■−μ)、(III−j)、(m−
//)、(III−/j)、(■−2り、(I[I−,
24)、(■−λr)、(III−30)、(III−
−?/)をそれぞれ合成した。それぞれのジスアゾ化合
物の分解温度、元素分析値、IR吸収スペクトル、可視
吸収スペクトルを第2表に示す。 ジスアゾ化合物CI−/J)の赤外吸収スペクトル(K
Br法)は第7図に示した。 他のジスアゾ化合物もカプラー及び、対応する一般式〔
3〕のジアミンより誘導されたビスジアゾニウム塩を変
える他は、上記合成例に従がって合成する事ができる。 本発明の電子写真感光体は前記一般式で表ねされるジス
アゾ化合物を1種又はコ種以上含有する電子写真感光層
を有する。各種の形態の電子写真感光体が知られている
が、本発明の電子ず真Wた5、0体はそのいずれのタイ
プの感光体であってもよいが通常下に例示したタイプの
電子写真感光体構、i層をもつ。 (1)導電性支持体上にジスアゾ化合物をバインダーあ
るいは′電荷担体輸送媒体中に分散させで視る電子写真
感光層を設けたもの。 (2)導電性支持体上にジスアゾ化合物を主成分ヒする
電荷担体発生層を設け、その上に電荷担体輸送媒体層を
設けたもの。 本発明のジスアゾ化合物は光導電性物質とし”C作用い
光を吸収すると極めて高い効率で電荷担体を発生し、発
生した電荷担体はジスアゾ化合物を媒体として輸送する
こともできる力11電荷担体輸送化合物を媒体として輸
送ぎせた万力1更に効果的である0 タイプ(/〕の電子写真感光体を作成するに&まジスア
ゾ化合物の微粒子をバインダー溶液もしくCま電荷担体
輸送化合物とバインダーを溶解した溶液中に分散せしめ
、これを導電性支持体上に塗布乾燥すnばよい。この時
の電子写真感光層の厚さ番13〜30μ、好ましくはj
N20p力Iよし1゜タイプ(2)の電子写真感光体を
作成すルVC&′ltm電性支持体上にジスアゾ化合物
を真空蒸着する力)、アミン等の溶媒に溶解せしめて塗
布する力)、あるいはジスアゾ化合物の微粒子を適当な
溶剤もしくは必要があればバインダーを溶解せしめた溶
斉IJ中に分散して塗布乾燥した後、その上に電荷担体
輸送化合物及びバインダーを含む溶液を塗布乾燥して得
られる。この時の電荷担体発生層となる・ジスアゾ化合
物層の厚みは≠μ以下、好ましく番まコμ以下がよく、
電荷担体輸送媒体層の厚みは3〜・30μ・好ましくは
!〜20μがよい。 (1)及び(コ)のタイプの感光体で用いられるジスア
ゾ化合物はボールミル、サンドミル’、mlり’jル等
の分散機により粒径!μ以下・好ましくはλμ以下に粉
砕して用いられる。 タイプ(1)の電子写真感光体において使用されるジス
アゾ化合物の量は少な過ぎると感度が悪く・多すぎると
帯電性が悪くなったり、電子写真感光層の強度が弱くな
ったりし、電子写真感光層中のジスアゾ化合物の占める
割合はバインダーにメ]シo、oi〜λ重耐倍、好まし
くは0.0.1〜/ffi。 量倍がよく、必要に応じて添加する電荷担体輸送化合物
の割合はバインダーに対し0 、 /Nコニz21倍・
好ましくは0.3〜/、J重量倍の範囲がよい・またそ
れ自身バインダーとして使用できく)′毬荷拒体輸送化
合物の場合には、ジスアゾ化1合物の添加量はバインダ
ーに対しo、oi−o、を歌遇倍使用するのが好ましい
。 またタイプ(,2)の電子写真感光体において奮/す担
体発生層となる・ジスアゾ化合物含有Mを塗布形成する
場合、バインダー樹脂に対するジスアゾ化合物の使用量
は1Mm倍以上が好ましくそれ以下だと十分な感光性が
得られない。電荷担体輸送媒体中の電荷担体輸送化合物
の割合はバインダーに対し0.2〜2重量倍1好ましく
は0.3〜/、3重量倍が好ましい。それ自身バインダ
ーとして使用−1!きる高分子電荷担体輸送化合物を使
用する場合は、他のバインダーは無くとも使用できる。 本発明の電子写真感光体を作成する場合、バインダーと
共に可塑剤あるいは増感剤などの添加剤を使用してもよ
い。 本発明の電子写真感光体において使用される導電性支持
体としては、アルミニウム、銅、亜鉛等の金属板、ポリ
エステル等のプラスチックシートマタはプラスチックフ
ィルムにアルミニウム、酸化インジウム、SnO2等の
導電材料を蒸着、もしくは分散塗布したもの、あるいは
導電処理した紙等が使用される。 バインダーとしては、ポリアミド・ボリウレタン、ポリ
エステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネー
トなどの縮合系樹脂やポリビニルナトン、ポリスチレン
、ポリ−N−・ビニルカルIζゾール、ポリアクリルア
ミドなどのビニル重合体などが挙げられるが、絶縁性受
且つ接着性のあイ・樹脂は全て使用できる。 iJ塑剤としてはビフェニル、塩化ビフェニル0−テル
フェニル、p−テルフェニル、シフ゛チル7タレート、
ジメチルグリコール7タレート、クオクチルフタレート
、ト!Jフェニル燐酸、メチルナフタリン、ベンゾフェ
ノン、塩素化パラブイS11ポリゾロピレン、ポリスチ
レン、ジラウリル千オシプロピオネート、31!−ジニ
トロサリ千ル序2.。 各種フルオロ炭化水素類等が挙げられる・その他、電子
写真感光体の表面性をよくする】・、二めに、シリコン
オイル等を加えてもよい。 増感剤としては、クロラニル、テトラシアノエチレン、
メチルバイオレット、ローダミンB、シアニン染料、メ
ロシアニン染料、ビリリウム染料、チアピリリウム染料
等が挙げられる・ ′電荷担体ご輸送する化合物として一般に電子を輸送す
る化合物と正孔を輸送する化合物との二種類に分類され
るが、本発明の電子写真感光体には両者とも使用するこ
とができる。電子を輸送する化合物としては電子吸引性
基を有する化合物、例エハコ、≠、7−ドリニトロータ
ーフルオレノン、J、#、、t、7−チトラニトロータ
ーフルオレノン、タージシアノメチレン−,2,4!−
,7−)!Jニトロフルオレノン、タージシアノメチレ
ンーコ。 ≠、j、7−チトラニトロフルオレノン、テトラニトロ
カルバゾールクロラニル、コ、3−ジクロルー!、t−
ジシアノベンゾキノン、2.≠、7−ドリニトロータ、
10−7エナントレンキノン、テトラクロロ無水フター
ル酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタ
ン等をあげることができる。 正孔を輸送する化合物としては、電子供与基2有する化
合物・例えば高分子のものでは・(1)特公昭5a−i
oytt号公報記載のポリビニルカルバゾールおよびそ
の誘導体、 (2)特公昭≠3−/ざ67グ号公報、特公昭4−?−
/り722号公報記載のポリビニルピレンポリビニルア
ンドラセン、ポリーコービニルー+−(1−ジメチルア
ミノフェニル)−!−フェニルーオキサゾール、ポリ−
3−ビニル−N−エチルカルバゾールなどのビニル重合
体、(3)特公昭≠J−/りlり3号公報記載のポリア
セナフチレン、ポリインデン、アセナフチレンとスチレ
ンの共重合などのような重合体、(り特公昭34−/J
タグθ号公報などに記載ぬ゛ピレン〜ホルムアルデヒド
am、−tロムピレン〜ホルムアルデヒド樹脂、二手ル
カルパゾール〜ホルムアルデヒド樹脂などの縮合樹脂〇
(り特開昭jA−20113号及び特開昭s 、4、−
。 /l/!jO号明m書に記載された各種のトノフェニル
メタンポリマー。 また低分子のものでは、 (6)米国特許第3//λ/り7号明細書などに:、己
載されているトリアゾール誘導体、 (7)米国時il′f第3712参17号明細書などに
ん*gれているオキサジアゾール誘導体・<r)特公昭
37−/1,0りを号公報などに記載されているイミダ
ゾール誘導体、 (り)米国特許第jt/夕4A02号、同第3tλOり
ざり号、同3jllJj参≠号、特公昭≠よ−jjj号
、特公昭j/−10りg3号、特開昭j/−タ3コ24
!、号、特願昭63−1#コ7コ号、特願昭617−7
J’#f号、特開昭jj−iortb’y号、特開昭z
z−/jAY!3号、特開昭jt−Jlt!を記載細書
、公報などに記載のボリアリールアルカン誘導体、 (10)米国特許第3/ J’ 0729号、特願昭3
3−7!11号、特開昭J′5−rrota号、特開昭
1!−1rO6!号、特開昭弘ター1ozj37号、特
開昭zz−jiotH号、特開昭ta−roozi号、
特開昭ta−gri4t1号・特開昭J′7−vzza
t号・特開昭t4L−//、21,37号、特開昭!!
