JPS5917806B2 - Method of forming electrodes in full mirror type liquid crystal display device - Google Patents
Method of forming electrodes in full mirror type liquid crystal display deviceInfo
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- JPS5917806B2 JPS5917806B2 JP51131406A JP13140676A JPS5917806B2 JP S5917806 B2 JPS5917806 B2 JP S5917806B2 JP 51131406 A JP51131406 A JP 51131406A JP 13140676 A JP13140676 A JP 13140676A JP S5917806 B2 JPS5917806 B2 JP S5917806B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は全面鏡面型液晶表示装置に係り、特には全面鏡
面型液晶表示装置に於ける透明電極形成方法の改良に関
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a fully mirrored liquid crystal display device, and more particularly to an improvement in a method for forming transparent electrodes in a fully mirrored liquid crystal display device.
全面鏡面型液晶表示装置の構成を第１図に基づいて説明
する。The configuration of a full mirror type liquid crystal display device will be explained based on FIG. 1.
第１図は全面鏡面型液晶表示装置の構成を示す断面図で
ある。図に於いて１は後面ガラス基板であり、２は後面
ガラス基板１の面上に形成されるアルミニウム反射電極
である。FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a full-surface mirror type liquid crystal display device. In the figure, 1 is a rear glass substrate, and 2 is an aluminum reflective electrode formed on the surface of the rear glass substrate 1.
該アルミニウム反射電極２は表示する文字、数字等を形
造るセグメント状に形成されている。３は前面ガラス基
板であり、その面上にはアルミニウム反射膜４が形成さ
れた後、酸化インジウム透明電極（酸化スズを不純物と
して含有するものを含む。The aluminum reflective electrode 2 is formed into segments forming characters, numbers, etc. to be displayed. 3 is a front glass substrate, and after an aluminum reflective film 4 is formed on the surface thereof, an indium oxide transparent electrode (including one containing tin oxide as an impurity) is formed.
以下同じ。）５が形成されている。反射膜４は反射電極
２に対向する部分は切り欠かれた構成となつている。６
は液晶組成物であり、Ｔはスペーサである。same as below. )5 is formed. The reflective film 4 has a notched portion facing the reflective electrode 2. 6
is a liquid crystal composition, and T is a spacer.
このような構成とすることによつて表示面全面が一様な
鏡面状態となり、表示文字部のみ力伯濁して見える液晶
表示装置（全面鏡面型液晶表示装置）を提供できる。By adopting such a configuration, the entire display surface becomes a uniform mirror state, and it is possible to provide a liquid crystal display device (full mirror surface type liquid crystal display device) in which only the displayed character portion appears blurred.
上記の全面鏡面型液晶表示装置に於いてはアルミニウム
蒸着膜が形成されたガラス基板上に、更に酸化インジウ
ム膜を形成する必要がある。In the above-mentioned full mirror surface type liquid crystal display device, it is necessary to further form an indium oxide film on the glass substrate on which the aluminum vapor deposited film is formed.
酸化インジウム膜の形成方法として従来広く知られてい
るのは電子ビーム蒸着法であり、電子ビームガンにて酸
素雰囲気中酸化インジウム膜を蒸着形成する。基板温度
は３５０℃〜３８０℃である。しかしアルミニウム蒸着
膜上に上記電子ビーム蒸着法により酸化インジウム膜を
形成すると、基板温度が上述したように３５０℃程度と
なる為、アルミニウム蒸着膜は表面粒子の成長及び酸化
によりその反射率が低下してしまう。A conventionally widely known method for forming an indium oxide film is an electron beam evaporation method, in which an indium oxide film is formed by vapor deposition in an oxygen atmosphere using an electron beam gun. The substrate temperature is 350°C to 380°C. However, when an indium oxide film is formed on an aluminum vapor-deposited film by the above-mentioned electron beam evaporation method, the substrate temperature is about 350°C as mentioned above, so the reflectance of the aluminum vapor-deposited film decreases due to the growth and oxidation of surface particles. It ends up.
また熱による応力が残るため付着強度が低下しピンホー
ル等がアルミニウム蒸着膜に出現する。従つて電子ビー
ム蒸着法により、アルミニウム蒸着膜上に酸化インジウ
ム膜を形成することは好ましくない。Furthermore, since stress due to heat remains, the adhesion strength decreases and pinholes etc. appear in the aluminum vapor deposited film. Therefore, it is not preferable to form an indium oxide film on an aluminum evaporated film by electron beam evaporation.
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり基板温度
の上昇を招くこと無く、酸化インジウム膜を基板上に形
成することができる電極形成方法を提供するものである
。The present invention has been made in view of the above points, and provides an electrode forming method that can form an indium oxide film on a substrate without causing an increase in substrate temperature.
即ち本発明の電極形成方法は、インジウム（不純物とし
てスズを含有するものを含む。That is, the electrode forming method of the present invention includes indium (containing tin as an impurity).
）を蒸着材料として、酸素雰囲気中でアルミニウム蒸着
膜上にＲＦイオンブレーテイングを行うことにより酸化
インジウム透明電極（酸化スズを含有するものを含む。
）を形成することを特徴とするものである。第２図は本
発明を実施する為の装置の概略を示す図である。) as a vapor deposition material, RF ion blating is performed on the aluminum vapor deposited film in an oxygen atmosphere to form an indium oxide transparent electrode (including those containing tin oxide).
). FIG. 2 is a diagram schematically showing an apparatus for carrying out the present invention.
図に於いて、８は蒸着材料である、スズを５重量％不純
物として含有するインジウムであり、９は電子ビーム、
１０はアルミニウム反射膜が形成された前面ガラス基板
である。In the figure, 8 is a vapor deposition material, indium containing 5% by weight of tin as an impurity, 9 is an electron beam,
10 is a front glass substrate on which an aluminum reflective film is formed.
