JPS592008A - 埋め込み型石英光導波路の製造方法 - Google Patents
埋め込み型石英光導波路の製造方法Info
- Publication number
- JPS592008A JPS592008A JP57109795A JP10979582A JPS592008A JP S592008 A JPS592008 A JP S592008A JP 57109795 A JP57109795 A JP 57109795A JP 10979582 A JP10979582 A JP 10979582A JP S592008 A JPS592008 A JP S592008A
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- sputtering
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- waveguide
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/132—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by deposition of thin films
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は低損失にして温度安定性、長期信頼性に優れる
光集積回路用の埋め込み型石英光導波路の製造方法に関
するものである。
光集積回路用の埋め込み型石英光導波路の製造方法に関
するものである。
光フアイバ伝送技術の開発に伴い、従来空間中で行われ
た光分岐、光フィルタ、光分波等の機能を光導波回路で
実現することが望まれている。特に石英ガラスな媒質と
する光導波路は低損失が見込まれ、光ファイバとの結合
に適し、機械的にも化学的にも安定な導波路として期待
されるため、いくつかの製造法が提案されている。第１
図に化学蒸着法による石英光導波路の製造方法を示す（
文献：森他電子通信学会技術報告ＯＱＥ ８０−１３５
。
た光分岐、光フィルタ、光分波等の機能を光導波回路で
実現することが望まれている。特に石英ガラスな媒質と
する光導波路は低損失が見込まれ、光ファイバとの結合
に適し、機械的にも化学的にも安定な導波路として期待
されるため、いくつかの製造法が提案されている。第１
図に化学蒸着法による石英光導波路の製造方法を示す（
文献：森他電子通信学会技術報告ＯＱＥ ８０−１３５
。
１９８０ ）。スナワチ、マス７０−コントローラＭＦ
ＯＩによシ流量を制御された酸素を、８１０ｊ４． Ｇ
ｅ０１４． ＰＣｌ、 、 ＢＢｒ、の各蒸気を伴って
高温炉２に導入し、ここで導波路の主成分となるＳ１０
．及び不純物となるＧｅｍ、 、 Ｐ、Ｏ，、Ｂ、０．
の微粒子を生成し、基板石英３上に堆積させた後、熱処
理によって透明ガラス化して導波路のコア４を形成する
ものである。この方法で作製した導波路は一様性が恋い
ため散乱損失が大きい上に、伝搬定数に一様性を要求さ
れる方向性結合器等の応用に不向きである。
ＯＩによシ流量を制御された酸素を、８１０ｊ４． Ｇ
ｅ０１４． ＰＣｌ、 、 ＢＢｒ、の各蒸気を伴って
高温炉２に導入し、ここで導波路の主成分となるＳ１０
．及び不純物となるＧｅｍ、 、 Ｐ、Ｏ，、Ｂ、０．
の微粒子を生成し、基板石英３上に堆積させた後、熱処
理によって透明ガラス化して導波路のコア４を形成する
ものである。この方法で作製した導波路は一様性が恋い
ため散乱損失が大きい上に、伝搬定数に一様性を要求さ
れる方向性結合器等の応用に不向きである。
ま九１５００°Ｃ程度の熱処理を伴うのでクランクも生
じやすい等の欠点がある。他の方法として発明者は先に
スパッタリングを用いる石英光導波路の製造方法を提案
した（特願昭５６−１９９４９０ ）。
じやすい等の欠点がある。他の方法として発明者は先に
スパッタリングを用いる石英光導波路の製造方法を提案
した（特願昭５６−１９９４９０ ）。
この方法は一様性及び熱処理を伴わない点で上記の化学
蒸着法よシ優れているが、熱処理により石英ガラスを溶
かしこむプロセメがないため、任意の凹凸上に導波路を
