JPS59179328A - モ−ルド方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の技術分野 本発明はモール１・方法、詳しくは例えは樹脂封止型半
導体装置のモール１・成型を行うトランスファ形成装置
において樹脂封止を行うために用いるモールド方法に関
する。

（２）技術の背景 以一ト樹脂封止型半Ｚ．４体装置のモールド金型を例に
説明すると、それの製造は第１図にｉ４１３分的にボさ
れるリードフレーム（一部υΔ破線で示す）を用いてな
され、同図において、■番，１モール１金型（１＆述ず
る）の下型の」一に配置されたりーＩ・ソｌ／（１） 一ム、２はタレーＩ，ル、；３はパイロワ１・穴、４は
ピ〉′チ、５は゛εールトパノゲーシ、６はり−１・を
ンＩマす。

」二記モール１ーパノう゛ーシ５しΔ′、モールド金型
に３１、り成型され、そのｌ−４％！．　ＩＩ金型に配
設されているキャヒティ　（後述する）にナソプ８が搭
載されワイヤポンディングが完了したり−１−フレーム
１を配置し、ｌ容部樹脂（ベレソ］・をン容融した熱硬
化性樹脂）に圧力をかむ）゛（下型のランナー１１、ゲ
ー１・］２を経てギャヒティ内に流し込む（モールドプ
レス）方法で行われる。モー刀用一パソケーシ５が成型
された後は、リーｌ、フレーム１から切り離し、ＩＪ−
１”　６を所定の形に変形して第２図に示す樹脂封止形
半導体装ｉｆ７を完成する。

第３図は」二記樹ＪＩＩ１利止を行う１ヘランスフア成
型装置の概１ｌｌ！｝断面図で、同図において１０ば上
型１４と｝型１５から成るモールド金型、１２はランナ
ー、１；３聞キヤヒうーイ、１６はン容１’Ｍ樹脂を受
けるカル、１７４；Ｉ：　４Δ・Ｉ脂ベレソｌ−１８（
以下にばｔｌへに４Ａ４脂という）に圧力をかげる注入
プランシャー、１９は注入プラン、ツヤ−Ｈ（かその中
で」二Ｆ連１１ｉ１＋を行うボットを小づ。

第３図し；二おい−（＋；Ｉ：　７Ｙｉ’ｉ　１１１７
４の人：めキャヒラーイ１３４；Ｉ：　：＋　＋固しか
示されないか、〕；１（祭にに１衾タートから白炙ター
ト１固のキャピティかモールド金型に設けられている。

かかる成型装置において、＋ｊｌ脂１８ｉ；Ｉ約Ｉｌ＋
良に加熱されているモールｌ金型１０から０躬’ｊ１ｔ
−１注入プランジヤー１８が図示ゼぬ駆動装置（例えは
油圧装置）によって降下されるごとによる圧力と（ｌ容
品（：　Ｌ、ｌ容品１ルた打５］月１１カル１６、ラン
・ナー１２、次いて図示しないゲー１−を経１−ＩＩ　
Ｌ　’Ｃ’ｉ−ヤヒ゛ラーイ＋＋＋内に送り込まれる。

Ｊべてのキャピティ１３に溶融樹脂が送り込ｉ１−．れ
ると注入プランジャー１７は十力へ仄り１ストロークか
終ｒする。

（３）Ｉｊｔ来技術と問題点 ｌ」：人プランジャー１７の降下圧力は、ｌｈ融］１１
１脂の送り込めか冗全に行われるよう例えば６（ＩＪ／
　ｃｍ’の４ｉｔ＋に保たれるか、溶融樹脂の例えε；
Ｊ注入プフンンヤー１７とボッＩ−内壁間の空隙への漏
れ４５′とり、ニー　、Ｊ：り樹脂の圧力か所＞ｆの値
に保たれてい）；１′いごとが経験され、不−ＩＥ々の
問題が生しζいる。