−7弘j≠を記載細書、公報などに記載ざn、ているピ
ラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体・ (ii )米国特許第341117011号明細書、特
公;F:A!/−10103号、特開昭j弘−434A
Jj号曳特開昭!≠−/10ざ3A号、特開昭34−/
/タタ2夕号、特公昭μ&−47/2号、特公昭≠7−
コrs3を記載納置、公報などV:記載ざnているフユ
ニレンジアミン誘導体、(ノコ)米国特t′「第JJt
7弘タO号、特公昭≠ター3オフ02号、***1特i!
’f(DAS )/ / / 0Alr号・米国特許第
3/10703号、米国特WP第32/101?7号、
米国特許第37,31r3コO号、米国特許第グ232
/ 03号、米国(:(許第グ173り61号、米国特
許第グ0 / 、2 、)71号、特開昭j!−ノ4L
≠、2!O号、特開昭tA−//り132号、特公昭3
ター273’。 7号、特開昭!;t−2λ4L37号明細書、公報など
に記載されているアリールアミン誘導体。 (13)米国特許第332 A j O’/号明細書記
載のアミノ置換カルコン誘導体、 (/り米国特許第!64421ダを記載納置などに5′
己載のN、”N−ビカルパジルM導体・ (/り米国特許第32j7203号明細書などに記載の
オキサゾール誘導体、 (/A]特開昭!t−≠tコ3弘号明記載などに記載の
スチリルアントラセン窮導体、 (17)特開昭、tF−/101r37号明細書などに
記載されているフルオレノン誘導体。 (/lr)米国特許第3777弘62号、特開昭jグー
39/≠3号(米国特許第弘/10917号に対応)、
特開昭33−32043号、特開昭j、t−6206v
号、特開昭33−44t7AO。 !#開昭tt−、rtゲタ!号、特願昭よ!−IIμり
!号、特願昭34−3313λ号、特開昭!7−611
.211弘号明細書などに開示されているヒドラゾン誘
導体などがある。 なお本発明において、電荷担体を輸送する化合物は(1
)〜(/わにあげられた化合物に限定されず、これま1
公知の全ての電荷担体輸送化合物を用いることが〒きる
。 こわらの電荷輸送材料は場合により2種類以上を併用す
ることも可能fあるb なお、以上のようにして得られる感光体には、導電性支
持体と感光層の間に、必要に応じて接着層またはバリヤ
層を設けることが1きる。これらの層に用いられる拐料
としては、ポリアミド、ニトロセル四−ス、酸化アルミ
ニウムなど1あり、これらの層の厚ざは7μm以下が好
ましい。 以上本発明の電子写真用感光体について詳細;C説明し
たが、本発明の電子写真感光体は一般に感度が篩く耐久
性が優れているというような特徴を有している。 本発明の電子写真感光体は電子写真複写機のぜ・まかレ
ーザー、ブラウン管を光源とするプリント回路の感光体
などの分野忙広く応用する事ができ・L・本発明のジス
アゾ化合物を含む光導電性組成11′Aはヒテオカメラ
の撮像管の光導電層として、ま゛こ公知の信号転送や走
査を行う一次元または二次元配列された半導体回路の上
の全面に設けられた受光層(光導電層)を有する固体撮
像素子の光導電層として用いることが1きる0また・A
、K。 Ghosh、 Tom peng 、J、A−1)p
l 、phys 。 11Yc/2)3912c/971)K記載gし”rい
る様に、太陽電池の光導電層としても用いることが1き
る・ また本発明のジスアゾ化合物を、特公昭37−1714
2号、特開昭j3−ノ2043号、特開昭!j−/l/
コ!Q号、特願昭!7−33372号各明細書に開示さ
れているように、オキサジアゾール誘導体1ヒドラジン
誘導体などの前述の電荷担体輸送性化合物とともにフェ
ノール樹脂などのアルカリ可溶性樹脂液中に分散し・ア
ルミニウムなどの導電性支持体上に塗布、乾燥後、画像
露光、トナー現像、アルカリ水溶液によるエツチングに
より、高解像力、高耐久性、高感度の印刷版が得られる
他、プリント回路を作成することもできる。 次に本発明ご実施例により具体的に説明するが、これに
より本発明が実施例に限定されるもの1はない。なお実
施例中「部」とあるのは[重J1部Jを示す。 実施例1 ジスアゾ化合物CI−/)、/部とび、4!′ −リ
゛ス(ジエチルアミノ)−2,2’ −ジメチルトリ
フェニルメタ23部トビスフエノールAのポリカーボネ
ート3部とをジクロロメタンタ!部に加え・これをボー
ルミル中で粉砕、混合して調液し、この塗布液をワイヤ
ーラウンドロンドを用いて導電性透明支持体〔100μ
mのポリエチレンテレフタレートフィルムの表面に酸化
インジウムの% %=膜を設けたもの・表面抵抗10
Ω〕上に塗布・乾燥して、厚ざ約tμmの単層型電子写
真感光層を有する電子写真感光体を調製した。 この電子写真感光体について、静電複写紙試、験装置(
用ロ電機■製SP−≠2g型)を用いて+J′KVのコ
ロナ放電により+≠QO■に帯電ぎせ1ついで色温度3
θOO°にのタングステンアンプによってその表面lル
ックスになる様にして光を照射し・その表面電位が初期
表面電位の半分に減衰するのに要する時間を求め半減露
光量E50(’lux、5ec)を測定したところ/コ
、3(I、uX、sec )ffiあった0帯電と露
光の2工院を3000回繰返した後のE5o値もほとん
ど変化しなかった。 実施例2〜!λ 実IN例/においてジスアゾ化合物(I−/)のかわり
IfCCI−33、(I−、t)、(I−J)、(I−
7)、(i−10)、(■−弘3)、(I−≠t)、C
l−43)、(I−4,2)、(II−λ)、(n−4
’ )、(II−r)、(II−/J)、(II−/J
’)、(■−≠弘)、(■−≠り)、(n−jμ)、(
II−AJ)、(Ill−4)、(■− タ ン 、
([−/ −2ン 、 (III−/l) 、
(III−10)、(■−μs)、(III−、to
)、(m−、t、t)、(III−,4/)、(IV−
/)、(IVi)、(V−−2)・(V−7)・(VI
−/)、(Vl−&)、(■−7)、(VI[−7)、
(vJl−/)、(Vll−4)、CTX−3)、(I
X−7)、(X−/)、(X−7)、(XI−コ)、(
XI−A)、(Xll−j)、(11−4)、(Xl[
I−/)、(Xmi)、(Xlll−7)、(XIV−
コ)・(XIV−1)を用いた他は実施例/と同様にし
て、単層構成の電子写真感光体を作成し、実施例/と同
様にして正帯電による半減露光量を測定し、第3表の値
を得た6 実施例j3 ジスアゾ化合物(I−/)jllとポリニスチル樹脂(
商品名 バイロン、200.東洋紡績■製)JIftテ
トラヒドロフランjOmlK、溶かした液と共にボール
ミルで、λO時間分散した後、ワイヤ−ラウンドロッド
を用いて、導電性支持体(7jμmのポリエチレンテレ
フタレートフィルムの表面にアルミニウムの蒸着膜を設
けたもの。表面電気抵抗io3Ω]上に塗布、乾燥して
、厚ざ/prnの電荷発生層を作製した。 次に電荷発生層の上にp−Cジフェニルアミパ〕ベンズ
アルデヒドN′ −メチル−N/−フエニ゛Lヒドラゾ
ン 3.6部とビスフェノールAのポリカーボネート≠部と
をジクロロメタン/3.311f5/、、2−ジクロロ
メタン2t、tに溶解した溶液をワイヤーラウンドロッ
ドを用いて塗布乾燥し・厚ざ11μmの電荷輸送層を形
成させて2層からなる電子写真感光層を有する電子写真
感光体を作成した。 この感光体を一、tKVのコロナ放電により一6ooo
vに帯電させた後、半減露光量を測定した所、E50は
ざ、0(1uX、5eC)であった。帯電と閃光の2行
程を3000回繰返した後のE50値もほとんど変化し
なかったり実施例、t4A〜/λO 実施例J−Jにおいてジスアゾ化合物(I−/)のかわ
りK(I−2)、(I−≠)、(トイ)、(I−タ)、
(1−//)、(i−/3)、(l−2j)、(■−2
4)、(1−、zr>、Cl−30)、(I−u3)、
(1−441)、(I−おり(i−43)、(■−/)
、(II−j)、(II−3)、([−4)、([−7
)、(■−タ〕、([−10)、([−//)、(ll
−/2)、(■−≠3)、(■−≠t)、([−33)
、([−44’)、(In −/)、(1’ll−,2
)、(m−3)・ (■−≠)、(m−7)、(ll[
−//)、(m−/J)、(In−,2j)、 (il
l−24)、<m−、zt )、(m−30)、(I[
−J/)、(■−≠3 )、 Clll−≠f)、(l
[−J−j)・(III−4/)、 (mV−,2)、
(IV−4)、 (V ・−/ )、(V−1)、(
■−2)、(Vl−7)、(■−,2) 、 (■
−6) 、 (■−2) 、 (■−2ン 、(I
X−/)、(IX−4)、 (X−2)、(X−a’)
、(Xl−/)、(Xl−j)、(Xll−/)、(l
ll−7)、(X1ll−/ )、 (Xm−コ )
、 (XIIIi)、 (λlll−7)、(XIV−
/)、(XIV−7)lflイア、:他Ct実施例j3
と同様にして、二層構成の電子写具O′j光体を作製し
、実施例j3と同様にして負帯電l二よる生滅露光量(
E50)を測定した。その結果゛!。 第参表に示す。 実施例ノ2/ 電荷輸送層として、p−(ジフェニルアミ、/)ベンズ
アルデヒドN/ −メチル−N/ −フェニルヒドラ
ゾンの代わりに%J、≠、7−ドリニト」−ターフルオ
レノン弘部を用いた他は、実施例f、2と同様にして/
pmの電荷発生層の上に、厚さ72μmの電性輸送層を
形成させた□この電子写真感光体を+J−KVのコロナ
放mKより+g oo■に帯電させて、Esoを測定し
た所、♂、り(1uX、5eC)であった。 実池例1.22〜iai 実施例72ノにおいてジスアゾ化合物CI−,’)のか
わりにCI−2)、(i−30)、Cl−144)、(
■−弘)、(■−3))、(II−IIr)、(III
−/ざ)、(III−J、t)、(lll−弘り)、(
■−2)、(V−/)、CVi−3)、(■−1゛J1
(Vl−4’)、ClX−3) (X−/ )、(XI
−夕)、(XII−4)、(XIII−/)、(XIV
−,2)F用イタ他は実施例/2/と同様にして二層構
成の電子写真感光体を作成し、半′減露光量値(E5o
)を測定した@結果を第5表に示す。 実施例7グコ ジスアゾ化合物CI−/)/f!Itsと実施例!3で
用いたI)−(ジフェニルアミノ)ペンズアルデヒFN
’ −メ千ルーpJ/ フェニルヒドラゾン/iと
m−クレゾールホルムアルデヒド樹脂1部とをエチレン
グリコールモノメチルエーテル30邪に加え、これをボ
ールミル中f粉砕、混合し、この塗布液を約0..2.
