JPS5920195B2 - シフトレジスタ - Google Patents

シフトレジスタ

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JPS5920195B2
JPS5920195B2 JP56002755A JP275581A JPS5920195B2 JP S5920195 B2 JPS5920195 B2 JP S5920195B2 JP 56002755 A JP56002755 A JP 56002755A JP 275581 A JP275581 A JP 275581A JP S5920195 B2 JPS5920195 B2 JP S5920195B2
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JP
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shift register
register
static shift
terminal
control signal
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JP56002755A
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ケネス・エル・ナイフ
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Arris Technology Inc
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Publication of JPS5920195B2 publication Critical patent/JPS5920195B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/28Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements

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  • Shift Register Type Memory (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はシフトレジスタに関するものであり、特に12
L技法によつて実施可能なスタテイツクシフトレジスタ
に関するものである。
2L(インテグレーテド インジエクシヨンロジツク)
は、現在のLSI回路の製造に使用されているバイポー
ラ半導体製造技法の中で、比較的最近開発されたもので
ある。
回路密度を増大するため、また従来必要とされたトラン
ジスタの相互接続を除去するため、このI2L技法によ
り、異なるトランジスタの領域を併合することが可能で
ある。更に、I2L回路の性能特性は、他の既知の技法
によつて製造された回路の性能特性に匹敵するあるいは
しのぐことができる。例として、I2L回路は、MOS
の仲間では高速に属するNチヤンネルMOS(金属酸化
物半導体)より速く動作すること、またMOSの仲間で
は低電力に属するCMOS(相補形金属酸化物半導体)
より少ない電力を消費することなどの性能を有している
。バイポーラの分野において、MOS技法によつてのみ
従来可能であつたLSIの複雑さにI2L回路が至り、
そしてその複雑さをしのぐようになつた時、2Lはより
高いバイポーラ速度を維持するための手段となる。基本
的なI2L論理単位はインバータトランジスタとインバ
ータトランジスタの電流源として働くインジエクタトラ
ンジスタを有する。
インバータトランジスタは、物理的には逆モードに作働
される垂直NPNマルチエミツタバイポーラトランジス
タから構成される。そのモードでは、通常のバイポーラ
エミツタはコレクタとして働く。NPNインバータトラ
ンジスタへのベース駆動は、一般ノにインジエクタとし
て言われる横のPNPバイポーラトランジスタによつて
供給される。
チツプ上において、PNPインジエクタの拡散領域のあ
る種のものは、バルクシリコンのPNPインバータの拡
散領域と統合(併合)される。
12Lは通常のバイポーラエピタキシャル技術で実施す
ることが可能である。
結果として、I2Lを採用する集積回路チツプは既存の
バイポーラ製造ラインで製造可能であり、このことは設
計者に同一チツプ上で他のバイポーラ技術とI2L論理
を結合すことを可能にする。2Lの高実装密度はバルク
シリコンに併合された構造の簡素性によるものである。
その簡素性は、ゲート当りの電極数が少ないこと、拡散
抵抗が全く存在しないこと、ユニツト内の結線がないこ
と、およびユニツト間配線の引きまわしが容易なことを
含め、いくつかの高密度チツプ配置の特徴を生かすもの
である。12L技術の他の長所は、MOS技術と比較す
れば電源電圧が低くてよいこと、雑音や他の干渉に対す
る免疫性そして大きな電源変動に対する寛容性を持つて
いることである。
更に、速度や電力消費の幅広い範囲にわたつて、I2L
はほぼ一定な電力・遅延時間積を示すことである。上述
のI2L技術の長所の故K当業者にとつては、部分的あ
るいは全体的に2Lによつて製造された回路は将来のL
S回路製造において重要な役割を演することは明白であ
る。
それ故に、他の技術で利用されている基本処理用構成素
子と同様な機能を行うI2L技術の基本処理用構成素子
を開発することが回路設計者に必要となる。しかしなが
らI2Lの性質が異なるのでこの技術の特性を十分に利
用するためには新しい回路設計が必要である。種々の異
なる処理応用において、一般に使用される構成素子の一
つはシフトレジスタである。