第４図４；Ｉ：　、、、ｌ−記汀人プランシ中−１７を
含むＩ・ランスファ成ｊＸｐ装置要部の概略断面Ｍで、
同図を参１ｊ（４すると注入プランジャー１７とボット
１９の間にはわずかの空隙かあろ（図では誇張して示し
である）。そのため１１．大プランジャー１７か−１・
降して溶副１樹脂に圧力をかりたとき、樹脂は上記空隙
内にも１Ｍ人し、その結果圧力降士を生しき−ｌる。

従来、ｉ；１記圧力降下を防１ヒするため、注入プラン
ジャ−１７の外周に２つの溝２２ａ才９よび２２１）を
設４：Ｉ−（イＺ＋。当該溝２２ａ、２２ｈがあるため
、空ｉｇｉに浸入しまた樹脂し、１、先ず一トカの１１
”＞　２２．ｌ内に留まり溝２２ｒＮを埋める。そして
樹脂は熱硬化性のものであるので、スＩ−「１−り終了
後冷却硬化してボット１９の壁に密着しあたかもＯリン
グが設けられたよう４「状態になる。このようＧこ形成
された熱硬化性樹脂４Ａ利をＯリンク部２＋ａと呼称す
ると、この０リンクＦ＄２］ａ４．二よりｉ多のストロ
ークにお番ノロ４削脂漏れか防止される。なお樹脂漏れ
が溝２２ａたけて十分（こ防１１−できない場合は、／
＋Ｙｊ２２ａの場合と同様にしく１一方の溝２２Ｆ」に
もＯリング部２１１）か形成されて樹脂漏れを防止する
。

上述した如く２つの／＋’？ｊ２２ａおよび２２１）を
注入プランシャ−１７に設けておくごとにより、２市の
ノール効果をもっ゛（樹脂漏れを防止することができる
が、その反面溝２２ａおよび２２１）に形成される０リ
ンク部２］ａ、２１ｂとボ・ノド１９の壁面とのＩＷ擦
によって注入プランジャー１７の樹脂２１にＪ−Ｊえる
圧力が減少することが確認されている。このように樹脂
２１の圧力が減少するとキャピテイ１３内への＋ＡＩ脂
注入が不十分となって、第２図に示す樹脂材ＩＬ型半導
体装置７のモール；−パンケージ５の内部に気泡が混入
したり外表面に欠けが／ニドしたりして不良品発生の原
因となる。しかし従来のモールドプレスでは、注入プラ
ンジャー１７に加えられる圧力は６０ｋｇ／　ｃｍ’　
と一定に保たれ、かつ値の変動がないように監視しては
いるが、樹脂２１に実際に与えられている圧力が監視さ
れているのではないので、摩擦によって減少した圧力分
を面実に補正することができず上述した圧力不足による
不良品発生を完全に防止することができない欠点がある
。

（５） （／ｌ）発明の目的 本発明は上記従来の問題点に漏ゐ、ＩＷ際による圧力（
ｔ〜トを監視し、溶副１樹脂に正しい圧力を加えること
ができるトランスファ成型装置における′む−ルトゾ１
／スを１に供することを目的とする。

（５）発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば、モールド成型を行う
モールドブレスに、モールｌ金型内の樹脂圧力を直接検
出する手段を設け、検出される圧力に応して、該樹脂の
注入圧を制御する様にしたごとを特徴とするモールド方
法を提供することＧこよって達成される。

（６）発明の実施例 以下本発明実施例を図面により詳説する。

第５図は本発明実施例を説明するための注入プランジャ
ーを含むトランスファ成型装置要部の概略断面図である
。

同図を参照すると、外形においては従来と同様にして２
つの？＋”／ｊ　２　］　ａおよび２２ｂを周囲に設け
たメ１ミ人プランジャー２３の内部に筒状の空洞２４を
形成（６） する。この筒状の空洞２４は、注入プランツヤ−２３の
中心割；を１号き、その先錨ｉ　Ｉｌｌ！かプランジャ
ー２３の俗醐！樹脂２１に接する而２７（以−トごの而
を中に面２７と記す）とわずかの捏さを隔てたとごろま
で形成する。ごのｊ！−さＧ、、ｌ、プランジャー２３
の勺Ｙ人および樹脂に加えられるべきｊ上刃に幻ｊ心し
゛（ｒＯ０５ｍｍ〜］、Ｏｍｍの範囲内で適宜選定ずろ
。