作製して埋めこむことができない。たとえば、石英基板
上に設けた１０μｍ角の溝や約１７１ｍピッチのグレー
ティングの上に石英をスパッタすると、埋め込まれずに
中空部を生ずる。
蒸着法よシ優れているが、熱処理により石英ガラスを溶
かしこむプロセメがないため、任意の凹凸上に導波路を
作製して埋めこむことができない。たとえば、石英基板
上に設けた１０μｍ角の溝や約１７１ｍピッチのグレー
ティングの上に石英をスパッタすると、埋め込まれずに
中空部を生ずる。
第２図に本発明者による実験及び顕微鏡観察によシ得ら
れた断面図を示す。（ａ）は１０μｍ角の溝、（ｂ）は
（ａ）図に示す溝の上に石英をスパッタした状態を示す
。（０）＋１約１μｍピッチのグレーティングの場合で
ある。３は石英基板、４はスパッタした石英膜、５は中
空部を示す。この結果かられかるように、上記の方法で
は凹凸をつけた基板を埋めこむことができず、これが埋
め込み型環波路の作製法としては致命的な欠点となって
いる。
れた断面図を示す。（ａ）は１０μｍ角の溝、（ｂ）は
（ａ）図に示す溝の上に石英をスパッタした状態を示す
。（０）＋１約１μｍピッチのグレーティングの場合で
ある。３は石英基板、４はスパッタした石英膜、５は中
空部を示す。この結果かられかるように、上記の方法で
は凹凸をつけた基板を埋めこむことができず、これが埋
め込み型環波路の作製法としては致命的な欠点となって
いる。
本発明はこれらの欠点を除去するため、スパッタリング
時に基板側−に−ＲＦ電力を、印−加することによシ基
板の溝や突起を完全に埋めこんでコアを形成する光縛波
路製造法を提案することを目的とする。
時に基板側−に−ＲＦ電力を、印−加することによシ基
板の溝や突起を完全に埋めこんでコアを形成する光縛波
路製造法を提案することを目的とする。
前記の目的を達成するため、本発明は石英又は石英にド
ーパントを添加したものをターゲットとするスパッタリ
ングによシ石英基板上に基板よシ屈折率の高い石英層を
堆積させ、該石英層を導波路のコアとすべき所望の形状
を残してエツチングしたものの上に、再び石英をターゲ
ットとするスパッタリングによりクラッドとすべき石英
層を堆積させてコアを埋め込むプロセスにおいて、第二
回目のスパッタリングの際、ＲＦ電力を基板側電極に印
加することを特徴とする埋め込み型石英光導波路の作製
方法１を発明の要旨とするものである。
ーパントを添加したものをターゲットとするスパッタリ
ングによシ石英基板上に基板よシ屈折率の高い石英層を
堆積させ、該石英層を導波路のコアとすべき所望の形状
を残してエツチングしたものの上に、再び石英をターゲ
ットとするスパッタリングによりクラッドとすべき石英
層を堆積させてコアを埋め込むプロセスにおいて、第二
回目のスパッタリングの際、ＲＦ電力を基板側電極に印
加することを特徴とする埋め込み型石英光導波路の作製
方法１を発明の要旨とするものである。
さらに本発明は石英基板上に導波路のコアとすべき所望
の形状をし丸溝をエツチングにょシ設け、石英又は石英
にドーパントを添加したものをターゲットとするスパッ
タリングにょシ該石英基板上に基板よシ屈折率の高い石
英層を堆積させるに際し、ＲＰ電力を基板側電極に印加
しながらターゲツト材で前出の溝を埋め、かつ表面が平
面になるまで堆積させた後、石英基板の最初の表面が現
れるまでエツチングし、再び石英をターゲットとするス
パッタリングによルクラッドとすべき石英層を堆積させ
ることを特徴とする埋め込み型石英先導波路の製造方法
を発明の要旨とするものである。
の形状をし丸溝をエツチングにょシ設け、石英又は石英
にドーパントを添加したものをターゲットとするスパッ
タリングにょシ該石英基板上に基板よシ屈折率の高い石
英層を堆積させるに際し、ＲＰ電力を基板側電極に印加
しながらターゲツト材で前出の溝を埋め、かつ表面が平
面になるまで堆積させた後、石英基板の最初の表面が現
れるまでエツチングし、再び石英をターゲットとするス
パッタリングによルクラッドとすべき石英層を堆積させ
ることを特徴とする埋め込み型石英先導波路の製造方法
を発明の要旨とするものである。
次に本発明の実施例を添附図面について説明する。なお