シフトレジスタは基本的には、通常クロツクパルスによ
つて表わされる与えられた一定数の周期の間にデータを
記憶するデバイスである。レジスタはその入力のタイム
シーケンスに従い、データ信号を受信する。データ信号
はレジスタ内で信号をシJャgあるいは転送することによ
つて保持され、1つのシフトは通常各タイム周期内に生
ずる。与えられた一定数のタイム周期の後、データ信号
は同一タイムシーケンスによりシフトレジスタの出力に
現れる。シフトレジスタはその記憶容量を決定する多数
のビツトあるいは段から構成される。
データ信号はデータ転送制御信号に応じて1つのビツト
から次のビツトへと転送され、制御信号のタイミングは
1つのビツトから次のビツトへとデータが転送される速
度を決定する。広義に考えると、シフトレジスタはダイ
ナミツクとスタテイツクの二つのカテゴリに分類するこ
とができる。
ダイナミツクシフトレジスタにおいて、データを表わす
電荷は、しばしばトランジスタ制御端子の固有容量を使
用することのあるコンデンサ手段によつて素子内に一時
的に蓄積される。しかしながらこの方法で蓄積された電
荷は比較的短時間に放電する。ダイナミツクレジスタで
はデータをその中に保持するため、データのシフト周波
数(単位時間当り、データがレジスタの1素子から次の
素子へ転送される回数)は、蓄積された電荷が放電する
前に転送できるほど十分高いものでなければならない。
ある種の応用においては極めて有効であるが、このよう
にダイナミツクレシフトレジスタは固有の短所を有して
いる。すなわち、シフト周波数は蓄積された電荷の放電
率によつて決定される下限より常に高くなければならな
い。シフト周波数が下限より下がるならば、シフトレジ
スタ内に蓄積されたデータは回復することなく消失する
一方、スタテイツクシフトレジスタはシフト周波数の下
限を持たず、それ故、シフト周波数ゼロにおいてもデー
タをその中に保持することが可能である。
このレジスタは帰還関係にあるシフトレジスタを構成す
るトランジスタを帰還関係に相互接続することによつて
達成される。それはレジスタの一素子の容量によつて蓄
積された電荷が、帰還関係に接続された他の素子の出力
によつて連続的に補われ、それによつてシフト周波数が
ゼロでさえ電荷の放電を阻止するものである。この技法
を使用したMOS技術において実施されたスタテイツク
シフトレジスタの優れた一例は、エレクトロニツクシフ
トレジスタという題する1972年8月ケントエフスミ
スに授与された米国特許第3,683,203号に記載
されている。12L技術の幅広い応用を見出すことが行
われ始めたが、最近やつとI2L技術を用いたシフトレ
ジスタの設計の試みが現れはじめた。
これ等の試みのある種のものは、製法のパラメータに非
常に依存し、それ故に製造することが困難であり高価と
なるセミダイナミツクシフトレジスタに終つた。製法問
題を避けるため、一部の設計者はほとんど直接既知のM
OSスタテイツクシフトレジスタの構造を機能的に模倣
することによつて、I2Lスタテイツクシフトレジスタ
の設計を試みた。しかしこの試みは複雑すぎてI2L技
術の既知の特性を十分に利用しえない大型のD型スタテ
イツクレジスタに終つた。故に、本発明の主目的は、I
2L技術において実施可能なスタテイツクシフトレジス
タを提供することである。
本発明の他の目的は、単純、コンパクトそして設計や製
造に容易なI2Lシフトレジスタを提供することにある
本発明の他の目的は、レジスタの設計、製造を容易にし
ながら、レジスタの各能動素子と同一のものとするI2
Lシフトレジスタを提供することにある。
本発明の他の目的は、レジスタの各能動素子を単純設計
型とするI2Lスタテイツクシフトレジスタを提供する
ことにある。
本発明の他の目的は、両方向性のI2Lシフトレジスタ
を提供することにある。
本発明の他の目的は、データ転送の方向が単にタイムシ
ーケンスあるいはデータ転送制御信号の構成素子の順序
によつてデータ転送の方向が決定されるI2Lスタテイ
ツクシフトレジスタを提供することにある。
本発明の他の目的は、通常の両方向シフトレジスタに必
須のデータ転送方向制御線を必要とすることなく、両方
向に動作するI2Lスタテイツクシフトレジスタを提供
することにある。
本発明の他の目的は、制御信号の全構成素子を同時に低
あるいは「オフ」状態に保持し、その後正規タイムシー
ケンスで各構成素子の制御信号を再スタートすることに
よつてりセツトが簡単に達成される2Lシフトレジスタ
を提供することにある。
本発明の他の目的は、りセツト制御線を必要としないI
2Lシフトレジスタを提供することにある。
本発明の他の目的は、りセツトおよび両方向機能を持つ
シフトレジスタに通常必要なりセツト制御およびデータ
転送方向制御線を除去することにより、高密度のI2L
シフトレジスタを提供することにある。本発明の更に他
の目的は、通常のバイポーラ処理装置で製造可能なI2
Lシフトレジスタを提供することにある。
本発明によれば、ビツトを含むシフトレジスタが提供さ
れる。
このビツトは、動作可能なように順次接続された所定数
の能動素子を含んでいる。
各々の能動素子は、動作可能なように隣接のユニツトに
交叉、結合された2Lユニツトを含んでいる。複数の成
分を持つ制御信号を発生するための手段が設けられる。
これらの成分の一つはこのビツト内の能動素子の異なる
一つに、動作可能なように接続される。各制御信号成分
は、少なくとも]個のパルスを含み、このパルスはパル
スが存在し、パルスが継続する間、パルスが与えられる
素子を動作可能にする。
制御信号成分は、与えられたタイムシーケンスあるいは
順序.によつて発生する。
このタイムシーケンスあるいは順序のみでレジスタを通
るデータ転送方向が決まる。したがつて、タイムシーケ
