JPS59200419A - 大面積露光装置 - Google Patents
大面積露光装置Info
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- JPS59200419A JPS59200419A JP58073817A JP7381783A JPS59200419A JP S59200419 A JPS59200419 A JP S59200419A JP 58073817 A JP58073817 A JP 58073817A JP 7381783 A JP7381783 A JP 7381783A JP S59200419 A JPS59200419 A JP S59200419A
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 244000089486 Phragmites australis subsp australis Species 0.000 description 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、大面積平面液晶ディスプレイ製造工程に必要
な大面積ｇ光装置に関する。
な大面積ｇ光装置に関する。
近年、アモルクラスシリコンＴＰＴ６るいはポリシリコ
ンＴＰＴをスイッチング素子として用いたアクティブマ
トリックス液晶ディスプレイの試作開廃が活発化してい
る。特に、上記半導体薄膜が低温で形成できるため、薄
膜半導体装置を構成するための基板が特に限定されず、
又、従来の露光技術，エツチング技術等のパターン形成
法もそのまま使用出来大面積基板への集積化も可能であ
るなどの利点を有する、しかも低コスト化の可能性が高
いことから薄型，低電圧，低消費電力液晶ディスプレイ
の応用は極めて広くなる。
ンＴＰＴをスイッチング素子として用いたアクティブマ
トリックス液晶ディスプレイの試作開廃が活発化してい
る。特に、上記半導体薄膜が低温で形成できるため、薄
膜半導体装置を構成するための基板が特に限定されず、
又、従来の露光技術，エツチング技術等のパターン形成
法もそのまま使用出来大面積基板への集積化も可能であ
るなどの利点を有する、しかも低コスト化の可能性が高
いことから薄型，低電圧，低消費電力液晶ディスプレイ
の応用は極めて広くなる。
現在ａ−ＳｉＴＦＴ液晶ディスプレイの大きさとして対
角３インチ〜７インチまでのものが試作されている。こ
れらの大きさは露光装置の能力で決められるものである
。
角３インチ〜７インチまでのものが試作されている。こ
れらの大きさは露光装置の能力で決められるものである
。
第１図および第２図は従来の露光装置の概略的に示した
図である。これらの図において１は基板、２はホトレジ
スト，３はマスク，４は光源である。これらの露光装置
は結晶Ｓｉ等のプロセス工程を対象にしたものであシ、
Ｓｉウエハーノ大キさが現在２インチ〜５インチ等で套
る為、第１図、第２図の方式で充分満足な露光技術が得
られている。しかしながらアモルファスＴＰＴ液晶ディ
スプレイは基板に安価なガラスを使用する為、さらに大
きなディスプレイが製作可能であるが、第１図の方式で
は５インチ基板以上は不可能である。
図である。これらの図において１は基板、２はホトレジ
スト，３はマスク，４は光源である。これらの露光装置
は結晶Ｓｉ等のプロセス工程を対象にしたものであシ、
Ｓｉウエハーノ大キさが現在２インチ〜５インチ等で套
る為、第１図、第２図の方式で充分満足な露光技術が得
られている。しかしながらアモルファスＴＰＴ液晶ディ
スプレイは基板に安価なガラスを使用する為、さらに大
きなディスプレイが製作可能であるが、第１図の方式で
は５インチ基板以上は不可能である。
又、第２図の方式では露光むら等が生じて満足な露光条
件が得られない大きな問題がある。
件が得られない大きな問題がある。
従来の露光装置では出来ない、大面積基板の露光を可能
にし、かつ露光むらのない露光を目的とする大面積露光
装置を提供することにおる。
にし、かつ露光むらのない露光を目的とする大面積露光
装置を提供することにおる。
本発明においては、従来方式の露光装置とはまったく異
なり光源とホトマスクが円筒形ドラムと一体となシ同−
回転、前進機構を持ち、レジスト表面を露光する。
なり光源とホトマスクが円筒形ドラムと一体となシ同−
回転、前進機構を持ち、レジスト表面を露光する。
本発明によれは、円筒形ドラムを交換することにより、
ドラムの円周と同等の大きさの基板を露光する事が出来
、Ａ４サイズの大きさも充分可能でアシ、かつ露光むら
のないパターニングが得られる。
ドラムの円周と同等の大きさの基板を露光する事が出来
、Ａ４サイズの大きさも充分可能でアシ、かつ露光むら
のないパターニングが得られる。
以下に本発明の具体的な実施例を説明する。
第３図は本発明の露光装置の概略１図である。まず試作
した露光装置を説明する。まず透明円筒ドラムロ、は石
英管両面ポリッシュしたもので外径８０Ｍ、肉厚３ｍｍ
、長さ２００ｍｍの円筒物を作り、次に石英ドラムの内
側に熱反射膜（ＩｎｚＯａ 、８ｎＯｚ）８、を１００
ＯＡコーテイングし、ドラム両端に回転支持用ガイド１
３を作シ、ドラム外周にフィルムマスク３、長さ２１０
ｍ、巾１−５０ｍｍのものを密着よく巻きつけマスク一
端を固定し、ドラム内に高圧水銀燈光源（５００Ｗ）４
をセットし、ドラム両端を不透明円板でフタをし、ドラ
ム支持ノ（−１１にセットし、さらに光防止カバー７を
支持バー１１と、１２．１２’で固定し、回転支持ガイ
ド１３と回転モーター１４と直結する。なお、このドラ
ム外径８０鵬を用いると円周２５０ｍｍとなり、２５０
Ｘ２００ｍｍ程度の基板でおれば充分露光可能である。
した露光装置を説明する。まず透明円筒ドラムロ、は石
英管両面ポリッシュしたもので外径８０Ｍ、肉厚３ｍｍ
、長さ２００ｍｍの円筒物を作り、次に石英ドラムの内
側に熱反射膜（ＩｎｚＯａ 、８ｎＯｚ）８、を１００
ＯＡコーテイングし、ドラム両端に回転支持用ガイド１
３を作シ、ドラム外周にフィルムマスク３、長さ２１０
ｍ、巾１−５０ｍｍのものを密着よく巻きつけマスク一
端を固定し、ドラム内に高圧水銀燈光源（５００Ｗ）４
をセットし、ドラム両端を不透明円板でフタをし、ドラ