次いで前記空洞２４の先端に（さ圧素了２５および（・
１ぎ用素了２５の圧力変化を電気信号に変換して［）ν
り出ず変換装置２６とを配設し、前記変換結果を配線２
１３　ｂ、二よっ゛（図示せぬ圧力制御装置に人力する
。感圧素子には１列えばひすみケージ（ｓｔｒ、］ｉｎ
　にａｇｅ　）を用いる。

かかる構成の注入プランジャ−２３において、住人プラ
ンジャー２３の面２７で内）１１）に懇圧索Ｊ’−２５
が配設されている部分に１、その１１νさが鰯いため加
圧時にたや′４く変形する。この変形４Ｊ草／１１１２
４の内部の（・す圧素１５によっ（検出された後、直ｌ
シに？４ｉ気信号に変換され制御装置に送られる。その
結果別ＬＩ−動作中當にｌ容融＋ｂ４脂２１に実際に加
えられている（７） 圧力（直を泊（妾モニターすることができるため、この
検出圧力にｊ心して注入プランジャーの注入圧力を補正
し７て正しい圧力を樹脂に加えることができる。

かくして溝２２ａおよび２２ｂに形成されるＯリンク部
２１ａおよ０・２１１〕とボット１９の壁面とのＴＶ、
、擦の大きさいかんにかかわらず正確な圧力を樹脂に加
えることかＩ４障される。

Ｌ述した本発明のモールド方法は樹脂封止形半導体装置
の製造のみに使用されるものではなく、金型などを用い
たモールド作業を行う装置全般に応用できるものである
。なお感圧素子を注入プランジャー２３内にでし１なく
、カル１２の底面の下（図に７１−号２９てボず）に配
置し、かつ底面の厚さを薄くすることによ−２ても同様
に樹脂の圧力を直接検出することができ、本発明の目的
を達成することがＣきる。他方、４に１人プランジャー
２３内への圧力検出手段の配設はｆｊｆｆ　Ａ、技術に
よって容易に行うことができイ〕。

（７）発明の効果 （８） 以上詳細に説明した如く本発明によれは、ｔｌつ人プラ
ンンヤーとボッ１〜との摩１察にかがねりなく止６ｆ［
ｆ、＜圧力を樹ＩＩＩ　ｂこ加えられるモール！・方法
をｊに供できるため、安定したモールＩ−成型が行なえ
、例えは４１１（脂月１に型半導体装置製造における七
−ルトパソケーシの不良品発止を低減し、！１ＩＩＪ造
ル１ｄＩりの向」−および半導体装置の信頼性向上に効
果大である。

【図面の簡単な説明】

Ｎｓ　Ｉ図ハキャヒティ内に活１がれたり−１−フレー
ムの１Ｐ面図、第２図は樹脂封止型半導体装置の斜視図
、第３図はトランスファ形成装置の概略断面図、第４図
は従来の注入プランツヤ−を説明するための図、第５図
は本発明実施例を説明するだめの図である。 ■　リードフレーム、５−モールド パンケージ、７　樹脂月１Ｆ型半導体装置、１１　　ラ
ンナー、Ｉ２−ケート、１．３キヤヒテイ、１４−上型
、［５−下型、１６−カル、１７．２３−注入ブランン
ヤー、（９） １９−ボッ１−１２２ａ、２２ｂ　　溝、２４−空洞、
２５−感托素イ （１０） 第１図 第２図 第４図 １９、Ｙン二二一」荒Ｘ３舊し＃上三Ｗノ二９第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 二し−ルト成型ヲ行・うモール１プし・スに、コ１ニー
   ルＩ金型内のｔＡＩ脂Ｌ＋し力をｌｌ′ｌＩｊ長検出す
   る手段を設ｉｊ、検出されるＢ−力にＩ＋ｂ　Ｌ；で、
   該樹脂の注入圧をｊｌｉ’ｌ　Ｇ１１ｌずろ様（、にし
   たことを特徴とするこ辷−ル１′方法。