実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しな
い範囲内で、種々の変更あるい社改良を行いうろことは
云うまでも次い。
実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱しな
い範囲内で、種々の変更あるい社改良を行いうろことは
云うまでも次い。
第３図は本発明による光導波路の作製手順を示す実施例
である。図において３は基板石英ガラス、４はスパッタ
リングにより堆積させたコアガラス、６は石英をドライ
エッチするためのマスクとして用いるＴ１蒸着膜、７は
フォトレジスト、８はスパッタリングによシ堆積させた
クラッドガラスである。（ａ）は基板３の上にコアガラ
ス４を堆積させ、Ｔ１膜６を蒸着した上にフォトレジス
トアをスピナによル塗布した状態である。（ｂ）は導波
路パターンを残しレジストを除去した状態であ）、（ｃ
）でそのルジストをマスクとしてＴ１をエツチングし、
（ａ）ではそのＴ１をマスクとしてコアガラス４をエッ
チンクスる。（ｅ）では突起状に残ったコアガラス４の
上にクラッドとなる石英ガラス８をスパッタリングによ
ル堆積させる。通常のスパッタリングでは第２図のよう
に空隙が生じる。本実施例では基板側電極にもＲＦ電力
を加えることにょシ空隙の発生を防ぎ、第３図（ｅ）の
ようにコアを完全に埋め込みながらクラッドを堆積させ
ることを実現したものである。基板側にＲＦ電力を加え
ることによル空隙の発生を防ぐプロセスの機構は次のよ
うに解釈できる。まず、通常のスパッタリングでは堆積
する石英微粒子の付着に方向性がないため、基板に段差
がある所では段差の上面を覆うようにオーバーハング状
に堆積して行く。第４図（ａ）にその様子を示した。オ
ーバーハングの下の部分は影となるので石英粒子が届か
ず、空隙となる。そのまま堆積を続けると（ｂ）に示す
ように空隙５を残したまま堆積される。一方、基板側に
もＲＦ電力を印加した場合、堆積とエツチングが同時に
進行する。堆積が当方内的であるのに対し、エツチング
は傾斜のついた面はど速く進行する（文献：Ｓ。
である。図において３は基板石英ガラス、４はスパッタ
リングにより堆積させたコアガラス、６は石英をドライ
エッチするためのマスクとして用いるＴ１蒸着膜、７は
フォトレジスト、８はスパッタリングによシ堆積させた
クラッドガラスである。（ａ）は基板３の上にコアガラ
ス４を堆積させ、Ｔ１膜６を蒸着した上にフォトレジス
トアをスピナによル塗布した状態である。（ｂ）は導波
路パターンを残しレジストを除去した状態であ）、（ｃ
）でそのルジストをマスクとしてＴ１をエツチングし、
（ａ）ではそのＴ１をマスクとしてコアガラス４をエッ
チンクスる。（ｅ）では突起状に残ったコアガラス４の
上にクラッドとなる石英ガラス８をスパッタリングによ
ル堆積させる。通常のスパッタリングでは第２図のよう
に空隙が生じる。本実施例では基板側電極にもＲＦ電力
を加えることにょシ空隙の発生を防ぎ、第３図（ｅ）の
ようにコアを完全に埋め込みながらクラッドを堆積させ
ることを実現したものである。基板側にＲＦ電力を加え
ることによル空隙の発生を防ぐプロセスの機構は次のよ
うに解釈できる。まず、通常のスパッタリングでは堆積
する石英微粒子の付着に方向性がないため、基板に段差
がある所では段差の上面を覆うようにオーバーハング状
に堆積して行く。第４図（ａ）にその様子を示した。オ
ーバーハングの下の部分は影となるので石英粒子が届か
ず、空隙となる。そのまま堆積を続けると（ｂ）に示す
ように空隙５を残したまま堆積される。一方、基板側に
もＲＦ電力を印加した場合、堆積とエツチングが同時に
進行する。堆積が当方内的であるのに対し、エツチング
は傾斜のついた面はど速く進行する（文献：Ｓ。
Ｍａｔｕｏ、 ＪＪＡＰ、 ｖｏｗ、 １５． Ｎｏ、
７． ｐ、 １２５３． （１９７６） ）。
７． ｐ、 １２５３． （１９７６） ）。
従って横方向の堆積は抑制され、逆に（ｃ）に示すよう
に壁がけずられながら堆積するので台形状になる。従っ
てスパッタされた石英微粒子が溝の中に到達するのを妨
げる。ものが無くなるので、（、ｉ）のように溝の埋め