ンスを反転すればビツトを通るデータ転送方向が反転す
ることとなる。能動素子は別個のデータ転送方向制御線
を必要としない。素子をりセツトするため手段が設けら
れている。
りセツト手段は、与えられたタイム周期の間、制御信号
発生手段を一時的に停止するための、またその後制御信
号発生手段を再起動するための手段を含んでいる。この
ように制御信号発生手段が一時的に停止した時、シフト
レジスタは自動的にりセツトされる。この方法により、
能動素子は別個のりセツト制御線を必要としない。ビツ
ト内の谷2Lユニツトごとに制御信号成分が必要である
各制御信号成分は連続あるいは間隔を置いた一列の正ク
ロツクパルスを含んでいる。制御信号成分のクロツクパ
ルスは、必要により、ノンオーバーラツプあるいはオー
バーラツプでもよい。ノ 能動素子の各々は、データ入力とデータ出力を持つてい
る。
各素子のデータ入力は動作可能なように前位素子のデー
タ出力に接続される。各素子のデータ出力は動作可能な
ように前位素子のデータ入力に接続される。このように
、各素子のデータ入力は動作可能なように、直接の関係
においては前位素子のデータ出力へ、帰還関係において
は後位素子のデータ出力へ接続される。具なつた観点か
ら見れば、各素子は前位、後位画素子に動作可能なよう
に交叉、結合されている。この交叉、結合技法から、シ
フトレジスタのスタテイツク特性が生じる。
各素子は、制御信号の一つの成分を受信するために、制
御信号発生手段に動作可能なように接続されている制御
信号入力を持つている。各素子はバイポーラインバータ
トランジスタとバイポーラインジエクタトランジスタを
含む一つのI2Lユニツトである。
インバータトランジスタとインジエクタトランジスタは
、動作可能なように、制御信号入力と地気間に接続され
ている。インジエクタトランジスタはベース端子、コレ
クタ端子およびエミツタ端子を持つバイポーラトランジ
スタである。インジエクタトランジスタのベース端子は
接地する。エミツタ端子は制御信号入カへ動作可能なよ
うに接続される。コレクタ端子はベース駆動を供給する
ためインバータトランジスタへ動作可能なように接続さ
れる。各ユニツトのインバータトランジスタはベース端
子、第一および第二のコレクタ端子およびエミツタ端子
を持つバイポーラトランジスタである。
ベース端子はインジエクタトランジスタへ、更に詳しく
は、インジエクタトランジスタのコレクタ端子へ動作可
能なように接続される。インバータトランジスタのコレ
クタ端子は、それぞれ前位12Lユニツトおよび後位ユ
ニツトへ動作可能なように接続される。インバータトラ
ンジスタのエミツタ端子は動作可能なように接地される
。インバータトランジスタのベース端子はユニツトのデ
ータ入カへも接続される。
各ユニツトのデータ入力はユニツト間へ分離素子を挿入
することなく直接前位のデータ出力へ接続される。ユニ
ツト間の分離素子の必要性がないのでシフトレジスタの
構造が非常に簡素になる。
各ユニツトはレジスタの他のユニツトと同一のものなの
で、設計、配置そして製造は簡素化され比較的費用がか
からない。
加えて、分離素子、データ転送方向制御線および、りセ
ツト制御線の必要性がないので、ビツトの構成複雑性お
よび大きさが減少し、これによつて与えられた一定のチ
ツプの面積に多数のビツトを形成することが可能になる
上記の実現のため、また以下に現れるような他の目的の
ために、本発明は、添付図面を参照し以下の詳細な説明
において記載され、また付随した特許請求の範囲におい
て言明されるような、I2Lスタテイツクシフトレジス
タに関するものである。
図面中の同じ参照符号は同じ構成素子を表示する。第1
図において図示したように、本発明の好ましい実施例は
それぞれ必要な数のビツトを持つシフトレジスタを含み
、各ビツトは全体としてBと表示される。各ビツトBは
4つの能動素子を含み、一般にそれぞれAl,A2,A
3およびA,と表示される。各能動素子Aは一般にそれ
ぞれCl,C2,C3,Clと表示された制御信号入力
、一般にそれぞれDl,D2,D3,D,と表示された
データ入力そして一般にそれぞれFl,F2,F3,F
4と表示される帰還入力を持つている。
各能動素子Aは、第1図を形成する論理図において、N
ORの記号で表現される。それは論理「1」入力がデー
タ入力Dあるいは帰還入力F1あるいは両入力に現われ
た時、その出力に能動素子は論理「O」信号を発生する
からである。一方、もしデータ入力Dと帰還入力Fの両
方が論理「0」であれば、能動素子は論理[1」出力を
発生する。各能動素子Aは前位、後位の両能動素子と交
叉結合される。
このように、例として、素子〜のデータ出力は、素子A
3のデータ入力と素子A1のデータ入力に接続される。
素子A2のデータ入力は素子A1のデータ出力と素子A
3のデータ出力と接続される。
本発明のシフト,レジスタにそのスタテイツク特性を与
えるのは交叉結合構成である。第2図は能動素子A1か
らA4の各々の構造を概略的に図示している。
能動素子の各々は、一般にそれぞれJl,J2,J3,
J,と表示されたインジエクタトランジスタ、そして一
般にそれぞれVl,V2V3,4と表示されたインバー
タトランジスタを含んでいる。各インジエクタトランジ
スタJは自分自身が接続されるインバータトランジスタ
Vのベース駆動を供給するための電流源として動作する
バイポーラPNPトランジスタである。各インバータト
ランジスタは逆モードに作動されるバイポーラNPNマ
ルチエミツタトランジスタである。そのモードにおいて
、通常のバイポーラMへエミツタはコレクタとして動作
する。各インジエクタトランジスタJのエミツタ端子1
0はそのインジエクタが一部をなしている能動素子Aに
対する制御信号入力Cへ接続される。