tmm厚の砂目室てされ力)つ陽極酸化及び封孔処理さ
れたアルミニウム板上にワ・1ヤーラウンドロンドを用
いて塗布し、りOoCで10分間5o0cで7日乾燥し
、厚さ約1prr+の試料を作成した・ 次にこの試料に暗所受表面屯位がjooVKなるように
コロナ放電2行ない、タングステン光でネガ像yen光
(300ルツクス・秒)した・後、三菱ダイヤファック
スマスターLOM−ED )′、’−(三菱製紙社製)
で反転現像を行なったところ・非常に鮮明なポジ像を印
刷原板上に得ること゛ができた・この印刷用原板をエツ
チング液DP−/(富士写真フィルム社製;ケイ酸ナト
リウム水溶液)の10倍希釈液中に一分間浸漬し、トナ
ーの付着していない部分(非画線部)の感光層を溶解除
去した。その結果、非画線部の顔料が結看剤と共に容易
に除去され、鮮明な画像の印刷版を形成することができ
た。
る光導電性材料を用いる。この光導電性材料は一般に適
当な間の暗順応の後、暗所て・、まず一様な表面電荷が
与えらγする。次に、この材料は照射7gターンの種々
の部分に含まれる相刈;−不ルギーに応じて表面電荷を
減らす効果を有する照射の7!ターンにより画像露光さ
れる。このようにして光導電性物質層(m子写真感光層
]表面に残った表面′電信又は静電ン佇像は次にその表
面が適当な検電表示物質、すなわちトナーで接触ざnて
司視像となる。 トナーは絶縁液中あるいは乾燥担体中に含まれるがどち
らの場合にも電荷パターンに応じて電子写真感光層表面
上に付着ぎせることがでさる・付着した表示物質は、熱
、圧力、溶媒蒸気のような公知の手段により定着するこ
とができる。又静m潜像は第2の支持体(例えば紙、フ
ィルムなど)に転写することができる。同様に静電潜像
を第2の支持体に転写し、そこで現像することも可能f
ある。電子写真法はこの様にして画像を形成するように
した画像形成法の一つである□ このよう72電子写真法において電子写真感光体に要求
される基本的な特性としては、(1)暗所f適当72電
位に帯電できること、(コン暗所において電荷の逸散が
少ないこと、(3)光照射によって速やかに電荷を逸散
せしめうることなどがあげられる。 従来用いられている前記無機物質は、多くの長所を持っ
ていると同時にさまざまな欠点を有していることは事実
1ある。例えば、現在広く用いられているセレンは前記
(1)、(現条件は十分[i ’足する
が・製造する条件がむずかしく、製造コストが高くなり
、可撓性がなく、ベルト状に加工することかむずかしく
、熱や機械的の衝撃に鋭Viなため取扱いに注意を要す
るなどの欠点もある。硫化カドミウムや酸化亜鉛は1結
合剤としてのl、d脂に分散させて電子写真感光体とし
て用いられでいるが・平滑性、硬度、引張り強度、耐摩
擦性な・どの機械的な欠点があるためにそのままでは反
信して使用することができない・ 近年、これら無機物質の欠点を排除するためにいろいろ
の有機物質を用いた電子写真感光体が提案され、実用に
供されているものもある。例えば、ポリ−N−ビニルカ
ルバゾールとλ、μ、7−ドリニトロフルオレンーター
オンとからなるiE 子’?真真先光体米国特許3.弘
r4A、−2373・ポリ−N−ビニルカルバゾールを
ピリリウム塩系色層で増感したもの(特公昭弘t−コH
,sr)、有機顔料を主成分とする電子写真感光体(特
開町17−37141−J )、染料と樹脂とからなる
共晶錯体を主成分とTる電子写真感光体(特開昭≠2−
107Jj)などである。 これらの有機電子写真感光体は、前、記無機電子写真感
光体の機械的特性及びoJ撓性もある程度ま1・改善し
たものの概して光感度が低くまた繰り返し使用に適ざず
電子写真感光体としての要求を充分に満足するものfは
なかった@ 本発明者らは、前記従来の電子写真感光体のもつ欠点を
改良すべく鋭意研究の結果、新規なジスアゾ化合物を含
有Tる電子写真感光体が十分に実用に供しつる程の高感
度・高耐久性を有する事を見出し、本発明に到達したも
のfある・本発明は、下記一般式〔/〕で表わされる、
新規なジスアゾ化合物(ジスアゾ顔料)′f:含有する
事を特徴とする光導電性組成物、およびそのジスアゾ化
合物を含有する電子写真感光層を有することを特徴とす
る電子写真感光体に関するものfあるO 本発明は (/)下記の一般式(1)で表わされるジスアゾ化合物
ご含有することを特徴と\Iる光導電性組成物である0 上記一般式において 1 6 ただしRは水累原子−低級アル牛ル基、アリール、I基
またはこれらの置換体を表わす・ を表わし、 B 、B は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基、低級アルフキジカルボニル基
、アリール基、アリールオキシ基、アリールオキシカル
ボニル基、またはこれらのW換体を表わし、B’、B2
は同種または異種の基であってもよい。 Xは、ヒドロキシ基とYとが結合している上記式中のベ
ンゼン環と縮合して芳香族環または複素環(これらの環
は置換または無置換でもよい□ )を形成するのに必要
な原子団を表わし、を表わし、 R1はアルキル基、フェニル基またはこれらのR換体ご
表わし、 R2は水素原子、低級アルキル基、カルバモイル基、カ
ルボキシル基、アルフキジカルボニル基、アリールオキ
シカルボニル基、または置換または無置換のアミノ基を
表わし、 R3及びR5はアルキル基、芳香族環基、・〆素芳香族
環基またはそれらの置換体を表わし・R4は水素原子、
アルキル基、フェニル基またはこれらの置換体を表わす
□ <、2)1m期の一般式[/]−t’表わされるジスア
ゾ化合物を含有する電子写真感光層を有することを特徴
とする電子写真感光体である。 一般式(1)−t%表わされるジスアゾ化合物について
さらに詳しく説明する〇 6 R6としてはアルキル基、好ましくは炭素数ノ〜tのア
ルキル基またはアリール基がある。 R6が無置換アルキル基の場合、その具体例としてメチ
ル基、エチル基、プ四ビル基、ブチル基、ペンチル基、
ヘキシル基、イソプロピル基)イ゛′ブチル基、イソヘ
キシル基、ネオベン千ル基、tert−ブチル基等をあ
げることがでざる。 R6が置換アルキル基の場合、置換基としては・ヒF’
l’シi、炭素%/ N4のアルコキシ基、シアノ基、
炭素数lN乙のアルキルアミノ基、炭素数ノル乙のアル
キル基を2個有するジアルキルアミ7基、ハロゲン原子
、炭素数4./J−Qアリール基などがある。その例と
して、ヒドロキシアルキル基(例えばヒドロキシメチル
基、コーヒドロキシエチル基、3−ヒドロキシプロピル
ミ1.2−ヒドロキシプロピル基等)、アルコキシアル
キル基(例えけ、メトキシメチル基、コーメトキシェ千
ル基13−メトキシプロピル基、エトキシメチル基、λ
−エトキシエチル基等)、シアノアルキル基(fRlえ
はシアノメチル基、λ−シアンエチル基等)−(アルキ
ルアミノ)アルキル基(例えば、(メチルアミノ)メチ
ル基、コー(メチルアミ/)エチル基、(エチルアミノ
)メチル基等)、(−jアルキルアミノ)アルキル基(
例えば、(ジメチルアミノ)メチル基、コー(ジメチル
アミノ)エチル基等)・ハロゲノアルキル基(例えば、
フルオロメチル基、クロロメチル基、フロモメチル基等
)、アラルキル基(例えば、ベンジル基、フェネ千ル基
等)?あげることが1きる。 R6が無置換アリール基、非置換アリールオキシ基、非
誼換アリールオキシカルボ゛ニル基のH’%t+・その
具体例としてフェニル基、ナフチル基、フェノキシ基、
ナフトキシ基、フェノキシカルボニル基1す7トキシカ
ルボ゛ニル基等をあげることができるO R6が置換アリール基・置換アリーノーオキシV及び置
換了り一ルオキシ力ルボニル基の場合、置換基としては
前述のRにおける置換アルキル令の置換基と同じ基をあ
げることができ、置換基の個数は1個ないし3個フあり
、複数の置換基が結合している場合にはそnらは互いに
同じでも異l「つてもよく任意の組合せをとってよ<
、’f 7.:&、’l基の結合位置は任意である。 Xはヒドロキシル基とYとが結合しているベンノン環と
縮合してナフタレン環アントラセン環なと゛の芳香族環
またはインドール環、カルバゾール環、ベンゾカルバゾ
ール環、ジベンゾフラン環なとυ複紫環を形成し得る基
である。 Xが置換基を有する芳香族環または複素ヤ糸の場合、置
換基として&′i/10ゲン原子(例えば、弗素原子、
塩素原子、臭素原子等)、低級ア/レキル基好ましくは
炭素数/〜gの低級アルキル基(例えば、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソ
ブチル基等)があげられ、置換基の数は1個または2個
であり、置換基がコ個の場合にはそnらは同じでも異な
っていてもよい。 R1としてはア、ルキル基、好ましくは炭素数/〜/λ
のアルキル基またはフェニル基があるOR1が無置換の
アルキル基の場合、その具体例としてメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペン千ル基、ヘキシル基、
イソプロピル基1イソブチル基、イソアミル基、イソヘ
キシル基・ネオベン千ル基、tert−ブチル基等をあ
げる°“″“−t’!6°。 R1が置換アルキル基の場合、置換基としてはヒドロキ
シ基、炭素数7〜ノコのアルコキシ基、シアノ基−アミ
ノ基、炭素数/−/2のアルキルアミノ基、炭素数/〜
lコのアルキル基を2個々するジアルキルアミノ基、ハ
ロゲン原子、炭素欠t〜/jのアリール基などがある。 その例として、ヒドロキシアルキル基(例えば、ヒドロ