ム支持ノ（−１１にセットし、さらに光防止カバー７を
支持バー１１と、１２．１２’で固定し、回転支持ガイ
ド１３と回転モーター１４と直結する。なお、このドラ
ム外径８０鵬を用いると円周２５０ｍｍとなり、２５０
Ｘ２００ｍｍ程度の基板でおれば充分露光可能である。
上記装置を使用して、ガラス基板１．２１０Ｘ１５０
Ｘ Ｏ，２ｍｍｔの大きさの上にＡ）、５を２００ＯＡ
蒸着し、さらにネガレジスト２を塗布し、ドラムをスタ
ート・マークにセットし、２１ｍｍ／ｍｉｎの早さで回
転モーターでスキャンをした。露光された基板を現像１
分、３０秒、リンス１分、ディプででレジストが切れた
。又回転モーターでスキャン速度を変える事でさらに量
的露光条件を求める事も出来た。又面内分布も少く、本
発明露光装置を用いる事によシ大面積基板の露光が可能
となった。
Ｘ Ｏ，２ｍｍｔの大きさの上にＡ）、５を２００ＯＡ
蒸着し、さらにネガレジスト２を塗布し、ドラムをスタ
ート・マークにセットし、２１ｍｍ／ｍｉｎの早さで回
転モーターでスキャンをした。露光された基板を現像１
分、３０秒、リンス１分、ディプででレジストが切れた
。又回転モーターでスキャン速度を変える事でさらに量
的露光条件を求める事も出来た。又面内分布も少く、本
発明露光装置を用いる事によシ大面積基板の露光が可能
となった。
以上のように本発明露光装置を用いる事によシ、大面積
基板の露光が可能となシ、露光条件も簡単に求められ、
面内露光むらも少く、平面液晶ディスプレイ製作露光工
程には最適でおる。
基板の露光が可能となシ、露光条件も簡単に求められ、
面内露光むらも少く、平面液晶ディスプレイ製作露光工
程には最適でおる。
、本発明は上記実施例平面ディスプレイに限定されず、
大形サーマルヘッド、密着センサー等の大面積パターン
にも最適である。
大形サーマルヘッド、密着センサー等の大面積パターン
にも最適である。
第１図および第２図は従来構造の露光装置の断面図、第
３図は本発明大面積露光装置の断面図である。 図において、 １・・・透明ガラス基板 １／・・・ステージ、２・・
・レジスト、３・・・フィルムマスク、４・・・光源（
高圧水銀燈）、５・・・ＡＪ１６・・・透明石英ドラム
、７・・・光防止板、８・・・熱反射膜（Ｉｎ ２０３
、５ｎＯｚ） 、９−真空チャックライン、１０・・
・基板ステージ、１１・・・ドラム支持バー、１２．１
２’・・・光防止板支持治具、１３・・・ドラム回転支
持用ガイド、１４・・・回転モーター。
３図は本発明大面積露光装置の断面図である。 図において、 １・・・透明ガラス基板 １／・・・ステージ、２・・
・レジスト、３・・・フィルムマスク、４・・・光源（
高圧水銀燈）、５・・・ＡＪ１６・・・透明石英ドラム
、７・・・光防止板、８・・・熱反射膜（Ｉｎ ２０３
、５ｎＯｚ） 、９−真空チャックライン、１０・・
・基板ステージ、１１・・・ドラム支持バー、１２．１
２’・・・光防止板支持治具、１３・・・ドラム回転支
持用ガイド、１４・・・回転モーター。
Claims (2)
- （１）光源とホトマスクが透明円筒形ドラムの内側、外
側で一体とな９同一回転、前進機構を行い露光する事ｔ
−特徴とする大面積露光装置。 - （２）光源側円筒形ドラムの内側に熱反射材料として透
明導電膜（Ｉｎ２ｏ３．Ｓｎｏｗ）をコーティングした
事を特徴とする特許 の大面積露光装置。 （３》ノーコンタクト方式，コンタクト方式の安定した
ギャップ設定機構を持つ事ｔ−特徴とする前記特許請求
の範囲第１項記載の大面積露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073817A JPS59200419A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 大面積露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073817A JPS59200419A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 大面積露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59200419A true JPS59200419A (ja) | 1984-11-13 |
Family
ID=13529083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58073817A Pending JPS59200419A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 大面積露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59200419A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012032837A (ja) * | 2006-09-08 | 2012-02-16 | Nikon Corp | マスク、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| US8182982B2 (en) | 2008-04-19 | 2012-05-22 | Rolith Inc | Method and device for patterning a disk |
| US8192920B2 (en) | 2008-04-26 | 2012-06-05 | Rolith Inc. | Lithography method |
| WO2013049367A2 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Rolith, Inc. | Plasmonic lithography using phase mask |
| US8425789B2 (en) | 2007-06-09 | 2013-04-23 | Rolith, Inc. | Method and apparatus for anisotropic etching |
| US8518633B2 (en) | 2008-01-22 | 2013-08-27 | Rolith Inc. | Large area nanopatterning method and apparatus |