各インジエクタトランジスタJの制御端子あるいはベー
ス12は与えられた電流源、この場合、地気へ接続され
る。各インジエクタトランジスタJのコレクタ端子14
は能動素子の一部分を形成するインバータトランジスタ
の制御端子あるいはベース16へ接続される。各インバ
ータトランジスタのベース16はそのインバータトラン
ジスタが一部を形成する能動素子のデータ入力Dへ接続
される。各インバータトランジスタは二つのコレクタ1
8,20を持つている。
各コレクタ端子18は順次前位能動素子Aの帰還入力F
へ接続される。各インバータトランジスタVの各コレク
タ20は、順次後位能動素子Aのデータ入力Dへ接続さ
れる。各インバータトランジスタVは、与えられた電位
源、この場合、地気へ接続されるエミツタ端子22を持
つている。このように各能動素子Aは制御信号入力と地
気間に動作可能なように接続されたインジエクタトラン
ジスタJとインバータトランジスタVから構成される。
加えて各能動素子Aは前位、後位両能動素子と交叉、結
合されている。レジスタを通るデータの動きを制御する
ため、4つの分離した制御信号成分が要求される。ビツ
トB内の各能動素子Aごとに】つの制御信号が与えられ
る。それぞれCLKl,CLK2,CLK3,CLK4
と指示された4つの制御信号成分は一般にGと表示され
た制御信号発生器からそれぞれ制御信号入力Cl,C2
,C3,C4へ与えられる。制御信号発生器Gはクロツ
ク信号CLKを各各発生する4つの通常のクロツクパル
ス発生器、および予め決められたタイムシーケンスある
いは1絢亨によりクロツクパルス発生器類の運行を同期
化する手段から構成される。制御信号発生器Gはこの技
術において周知の、この種の多重信号を発生するための
異なる構成も代案として含んでいる。先に述べたように
、レジスタを通るデータ転送の方向は単にタイムシーケ
ンスあるいは制御信号成分の順序によつて決定される。
このように、制御信号発生器が4つの分離したクロツク
パルス発生器を含んでいるならば、シーケンスあるいは
制御信号成分の順序は、マスタクロツクから受信される
信号に従つて決定された時間に、順次各クロツク信号発
生器を起動することによつて、簡単に決定される。
このように例として、クロツク信号CLKlはマスタク
ロツクによつて決定された特定時間(例としてT)に起
動される。クロツク信号CLK2はマスタクロツクによ
つて決定された時間の一単位時間(T+1)後に起動さ
れ、クロツク信号CLK3はマスタクロツクによつて決
定された時間の二単位時間(T+2)後に起動され、そ
してクロツク信号CLK4はマスタクロツクによつて決
定された時間Tに始まり、クロツク信号CLK3はその
一単位時間(T+1)後に起動され、クロツク信号CL
K2はその二単位時間(T+2)後に起動され、そして
クロツク信号CLKlはその三単位時間(T+3)後に
起動される。後者のシーケンスを利用すると、データは
前者のシーケンスの流れの方向と逆にシフトレジスタの
中を流れる。この結果を達成するため、一般にHと表示
される方向制御回路を通して制御信号発生器Gに接続さ
れる一般VCMと表示されたマスタクロツクが提供され
る。
方向制御回路HはマスタクロツクMの出力に従つて、制
御信号発生器Gの4つのクロツクパルス発生器が起動さ
れるシーケンスを決定する。また一般にRと表示された
りセツト制御回路は、入力として方向制御回路Hに接続
される。
リセツト制御回路Rが作動された時、方向制御回路Hは
、匍脚信号発生器G(7)谷クロツクパルス発生器のク
ロツクパルス発生を予め決められた時間(蓄積された電
荷の遅延時間より長い)の間停止する。その後、方向制
御回路Hは制御信号発生器Gのクロツクパルス発生器を
適当なシーケンスで再起動する。この成果はシフトレジ
スタ全体力椙動的にりセツトされることである。本発明
のシフトレジスタの動作を十分に評価するために、制御
信号成分フ″0 やデータをシフトレジスタ内のある能動素子から次の能
動素子へと転送する方法の特質を考慮することが必要で
ある。
この目的のため、二つの異なつた制御信号のシーケンス
を図に表現したものが第3図および第4図に示される。
第3図に示した制御信号シーケンスは、前方向(第1図
および第2図において理解されるように、左から右へ)
にシフトレジスタを通りデータが転送されるようにする
ものである。逆に、第4図に示した制御信号シーケンス
は、逆方向、すなわち、第1図および第2図において理
解されるように右から左へシフトレジスタを通りデータ
が転送されるようにするものである。各例において、制
御信号はそれぞれT1からT8の8つのタイムスロツト
の中に示され、4つのクロツクによつて発生した信号は
他クロツクで発生した信号とオーバラツプの関係にある
この形式は容易な説明のため選ばれたが、本発明が図示
された特定の制御信号シーケンスに限定されるべきでな
いことを理解すべきであり、この制御信号シーケンスが
、本発明の限界であると考えるべきでない。
事実、シフトレジスタの意図する応用に応じて他の制御
信号シーケンスが利用される。例として8つのタイムス
ロツトの代りに4つのタイムスロツトが利用できる。更
にオーバラツプパルスの代りにオーバラツプパルスが利
用できる。各クロツク信号発生器は、正(高)のパルス
の連続からなるパルス列を発生する。
パルス列の各各は5タイムスロツト間継続し、そのパル
ス列の間は各3タイムスロツト分の休止(低)期間とな
る。この例において、各クロツク信号発生器は次のクロ
ツク信号発生器の2タイムスロツト前に動作する。例と
して、もしCLKlが第6タイムスロツトT6の先頭に
おいて高となれば、CLK2は第8タイムスロツトT8
の先頭において高となり、CLK3は第2タイムスロツ