キシメチル基、コーヒドロキシエチル基、3−ヒドロキ
シプロピル基、コーヒドロキシプロビル基等)、フル:
+ キシ7 /l/キル基(例えば、メトキシメチル基
、コーメトキシエチル基、3−メトキシプロピルi71
、エトキシメチル基、λ−エトキシエチル基等)、シフ
/フル*h基(例えば、シアノメチル基、;−シフ/x
千ル基等)、アミノアルキル基(例工ば、アミ/メチル
基、コーアミノエチル基、J −アミノプロピル基等)
、(アルキルアミノ)アルキル基(例えば、(メチルア
ミノ)メチル基、;−(メ千ルアミノ]二手ル基、(二
手ルアミノ)メチ/L’基等)、(ジアルキルアミノ)
アルキル基C例、(Jエチルアミノ)メチル基、j−(
ジアルキルアミノ)エチル基等)−ハロゲノアルキル基
(例えば、フルオロメチル基、クロロメチル基。 ブロモメチル基等)〜アラルキル基(例えば、ベンジル
基、フェネチル基等)をあげることが1きる。 R1が置換フェニル基の場合、置換基としてはヒドロキ
シ基、炭素数ノルノコのアルコキシ基、シアノ基、アミ
ノ基、炭素数/〜/λのアルキルアミノ基、炭素数7〜
ノ2のアルキル基をλ個有するジアルキルアミ7基、ハ
ロゲン原子、炭素数7〜ノのアルキル基、二十ロ基など
がある□その例として、ヒドロキシフェニル基、アルコ
キシフェニルMllえば、メトキシフェニル基、エトキ
シフェニル基等)、シアノフェニル基、アミノフェニル
基、(アルキルアミノ)フェニルM<Hえば、(メチル
アミノ)フェニル基、(エチルアミノ)フェニル5等)
、(ジアルキルアミノ)フェニル!(例えば、ジメチル
アミノ)フェニル基等)、ハロゲノフェニルMC例えば
、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェ
ニル基等)、アルキルフェニル1&C例えば、トリル基
、エチルフェニル基、クメニル基、キシリル基、メシチ
ル基等〕、ニトロフェニル基、およびこれらの置換基(
互いに同じでも異なってもよい0)を2個または3個を
有する置換基(置換基の位置または複数個の1a換基相
互の位置関係は任意である)を、1・1げることができ
る□ R2としては水素原子・炭素数/ M+r Aの低級ア
ルキル基、カルバモイル基、カルボキシル基、炭素数/
〜/、2のアルコキシ基を有するアルコキシカルボニル
基、炭素数6〜20のアリールオキシ基を有するアリー
ルオキシカルボニル基及び置換または無置換のアミノ基
が好ましい。 R2が置換アミノ基の場合、その具体例とし7メチルア
ミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、フェニル
アミノ基、トリルアミノ基、へ、。 シルアミノ基、7エネチルアミノ基、ジメチルアミノ基
、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ峡等2あげるこ
とができる□ R2が低級アルキル基の場合・その具体例と1゜てメチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基。 イソプロピル基、イソブチル基等があげらnる0、R2
がアルコキシカルボニル基の場合、その4体例としてメ
トキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキ
シカルボ三ル基、ブトキシ力/l/ f、ニル基、イソ
プロポキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基
等があげられる。 R2がアリールオキシカルボニル基の場合、その具体例
として、フェノキシカルボニル基、ドルオキシカルボニ
ル基等があげられる。 R3及びRとしては、炭素数/〜、20のアルキル基、
フェニル基、ナフチル基などの芳香族m基、ジベンゾフ
ラニル基、カルバゾリル基、ベンゾカルバゾリル基など
の酸素原子、窒素原子、硫黄原子などを含んだ複素芳香
族環基またはそれらの置換体が好ましいO R3またはR5が、置換または無置換のアルキル基の場
合、その例はそれぞれ前述のRにおける置換または無置
換のアルキル基の具体例と同じ基をあげることができる
□ R3またはRが置換フェニル基、置換す7千ル基等の置
換芳香族基、置換ジベンゾフラニル基または置換カルバ
ゾリル基等のへテロ原子ご含む脂換複素芳香族基の場合
、置換基の例としてヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ
基、ハjログン原子(例えば、弗素原子、塩素原子、臭
素原子等)。 炭素数/〜/、2のアルキル基(例えば・メチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基等)、炭素数l〜
/コのアルコキシ基(例えば、エトキシ基、エトキシ基
、プロポキシ基、ブトキシ基、ペン千ルオキシ基、イソ
プロポキシ基、イソブトキシ基、イソアミルオキシ基、
tert−ブトキシ基・ネオペンチルオキシ基等)・ア
ミノ基・炭素数ノ〜/Jのアルキルアミノ基(例えば、
メチノ/アミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基
等)、炭素数IN7.2のジアルキルアミノ基(例えば
、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、N−メ千ルー
N−エチルアミノ基等)、炭素数6〜/2(7,−アリ
ールアミノ基、(例えば、フェニルアミ7基、トリルア
ミノ基等]、炭素数A N/ j(7) 7 リ−:p
基をλ個有するジアリールアミノ基(例えば、ジフェニ
ルアミノ基等)、カルボキシル基、アルカリ金属カルボ
キシラド基(アルカリ金属(陽イオン)の例、N ae
、KΦ、i、 i e等)、 フル:13’)金属スル
ホナト基(アルカリ金属(@イオン)の例、Nae、に
Φ、I、iΦ等)、アルキルカルボニルs<例えば、ア
セチル基、プロピオニル基、ベンジルカルボニル基等)
、炭素数6〜12のアリール基を有するアリールカルボ
ニル基(例えば、ベンゾイル基、トルオイル基、70イ
ル基等)、炭素fi/−/、2のアルキルチオ基(例え
ば、エチルチオ基、エチルチオ基等)、または炭素数l
〜/2のアリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ト
リルチオ基等)をあげることができ、置換基の個数は1
個ないし3個〒あり、複数の置換基が結合している場合
にはそれらは互いに同じでも異なってもよく任意の組合
せをとってよく、また置換基の結合位置は任意であるO R4としては、水素原子、炭素数ノ〜20のアルキル基
、フェニル基またはそれらの@換体があるO R4が置換または無置換のアルキル基及び7エ二ル基の
場合前述のR及びRにおける置換または無置換のアルキ
ル基及びフェニル基の具体例と同じ基をあげることが1
きる。 B”#B2 としては、水素原子、ハロゲン原子(例え
ば、塩素原子、臭素原子、沃素原子〕、炭素数7〜乙の
アルキル基・炭素数7〜乙のアルコキシ基、炭素数lN
乙のアルコキシカルボニル基、炭素数6〜l!のアリー
ル基、炭素数6〜/Jのアリールオキシ基、炭素数tN
/jのアリールオキシカルボニル基がある。 B’、B が置換または非置換のアルキル基、アルコ
キシ基、アルコキシカルボニル基、アリール基、アリー
ルオキシ基、アリールオキシカルボニル基の場合、これ
らの構造のうちのアルキA・及びアリール部分は、前述
のR6における置換または無置換のアルキル基及びアリ
ール基の具体例と同じ基をあげることができる。 本発明の一般式(1)−1%表わされるジスアゾ化合物
の中f1光感度の高い光導電性組成物ご与;;ることか
できること・あるいは光感度の高い電f写真層を与える
ことができること、あるいは極層原料化合物を容易に入
手して低コストでジスアゾ化合物を製造することができ
ること力)ら下記一般式〔231表わされるジスアゾ化
合物dl好ましレー(1−1j) NO□ NO□ (m−jt ) (in−jり)c′ (lit−JO) 本発明の新規なジスアゾ化合物は、公知の方法によって
製造することが!きる。すなわち、各ジスアゾ化合物に
対応するジアミン〔3〕をジアゾ化してビスジアゾニウ
ム塩として単離した後1これを適当な有機溶媒例えばN
、N−ジメチルホルムアミド中で前述の各ジスアゾ化合
物&を対応する化合物(例えばナフトールAs系等の、
カプラー)とアルカリの存在下にカップリング反1・5
させることにより容易に製造することが1きる、例えば
前記ジスアゾ化合物(I−/ )は合成列(1)に従っ
て製造Tることができる。 合成例1 21j−ビス(≠−アミノスチリル)−チオフェン/、
21iを濃塩酸4Atd及び水lλ−から詐・還した希
塩印に加えて4o’Cの水浴上で約30分間よく攪拌し
た・次にこの混合物をO″Cに冷却し、それに亜硝酸ナ
トリウム0.3211を水J′Nに溶解した溶液をO@
Cで約20分間かけて滴下した@その後同温度′1%7
時間攪拌し、少量の未反応物をP別した後・P液KII
2%硼沸化水素酸弘IILlを加え析出した結晶をr取
した@この結晶を少量の冷水1洗った後、乾燥してビス
ジアゾニウムフルオシボレートの赤也結晶/、71(収
率r4%)を得た。 次にこうして得られたビスジアゾニウム塩2g及びカプ
ラーとしてコーヒドロキシー3−ナフトエ酸アニリドコ
、0fFFN、N−ジメチルホルムアミドtzomに溶
解し、これに酢酸ナトリウム3II及び水20m1から
なる溶液を0°Cの温度で約20分かけて滴下した後、