こみが完全に行われる。なお、＝ （ａ）〜（ｄ）の各
段階共、本発明者による実験結果を断面観察することに
よシ得られた。実験的にはターゲットに印加する単位面
積当シのＲＦ電力の１／７〜１／１ｏのＲＦパワーを基
板にも印加すれば、溝の埋めこみを行うことができた。
に壁がけずられながら堆積するので台形状になる。従っ
てスパッタされた石英微粒子が溝の中に到達するのを妨
げる。ものが無くなるので、（、ｉ）のように溝の埋め
こみが完全に行われる。なお、＝ （ａ）〜（ｄ）の各
段階共、本発明者による実験結果を断面観察することに
よシ得られた。実験的にはターゲットに印加する単位面
積当シのＲＦ電力の１／７〜１／１ｏのＲＦパワーを基
板にも印加すれば、溝の埋めこみを行うことができた。
具体的にはターゲット側のパワーを”Ｖｃｍ２＊基板側
を帆３−意とした。
を帆３−意とした。
第５図に本実、施例で用いたＲＦスパッタ装置を示す。
３は石英基板、９は基板側電極、１０は基板側のＲＦ電
源、１１は石英又はドーグ材を含む石英のターゲット、
１２はターゲット側電極、１３はターゲット側ＲＦ電源
、１４はシャッタ、 １５はペルジャーで、１４．１
５はアースされている。
源、１１は石英又はドーグ材を含む石英のターゲット、
１２はターゲット側電極、１３はターゲット側ＲＦ電源
、１４はシャッタ、 １５はペルジャーで、１４．１
５はアースされている。
第６図は本発明の他の実施例を示す。前の実施例と異る
と仁ろは、第３図では（ａ）のようにコア部を突起状に
残したのに対し、本実施例ではコア部を溝の中に埋めこ
む点が異っている。即ち、（ａ）基板３の上にＴ１膜６
を蒸着した上に７オトレジスト７を塗布し、（ｂ）４波
路パターンの部分のレジストを除去し、（Ｃ）そのパタ
ーンを７１膜に転写する。
と仁ろは、第３図では（ａ）のようにコア部を突起状に
残したのに対し、本実施例ではコア部を溝の中に埋めこ
む点が異っている。即ち、（ａ）基板３の上にＴ１膜６
を蒸着した上に７オトレジスト７を塗布し、（ｂ）４波
路パターンの部分のレジストを除去し、（Ｃ）そのパタ
ーンを７１膜に転写する。
（ａ）Ｔｔ膜をマスクとして石英基板にコアとなる溝を
エツチングによシ設け、ついでフォトレジスト７を除去
する。（ｅ）スパッタリング法によりコアとなる石英ガ
ラス４を溝に埋めこむ。このとき前の実施例と同様、タ
ーゲット側ＲＦ電力の程度のＲＦ電力を基板側に印加す
る。コアガラスの堆積を十分行うと（ｅ）のように上面
が平らになる。次に（ｆ）に示すように元の基板３の面
゛までコアガラス４をエツチングする。その上にクラッ
ドガラス８をスパッタリングによシ堆積させ、（ｇ）に
示すようにコアガラスを基板３の溝内に埋め−込む。
エツチングによシ設け、ついでフォトレジスト７を除去
する。（ｅ）スパッタリング法によりコアとなる石英ガ
ラス４を溝に埋めこむ。このとき前の実施例と同様、タ
ーゲット側ＲＦ電力の程度のＲＦ電力を基板側に印加す
る。コアガラスの堆積を十分行うと（ｅ）のように上面
が平らになる。次に（ｆ）に示すように元の基板３の面
゛までコアガラス４をエツチングする。その上にクラッ
ドガラス８をスパッタリングによシ堆積させ、（ｇ）に
示すようにコアガラスを基板３の溝内に埋め−込む。
第７図は本発明をグレーティングの埋め込みに応用する
例を示す。１６はコアガラスの上面に設けたグレーティ
ングを示す。（ａ＞石英基板３の上にスパッタリングに
よシコアガラス４を堆積させる。
例を示す。１６はコアガラスの上面に設けたグレーティ
ングを示す。（ａ＞石英基板３の上にスパッタリングに
よシコアガラス４を堆積させる。
（ｂ）コアガラスの上にグレーティングを形成する。
グレーティングの形成には干渉篇光法及び石英のドライ
エツチングが利用できる。（Ｃ）前出の実施例と同様に
、基板側にもＲＦ電力を印加しながら、クラッドとなる
石英をスパッタリングにより堆積させる。実験的には１
μｍのピッチ、深さ０．５μｍのグレーティングの上に
石英ガラスをスパッタするとき、ターゲット側ＲＦ電力
を” ８”ｆｆｉ” １基板側を” １６”／Ｃｍ ！
とした。その結果第６図（ｃ）のように完全に埋めこま