トT2の先頭において高となり、CLK4は第4タイム
スロツトT4の先頭において高となる。逆のモードにお
いては、パルス列が逆のシーケンスに起動されるという
ことを除き第4図で示されるように、パルス列は上記の
ものと全く同じものである。
このように、もしCLK4が第6タイムスロツトT6の
先頭において高となれば、CLK3が第8タイムスロツ
トT8の先頭において高となり、CLK2が第2タイム
スロツトT2の先頭において高となり、CLKlが第4
タイムスロツトT4の先頭において高となる。能動素子
Aのための制御信号入力Cに正のパルスが存在すると能
動素子は付勢される。
正パルスがない(低状態)と能動素子は消勢される。こ
れは各インバータトランジスタへのベース駆動がインバ
ータトランジスタの電流源として働くインジエクタトラ
ンジスタから派生するからである。しかしながら、もし
正電位がエミツタ10に与えられるならば、インジエク
タトランジスタJは単に電流源として働く。このように
もし特定の能動素子Aのインジエクタトランジスタのエ
ミツタ10に正パルスが与えられなければ、その能動素
子全体は停止させられ、機能しない。第3図に示される
制御シーケンスを考慮しながら、タイムスロツトT1に
先がけデータ信号L(論理「1」あるいは論理「0」)
が能動素子Aのデータ入力D1へ与えられたと仮定する
タイムスロツトT1間では、CLKl,CLK2は高く
、CLK3とCLK4は低い。能動素子A1とA2はそ
れ故に付勢され、能動素子へとA4は消勢させられる。
能動素子A1の動作によりデータ信号Lが反転され、I
として次の能動素子〜のデータ入力島に現われるように
する。例として、もしLが論理「1」とすれば、エミツ
タ22を通して地気へコレクタ20を接続し、インバー
タトランジスタV1は導通される。したがつて、論理「
0」がデータ入力D2に現われる。
データ入力D2の論理「0」はインバータトランジスタ
V2を「オフ」状態に維持する。そのため論理「1」信
号Lがデータ人力D3に現われる。このように、元のデ
ータ信号Lは二回反転され、再びLとして現われる。タ
イムスロツトT2間では、CLKl,CLK2は高に維
持さね CLK2は高くなり、CLK4はまだ低の状態
である。
CLK3が高くなつた時、能動素子八は活動可能にされ
、データ入力D3の信号(L)はインバータV3によつ
て反転される。そのためIは能動素子Aのデータ入力D
4に現われる。三査目のタイムスロツトT3中では、C
LKlは低になり、能動素子A1を消勢させ、素子の中
に含まれていたデータを消去する。CLK2とCLK3
は高に維持され、CLK4は低に維持される。タイムス
ロツトT3中ではデータはタイムスロツトT2中にあつ
たと同様に維持される(歩進しない)。すなわち、デー
タ入力D,のL状態、データ入力D4のて状態である。
四番目のタイムスロツトT4中では、CLKlは能動素
子A1を停止状態に保ちながら低に維持さねクロツク信
号CLK,,CLK3は高に維持され、そしてデータ入
力D4のL論理状態が存在するのでインバータトランジ
スタV4を通して反転されるよう、そしてインバータV
4のコレクタ20にLが現われるように、CLK4は高
になる。
このように、四つのタイムスロツトの後、データはビツ
トを通過し、ビツトの終りの素子の出力に原型の形で現
われる。
次のタイムスロツトT5間では、CLKlは低に維持さ
れCLK2は低になり、そしてCLK3とCLK4は高
に維持される。このタイムスロツトの間に能動素子べの
出力にLが維持され、能動素子A3の出力にてが維持さ
れながら転送は生じない。しかしながら能動素子〜は消
勢される。次のタイムスロツトT6間では、CLKlは
再び高となり、CLK2は低に維持され、CLK3<5
CLK4は高に維持される。
このタイムスロツト中では、次のデータ信号S(論理「
1」あるいは論理「O」)が能動素子A1のデータ入力
D1へ与えられることがある。インバータトランジスタ
V1は二番目の論理信号Sを反転する。そこでgが能動
素子へのデータ入力D2に現われる。論理状態I<5L
はそれぞれの以前状態をそれぞれ能動素子A3,A4の
出力に維持する。このタイムスロツト中では次のビツト
(図示されていないが)の第一能動素子A1が駆動され
、A,によつて、A4の出力からLを反転して次のビツ
トのA2入力に『を形成する。次のタイムスロツトT7
中では、CLKlは高に維持され、CLK2は低に維持
され、CLK3は低になり、CLK4は維持される。こ
のタイムスロツト中では二番目の論理信号の反転型内が
能動素子A2の入力データD2に維持される。能動素子
A2は休止している。そこでこの時A2は二番目のデー
タ信号を再反転を行わない。能動素子A3は含んでいた
データを消去して休止状態となる。能動素子A4の出力
の状態(L)は変化なく維持され、次のビツトの第一番
目の能動素子(図示されていないが)の状態(L)も同
様維持される。次のタイムスロツトT8中では、CLK
lは高に維持し、CLK2が高となる。
CLK3は低を維持し、CLK4が高を維持する。この
ようにデータ入力D2に与えられた二番目の論理信号の
反転型gはインバータトランジスタV2によつて今再度
反転される。そして能動素子A3のデータ入力D3にS
として現れる。しかしながら、能動素子A3は消勢して
おり、この時データ入力D3に与えられた二番目の論理
信号を反転することができない。能動素子A4の論理状
態は変化せず維持される。同一の動作が次のビツトにも
起こり、データ人力D2の信号で反転さ法データ入力D
3にLが現われる。タイムスロツトT8の完了の後、こ
のサークルはタイムスロツトT1で再び開始する。
この制御信号よりシフトレジスタの能動素子を通して前
方向にデータを転送する方法が、ここで明白となろつ0