室温で約2時間攪拌した0その後生成した沈殿をr取し
、30.0tnlの水!洗浄後これをアセトンioom
l−r!洗浄し、乾燥して、ジスアゾ化合物(I−/)
2.8’Jll(収率ff4A% )t−得た。分解温
度2!1r−2tZ ’°C0 元素分析 C54H8804N6Sとして 計算値 C,7≠、ざ1% H,4’、≠、2%N、り
、tり% S、3.70% 実測値 C,74I−,4,2% H,+、xa%N、
タ、32% S、3.77% IR吸収スペクトル(KBr錠剤フ ァミド 1170cm” 可視吸収スペクトル 吸収極大波長 j7/nm(j%エチレンジ゛フミン含
有ジメチルホルムアミI: 中) 合成例2〜IA カプラーとして表記化合物を用いた他は、合−九例1と
同じ方法!ジスアゾ化合物(■−2)、(I−/j)、
CI−;ざ)をそれぞれ合成した〇それぞれのジスアゾ
化合物の分解温度、元素分析値、IR吸収スペクトル、
可視吸収スペクトルを第7表に示す。 合成例j〜76 出発原料のジアミンとして3.グージブロモ−2、j−
ビス(グーアミノスチリル)−チオフェンを用い、カプ
ラーとして表記化合物を用いた他は、合成例1と同じ方
法受ジスアゾ化合物(III−7)、(III−−2)
、(■−j)、(■■−μ)、(III−j)、(m−
//)、(III−/j)、(■−2り、(I[I−,
24)、(■−λr)、(III−30)、(III−
−?/)をそれぞれ合成した。それぞれのジスアゾ化合
物の分解温度、元素分析値、IR吸収スペクトル、可視
吸収スペクトルを第2表に示す。 ジスアゾ化合物CI−/J)の赤外吸収スペクトル(K
Br法)は第7図に示した。 他のジスアゾ化合物もカプラー及び、対応する一般式〔
3〕のジアミンより誘導されたビスジアゾニウム塩を変
える他は、上記合成例に従がって合成する事ができる。 本発明の電子写真感光体は前記一般式で表ねされるジス
アゾ化合物を1種又はコ種以上含有する電子写真感光層
を有する。各種の形態の電子写真感光体が知られている
が、本発明の電子ず真Wた5、0体はそのいずれのタイ
プの感光体であってもよいが通常下に例示したタイプの
電子写真感光体構、i層をもつ。 (1)導電性支持体上にジスアゾ化合物をバインダーあ
るいは′電荷担体輸送媒体中に分散させで視る電子写真
感光層を設けたもの。 (2)導電性支持体上にジスアゾ化合物を主成分ヒする
電荷担体発生層を設け、その上に電荷担体輸送媒体層を
設けたもの。 本発明のジスアゾ化合物は光導電性物質とし”C作用い
光を吸収すると極めて高い効率で電荷担体を発生し、発
生した電荷担体はジスアゾ化合物を媒体として輸送する
こともできる力11電荷担体輸送化合物を媒体として輸
送ぎせた万力1更に効果的である0 タイプ(/〕の電子写真感光体を作成するに&まジスア
ゾ化合物の微粒子をバインダー溶液もしくCま電荷担体
輸送化合物とバインダーを溶解した溶液中に分散せしめ
、これを導電性支持体上に塗布乾燥すnばよい。この時
の電子写真感光層の厚さ番13〜30μ、好ましくはj
N20p力Iよし1゜タイプ(2)の電子写真感光体を
作成すルVC&′ltm電性支持体上にジスアゾ化合物
を真空蒸着する力)、アミン等の溶媒に溶解せしめて塗
布する力)、あるいはジスアゾ化合物の微粒子を適当な
溶剤もしくは必要があればバインダーを溶解せしめた溶
斉IJ中に分散して塗布乾燥した後、その上に電荷担体
輸送化合物及びバインダーを含む溶液を塗布乾燥して得
られる。この時の電荷担体発生層となる・ジスアゾ化合
物層の厚みは≠μ以下、好ましく番まコμ以下がよく、
電荷担体輸送媒体層の厚みは3〜・30μ・好ましくは
!〜20μがよい。 (1)及び(コ)のタイプの感光体で用いられるジスア
ゾ化合物はボールミル、サンドミル’、mlり’jル等
の分散機により粒径!μ以下・好ましくはλμ以下に粉
砕して用いられる。 タイプ(1)の電子写真感光体において使用されるジス
アゾ化合物の量は少な過ぎると感度が悪く・多すぎると
帯電性が悪くなったり、電子写真感光層の強度が弱くな
ったりし、電子写真感光層中のジスアゾ化合物の占める
割合はバインダーにメ]シo、oi〜λ重耐倍、好まし
くは0.0.1〜/ffi。 量倍がよく、必要に応じて添加する電荷担体輸送化合物
の割合はバインダーに対し0 、 /Nコニz21倍・
好ましくは0.3〜/、J重量倍の範囲がよい・またそ
れ自身バインダーとして使用できく)′毬荷拒体輸送化
合物の場合には、ジスアゾ化1合物の添加量はバインダ
ーに対しo、oi−o、を歌遇倍使用するのが好ましい
。 またタイプ(,2)の電子写真感光体において奮/す担
体発生層となる・ジスアゾ化合物含有Mを塗布形成する
場合、バインダー樹脂に対するジスアゾ化合物の使用量
は1Mm倍以上が好ましくそれ以下だと十分な感光性が
得られない。電荷担体輸送媒体中の電荷担体輸送化合物
の割合はバインダーに対し0.2〜2重量倍1好ましく
は0.3〜/、3重量倍が好ましい。それ自身バインダ
ーとして使用−1!きる高分子電荷担体輸送化合物を使
用する場合は、他のバインダーは無くとも使用できる。 本発明の電子写真感光体を作成する場合、バインダーと
共に可塑剤あるいは増感剤などの添加剤を使用してもよ
い。 本発明の電子写真感光体において使用される導電性支持
体としては、アルミニウム、銅、亜鉛等の金属板、ポリ
エステル等のプラスチックシートマタはプラスチックフ
ィルムにアルミニウム、酸化インジウム、SnO2等の
導電材料を蒸着、もしくは分散塗布したもの、あるいは
導電処理した紙等が使用される。 バインダーとしては、ポリアミド・ボリウレタン、ポリ
エステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネー
トなどの縮合系樹脂やポリビニルナトン、ポリスチレン
、ポリ−N−・ビニルカルIζゾール、ポリアクリルア
ミドなどのビニル重合体などが挙げられるが、絶縁性受
且つ接着性のあイ・樹脂は全て使用できる。 iJ塑剤としてはビフェニル、塩化ビフェニル0−テル
フェニル、p−テルフェニル、シフ゛チル7タレート、
ジメチルグリコール7タレート、クオクチルフタレート
、ト!Jフェニル燐酸、メチルナフタリン、ベンゾフェ
ノン、塩素化パラブイS11ポリゾロピレン、ポリスチ
レン、ジラウリル千オシプロピオネート、31!−ジニ
トロサリ千ル序2.。 各種フルオロ炭化水素類等が挙げられる・その他、電子
写真感光体の表面性をよくする】・、二めに、シリコン
オイル等を加えてもよい。 増感剤としては、クロラニル、テトラシアノエチレン、
メチルバイオレット、ローダミンB、シアニン染料、メ
ロシアニン染料、ビリリウム染料、チアピリリウム染料
等が挙げられる・ ′電荷担体ご輸送する化合物として一般に電子を輸送す
る化合物と正孔を輸送する化合物との二種類に分類され
るが、本発明の電子写真感光体には両者とも使用するこ
とができる。電子を輸送する化合物としては電子吸引性
基を有する化合物、例エハコ、≠、7−ドリニトロータ
ーフルオレノン、J、#、、t、7−チトラニトロータ
ーフルオレノン、タージシアノメチレン−,2,4!−
,7−)!Jニトロフルオレノン、タージシアノメチレ
ンーコ。 ≠、j、7−チトラニトロフルオレノン、テトラニトロ
カルバゾールクロラニル、コ、3−ジクロルー!、t−
ジシアノベンゾキノン、2.≠、7−ドリニトロータ、
10−7エナントレンキノン、テトラクロロ無水フター
ル酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタ
ン等をあげることができる。 正孔を輸送する化合物としては、電子供与基2有する化
合物・例えば高分子のものでは・(1)特公昭5a−i
oytt号公報記載のポリビニルカルバゾールおよびそ
の誘導体、 (2)特公昭≠3−/ざ67グ号公報、特公昭4−?−
/り722号公報記載のポリビニルピレンポリビニルア
ンドラセン、ポリーコービニルー+−(1−ジメチルア
ミノフェニル)−!−フェニルーオキサゾール、ポリ−
3−ビニル−N−エチルカルバゾールなどのビニル重合
体、(3)特公昭≠J−/りlり3号公報記載のポリア
セナフチレン、ポリインデン、アセナフチレンとスチレ
ンの共重合などのような重合体、(り特公昭34−/J
タグθ号公報などに記載ぬ゛ピレン〜ホルムアルデヒド
am、−tロムピレン〜ホルムアルデヒド樹脂、二手ル
カルパゾール〜ホルムアルデヒド樹脂などの縮合樹脂〇
(り特開昭jA−20113号及び特開昭s 、4、−
。 /l/!jO号明m書に記載された各種のトノフェニル
メタンポリマー。 また低分子のものでは、 (6)米国特許第3//λ/り7号明細書などに:、己
載されているトリアゾール誘導体、 (7)米国時il′f第3712参17号明細書などに
ん*gれているオキサジアゾール誘導体・<r)特公昭
37−/1,0りを号公報などに記載されているイミダ
ゾール誘導体、 (り)米国特許第jt/夕4A02号、同第3tλOり
ざり号、同3jllJj参≠号、特公昭≠よ−jjj号
、特公昭j/−10りg3号、特開昭j/−タ3コ24
!、号、特願昭63−1#コ7コ号、特願昭617−7
J’#f号、特開昭jj−iortb’y号、特開昭z
z−/jAY!3号、特開昭jt−Jlt!を記載細書
、公報などに記載のボリアリールアルカン誘導体、 (10)米国特許第3/ J’ 0729号、特願昭3
3−7!11号、特開昭J′5−rrota号、特開昭
1!−1rO6!号、特開昭弘ター1ozj37号、特