れることを、断面の電子顕微鏡観察によシ確認した。
エツチングが利用できる。（Ｃ）前出の実施例と同様に
、基板側にもＲＦ電力を印加しながら、クラッドとなる
石英をスパッタリングにより堆積させる。実験的には１
μｍのピッチ、深さ０．５μｍのグレーティングの上に
石英ガラスをスパッタするとき、ターゲット側ＲＦ電力
を” ８”ｆｆｉ” １基板側を” １６”／Ｃｍ ！
とした。その結果第６図（ｃ）のように完全に埋めこま
れることを、断面の電子顕微鏡観察によシ確認した。
なお、本発明で用いるターゲットとしては、化学蒸着法
によシネ細物を添加したもの（文献：特願昭５６−１９
９４９０ ）の他、石英と不純物の焼結体等も利用でき
るが、さらに純粋石英そのものを用いてもコアとクラッ
ドの屈折率差を設けることができる。これはスパッタリ
ングによシ堆積する石英の屈折率をターゲットの屈折率
よシわずかに高くできることによる。例えば、Ａｒ圧力
ｌＸｌ０−’Ｔｏｒｒ 、ターゲット側ＲＦ電力１７０
Ｗのとき、比屈折率差０．２９％が得られた。これは導
波路に要求される比屈折率差として十分な大きさである
。
によシネ細物を添加したもの（文献：特願昭５６−１９
９４９０ ）の他、石英と不純物の焼結体等も利用でき
るが、さらに純粋石英そのものを用いてもコアとクラッ
ドの屈折率差を設けることができる。これはスパッタリ
ングによシ堆積する石英の屈折率をターゲットの屈折率
よシわずかに高くできることによる。例えば、Ａｒ圧力
ｌＸｌ０−’Ｔｏｒｒ 、ターゲット側ＲＦ電力１７０
Ｗのとき、比屈折率差０．２９％が得られた。これは導
波路に要求される比屈折率差として十分な大きさである
。
以上説明したように、本発明によれば石英のスパッタリ
ングのみを用いて複雑な構造の導波路のコア及びクラッ
ドを堆積させるため、全工程が低温ドライプロセスで統
一される。従って大量生産に向いて゛いるの曝ならず、
熱処理に伴う破損や変形がない。またスパッタリングに
よる膜は均一で散乱が少いので、よシ低損失で精度の高
い導波回路素子の作製が可能である等の利点を有する。
ングのみを用いて複雑な構造の導波路のコア及びクラッ
ドを堆積させるため、全工程が低温ドライプロセスで統
一される。従って大量生産に向いて゛いるの曝ならず、
熱処理に伴う破損や変形がない。またスパッタリングに
よる膜は均一で散乱が少いので、よシ低損失で精度の高
い導波回路素子の作製が可能である等の利点を有する。
□
第１図は従来の化学蒸着法による石英光導波路製造装置
、第２図（ａ）〜（ｃ）は通常の石英のスパッタリング
によシ生ずる空隙を示す導波路断面図、第３図（ａ１〜
（θ）は本発明による製造プロセスを説明する図、第４
図（ａ）〜（ｄ）はスパッタリングによる空隙他の実施
例を示す説明図、第７図（ａ）〜（０）図は本発明をグ
レーティング付き導波路の製蚕に応用したときのプロセ
スを示す。 ｌ・・マスフローコントローラ、２・・・高温炉、３・
・・石英基板、４・・・コアとなる石英ガラス、５・・
・空隙、６・・・Ｔ１蒸着膜、７・・・フォトレジスト
、８・・・クラッドとなる石英ガラス、９・・・基板側
電極、１０・・・ＲＦ電源、１１・・・ターゲット、１
２・・・ターゲット側電極、１３・・・ＲＦ電源、１４
・・シャッタ、１５・・・ペルジャー、１６・・・グレ
ーティング特許出願人 第２図 第３図 第６図 ＝４３− 第７図 （ａ）
、第２図（ａ）〜（ｃ）は通常の石英のスパッタリング
によシ生ずる空隙を示す導波路断面図、第３図（ａ１〜
（θ）は本発明による製造プロセスを説明する図、第４
図（ａ）〜（ｄ）はスパッタリングによる空隙他の実施
例を示す説明図、第７図（ａ）〜（０）図は本発明をグ
レーティング付き導波路の製蚕に応用したときのプロセ
スを示す。 ｌ・・マスフローコントローラ、２・・・高温炉、３・
・・石英基板、４・・・コアとなる石英ガラス、５・・
・空隙、６・・・Ｔ１蒸着膜、７・・・フォトレジスト
、８・・・クラッドとなる石英ガラス、９・・・基板側
電極、１０・・・ＲＦ電源、１１・・・ターゲット、１
２・・・ターゲット側電極、１３・・・ＲＦ電源、１４
・・シャッタ、１５・・・ペルジャー、１６・・・グレ