各能動素子の出力が前位能動素子の入力に帰還されると
いうことを理解することは重要である。
そのため制御信号の周波数がゼロに近づいたとしても、
シフトレジスタ内に含まれているデータは保持される(
シフトは行われないけれども)。この帰還接続は、各動
作可能となつている能動素子のデータ入力を補うことに
よつてデータを保持するための働きをする。例として、
能動素子A3の出力の輪理信号は、能動素子A2のデー
タ入カへ帰還される。そして素子A1の出力からA2の
入力へ与えられたのと同様の論理信号で能動素子A2の
データ入力の論理信号を補償する。能動素子A3の出力
はA1の出力論理信号を2回反転したものである。この
2回反転された信号は論理信号そのものである。このよ
うに一つの能動素子のデータ出力は前位の素子のデータ
入力に一致する。前位能動素子の帰還入力Fに接続され
ている各コレクタ18によつて帰還が生じる。シフトレ
ジスタを通るデータ転送の方向を逆にするためには、同
様なシーケンス、ただし順序が逆の、クロツクを発生す
ることが単に必要である。
逆方向にシフトレジスタを通りデータが転送されるよう
にするために必要な制御信号は第4図に図式的に示され
る。最初のタイムスロツトT1間では、CLKlとノC
LK2は能動素子A1とA2を停止させる低であり、C
LK3,CLI{4は、能動素子A3A4が付勢状態で
あることを示す高となつている。
タイムスロツトT1中に、能動素子A4の帰還入力F4
に最初の論理信号Lが与えられたと仮定すると、この信
号LはインバータV4で反転され、反転された結果のL
はA3の帰還入力F3に与えられる。インバータV3は
能動素子A4のデータ入力D4に与えられた同様な論理
状態Lに結果的にはなるが、自分自身のベース16に与
えられた論理信号を反転し、このようにして帰還入力を
補償する。次のタイムスロツトT2中では、CLKlは
低に維持され、CLK2は高となり、CLK3,CLK
4は高で維持される。
このように能動素子A2は動作可能となつたので、帰還
入力F2を通して与えられたL論理状態は、インバータ
V2によつて反転さFL.A3のデータ入力D3におい
て[となる。これはA3の入力を補う機能をする。次の
タイムスロツトT3中ではCLKlは低に維持され、C
LK2,CLK3は高に維持され、CLK4は低となり
、A4の動作を停止する。
能動素子A2とA3の論理状態は変化することなく維持
される。次のタイムスロツトT4中では、CLKlは高
となり、CLK2とCLK3は高に維持され、CLK4
は低に維持される。このタイムスロツト間では、能動素
子A1が付勢され、そこで能動素子A2の出力から帰還
入力F1を通して与えられた論理信号LはインバータV
1によつて反転される。またデータ入力入力D2に論理
状態Lとして現われる。次のタイムスロツトT5間では
、CLKlとCLK2は高に維持され、CLK3が低と
なり、CLK4は低に維持される。これによつて能動素
子A3とA4は消勢され、A1とA4は付勢状態に保持
され論理状態は変化しない。次のタイムスロツトT6中
では、CLKlとCLK2は高、CLK3は低に維持さ
れ、CLK4が高となつて能動素子A4を付勢し、これ
は帰還入力F4で二回目の論理信号Sを受信する。
SはインバータV4で反転される。
そして能動素子A3の帰還人力F3に、この論理状態は
現われる。能動素子A1とA2の論理状態は変化せずそ
のまま維持される。その論理状態Lは前位のビツトの能
動素子A4へ転送される。次のタイムスロツトT7中で
は、CLKlは高に維持され、CLK2は低となり、C
LK3は低を維持し、CLK4は高に維持される。
能動素子A2は停止し、データは転送されないO次のタ
イムスロツトT8において、CLKlは高、CLK2は
低に維持され、CLK3は高となり、CLK4は高に維
持される。
ここで能動素子A3は、二番目の論理信号gを再び反転
するように、また能動素子A2の帰還入力F2にS状態
として現われるように付勢する。加えて、最初の論理信
号の論理状態は素子A4から進行上の次のビツトの素子
A3まで転送される。
クロツク信号のシーケンスを単純に逆転することによつ
て、データがシフトレジスタの逆の方向に転送されると
いうことがわかる。それ故本発明は、I2L技術におい
て実施することができ、また能動素子として単純に構成
された同一の[2Lユニツトを利用するスタテイツクシ
フトレジスタに関するものである。
シフトレジスタは両方向性であり、データ流の方向は単
にレジスタに与えられる制御信号成分のタイムシーケン
スによつて決定される。このようにして、外部のデータ
転送方向の制御線を必要としない。加えて、シフトレジ
スタのりセツトは、単に全制御信号成分を同時に低とし
その後制御信号シーケンスを再起動することによつて実
現される。
シフトレジスタの能動素子間に分離素子を必要としない
。分離素子、データ転送方向制御線およびりセツト制御
線の必要性がないので、チツプの単位面積当りの密度が
高い単純化された構造が可能になる。本発明の一つの選
択された実施例は、説明を目的として本文中に述べられ
ているが、この実施例に対して多種多様の修正や変更を
行なうことができることは明白である。
特許請求の範囲によつて定義されるように、本発明の範
囲内含まれるすべての変化、修正を包含することを本発
明は意図している。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明のシフトレジスタの論理図であり、第
2図は、本発明のシフトレジスタの一ビツトの概要図で
あり、第3図は、本発明のシフトレジスタが第一の(前
)方向にデータをシフトするために利用される制御信号
を示した図であり、第4図は、本発明のシフトレジスタ
が第二の(逆)方向にデータをシフトするために必要な