開昭zz−jiotH号、特開昭ta−roozi号、
特開昭ta−gri4t1号・特開昭J′7−vzza
t号・特開昭t4L−//、21,37号、特開昭!!
−7弘j≠を記載細書、公報などに記載ざn、ているピ
ラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体・ (ii )米国特許第341117011号明細書、特
公;F:A!/−10103号、特開昭j弘−434A
Jj号曳特開昭!≠−/10ざ3A号、特開昭34−/
/タタ2夕号、特公昭μ&−47/2号、特公昭≠7−
コrs3を記載納置、公報などV:記載ざnているフユ
ニレンジアミン誘導体、(ノコ)米国特t′「第JJt
7弘タO号、特公昭≠ター3オフ02号、***1特i!
’f(DAS )/ / / 0Alr号・米国特許第
3/10703号、米国特WP第32/101?7号、
米国特許第37,31r3コO号、米国特許第グ232
/ 03号、米国(:(許第グ173り61号、米国特
許第グ0 / 、2 、)71号、特開昭j!−ノ4L
≠、2!O号、特開昭tA−//り132号、特公昭3
ター273’。 7号、特開昭!;t−2λ4L37号明細書、公報など
に記載されているアリールアミン誘導体。 (13)米国特許第332 A j O’/号明細書記
載のアミノ置換カルコン誘導体、 (/り米国特許第!64421ダを記載納置などに5′
己載のN、”N−ビカルパジルM導体・ (/り米国特許第32j7203号明細書などに記載の
オキサゾール誘導体、 (/A]特開昭!t−≠tコ3弘号明記載などに記載の
スチリルアントラセン窮導体、 (17)特開昭、tF−/101r37号明細書などに
記載されているフルオレノン誘導体。 (/lr)米国特許第3777弘62号、特開昭jグー
39/≠3号(米国特許第弘/10917号に対応)、
特開昭33−32043号、特開昭j、t−6206v
号、特開昭33−44t7AO。 !#開昭tt−、rtゲタ!号、特願昭よ!−IIμり
!号、特願昭34−3313λ号、特開昭!7−611
.211弘号明細書などに開示されているヒドラゾン誘
導体などがある。 なお本発明において、電荷担体を輸送する化合物は(1
)〜(/わにあげられた化合物に限定されず、これま1
公知の全ての電荷担体輸送化合物を用いることが〒きる
。 こわらの電荷輸送材料は場合により2種類以上を併用す
ることも可能fあるb なお、以上のようにして得られる感光体には、導電性支
持体と感光層の間に、必要に応じて接着層またはバリヤ
層を設けることが1きる。これらの層に用いられる拐料
としては、ポリアミド、ニトロセル四−ス、酸化アルミ
ニウムなど1あり、これらの層の厚ざは7μm以下が好
ましい。 以上本発明の電子写真用感光体について詳細;C説明し
たが、本発明の電子写真感光体は一般に感度が篩く耐久
性が優れているというような特徴を有している。 本発明の電子写真感光体は電子写真複写機のぜ・まかレ
ーザー、ブラウン管を光源とするプリント回路の感光体
などの分野忙広く応用する事ができ・L・本発明のジス
アゾ化合物を含む光導電性組成11′Aはヒテオカメラ
の撮像管の光導電層として、ま゛こ公知の信号転送や走
査を行う一次元または二次元配列された半導体回路の上
の全面に設けられた受光層(光導電層)を有する固体撮
像素子の光導電層として用いることが1きる0また・A
、K。 Ghosh、 Tom peng 、J、A−1)p
l 、phys 。 11Yc/2)3912c/971)K記載gし”rい
る様に、太陽電池の光導電層としても用いることが1き
る・ また本発明のジスアゾ化合物を、特公昭37−1714
2号、特開昭j3−ノ2043号、特開昭!j−/l/
コ!Q号、特願昭!7−33372号各明細書に開示さ
れているように、オキサジアゾール誘導体1ヒドラジン
誘導体などの前述の電荷担体輸送性化合物とともにフェ
ノール樹脂などのアルカリ可溶性樹脂液中に分散し・ア
ルミニウムなどの導電性支持体上に塗布、乾燥後、画像
露光、トナー現像、アルカリ水溶液によるエツチングに
より、高解像力、高耐久性、高感度の印刷版が得られる
他、プリント回路を作成することもできる。 次に本発明ご実施例により具体的に説明するが、これに
より本発明が実施例に限定されるもの1はない。なお実
施例中「部」とあるのは[重J1部Jを示す。 実施例1 ジスアゾ化合物CI−/)、/部とび、4!′ −リ
゛ス(ジエチルアミノ)−2,2’ −ジメチルトリ
フェニルメタ23部トビスフエノールAのポリカーボネ
ート3部とをジクロロメタンタ!部に加え・これをボー
ルミル中で粉砕、混合して調液し、この塗布液をワイヤ
ーラウンドロンドを用いて導電性透明支持体〔100μ
mのポリエチレンテレフタレートフィルムの表面に酸化
インジウムの% %=膜を設けたもの・表面抵抗10
Ω〕上に塗布・乾燥して、厚ざ約tμmの単層型電子写
真感光層を有する電子写真感光体を調製した。 この電子写真感光体について、静電複写紙試、験装置(
用ロ電機■製SP−≠2g型)を用いて+J′KVのコ
ロナ放電により+≠QO■に帯電ぎせ1ついで色温度3
θOO°にのタングステンアンプによってその表面lル
ックスになる様にして光を照射し・その表面電位が初期
表面電位の半分に減衰するのに要する時間を求め半減露
光量E50(’lux、5ec)を測定したところ/コ
、3(I、uX、sec )ffiあった0帯電と露
光の2工院を3000回繰返した後のE5o値もほとん
ど変化しなかった。 実施例2〜!λ 実IN例/においてジスアゾ化合物(I−/)のかわり
IfCCI−33、(I−、t)、(I−J)、(I−
7)、(i−10)、(■−弘3)、(I−≠t)、C
l−43)、(I−4,2)、(II−λ)、(n−4
’ )、(II−r)、(II−/J)、(II−/J
’)、(■−≠弘)、(■−≠り)、(n−jμ)、(
II−AJ)、(Ill−4)、(■− タ ン 、
([−/ −2ン 、 (III−/l) 、
(III−10)、(■−μs)、(III−、to
)、(m−、t、t)、(III−,4/)、(IV−
/)、(IVi)、(V−−2)・(V−7)・(VI
−/)、(Vl−&)、(■−7)、(VI[−7)、
(vJl−/)、(Vll−4)、CTX−3)、(I
X−7)、(X−/)、(X−7)、(XI−コ)、(
XI−A)、(Xll−j)、(11−4)、(Xl[
I−/)、(Xmi)、(Xlll−7)、(XIV−
コ)・(XIV−1)を用いた他は実施例/と同様にし
て、単層構成の電子写真感光体を作成し、実施例/と同
様にして正帯電による半減露光量を測定し、第3表の値
を得た6 実施例j3 ジスアゾ化合物(I−/)jllとポリニスチル樹脂(
商品名 バイロン、200.東洋紡績■製)JIftテ
トラヒドロフランjOmlK、溶かした液と共にボール
ミルで、λO時間分散した後、ワイヤ−ラウンドロッド
を用いて、導電性支持体(7jμmのポリエチレンテレ
フタレートフィルムの表面にアルミニウムの蒸着膜を設
けたもの。表面電気抵抗io3Ω]上に塗布、乾燥して
、厚ざ/prnの電荷発生層を作製した。 次に電荷発生層の上にp−Cジフェニルアミパ〕ベンズ
アルデヒドN′ −メチル−N/−フエニ゛Lヒドラゾ
ン 3.6部とビスフェノールAのポリカーボネート≠部と
をジクロロメタン/3.311f5/、、2−ジクロロ
メタン2t、tに溶解した溶液をワイヤーラウンドロッ
ドを用いて塗布乾燥し・厚ざ11μmの電荷輸送層を形
成させて2層からなる電子写真感光層を有する電子写真
感光体を作成した。 この感光体を一、tKVのコロナ放電により一6ooo
vに帯電させた後、半減露光量を測定した所、E50は
ざ、0(1uX、5eC)であった。帯電と閃光の2行
程を3000回繰返した後のE50値もほとんど変化し
なかったり実施例、t4A〜/λO 実施例J−Jにおいてジスアゾ化合物(I−/)のかわ
りK(I−2)、(I−≠)、(トイ)、(I−タ)、
(1−//)、(i−/3)、(l−2j)、(■−2
4)、(1−、zr>、Cl−30)、(I−u3)、
(1−441)、(I−おり(i−43)、(■−/)
、(II−j)、(II−3)、([−4)、([−7
)、(■−タ〕、([−10)、([−//)、(ll
−/2)、(■−≠3)、(■−≠t)、([−33)
、([−44’)、(In −/)、(1’ll−,2
)、(m−3)・ (■−≠)、(m−7)、(ll[
−//)、(m−/J)、(In−,2j)、 (il
l−24)、<m−、zt )、(m−30)、(I[
−J/)、(■−≠3 )、 Clll−≠f)、(l
[−J−j)・(III−4/)、 (mV−,2)、
(IV−4)、 (V ・−/ )、(V−1)、(
■−2)、(Vl−7)、(■−,2) 、 (■
−6) 、 (■−2) 、 (■−2ン 、(I
X−/)、(IX−4)、 (X−2)、(X−a’)
、(Xl−/)、(Xl−j)、(Xll−/)、(l
ll−7)、(X1ll−/ )、 (Xm−コ )
、 (XIIIi)、 (λlll−7)、(XIV−
/)、(XIV−7)lflイア、:他Ct実施例j3
と同様にして、二層構成の電子写具O′j光体を作製し
、実施例j3と同様にして負帯電l二よる生滅露光量(
E50)を測定した。その結果゛!。 第参表に示す。 実施例ノ2/ 電荷輸送層として、p−(ジフェニルアミ、/)ベンズ
アルデヒドN/ −メチル−N/ −フェニルヒドラ
ゾンの代わりに%J、≠、7−ドリニト」−ターフルオ
レノン弘部を用いた他は、実施例f、2と同様にして/