１１はプローブであり、ＲＦ（ラジオ波）が印加されて
いる。11 is a probe to which RF (radio waves) is applied.
１２はペルシャー、１３はバイアス電源である。12 is a Persian, and 13 is a bias power supply.
実施時の一条件をあげれば以下のとおりである。One of the conditions for implementation is as follows.
真空度 １×１０−６Ｔ０ｒｒ（５×１（Ｒ６ＴＯｒｒ
Ｏ２リーク）ＲＦｌ５ＯＷ，ｌ３．６５ＭＩＩｚ基板バ
イアス −１〜２Ｋ第２図に示す如く電子ビームガン上
にプローブ１１を設け、ＲＦを該プローブに印加するよ
うにすることにより、高真空中にてもイオンプレーテイ
ングが可能となる。Vacuum degree 1×10-6T0rr (5×1(R6TOrr
O2 leak) RFl5OW, l3.65MIIz Substrate bias -1~2K As shown in Figure 2, by installing a probe 11 on the electron beam gun and applying RF to the probe, ion spraying can be achieved even in high vacuum. Teing becomes possible.
本発明の電極形成方法では基板温度土昇は１００℃以下
に保たれ、アルミニウム膜の特性劣化を招くことなくア
ルミニウム膜上に酸化インジウム透明電極を形成できる
。In the electrode forming method of the present invention, the substrate temperature rise is maintained at 100° C. or less, and an indium oxide transparent electrode can be formed on the aluminum film without deteriorating the characteristics of the aluminum film.
本発明により形成した酸化インジウム膜は透過率９０〜
９５％（λ＝５５００λ測定）、面抵抗５〜６Ω／ＳＱ
のきわめて秀れた特性をもつ。The indium oxide film formed according to the present invention has a transmittance of 90~
95% (λ=5500λ measurement), sheet resistance 5-6Ω/SQ
It has extremely excellent characteristics.
以上詳細に説明したように、本発明によれば、基板温度
の上昇を招くこと無く、アルミニウム蒸着膜上に酸化イ
ンジウム膜を形成することができアルミニウム反射膜の
特性劣化（反射率の低下、ピンホール出現等）を伴うこ
となく酸化インジウム膜を形成することができる。本発
明の電極形成方法は、全面鏡面型液晶表示装置に於いて
のみならず、アルミニウム膜上に酸化インジウム膜を形
成する構成の電極すべてに有効である。As explained in detail above, according to the present invention, an indium oxide film can be formed on an aluminum vapor-deposited film without causing an increase in the substrate temperature, and the properties of the aluminum reflective film can be deteriorated (reflectance decreases, pinpoint It is possible to form an indium oxide film without the occurrence of holes (such as the appearance of holes). The electrode forming method of the present invention is effective not only for a full mirror type liquid crystal display device but also for all electrodes having a structure in which an indium oxide film is formed on an aluminum film.
第１図は全面鏡面型液晶表示装置の構成を示す断面図、
第２図は本発明を実施する為の装置の概略を示す図であ
る。
符号１：後面ガラス基板、２：アルミニウム反射電極、
３，１０：前面ガラス基板、４：アルミニウム反射膜，
５：酸化インジウム透明電極、６：液晶組成物、８：ス
ズを不純物として含むインジウム。FIG. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a full mirror surface type liquid crystal display device.
FIG. 2 is a diagram schematically showing an apparatus for carrying out the present invention. Code 1: Rear glass substrate, 2: Aluminum reflective electrode,
3, 10: Front glass substrate, 4: Aluminum reflective film,
5: Indium oxide transparent electrode, 6: Liquid crystal composition, 8: Indium containing tin as an impurity.
Claims (1)
向する透明電極を設け、前記両基板を、前記反射電極と
前記透明電極が対向するように配置するとともに、前記
両基板間に液晶組成物を充填し、表示面全面が一様な鏡
面状態となるように構成した全面鏡面型液晶表示装置に
於いて、前記アルミニウム反射膜上に、インジウム（不
純物としてスズを含有するものを含む。 ）を酸素雰囲気中で活性ＲＦイオンプレーティングし、
前記アルミニウム反射膜上に透明電極を形成することを
特徴とする、全面鏡面型液晶表示装置に於ける電極形成
方法。[Claims] 1. A reflective electrode is provided on the rear substrate, an aluminum reflective film and a transparent electrode facing the reflective electrode are provided on the front substrate, and the reflective electrode and the transparent electrode are arranged opposite to each other on both substrates. In the full mirror type liquid crystal display device, the liquid crystal composition is filled between the two substrates so that the entire display surface has a uniform mirror state. , active RF ion plating of indium (including those containing tin as an impurity) in an oxygen atmosphere,
A method for forming an electrode in a full mirror type liquid crystal display device, comprising forming a transparent electrode on the aluminum reflective film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51131406A JPS5917806B2 (en) | 1976-10-29 | 1976-10-29 | Method of forming electrodes in full mirror type liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51131406A JPS5917806B2 (en) | 1976-10-29 | 1976-10-29 | Method of forming electrodes in full mirror type liquid crystal display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5355143A JPS5355143A (en) | 1978-05-19 |
| JPS5917806B2 true JPS5917806B2 (en) | 1984-04-24 |
Family
ID=15057219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51131406A Expired JPS5917806B2 (en) | 1976-10-29 | 1976-10-29 | Method of forming electrodes in full mirror type liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917806B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63106623A (en) * | 1986-10-23 | 1988-05-11 | Fujitsu Ltd | Liquid crystal display element |
-
1976
- 1976-10-29 JP JP51131406A patent/JPS5917806B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5355143A (en) | 1978-05-19 |
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