制御信号を示した図である。 主要部分の符号の説明、A・・・・・・能動素子、B・
・・・・・ビツト、C・・・・・・制御信号入力、CL
K・・・・・・制御信号の成分、D・・・・・・データ
入力、G・・・・・・制御信号発生手段、J・・・・・
・インジエクタトランジスタ、R・・・・・・りセツト
制御手段、V・・・・・・インバータトランジスタ、1
0・・・・・・第一の端子、12・・・・・・制御端子
、14・・・・・・第二の端子、16・・・・・・制御
端子、18・・・・・・第一のインバータトランジスタ
端子、20・・・・・・第二のインバータトランジスタ
端子、22・・・・・・第三のインバータトランジスタ
端子。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 動作可能なように接続された所定数の能動素子を含
    むビットと、タイムシームケンスにおいて複数の成分を
    含む制御信号を発生する手段とを含み、該成分はそれぞ
    れ前記素子の異なる一つへ接続され、またパルスが存在
    する時その継続期間中該パルスが与えられた素子を付勢
    するパルスを少なくとも1つ含み、各素子はI^2Lユ
    ニットを含むシフトレジスタにおいて、各素子は隣接す
    る素子に動作可能なように交叉結合されており、前記制
    御信号成分の該タイムシーケンスは前記ビットを通るデ
    ータの転送方向を決定することを特徴とするシフトレジ
    スタ。 2 特許請求の範囲第1項に記載のレジスタにおいて、
    前記の成分は与えられたタイムシーケンスに従い発生し
    、前記タイムシーケンスは前記ビットを通るデータの転
    送方向を決定することを特徴とするI^2Lスタテイツ
    クシフシレジスタ。 3 特許請求の範囲第2項に記載のレジスタにおいて、
    前記タイムシーケンスを反転すると前記ビットを通るデ
    ータ転送方向の反転を生じることを特徴とするI^2L
    スタティックシフトレジスタ。 4 特許請求の範囲第1項に記載のレジスタにおいて、
    更に、前記ビットをリセットするための手段を含み、該
    リセット手段は、与えられた一定時間前記制御信号発生
    手段を消勢した後同手段を再起動するための手段を含む
    ことを特徴とするI^2Lスタティックシフトレジスタ
    。 5 特許請求の範囲第1項に記載のレジスタにおいて、
    前記成分の各々がパルス列を含むことを特徴とするI^
    2Lスタティックシフトレジスタ。 6 特許請求の範囲第5項に記載のレジスタにおいて、
    前記パルス列がオーバラップしていることを特徴とする
    I^2Lスタティックシフトレジスタ。 7 特許請求の範囲第5項に記載のレジスタにおいて、
    前記パルス列がノンオーバラップであることを特徴とす
    るI^2Lスタティックシフトレジスタ。 8 特許請求の範囲第1項に記載のレジスタにおいて、
    前記素子はそれぞれデータ入力およびデータ出力を有し
    、各素子のデータ入力は前位素子のデータ出力へ動作可
    能なように接続され、各素子のデータ出力は前位素子の
    データ入力に動作可能なように接続されていることを特
    徴とするI^2Lスタティックシフトレジスタ。 9 特許請求の範囲第1項に記載のレジスタにおいて、
    前記素子はそれぞれデータ入力およびデータ出力を有し
    、各素子のデータ出力は後位素子のデータ入力は後位素
    子のデータ出力へ動作可能なように接続されることを特
    徴とするI^2Lスタティックシフトレジスタ。 10 特許請求の範囲第1項に記載のレジスタにおいて
    、前記素子はそれぞれデータ入力およびデータ出力を有
    し、各素子のデータ入力が前位、後位両素子のデータ出
    力へ動作可能なように接続されることを特徴とするI^
    2Lスタティックシフトレジスタ。 11 特許請求の範囲第1項に記載のレジスタにおいて
    、各素子が隣接の両素子と動作可能なように交叉、結合
    されることを特徴とするI^2Lスタティックシフトレ
    ジスタ。 12 特許請求の範囲第1項に記載のレジスタにおいて
    、各素子は制御信号入力を含み、該制御信号入力は前記
    制御信号発生手段に動作可能に接続され、前記制御信号
    成分の異なる一つを受信することを特徴とするI^2L
    スタティックシフトレジスタ。 13 特許請求の範囲第1項に記載のレジスタにおいて
    、前記ユニットの各々は制御信号入力、インバータトラ
    ンジスタおよびインジェクタトランジスタを含み、前記
    インバータトランジスタと前記インジェクタトランジス
    タは動作可能なように前記制御信号入力と与えられた電
    位源の間に接続されることを特徴とするI^2Lスタテ
    ィックシフトレジスタ。 14 特許請求の範囲第13項に記載のレジスタにおい
    て、前記電位源は地気であることを特徴とするI^2L
    スタティックシフトレジスタ。 15 特許請求の範囲第13項に記載のレジスタにおい
    て、前記インジェクタトランジスタは制御端子と第一お
    よび第二の端子を含み、前記制御端子が動作可能なよう
    に与えられた電位源に接続され、前記第一の端子は動作
    可能なように前記制御信号入力へ接続され、前記第二の
    端子は動作可能なように前記インバータトランジスタへ
    接続されることを特徴とするI^2Lスタティックシフ
    トレジスタ。 16 特許請求の範囲15項に記載のレジスタにおいて
    、前記電位源は地気であることを特徴とするI^2Lス