pmの電荷発生層の上に、厚さ72μmの電性輸送層を
形成させた□この電子写真感光体を+J−KVのコロナ
放mKより+g oo■に帯電させて、Esoを測定し
た所、♂、り(1uX、5eC)であった。 実池例1.22〜iai 実施例72ノにおいてジスアゾ化合物CI−,’)のか
わりにCI−2)、(i−30)、Cl−144)、(
■−弘)、(■−3))、(II−IIr)、(III
−/ざ)、(III−J、t)、(lll−弘り)、(
■−2)、(V−/)、CVi−3)、(■−1゛J1
(Vl−4’)、ClX−3) (X−/ )、(XI
−夕)、(XII−4)、(XIII−/)、(XIV
−,2)F用イタ他は実施例/2/と同様にして二層構
成の電子写真感光体を作成し、半′減露光量値(E5o
)を測定した@結果を第5表に示す。 実施例7グコ ジスアゾ化合物CI−/)/f!Itsと実施例!3で
用いたI)−(ジフェニルアミノ)ペンズアルデヒFN
’ −メ千ルーpJ/ フェニルヒドラゾン/iと
m−クレゾールホルムアルデヒド樹脂1部とをエチレン
グリコールモノメチルエーテル30邪に加え、これをボ
ールミル中f粉砕、混合し、この塗布液を約0..2.
tmm厚の砂目室てされ力)つ陽極酸化及び封孔処理さ
れたアルミニウム板上にワ・1ヤーラウンドロンドを用
いて塗布し、りOoCで10分間5o0cで7日乾燥し
、厚さ約1prr+の試料を作成した・ 次にこの試料に暗所受表面屯位がjooVKなるように
コロナ放電2行ない、タングステン光でネガ像yen光
(300ルツクス・秒)した・後、三菱ダイヤファック
スマスターLOM−ED )′、’−(三菱製紙社製)
で反転現像を行なったところ・非常に鮮明なポジ像を印
刷原板上に得ること゛ができた・この印刷用原板をエツ
チング液DP−/(富士写真フィルム社製;ケイ酸ナト
リウム水溶液)の10倍希釈液中に一分間浸漬し、トナ
ーの付着していない部分(非画線部)の感光層を溶解除
去した。その結果、非画線部の顔料が結看剤と共に容易
に除去され、鮮明な画像の印刷版を形成することができ
た。
第7図は本発明のジスアゾ化合物CI−/3)の赤外線
吸収スはクトル(KBr法)である。 特許出願人 富士写真フィルム株式会社i。 手続補、正置 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和よざ年特願第 990 /
1.2号2、発明の名称 光導電性組成物及びそれを
用いた電子写真感光体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人4、補正の対象
明細書の「発明の詳細な説明」の欄 5、・補正の内容 明a書の「発明の詳細な説明」の項の記載を下記の通り
補正する。 l)第ココ頁7行目の 「フロイル基」 を削除する。 2)第13/頁2行目の 「各ジスアゾ」 から!行目の 「ジアゾ化して」 までを別紙lに補正する。 3)第1JIN10行目の 「製造することが−できる。」 の後に別紙λを挿入す
る。 ダ)第1弘3頁3行目゛の 「1重量倍」 を 「0.2重JIL膚」 と補正する。 り第1j6百2行目の 「lO3Ω」を と補正する。 6)第1j7頁を行目の r−4000VJを r−toov」 と補正する。 別紙/ 一般式〔3〕 (但しR’tf炭素数/−&の低級アルキル基を表わす
。)で示されるp−ニトロベンジルホスホン酸ジアルキ
ルと一般式(4”) (但し、ZXBl、B2は一般式〔/〕と同じ意味を表
わす。)で示されるジアルデヒドをアルカリ存在下、適
当な有機溶媒中、例えばN、N−ジメチルホルムアミド
中で反応させて一般式(j)(但し、Z、B、、B2は
一般式(1) 、!:同じス1味を表わす。)で示され
る化合物とし、これを適当々条件下、例えば鉄粉と希塩
酸ある区は塩化;窮ニスズと塙酸で還元して一般式C6
E (4) (但し、Z、B工、B2は一般式〔l〕と同じ、意味を
表わす。)で示される化合物とし、次にご、。 をジアゾ比して一般式〔7〕 (但し、2% B ts B 2は一般式(、/)と同
じ新味を表わし、XeはBF40、α049などのアニ
オン官能基を表わす。)で示される 別紙コ また一般式〔3〕で示されるp−ニトロベンジルホスホ
ン酸ジアルキルは岡崎光雄1日本化学雑誌り’、(4)
3り0(lり7θ)記載の方法により容易に合成するこ
とができる。一般式〔≠〕で示されるジアルデヒドi−
t、Zが窒素原子の場合J。 Bergman+Tetrahedron Lett、
+ /り72 、!−723等に記載の方法により、Z
が酸表原子の場合、G、Drechsler Chem
、Abs、、Aヱ、グ31!(/り6グ)等に記載の方
法により、2が硫黄原子の場合、C,5one、Bul
l、Chem。 Soc、Japan、J7 、i tり7C/9を弘)
、5teinkopf Ann、Chem、+33−
2 + コjO(lり37)等に記載の方法により、Z
がセレン原子の場合はP、Dubus Bull、S
oc、Chim。 Fr、、/り74 、+21等に記載の方法により容易
に合成することができる。 く
吸収スはクトル(KBr法)である。 特許出願人 富士写真フィルム株式会社i。 手続補、正置 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和よざ年特願第 990 /
1.2号2、発明の名称 光導電性組成物及びそれを
用いた電子写真感光体 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人4、補正の対象
明細書の「発明の詳細な説明」の欄 5、・補正の内容 明a書の「発明の詳細な説明」の項の記載を下記の通り
補正する。 l)第ココ頁7行目の 「フロイル基」 を削除する。 2)第13/頁2行目の 「各ジスアゾ」 から!行目の 「ジアゾ化して」 までを別紙lに補正する。 3)第1JIN10行目の 「製造することが−できる。」 の後に別紙λを挿入す
る。 ダ)第1弘3頁3行目゛の 「1重量倍」 を 「0.2重JIL膚」 と補正する。 り第1j6百2行目の 「lO3Ω」を と補正する。 6)第1j7頁を行目の r−4000VJを r−toov」 と補正する。 別紙/ 一般式〔3〕 (但しR’tf炭素数/−&の低級アルキル基を表わす
。)で示されるp−ニトロベンジルホスホン酸ジアルキ
ルと一般式(4”) (但し、ZXBl、B2は一般式〔/〕と同じ意味を表
わす。)で示されるジアルデヒドをアルカリ存在下、適
当な有機溶媒中、例えばN、N−ジメチルホルムアミド
中で反応させて一般式(j)(但し、Z、B、、B2は
一般式(1) 、!:同じス1味を表わす。)で示され
る化合物とし、これを適当々条件下、例えば鉄粉と希塩
酸ある区は塩化;窮ニスズと塙酸で還元して一般式C6
E (4) (但し、Z、B工、B2は一般式〔l〕と同じ、意味を
表わす。)で示される化合物とし、次にご、。 をジアゾ比して一般式〔7〕 (但し、2% B ts B 2は一般式(、/)と同
じ新味を表わし、XeはBF40、α049などのアニ
オン官能基を表わす。)で示される 別紙コ また一般式〔3〕で示されるp−ニトロベンジルホスホ
ン酸ジアルキルは岡崎光雄1日本化学雑誌り’、(4)
3り0(lり7θ)記載の方法により容易に合成するこ
とができる。一般式〔≠〕で示されるジアルデヒドi−
t、Zが窒素原子の場合J。 Bergman+Tetrahedron Lett、
+ /り72 、!−723等に記載の方法により、Z
が酸表原子の場合、G、Drechsler Chem
、Abs、、Aヱ、グ31!(/り6グ)等に記載の方
法により、2が硫黄原子の場合、C,5one、Bul
l、Chem。 Soc、Japan、J7 、i tり7C/9を弘)
、5teinkopf Ann、Chem、+33−
2 + コjO(lり37)等に記載の方法により、Z
がセレン原子の場合はP、Dubus Bull、S
oc、Chim。 Fr、、/り74 、+21等に記載の方法により容易
に合成することができる。 く
Claims (1)
- (1)下記の一般式(1)で表わされるジスア、l化合
物を含有することを特徴とする光導電性組成物0 (/、 ) 上記一般式において 6 ただしRは水素原子、低級アルキル基、アリール基また
はこれらの置換体を表わす。 Aは を表わし、 B 、I3 は水素原子、ハロゲン原子、低級アル
キル基、低級アルコキシ基、低級アルコキシカルボニル
基、アリール基、アリールオキシ基、アリールオキシカ
ルボニル基、またはこれらの置換体を表わし Bl
、 B2 は同種または異種の基であってもよい。 Xは、ヒドロキシ基とYとが結合している上記式中のベ
ンゼン環と縮合して芳香族環または複素!(これらの環
は置換または無置換でもよい。)を形成するのに必要な
原子団を表わし、R1はアルキル基、フェニル基または
これらの置換体を表わし、 R2は水素原子、低級アルキル基、カルバモイル基、カ
ルボキシル基、アルフキジカルボニル基、アリールオキ
シカルボニル基Sまたは置換または無置換のアミノ基を
表わし・ R3及びR5はアルキル基、芳香族環基、複索芳香族環
基またはそれらの置換体を表わし・R4は水素原子、ア
ルキル基、フェニル基マタはこれらの置換体を表わす。 (,2) 下記の一般式(/]で表ねされるジスアゾ化
合物を含有Tることを特徴とする電子写真感光体O 上記一般式において 6 ただしRは水素原子・低級アルキル基・アリール基また