ーティング特許出願人 第２図 第３図 第６図 ＝４３− 第７図 （ａ）
Claims (2)
- （１）石英又味石英にドーパントを添加し念ものをター
ゲットとするスパッタリングによシ石英基板上に基板よ
ル屈折率の高い石英層を堆積させ、該石英層を導波路の
コアとすべき所望の形状を残してエツチングしたものの
上に、再び石英をターゲットとするスパッタリングによ
シフラッドとすべき石英層を堆積させてコアを埋め込む
プロセスにおいて、第二回目のスパッタリングの際、Ｒ
Ｆ電力を基板側電極に印加することを特徴とする埋め込
み型石英光導波路の作製方法。 - （２）石英基板上に導波路のコアとすべき所望の形状を
した溝をエツチングによジ設け、石英又は石英にドーパ
ント′ｆｒ：添加したものをターゲットとするスパッタ
リングによりｉ石英基板上に基板よシ屈折率の高い石英
層を堆積させるに際し、ＲＦ電力を基板側電極に印加し
ながらターゲツト材で前記の溝を埋め、かつ表面が平面
になるまで堆積させた後、石英基板の最初の表面が現れ
るまでエツチングし、再び石英をターゲットとするスパ
ッタリングによシフラッドとすべき石英層を堆積させる
ことを特徴とする坤め込み型石英光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57109795A JPS592008A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 埋め込み型石英光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57109795A JPS592008A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 埋め込み型石英光導波路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592008A true JPS592008A (ja) | 1984-01-07 |
| JPH0145881B2 JPH0145881B2 (ja) | 1989-10-05 |
Family
ID=14519409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57109795A Granted JPS592008A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 埋め込み型石英光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592008A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2565701A1 (fr) * | 1984-06-11 | 1985-12-13 | Gen Electric Co Plc | Procede de fabrication de guides d'ondes optiques integres et guide d'onde optique produit par sa mise en oeuvre |
| EP0178579A2 (en) * | 1984-10-19 | 1986-04-23 | Hitachi, Ltd. | Mechanical part mounting chassis |
| EP0205284A2 (en) * | 1985-06-12 | 1986-12-17 | THE GENERAL ELECTRIC COMPANY, p.l.c. | Optical waveguides |
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-
1982
- 1982-06-28 JP JP57109795A patent/JPS592008A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0145881B2 (ja) | 1989-10-05 |
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