    タティックシフトレジスタ。 17 特許請求の範囲第15項に記載のレジスタにおい
    て、前記インジェクタトランジスタの第一の端子をエミ
    ッタとすることを特徴とするI^2Lスタティックシフ
    トレジスタ。 18 特許請求の範囲第15項に記載のレジスタにおい
    て、前記インジェクタトランジスタの第二の端子をコレ
    クタとすることを特徴とするI^2Lスタティックシフ
    トレジスタ。 19 特許請求の範囲第13項に記載のレジスタにおい
    て、前記インバータトランジスタは制御端子ならびに第
    一、第二、および第三の端子を含くみ、前記インバータ
    トランジスタの前記制御端子は動作可能なように前記イ
    ンジエクタトランジスタへ接続され、前記第一のインバ
    ータトランジスタ端子は動作可能なように前記ユニツト
    へ接続され、前記第二のインバータトランジスタ端子は
    動作可能なように後位ユニツトへ接続され、前記第三の
    インバータトランジスタ端子は動作可能なように与えら
    れた電位源へ接続されることを特徴とするI^2Lスタ
    ティックシフトレジスタ。 20 特許請求の範囲第19項に記載のレジスタにおい
    て、前記電位源が地気であることを特徴とするI^2L
    スタテイツクシフトレジスタ。 21 特許請求の範囲第19項に記載のレジスタにおい
    て、前記第一および第二のインバータトランジスタ端子
    をコレクタすることを特徴とするI^2Lスタティック
    シフトレジスタ。 22 特許請求の範囲第19項に記載のレジスタにおい
    て、前記第三のインバータトランジスタ端子をエミッタ
    とすることを特徴とするI^2Lスタティックシフトレ
    ジスタ。 23 特許請求の範囲第19項に記載のレジスタにおい
    て、前記素子がデータ入力を持ち、前記インバータトラ
    ンジスタ制御端子は動作可能なように前記データ入力へ
    接続されることを特徴とするI^2Lスタティックシフ
    トレジスタ。 24 特許請求の範囲第15項に記載のレジスタにおい
    て、前記インバータトランジスタは制御端子ならびに第
    一、第二および第三の端子を含み、前記インバータトラ
    ンジスタの前記制御端子は動作可能なように前記インジ
    エクタトランジスタへ接続され、前記第一のインバータ
    トランジスタ端子は動作可能なように前位ユニツトへ接
    続され、前記第二のインバータトランジスタ端子は動作
    可能なように後位ユニツトへ接続され、前記第三インバ
    ータトランジスタ端子は動作可能なように与えられた電
    位源へ接続されることを特徴とするI^2Lスタティッ
    クシフトレジスタ。 25 特許請求の範囲第1項に記載のレジスタにおいて
    、各前記ビットは所定数のI^2Lユニットを含み、前
    記制御信号は前記所定数の成分を含んでいることを特徴
    とするI^2Lスタティックシフトレジスタ。 26 特許請求の範囲第25項に記載のレジスタにおい
    て、各々の前記成分は少くとも一つの正クロックパルス
    を含んでいることを特徴とするI^2Lスタティックシ
    フトレジスタ。 27 特許請求の範囲第26項に記載のレジスタにおい
    て、前記パルスシーケンスは前記素子の動作順序を決定
    することを特徴とするI^2Lスタティックシフトレジ
    スタ。 28 特許請求の範囲第26項に記載のレジスタにおい
    て、前記パルスの継続時間は前記素子の動作時間を決定
    することを特徴とするI^2Lスタティックシフトレジ
    スタ。
JP56002755A 1980-02-21 1981-01-13 シフトレジスタ Expired JPS5920195B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US123434 1980-02-21
US06/123,434 US4341960A (en) 1980-02-21 1980-02-21 I2 L Static shift register

Publications (2)

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JPS56130897A JPS56130897A (en) 1981-10-14
JPS5920195B2 true JPS5920195B2 (ja) 1984-05-11

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ID=22408665

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JP (1) JPS5920195B2 (ja)
DE (1) DE3106574C2 (ja)
FR (1) FR2476893A1 (ja)
GB (1) GB2070304B (ja)
IT (1) IT1145459B (ja)

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IT8147842A0 (it) 1981-02-19
GB2070304B (en) 1984-02-29
FR2476893B1 (ja) 1984-04-27
IT1145459B (it) 1986-11-05
GB2070304A (en) 1981-09-03
DE3106574A1 (de) 1982-03-04
US4341960A (en) 1982-07-27
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