はこれらの置換体を表わす。 を表わし・ Bl 、B2は水素原子、ハロゲン原子、低級基、ア
リールオキシカルボニル基またはこわらの1u換体を表
わし、Bl 、B2は同種または異種の基であっても
よい。 Xは、ヒドロキシ基とYとが結合している上記式中のベ
ンゼン環と縮合して芳香族環または複素環(これらの環
は置換または無置換受もよい。)全形成するのに必要な
原子団を表わし、い R1をまアルキル基、フェニル基またはこれらの置換体
な表わし、 R2は水素原子、低級アルキル基、カルパモ1゜ル基、
カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオ
キシカルボニル基、または置換または無1a換のアミノ
基を表わし、 R3及びR5はアルキル基、芳香族環基、複索芳香族環
基またはそれらの置換体を表わし、Rは水素原子、アル
キル基、フェニル基ま7コはこれらの置換体を表わす・
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58099042A JPS59223433A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 光導電性組成物及びそれを用いた電子写真感光体 |
DE8484106306T DE3469075D1 (en) | 1983-06-03 | 1984-06-01 | Photoconductive compositions and electrophotographic photoreceptors using the same |
EP84106306A EP0131140B1 (en) | 1983-06-03 | 1984-06-01 | Photoconductive compositions and electrophotographic photoreceptors using the same |
US06/616,501 US4568623A (en) | 1983-06-03 | 1984-06-01 | Photoconductive compositions containing novel disazo compounds and electrophotographic photoreceptors using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58099042A JPS59223433A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 光導電性組成物及びそれを用いた電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59223433A true JPS59223433A (ja) | 1984-12-15 |
JPH0234015B2 JPH0234015B2 (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=14236414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58099042A Granted JPS59223433A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 光導電性組成物及びそれを用いた電子写真感光体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4568623A (ja) |
EP (1) | EP0131140B1 (ja) |
JP (1) | JPS59223433A (ja) |
DE (1) | DE3469075D1 (ja) |
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US4957837A (en) * | 1987-10-15 | 1990-09-18 | Fuji Electric Co., Ltd. | Photosensitive member for electrophotography containing hydrazone in charge transport layer |
US4929525A (en) * | 1987-12-08 | 1990-05-29 | Fuji Electric Co., Ltd. | Photoconductor for electrophotography containing azo or disazo compound |
US4956277A (en) * | 1987-12-09 | 1990-09-11 | Fuji Electric Co., Ltd. | Photoconductor comprising charge transporting hydrazone compounds |
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JPH0711705B2 (ja) * | 1987-12-25 | 1995-02-08 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体 |
US4935323A (en) * | 1988-06-08 | 1990-06-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Photoconductor for electrophotography |
JPH027061A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPH0212258A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JP2629885B2 (ja) * | 1988-09-17 | 1997-07-16 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体 |
JP2629929B2 (ja) * | 1989-01-19 | 1997-07-16 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体 |
JPH02254467A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-15 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
US5275898A (en) * | 1989-06-06 | 1994-01-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Bisazo photoconductor for electrophotography |
US5198318A (en) * | 1989-06-06 | 1993-03-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Bisazo photoconductor for electrophotography |
JP2803169B2 (ja) * | 1989-06-06 | 1998-09-24 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体 |
US5266430A (en) * | 1989-06-06 | 1993-11-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Photoconductor for electrophotography |
US5132189A (en) * | 1989-09-07 | 1992-07-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Photoconductor for electrophotography |
JPH03255453A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-11-14 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JP2770539B2 (ja) * | 1990-03-08 | 1998-07-02 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体 |
US5316881A (en) * | 1991-12-27 | 1994-05-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Photoconductor for electrophotgraphy containing benzidine derivative |
JPH05224439A (ja) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JP2817822B2 (ja) * | 1992-05-14 | 1998-10-30 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体 |
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