| US20150064628A1 (en) * | 2012-04-17 | 2015-03-05 | The Regents Of The University Of Michigan | Methods for making micro- and nano-scale conductive grids for transparent electrodes and polarizers by roll to roll optical lithography |
| US9069244B2 (en) | 2010-08-23 | 2015-06-30 | Rolith, Inc. | Mask for near-field lithography and fabrication the same |
| CN105171985A (zh) * | 2008-01-22 | 2015-12-23 | 罗利诗公司 | 大面积纳米图案化方法和设备 |
| US9465296B2 (en) | 2010-01-12 | 2016-10-11 | Rolith, Inc. | Nanopatterning method and apparatus |
| JP2017045067A (ja) * | 2012-03-27 | 2017-03-02 | 株式会社ニコン | マスク装着装置及び露光装置 |
| JP2017090935A (ja) * | 2012-03-15 | 2017-05-25 | 株式会社ニコン | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP58073817A patent/JPS59200419A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012032837A (ja) * | 2006-09-08 | 2012-02-16 | Nikon Corp | マスク、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| US8425789B2 (en) | 2007-06-09 | 2013-04-23 | Rolith, Inc. | Method and apparatus for anisotropic etching |
| CN105171985A (zh) * | 2008-01-22 | 2015-12-23 | 罗利诗公司 | 大面积纳米图案化方法和设备 |
| US8518633B2 (en) | 2008-01-22 | 2013-08-27 | Rolith Inc. | Large area nanopatterning method and apparatus |
| US9645504B2 (en) | 2008-01-22 | 2017-05-09 | Metamaterial Technologies Usa, Inc. | Large area nanopatterning method and apparatus |
| US8182982B2 (en) | 2008-04-19 | 2012-05-22 | Rolith Inc | Method and device for patterning a disk |
| US8192920B2 (en) | 2008-04-26 | 2012-06-05 | Rolith Inc. | Lithography method |
| US9465296B2 (en) | 2010-01-12 | 2016-10-11 | Rolith, Inc. | Nanopatterning method and apparatus |
| US9069244B2 (en) | 2010-08-23 | 2015-06-30 | Rolith, Inc. | Mask for near-field lithography and fabrication the same |
| WO2013049367A2 (en) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Rolith, Inc. | Plasmonic lithography using phase mask |
| WO2013049367A3 (en) * | 2011-09-30 | 2013-05-23 | Rolith, Inc. | Plasmonic lithography using phase mask |
| JP2017090935A (ja) * | 2012-03-15 | 2017-05-25 | 株式会社ニコン | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
| JP2017045067A (ja) * | 2012-03-27 | 2017-03-02 | 株式会社ニコン | マスク装着装置及び露光装置 |
| US20150064628A1 (en) * | 2012-04-17 | 2015-03-05 | The Regents Of The University Of Michigan | Methods for making micro- and nano-scale conductive grids for transparent electrodes and polarizers by roll to roll optical lithography |
| US9720330B2 (en) * | 2012-04-17 | 2017-08-01 | The Regents Of The University Of Michigan | Methods for making micro- and nano-scale conductive grids for transparent electrodes and polarizers by roll to roll optical lithography |
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